JP3498004B2 - ウエハ熱処理装置及びその熱処理方法 - Google Patents
ウエハ熱処理装置及びその熱処理方法Info
- Publication number
- JP3498004B2 JP3498004B2 JP11748299A JP11748299A JP3498004B2 JP 3498004 B2 JP3498004 B2 JP 3498004B2 JP 11748299 A JP11748299 A JP 11748299A JP 11748299 A JP11748299 A JP 11748299A JP 3498004 B2 JP3498004 B2 JP 3498004B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core tube
- furnace core
- wafer
- heat treatment
- process gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ熱処理装置
及びその熱処理方法に関し、特に横型拡散炉及びその拡
散炉を用いたウエハの熱処理方法に関するものである。
及びその熱処理方法に関し、特に横型拡散炉及びその拡
散炉を用いたウエハの熱処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のウエハ熱処理装置として、横型拡
散炉が知られている。この横型拡散炉は、第１の従来の
ウエハ熱処理装置の構成図である図２に示すように、炉
芯管１１と炉芯管１１の外周に設けられたヒータ１２か
ら構成されており、炉芯管の長さ方向の一端側と前部側
とし、他端側を後部側として設置されている。前部側
は、ウエハ１３の搬出入口となっており、後部側には、
プロセスガス導入管１４が接続されている。
散炉が知られている。この横型拡散炉は、第１の従来の
ウエハ熱処理装置の構成図である図２に示すように、炉
芯管１１と炉芯管１１の外周に設けられたヒータ１２か
ら構成されており、炉芯管の長さ方向の一端側と前部側
とし、他端側を後部側として設置されている。前部側
は、ウエハ１３の搬出入口となっており、後部側には、
プロセスガス導入管１４が接続されている。
【０００３】このような横型拡散炉では、ヒータにて処
理温度に加熱された炉芯管内に、搬出入口からウエハを
収容したボードを搬入するとともに、炉芯管内に導入管
よりプロセスガスとして例えばＮ２ガス等の不活性ガス
を導入しつつ、排気管から排気することにより、ウエハ
を熱処理するようになっている。
理温度に加熱された炉芯管内に、搬出入口からウエハを
収容したボードを搬入するとともに、炉芯管内に導入管
よりプロセスガスとして例えばＮ２ガス等の不活性ガス
を導入しつつ、排気管から排気することにより、ウエハ
を熱処理するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のウエハ熱処理装
置では、例えば上述の横型拡散炉の場合、ウエハの熱処
理時に炉芯管内が処理温度に加熱されているのに対し
て、何ら温度処理を施していない、すなわち炉芯管内の
温度に対して冷えたプロセスガスが炉芯管内に導入され
る。このため、上述のようなプロセスガスが炉芯管の後
部側から炉芯管内に導入されて前部側から排気される従
来の横型拡散炉では、冷えたプロセスガスによって炉芯
管内が冷やされ、炉芯管内の温度が安定しない。その結
果、この横型拡散炉を用いてウエハの熱処理を行うこと
により、拡散層や酸化膜を形成した場合、ウエハ面内に
おいて均一に熱処理されず、ウエハ面内におけるシート
抵抗値の均一性や膜厚分布が悪くなるという不具合が生
じる。
置では、例えば上述の横型拡散炉の場合、ウエハの熱処
理時に炉芯管内が処理温度に加熱されているのに対し
て、何ら温度処理を施していない、すなわち炉芯管内の
温度に対して冷えたプロセスガスが炉芯管内に導入され
る。このため、上述のようなプロセスガスが炉芯管の後
部側から炉芯管内に導入されて前部側から排気される従
来の横型拡散炉では、冷えたプロセスガスによって炉芯
管内が冷やされ、炉芯管内の温度が安定しない。その結
果、この横型拡散炉を用いてウエハの熱処理を行うこと
により、拡散層や酸化膜を形成した場合、ウエハ面内に
おいて均一に熱処理されず、ウエハ面内におけるシート
抵抗値の均一性や膜厚分布が悪くなるという不具合が生
じる。
【０００５】このような、シート抵抗値のウエハ面内均
一性や膜厚分布の悪化は半導体装置の製造歩留まりの低
下を招いてしまうものである。この改良として、特開平
１０−２５６２４５号公報では、プロセスガスを予備加
熱する方法が開示されている。
一性や膜厚分布の悪化は半導体装置の製造歩留まりの低
下を招いてしまうものである。この改良として、特開平
１０−２５６２４５号公報では、プロセスガスを予備加
熱する方法が開示されている。
【０００６】１つは炉芯管に導入する前に炉芯管近くに
設けた加熱部で加熱する方法や、第２の従来のウエハ熱
処理装置の構成図である図３に示すように、炉芯管内部
に螺旋状導入管１５を設けて、プロセスガスのガス吹き
出し口を炉芯管の断面中心に設け、炉芯管内部でプロセ
スガスを加熱する方法がある。炉芯管外部に加熱部を設
ける方法は、別途装置が必要であり、拡散炉で使用され
る温度近くまで、あるいは、半分程度でも５００℃近い
高温であり、設備として大きく、コスト及び配置面積な
どの問題が多い。
設けた加熱部で加熱する方法や、第２の従来のウエハ熱
処理装置の構成図である図３に示すように、炉芯管内部
に螺旋状導入管１５を設けて、プロセスガスのガス吹き
出し口を炉芯管の断面中心に設け、炉芯管内部でプロセ
スガスを加熱する方法がある。炉芯管外部に加熱部を設
ける方法は、別途装置が必要であり、拡散炉で使用され
る温度近くまで、あるいは、半分程度でも５００℃近い
高温であり、設備として大きく、コスト及び配置面積な
どの問題が多い。
【０００７】一方、螺旋状導入管を用いる場合は、酸化
膜の膜厚の均一性が５０％改善されている。しかし、半
導体装置分野では、素子特性の均一性向上、歩留まり向
上のため、更なる改良が求められている。尚、図２及び
図３において、符号１７は蓋、１８は排気管を示す。
膜の膜厚の均一性が５０％改善されている。しかし、半
導体装置分野では、素子特性の均一性向上、歩留まり向
上のため、更なる改良が求められている。尚、図２及び
図３において、符号１７は蓋、１８は排気管を示す。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
のウエハ熱処理装置は、炉芯管と、該炉芯管の外周に設
けられたヒーターと、上記炉芯管内に設けられたウエハ
保持具と、上記炉芯管内にプロセスガスを導入するガス
導入管とを有するウエハ熱処理装置において、上記ガス
導入管が、上記炉芯管内において螺旋状構造であり、且
つ吹き出し口が二股構造であり、且つ上記吹き出し口の
一方が炉芯管の中心位置にあり、且つ上記吹き出し口の
他方が炉芯管の中心より下の位置にあることを特徴とす
るものである。
のウエハ熱処理装置は、炉芯管と、該炉芯管の外周に設
けられたヒーターと、上記炉芯管内に設けられたウエハ
保持具と、上記炉芯管内にプロセスガスを導入するガス
導入管とを有するウエハ熱処理装置において、上記ガス
導入管が、上記炉芯管内において螺旋状構造であり、且
つ吹き出し口が二股構造であり、且つ上記吹き出し口の
一方が炉芯管の中心位置にあり、且つ上記吹き出し口の
他方が炉芯管の中心より下の位置にあることを特徴とす
るものである。
【０００９】また、請求項２に記載の本発明のウエハ熱
処理装置は、上記吹き出し口の他方が炉芯管の底から該
炉芯管の直径の１／５の高さの位置にあることを特徴と
する、請求項１に記載のウエハ熱処理装置である。
処理装置は、上記吹き出し口の他方が炉芯管の底から該
炉芯管の直径の１／５の高さの位置にあることを特徴と
する、請求項１に記載のウエハ熱処理装置である。
【００１０】また、請求項３に記載の本発明のウエハの
熱処理方法は、炉芯管内にプロセスガスを導入しつつ、
該炉芯管内を加熱して、該炉芯管内に搬送されたウエハ
を熱処理する方法において、予め、前記プロセスガスを
前記炉芯管内の加熱温度付近まで加熱し、その後加熱さ
れたプロセスガスを上記炉芯管の中心部及び該中心より
低い位置から導入することを特徴とするものである。
熱処理方法は、炉芯管内にプロセスガスを導入しつつ、
該炉芯管内を加熱して、該炉芯管内に搬送されたウエハ
を熱処理する方法において、予め、前記プロセスガスを
前記炉芯管内の加熱温度付近まで加熱し、その後加熱さ
れたプロセスガスを上記炉芯管の中心部及び該中心より
低い位置から導入することを特徴とするものである。
【００１１】更に、請求項４に記載の本発明のウエハの
熱処理方法は、上記加熱されたプロセスガスを上記炉芯
管の中心部と該炉芯管の底から該炉芯管の直径の１／５
の高さの位置とから導入することを特徴とする、請求項
３に記載のウエハの熱処理方法である。
熱処理方法は、上記加熱されたプロセスガスを上記炉芯
管の中心部と該炉芯管の底から該炉芯管の直径の１／５
の高さの位置とから導入することを特徴とする、請求項
３に記載のウエハの熱処理方法である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、一実施の形態に基づいて、
本発明のウエハ熱処理装置及びその熱処理方法を詳細に
説明する。
本発明のウエハ熱処理装置及びその熱処理方法を詳細に
説明する。
【００１３】図１は本発明のウエハ熱処理装置の構成を
示す図である。尚、図１において、１は炉芯管、２はヒ
ータ、３はウエハ、４は導入口、５は螺旋状導入管、６
はガス吹き出し口、７は蓋、８は排気管を示す。
示す図である。尚、図１において、１は炉芯管、２はヒ
ータ、３はウエハ、４は導入口、５は螺旋状導入管、６
はガス吹き出し口、７は蓋、８は排気管を示す。
【００１４】本発明のウエハ熱処理において、従来の横
型拡散炉と相違するところは、螺旋状導入管５のガス吹
き出し口６が二股６ａ、６ｂになっていることである。
すなわち、このウエハ熱処理装置には、従来と同様に、
石英製の炉芯管１の外周にヒータ２が設けられている。
また、例えば、炉芯管の長さ方向の一端を前部側、他端
を後部側とした場合、前部側は、ウエハ３の搬出入口と
なっており、搬出入口には、ウエハの搬出入時に開閉す
る蓋７が取り付けられている。
型拡散炉と相違するところは、螺旋状導入管５のガス吹
き出し口６が二股６ａ、６ｂになっていることである。
すなわち、このウエハ熱処理装置には、従来と同様に、
石英製の炉芯管１の外周にヒータ２が設けられている。
また、例えば、炉芯管の長さ方向の一端を前部側、他端
を後部側とした場合、前部側は、ウエハ３の搬出入口と
なっており、搬出入口には、ウエハの搬出入時に開閉す
る蓋７が取り付けられている。
【００１５】そして、炉芯管１の後部側に安定なガス、
例えば、Ｎ２ガスやＡｒガス等の不活性ガス、Ｏ２ガ
ス、Ｈ２ガス等のプロセスガスの導入口４が接続され、
炉芯管１の前部側の側壁に排気管８が接続されている。
例えば、Ｎ２ガスやＡｒガス等の不活性ガス、Ｏ２ガ
ス、Ｈ２ガス等のプロセスガスの導入口４が接続され、
炉芯管１の前部側の側壁に排気管８が接続されている。
【００１６】また、螺旋状導入管５は、プロセスガスの
導入管の炉芯管１と接続した端部から炉芯管１内に延び
て形成されたもので、炉芯管１内の後部側に設けられて
いる。このとき螺旋状導入管５は、炉芯管１の後部から
ウエハ３が配置される位置に向けて、炉芯管１内壁に沿
う状態で設けられている。
導入管の炉芯管１と接続した端部から炉芯管１内に延び
て形成されたもので、炉芯管１内の後部側に設けられて
いる。このとき螺旋状導入管５は、炉芯管１の後部から
ウエハ３が配置される位置に向けて、炉芯管１内壁に沿
う状態で設けられている。
【００１７】また、より均一性のよい酸化膜を形成する
為に、ガスの対流を考慮し、ガス吹き出し口６が二股６
ａ、６ｂに分岐しており、その吹き出し口の一方６ａを
炉芯管１の下部に配置させ、吹き出す構造となってい
る。なお、この螺旋状導入管５は石英で形成されてい
る。
為に、ガスの対流を考慮し、ガス吹き出し口６が二股６
ａ、６ｂに分岐しており、その吹き出し口の一方６ａを
炉芯管１の下部に配置させ、吹き出す構造となってい
る。なお、この螺旋状導入管５は石英で形成されてい
る。
【００１８】上述のごとく形成されたウエハ熱処理装置
では、プロセスガスの導入管の端部から螺旋状導入管が
延びて形成されているため、導入管を通過したプロセス
ガスは更に螺旋状導入管を通り、その後、二股のガス吹
き出し口から炉芯管１内に導入されている。
では、プロセスガスの導入管の端部から螺旋状導入管が
延びて形成されているため、導入管を通過したプロセス
ガスは更に螺旋状導入管を通り、その後、二股のガス吹
き出し口から炉芯管１内に導入されている。
【００１９】次に、このウエハ熱処理装置を用いての酸
化膜厚均一性向上策について説明する。
化膜厚均一性向上策について説明する。
【００２０】まず、ウエハを熱処理するに当たっては、
予めヒータ２にて炉芯管１内を処理温度に加熱しておく
と共に、螺旋状導入管５によって、プロセスガスを炉芯
管１内の加熱温度付近の温度に予備加熱する。このよう
に、ウエハ熱処理装置では、螺旋状導入管５が炉芯管１
内に設けられているため、炉芯管１内の熱によって、プ
ロセスガスは炉芯管１内付近の温度に加熱される。そし
て、予備加熱されたプロセスガスを螺旋状導入管５から
炉芯管１内に導入しつつ排気管８から排気するととも
に、ボートに収容された複数枚のウエハ３を炉芯管１内
に搬送し配置し、ウエハ３を熱処理する。
予めヒータ２にて炉芯管１内を処理温度に加熱しておく
と共に、螺旋状導入管５によって、プロセスガスを炉芯
管１内の加熱温度付近の温度に予備加熱する。このよう
に、ウエハ熱処理装置では、螺旋状導入管５が炉芯管１
内に設けられているため、炉芯管１内の熱によって、プ
ロセスガスは炉芯管１内付近の温度に加熱される。そし
て、予備加熱されたプロセスガスを螺旋状導入管５から
炉芯管１内に導入しつつ排気管８から排気するととも
に、ボートに収容された複数枚のウエハ３を炉芯管１内
に搬送し配置し、ウエハ３を熱処理する。
【００２１】上述のウエハ熱処理方法では、予めプロセ
スガスを炉芯管１内の温度付近まで予備加熱した後に、
炉芯管１内にプロセスガスを導入するため、熱処理の際
に、炉芯管１内にプロセスガスを導入しつつ、排気して
も、炉芯管内の温度がプロセスガスによって低下するこ
とがない。その結果、炉芯管１内の温度が常に安定し、
ウエハ面内にて均一に熱処理・酸化ができる。
スガスを炉芯管１内の温度付近まで予備加熱した後に、
炉芯管１内にプロセスガスを導入するため、熱処理の際
に、炉芯管１内にプロセスガスを導入しつつ、排気して
も、炉芯管内の温度がプロセスガスによって低下するこ
とがない。その結果、炉芯管１内の温度が常に安定し、
ウエハ面内にて均一に熱処理・酸化ができる。
【００２２】更に、ウエハ熱処理装置では、螺旋状導入
管５が炉芯管内１に設けられて炉芯管１内の温度で加熱
されるため、プロセスガスを予備加熱するための加熱手
段を新たに設けなくても、螺旋状導入管５を介してプロ
セスガスを炉芯管１内の付近の温度に加熱できる。
管５が炉芯管内１に設けられて炉芯管１内の温度で加熱
されるため、プロセスガスを予備加熱するための加熱手
段を新たに設けなくても、螺旋状導入管５を介してプロ
セスガスを炉芯管１内の付近の温度に加熱できる。
【００２３】しかも、螺旋状導入管５は、炉芯管１の内
壁に沿う状態で、螺旋状に設けられていることから長尺
であるので、螺旋状導入管５内をプロセスガスを通過さ
せることで、プロセスガスを確実に炉芯管１内付近の温
度に予備加熱することができる。よって、新たな加熱手
段が不要であることから、装置構成が複雑にならず、装
置に要するコストも低く抑えることができるとともに、
炉芯管１内の熱を有効に利用するための電気エネルギー
も節約することができる。
壁に沿う状態で、螺旋状に設けられていることから長尺
であるので、螺旋状導入管５内をプロセスガスを通過さ
せることで、プロセスガスを確実に炉芯管１内付近の温
度に予備加熱することができる。よって、新たな加熱手
段が不要であることから、装置構成が複雑にならず、装
置に要するコストも低く抑えることができるとともに、
炉芯管１内の熱を有効に利用するための電気エネルギー
も節約することができる。
【００２４】本発明による、ガス吹き出し口６の二股の
１つ６ａは、炉芯管１の底から直径の１／５程度の高さ
の位置であり、他方６ｂは直径の１／２付近の位置であ
る。この本発明の螺旋状導入管５を用いた場合、酸化膜
の膜厚の均一性は、予備加熱を行わない従来技術に比べ
て８０％改善した。
１つ６ａは、炉芯管１の底から直径の１／５程度の高さ
の位置であり、他方６ｂは直径の１／２付近の位置であ
る。この本発明の螺旋状導入管５を用いた場合、酸化膜
の膜厚の均一性は、予備加熱を行わない従来技術に比べ
て８０％改善した。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明を
用いることに、シート抵抗値のウエハ面内均一性の向上
及びウエハ面内における膜厚分布の改善を図ることがで
きるため、半導体装置の製造歩留まりを向上させること
ができる。
用いることに、シート抵抗値のウエハ面内均一性の向上
及びウエハ面内における膜厚分布の改善を図ることがで
きるため、半導体装置の製造歩留まりを向上させること
ができる。
【図１】本発明の一実施の形態のウエハ熱処理装置の構
成図である。
成図である。
【図２】第１の従来のウエハ熱処理装置の構成図であ
る。
る。
【図３】第２の従来のウエハ熱処理装置の構成図であ
る。
る。
１ 炉芯管
２ ヒーター
３ ウエハ
４ 導入口
５ 螺旋状導入管
６、６ａ、６ｂ ガス吹き出し口
７ 蓋
８ 排気管
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−256245（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−234923（ＪＰ，Ａ)
実開 昭56−129737（ＪＰ，Ｕ)
実開 平４−4738（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 16/00
F27B 5/00
F27D 7/00
H01L 21/205
H01L 21/22
H01L 21/324
Claims (4)
- 【請求項１】 炉芯管と、該炉芯管の外周に設けられた
ヒーターと、上記炉芯管内に設けられたウエハ保持具
と、上記炉芯管内にプロセスガスを導入するガス導入管
とを有するウエハ熱処理装置において、 上記ガス導入管が、上記炉芯管内において螺旋状構造で
あり、且つ吹き出し口が二股構造であり、且つ上記吹き
出し口の一方が炉芯管の中心位置にあり、且つ上記吹き
出し口の他方が炉芯管の中心より下の位置にあることを
特徴とするウエハ熱処理装置。 - 【請求項２】 上記吹き出し口の他方が炉芯管の底から
該炉芯管の直径の１／５の高さの位置にあることを特徴
とする、請求項１に記載のウエハ熱処理装置。 - 【請求項３】 炉芯管内にプロセスガスを導入しつつ、
該炉芯管内を加熱して、該炉芯管内に搬送されたウエハ
を熱処理する方法において、 予め、前記プロセスガスを前記炉芯管内の加熱温度付近
まで加熱し、その後加熱されたプロセスガスを上記炉芯
管の中心部及び該中心より低い位置から導入することを
特徴とする、ウエハの熱処理方法。 - 【請求項４】 上記加熱されたプロセスガスを上記炉芯
管の中心部と該炉芯管の底から該炉芯管の直径の１／５
の高さの位置とから導入することを特徴とする、請求項
３に記載のウエハの熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11748299A JP3498004B2 (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | ウエハ熱処理装置及びその熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11748299A JP3498004B2 (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | ウエハ熱処理装置及びその熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306852A JP2000306852A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3498004B2 true JP3498004B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=14712807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11748299A Expired - Fee Related JP3498004B2 (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | ウエハ熱処理装置及びその熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3498004B2 (ja) |
-
1999
- 1999-04-26 JP JP11748299A patent/JP3498004B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000306852A (ja) | 2000-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002334867A (ja) | 熱処理装置及びその方法 | |
| JP2003282578A (ja) | 熱処理装置および半導体製造方法 | |
| JPH06310448A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH10107018A (ja) | 半導体ウェーハの熱処理装置 | |
| JP2668001B2 (ja) | 熱処理方法及びその装置 | |
| JP5036172B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3498004B2 (ja) | ウエハ熱処理装置及びその熱処理方法 | |
| JP3207402B2 (ja) | 半導体用熱処理装置および半導体基板の熱処理方法 | |
| JPH11260744A (ja) | 熱処理炉 | |
| JPS62140413A (ja) | 縦型拡散装置 | |
| JPH10256245A (ja) | ウエハ熱処理装置およびその方法 | |
| JP2001308085A (ja) | 熱処理方法 | |
| JP3081886B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JPH08181082A (ja) | 縦型高速熱処理装置 | |
| JP2000012478A (ja) | 基板熱処理装置 | |
| JP2693465B2 (ja) | 半導体ウェハの処理装置 | |
| JP3084232B2 (ja) | 縦型加熱処理装置 | |
| JPH0468522A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2005217317A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR0121711Y1 (ko) | 핫-월형 고속 열처리장치 | |
| JP3118760B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0468528A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP3462368B2 (ja) | 半導体装置の製造装置および製造方法 | |
| JPS5922114Y2 (ja) | 熱処理装置 | |
| KR100295630B1 (ko) | 종형 에피택셜 성장장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081128 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091128 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091128 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101128 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111128 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121128 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131128 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |