JP2688653B2

JP2688653B2 - 半導体加圧酸化方法

Info

Publication number: JP2688653B2
Application number: JP63110035A
Authority: JP
Inventors: 克己木戸口
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1988-05-06
Filing date: 1988-05-06
Publication date: 1997-12-10
Anticipated expiration: 2012-12-10
Also published as: JPH01280320A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は半導体のウエハを加圧雰囲気で酸化させる半
導体加圧酸化方法に関する。

（従来の技術）従来より半導体のウエハの表面に酸化膜を形成する方
法として加圧酸化方法が採用されている。例えば、特公
昭54−35068号、特公昭55−10975号、特開昭53−112064
号である。これは、ウエハを８気圧程度の加圧酸化雰囲
気の中に置いて900℃程度の温度で加熱して表面を加熱
する方法であり、酸化速度と圧力とが比例することから
常圧下の酸化に比べてウエハの表面の酸化速度が速く酸
化膜の形成を短時間で行なえるという利点がある。

この加圧酸化方法においてウエハに酸化膜を形成する
処理は第４図で示すシーケンスで行なっている。第４図
において、ｐ線およびｔ線は処理を行なう炉の内部にお
ける圧力と温度の変化を示している。炉の内部にウエハ
を配置して、ステップ１で炉の内部に酸素を供給して炉
内部の圧力を上昇させるとともに、炉に設けたヒーター
で炉の内部の温度を上昇させる。次いで、ステップ２の
炉内部の圧力が所定の高さ、例えば８気圧まで上昇して
安定し、さらにステップ３で炉内部の温度が所定の高
さ、例えば900℃で安定する。その後、ステップ４で炉
内部の酸素を外部に排出するとともに、ヒータによる加
熱を停止する。これらの各ステップ１、２、３および４
毎にウエハの各表面を酸化して酸化膜を形成する。この
説明は乾式による加圧酸化であるが、湿式の場合には、
酸素とともに水素を炉の内部に供給する。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、このようなシーケンスによりウエハを
加圧酸化させて酸化膜を形成する方法では、最も重要な
事項である酸化膜の品質および厚さの面で次に述べる問
題がある。上記のシーケンスによりウエハの表面に形成
される酸化膜の成長過程を第５図で見ると、ステップ１
では炉の内部の圧力を上昇させるために酸素を多量に供
給するので、炉内部の温度の上昇線が乱れてウエハ11の
表面には粗い酸化膜12が形成される。ステップ２では炉
内部の圧力は安定するが、温度は未だ安定せずに所定高
さの値の前後で不安定な状態にあるために、やはり粗い
酸化膜13が形成される。そして、ステップ３で炉内部の
圧力および温度が安定するので、均質な酸化膜14が形成
される。さらに、ステップ４ではステップ１と逆の状態
で多量の酸素が炉から排出するので、やはり粗い酸化膜
15が形成される。このように上記のシーケンスによる
と、ステップ１、２および４で粗い酸化膜が形成され、
均質な膜がステップ３のみでしか得られないために、全
体としてウエハの表面に均質で良好な酸化膜が形成する
ことが困難である。

また、上記シーケンスでは、炉の内部に酸素を供給し
てウエハの酸化処理を行ない、その後で酸素ガスを炉か
ら排出するまでの間に各ステップ１〜４毎に夫々ウエハ
の表面に酸化膜が形成されて酸化膜が順次成長するの
で、結果としてウエハの表面に形成される酸化膜の膜厚
さが10000〜20000Åなり、それ以下の膜厚、例えば1000
Åの酸化膜を得ることが困難となっている。しかし、最
近では微細加工技術が進につれウエハの表面に形成する
酸化膜として1000Å程度の薄い膜が要求されるようにな
ってきており、加圧酸化方法においてもこのような薄い
酸化膜を形成できるようにすることが必要となってきて
いる。

本発明は前記事情に基づいてなされたもので、ウエハ
の表面に均質で、密な酸化膜を形成することができる半
導体加圧酸化方法を提供することを目的とする。

［発明の構成］（課題を解決するための手段と作用）前記目的を達成するために本願発明の半導体加圧酸化
方法は、半導体加圧酸化用の単一の反応管を備えた炉に
おける前記反応管の内部に半導体ウエハを配置し、次い
で酸素による前記半導体ウエハの酸化を抑制するガスを
前記反応管の内部に供給して前記反応管の内部の圧力を
上昇させるとともに前記反応管の内部の温度を上昇さ
せ、前記反応間の内部の圧力と温度が安定になった時点
で前記半導体ウエハの表面を酸化させることを特徴とす
る。

また、反応管の内部に半導体ウエハの酸化を抑制する
ガスとしては不活性ガスを使用する。

すなわち、はじめに酸素と一緒にウエハの酸化を抑制
するガスを炉の内部に供給してウエハの酸化を押え、炉
内部の圧力と温度の両方が安定した状態でウエハの表面
を酸化させてウエハの表面に均質な酸化膜を形成するこ
とができる。

（実施例）以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

先ず、本発明の加圧酸化装置を第１図について説明す
る。

水平に配設した処理炉21は、高圧例えば８気圧に耐え
る圧力容器構造となっており、内部周壁には筒状の電気
ヒータ22が装着されている。この電気ヒータ22の内部に
は石英で形成された反応管23が水平にして挿入配置され
ている。この反応管23は、所定の間隔で配列された複数
のウエハを載せたボートを収納するもので、ボートは処
理炉21と反応管23の夫々の一方の端部に形成した開口を
通して出し入れするようになっている。反応管23には、
処理炉21の内部に挿入された酸素ガス管24、水素ガス管
25および窒素ガス管26が接続されており、且つこの酸素
ガス管24と水素ガス管25との間にパージ用窒素ガス管27
が接続されている。各ガス管24、25、26には流量制御器
28と圧力制御器29が設けられている。また、処理炉21の
内部には窒素ガス管30が接続され、このガス管30には流
量制御器31と圧力制御器32が設けられている。なお、処
理炉21の開口端部は蓋33で、反応管23の開口端部は蓋34
で夫々閉塞される。

本発明の加圧酸化方法を第１図ないし第３図を参照し
て説明する。

先ず、処理炉21および反応管23の開口端を開放して、
酸化処理すべき複数のウエハ35を載せたボート36をソフ
トランディング法により反応管23の内部に収納し、処理
炉21および反応管23の開口端を蓋33、34で閉塞する。そ
して、第２図に示すようにステップ１で酸素ガス管24通
して酸素（O₂）ガスを反応管23の内部に送り込み、同時
に窒素ガス管26を通して窒素ガス（N₂）を反応管23の内
部に送り込んで、送り込まれた酸素ガスと窒素ガスによ
り反応管23の内部の圧力を所定の大きさ、例えば８気圧
まで上昇させる。酸素ガスと窒素ガスの流量と圧力は各
ガス管24、24に設けた流量制御器28と圧力制御器29によ
り制御して、反応管23の内部を所定の圧力にする時間を
調節する。例えば酸素の流量は15／分、窒素の流量は
６／分として約20分間反応管23に送込む。また、これ
と同時に処理炉21の電気ヒータ22に通電してこれを発熱
させることにより、反応管23を周囲から加熱して内部を
所定温度、例えば900℃まで温度上昇させる。このステ
ップ１では反応管23の内部が酸素ガスと窒素ガスが送り
込まれて非酸化雰囲気となっているので、反応管23の内
部のウエハ35は酸化されない。

次いで、ステップ２において約40分間の時間を酸素ガ
スと窒素ガスを反応管23の内部に送り込む。このステッ
プ２では反応管23の内部の圧力が所定の８気圧に安定す
る。しかし、反応管23の内部の温度はステップ１の影響
を受けて安定しない。このステップ２においても反応管
23の内部の雰囲気は非酸化雰囲気であるからウェハ35は
酸化しない。なお、ガス管30を通して処理炉21と反応管
23との間に例えば窒素ガスを送込み、反応管23の内部と
外部の圧力のバランスを維持する。

続いて、ステップ３では窒素ガスの反応管23への送り
込みを停止し、酸素ガスのみを反応管23に送り込む。ス
テップ３では反応管23の内部の圧力は引き続いて安定
し、また反応管23の温度も安定する。このステップ３は
約60分の時間を必要とする。そして、反応管23には酸素
ガスのみが送り込まれて酸化雰囲気となっているので、
第３図で示すようにウエハ11の表面には均質な酸化膜37
が形成される。この酸化膜37の厚さはステップ３の時間
の長さに応じて決定される。すなわち、ステップ３の時
間の設定により1000Åの膜厚の酸化膜の形成が可能であ
る。

さらに、ステップ４では反応管23から酸素ガスおよび
窒素ガスを排出する。この場合の排出速度はステップ１
におけるガスの送り込み速度と同等にする。このステッ
プ４では酸素の供給がないので、ウェハ35の酸化が行な
われない。

なお、この実施例は乾式による加圧酸化について説明
したが、湿式による加圧酸化も可能である。この場合に
は酸素ガスとともに水素ガスをプロセスガスとして反応
管23の内部に供給する。

さらに、本実施例では横形炉に適用した場合を説明し
ているが、縦形炉にも適用できる。この場合にはウェハ
を載せたボートの出し入れが容易である。

また、ウエハ35の酸化を押えるガスとしては、窒素ガ
スの他にAr、Heなどの不活性ガスを使用することも可能
である。

このように反応管の内部に半導体ウエハの酸化を抑制
するガスとして不活性ガスを用いることにより効果的に
半導体ウエハの酸化を抑制することができる。

［発明の効果］以上説明したように本発明の半導体加圧酸化方法によ
れば、炉の内部の加圧雰囲気の圧力および温度が安定す
るまで酸素ガスとウエハの酸化を押えるガスを供給して
ウエハの不安定な酸化を押え、加圧酸化雰囲気の圧力と
温度が安定した時に上記ウエハの酸化を押えるガスの送
り込みを止めてウエハの表面に安定した酸化膜を形成す
るので、ウエハの表面に均質で密な酸化膜を形成するこ
とができ、しかも加圧酸化工程の全体でウェハの表面に
酸化膜を形成するのではなく、圧力と温度が安定した時
のみにウエハの表面に酸化膜を形成するので1000Å程度
の薄くて均質な酸化膜の形成が可能である。

特に本発明は、半導体加圧酸化用の単一の反応管を備
えた炉における前記反応管の内部に半導体ウエハを配置
した状態のまま加圧酸化処理を連続して行い酸化膜を形
成するので、ウエハの表面に均質で密な酸化膜を能率的
且つ容易に形成できることに加えて、簡素な構成の炉を
用いて加圧酸化処理を行うことができる。

そして、反応管の内部に半導体ウエハの酸化を抑制す
るガスとしては不活性ガスを用いることにより効果的に
半導体ウエハの酸化を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図は本発明に使用する加圧酸化装置を示す断面図、
第２図は本発明における各行程の圧力および温度の変化
を示す線図、第３図はウェハの表面の酸化膜部分を示す
断面図、第４図は従来の加圧酸化方法における各行程の
圧力および温度の変化を示す線図、第５図は従来方法に
よりウエハに形成された酸化膜を示す断面図である。 21……処理炉、23……反応管、35……ウェハ。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体加圧酸化用の単一の反応管を備えた
炉における前記反応管の内部に半導体ウエハを配置し、
次いで酸素による前記半導体ウエハの酸化を抑制するガ
スを前記反応管の内部に供給して前記反応管の内部の圧
力を上昇させるとともに前記反応管の内部の温度を上昇
させ、前記反応管の内部の圧力と温度が安定になった時
点で前記半導体ウエハの表面を酸化させることを特徴と
する半導体加圧酸化方法。
【請求項２】反応管の内部に半導体ウエハの酸化を抑制
するガスとして不活性ガスを供給する請求項１に記載の
半導体加圧酸化方法。