JPS5860543A - 半導体ウエハ処理装置 - Google Patents
半導体ウエハ処理装置Info
- Publication number
- JPS5860543A JPS5860543A JP15981581A JP15981581A JPS5860543A JP S5860543 A JPS5860543 A JP S5860543A JP 15981581 A JP15981581 A JP 15981581A JP 15981581 A JP15981581 A JP 15981581A JP S5860543 A JPS5860543 A JP S5860543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- semiconductor wafer
- silicon carbide
- gas inlet
- tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 59
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 20
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 18
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 238000007664 blowing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハの酸化や拡散に用いられる処理装
置に関する。
置に関する。
例えば半導体ウェハの熱酸化処理は、プロセスチューブ
内に半導体ウェハを載置し、このプロセスチューブに挿
入されたガス寺入管から沸ｌした高純度脱イオン水を導
入して酸化するスチーム酸化法、あるいは酸素ガス全導
入して酸化するドライ０□酸化法又はウェット０２＃Ｉ
化法等が採用されていたが、最近、酸化速度が速いこと
から高純度の°Ｈ２ガスと０２ガスを導入し、グロセス
チューブ内で燃焼させて酸化するいわゆるパイロ酸化法
が採用されるようになりてきている。
内に半導体ウェハを載置し、このプロセスチューブに挿
入されたガス寺入管から沸ｌした高純度脱イオン水を導
入して酸化するスチーム酸化法、あるいは酸素ガス全導
入して酸化するドライ０□酸化法又はウェット０２＃Ｉ
化法等が採用されていたが、最近、酸化速度が速いこと
から高純度の°Ｈ２ガスと０２ガスを導入し、グロセス
チューブ内で燃焼させて酸化するいわゆるパイロ酸化法
が採用されるようになりてきている。
ところで、従来、ガス導入管及びプロセスチューブは石
英製の本のが使用されている。しかし、石英製のガス導
入管及びプロセスナ、−ｆを用いて例えばノタイロ酸化
を行った場合、短期間使用しただけで高熱のためにガス
導入管が曲ったり、失透したシ、ガス吹出し口の形状変
化が生じ、ガスの燃焼状態が一定せず、一定の酸化条件
が得られなくなる。また、プロセスナ。
英製の本のが使用されている。しかし、石英製のガス導
入管及びプロセスナ、−ｆを用いて例えばノタイロ酸化
を行った場合、短期間使用しただけで高熱のためにガス
導入管が曲ったり、失透したシ、ガス吹出し口の形状変
化が生じ、ガスの燃焼状態が一定せず、一定の酸化条件
が得られなくなる。また、プロセスナ。
−ブも形状に変化が生じ、半導体ウェハの載置が困難に
なる。拡散処理を行った場合にも同様にガス導入管が曲
りたシ、失透したシ、ガス吹出し口の形状変化が生じ、
一定の拡散条件が得られなくなる。
なる。拡散処理を行った場合にも同様にガス導入管が曲
りたシ、失透したシ、ガス吹出し口の形状変化が生じ、
一定の拡散条件が得られなくなる。
本発明は上記事情に艦みてなされ友ものであり、ガス導
入管を炭化硅素質にすることによシ耐久性を向上させ、
例えば／譬イロ酸化や拡散処理を容易に行い得る半導体
ウニＩ・処理装置を提供しようとするものである。
入管を炭化硅素質にすることによシ耐久性を向上させ、
例えば／譬イロ酸化や拡散処理を容易に行い得る半導体
ウニＩ・処理装置を提供しようとするものである。
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する・
図中りは炭化硅素構造体にシリコンを浸み込ませガス不
透過性とした材質で端部が開口したプロセスチューブで
ある。このグロセスナ、−プＬの開口付近の７ランシａ
２には０す／グ１を介してジオインド部４が気密に封止
されている。このジオインド部４には、炭化硅素構造体
にシリコンを浸み込ませた材質の、第１．第２のガス導
入管５，６が先端１１−前記プロセスチューブＪ内に挿
入して一体的に取り付けられている。前記第１のガス導
入管５は先端側が屈曲された形状をなし、第２のガス導
入管６は真直な形状をなし、かつこれらガス導入管５，
６のガス吹出しロア、８は互いに対向するように設けら
れている。また、プロセスチューブＬ端部のフランジ部
２には熱放散用のフィン（図示せず）が設けられている
。
透過性とした材質で端部が開口したプロセスチューブで
ある。このグロセスナ、−プＬの開口付近の７ランシａ
２には０す／グ１を介してジオインド部４が気密に封止
されている。このジオインド部４には、炭化硅素構造体
にシリコンを浸み込ませた材質の、第１．第２のガス導
入管５，６が先端１１−前記プロセスチューブＪ内に挿
入して一体的に取り付けられている。前記第１のガス導
入管５は先端側が屈曲された形状をなし、第２のガス導
入管６は真直な形状をなし、かつこれらガス導入管５，
６のガス吹出しロア、８は互いに対向するように設けら
れている。また、プロセスチューブＬ端部のフランジ部
２には熱放散用のフィン（図示せず）が設けられている
。
上述した構造の半導体ウェハ処理装置を用いて、例えば
ノ臂イロ酸化を行うには、グロセスチ１−プＬ内に予め
半導体ウェノ・（図示せず）を載置し、＠１のガス導入
管５によシ図示しないＨ２ガス供給装置から供給される
Ｈ２ガスを、第２のガス導入管６により図示しない０．
ガス供給装置から供給される０２ガスを夫々プロセスナ
、−ゾＬ内に導入し、プロセスチューブＬ内において１
２００℃でＨ２ガスと０２ガスを燃焼させ、半導体ウェ
ハを酸化する。
ノ臂イロ酸化を行うには、グロセスチ１−プＬ内に予め
半導体ウェノ・（図示せず）を載置し、＠１のガス導入
管５によシ図示しないＨ２ガス供給装置から供給される
Ｈ２ガスを、第２のガス導入管６により図示しない０．
ガス供給装置から供給される０２ガスを夫々プロセスナ
、−ゾＬ内に導入し、プロセスチューブＬ内において１
２００℃でＨ２ガスと０２ガスを燃焼させ、半導体ウェ
ハを酸化する。
しかして、上記実施例によれば、ガス導入管５．６が耐
熱性の炭化硅素質であるため、ガス導入管５，６が曲っ
たり、 ガス吹出しロア、８の形状変化が生じたシしない。した
がって、ガスの燃焼状態を一定に維持することができ、
一定の酸化条件を得ることができる審 事実、上記実施例と同様の構造を有する従来の石英製の
ガス導入管を用いてノ譬イロ酸化を行った場合、約２週
間でガス導入管の先端が失透し、ガス吹出し口の形状変
化が生じて初期のガスの燃焼状態を維持することができ
なかったのに対して、上記実施例の如く炭化−一のガス
導入管５，６を用いてパイロ酸化を行った場合、１年間
使用した後でもガス導入管５，６には何らの変化も認め
られず、ガスの燃焼状態は一定に維持され、一定の酸化
条件を得ることができた・ また、石英製のプロセスチューブを用いてノ々イロ酸化
を行った場合、約３週間の使用でプロセスナ、−ｆのウ
ェハ載置位置に変形が生じたため２、仁の変形が大きく
ならないようにプロセスナ、−ｆを回転しながら使用し
なければならなかったが、上記実施例の如く炭化硅素質
のプロセスチューブを用いてノ母イロ酸化を行った場合
、１年間使用しても炭化硅素質のプロセスチューブには
何らの変形も生じなかった。
熱性の炭化硅素質であるため、ガス導入管５，６が曲っ
たり、 ガス吹出しロア、８の形状変化が生じたシしない。した
がって、ガスの燃焼状態を一定に維持することができ、
一定の酸化条件を得ることができる審 事実、上記実施例と同様の構造を有する従来の石英製の
ガス導入管を用いてノ譬イロ酸化を行った場合、約２週
間でガス導入管の先端が失透し、ガス吹出し口の形状変
化が生じて初期のガスの燃焼状態を維持することができ
なかったのに対して、上記実施例の如く炭化−一のガス
導入管５，６を用いてパイロ酸化を行った場合、１年間
使用した後でもガス導入管５，６には何らの変化も認め
られず、ガスの燃焼状態は一定に維持され、一定の酸化
条件を得ることができた・ また、石英製のプロセスチューブを用いてノ々イロ酸化
を行った場合、約３週間の使用でプロセスナ、−ｆのウ
ェハ載置位置に変形が生じたため２、仁の変形が大きく
ならないようにプロセスナ、−ｆを回転しながら使用し
なければならなかったが、上記実施例の如く炭化硅素質
のプロセスチューブを用いてノ母イロ酸化を行った場合
、１年間使用しても炭化硅素質のプロセスチューブには
何らの変形も生じなかった。
なお、ガス導入管の材質は上記実施例の如く、膨化硅素
構造体にシリコンｔＭみ込ませたものに限らず、炭化硅
素構造体の←而にＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ａｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）により緻密な炭化硅
素層を形成したものでもよい。
構造体にシリコンｔＭみ込ませたものに限らず、炭化硅
素構造体の←而にＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ａｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）により緻密な炭化硅
素層を形成したものでもよい。
また、ガス導入管は第１図に示す如き形状に限らず、第
２図に示す如く第１のがス導入管５′の先端が直方体の
箱状をなしており、その下側部のガス吹出しロア′が、
真直な形状の第２の導入管６′のガス吹出し口８′と互
いに対向するように設けられている形状の４のでもよい
。
２図に示す如く第１のがス導入管５′の先端が直方体の
箱状をなしており、その下側部のガス吹出しロア′が、
真直な形状の第２の導入管６′のガス吹出し口８′と互
いに対向するように設けられている形状の４のでもよい
。
またＨ２ガス０２ガスは２本のガス導入管のうちいずれ
から導入してもよい。
から導入してもよい。
さらに、本発明に係る半導体ウェハ処理装置の炭化硅素
質ガス導入管は半導体ウェハの拡散処理にも同様に適用
でき、一定の拡散条件で半導体ウェハを処理することが
できる。
質ガス導入管は半導体ウェハの拡散処理にも同様に適用
でき、一定の拡散条件で半導体ウェハを処理することが
できる。
以上詳述した如く本発明によれば、ガス導入管の耐久性
を向上させ、例えば、パイロ酸化や拡散処理を容易に行
い得る半導体ウェハ処理装置を提供できるものである。
を向上させ、例えば、パイロ酸化や拡散処理を容易に行
い得る半導体ウェハ処理装置を提供できるものである。
第１図は本発明の一実施例における半導体ウェハ処理装
置を示す断面図、第２図は他の形状のガス導入管を示す
断面図であ−る。 １・・・グロセスチュー！、２・・・フランジ部、３・
・・０リング、４・・・ジ、インド部、ｓ、ｓ’・・・
第１のがス導入管、６．６’・・・第２のガス導入管、
７７ 、７’、 Ｊｌ 、 ８’・・・ガス吹出し「」
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ 図
置を示す断面図、第２図は他の形状のガス導入管を示す
断面図であ−る。 １・・・グロセスチュー！、２・・・フランジ部、３・
・・０リング、４・・・ジ、インド部、ｓ、ｓ’・・・
第１のがス導入管、６．６’・・・第２のガス導入管、
７７ 、７’、 Ｊｌ 、 ８’・・・ガス吹出し「」
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 １ 図
Claims (1)
- ！ロセスチ、−ブとこのプロセスチューブに挿入される
炭化硅素質からなるガス導入管とを具備したことを特徴
とする半導体クエハ処理装置・
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15981581A JPS5860543A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 半導体ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15981581A JPS5860543A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 半導体ウエハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860543A true JPS5860543A (ja) | 1983-04-11 |
Family
ID=15701846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15981581A Pending JPS5860543A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | 半導体ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860543A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02250326A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2009214723A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Honda Motor Co Ltd | 自動二輪車のスクリーン装置 |
-
1981
- 1981-10-07 JP JP15981581A patent/JPS5860543A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02250326A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JP2009214723A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Honda Motor Co Ltd | 自動二輪車のスクリーン装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08264521A (ja) | 半導体製造用反応炉 | |
| JPS5860543A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| CN219656077U (zh) | 半导体热氧化工艺所需点火器 | |
| JPH0364912A (ja) | 水素燃焼酸化拡散炉 | |
| JPH05343388A (ja) | 熱処理装置 | |
| KR0165331B1 (ko) | 확장 튜브를 구비한 확산로 튜브 | |
| JP2557137B2 (ja) | 半導体製造用加熱装置 | |
| JPS551130A (en) | Furnace core pipe for manufacturing semiconductor | |
| JPH069504Y2 (ja) | バッファ型熱処理炉 | |
| JPH05152229A (ja) | 熱処理炉 | |
| JPS60186023A (ja) | 水蒸気処理装置 | |
| JPH118202A (ja) | 半導体製造装置 | |
| EP1234895A2 (en) | A method for producing an optical waveguide substrate and an optical waveguide substrate | |
| JPS6064428A (ja) | 酸化拡散方法 | |
| JPH07176498A (ja) | 反応ガスの予熱装置を備えた反応炉 | |
| JP2617726B2 (ja) | 熱処理用反応管 | |
| JP3689363B2 (ja) | 超高温水蒸気を用いた炭化ケイ素単結晶表面酸化膜の作製方法 | |
| JPS5987821A (ja) | 酸化法 | |
| JPH04337629A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS6123757A (ja) | 半導体ウエ−ハの酸化膜形成方法 | |
| JPH0369117A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS62249423A (ja) | 処理装置 | |
| JPS62185329A (ja) | シリコン酸化装置 | |
| JPS6335091B2 (ja) | ||
| JPH0550729U (ja) | 石英炉芯管 |