JPH07326579A - 縦型反応炉 - Google Patents
縦型反応炉Info
- Publication number
- JPH07326579A JPH07326579A JP11665294A JP11665294A JPH07326579A JP H07326579 A JPH07326579 A JP H07326579A JP 11665294 A JP11665294 A JP 11665294A JP 11665294 A JP11665294 A JP 11665294A JP H07326579 A JPH07326579 A JP H07326579A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- wafer
- tube
- heater
- temperature
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハ処理後のウェーハ降温速度を速く
し、ウェーハの成膜，熱処理時間を短縮する。 【構成】 ヒータ１内にウェーハ５を加熱処理する反応
管３を挿設し、ヒータ１と反応管３の間に、一端に通気
穴１２を有する均熱管２を設けることを特徴とする。
し、ウェーハの成膜，熱処理時間を短縮する。 【構成】 ヒータ１内にウェーハ５を加熱処理する反応
管３を挿設し、ヒータ１と反応管３の間に、一端に通気
穴１２を有する均熱管２を設けることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に係
り、特にウェーハを成膜処理、酸化処理など加熱処理す
る縦型反応炉に関する。
り、特にウェーハを成膜処理、酸化処理など加熱処理す
る縦型反応炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の縦型反応炉の１例の構成を
示す縦断面図である。この縦型反応炉は、筒状のヒータ
１、該ヒータ１内部に均熱管２、該均熱管２内部に反応
管３が同心多重に設けられており、該反応管３にはボー
ト４が装入される。該ボート４にはウェーハ５が水平姿
勢で多段に装填される様になっており、前記ボート４は
ボートキャップ６を介してエレベータキャップ７に載置
され、該エレベータキャップ７は図示しないボートエレ
ベータに設けられ昇降可能となっている。
示す縦断面図である。この縦型反応炉は、筒状のヒータ
１、該ヒータ１内部に均熱管２、該均熱管２内部に反応
管３が同心多重に設けられており、該反応管３にはボー
ト４が装入される。該ボート４にはウェーハ５が水平姿
勢で多段に装填される様になっており、前記ボート４は
ボートキャップ６を介してエレベータキャップ７に載置
され、該エレベータキャップ７は図示しないボートエレ
ベータに設けられ昇降可能となっている。
【０００３】前記反応管３の上端部にはガス導入管８が
連通され、前記反応管３の下端部には排気口９が設けら
れている。前記ガス導入管８の下端はガス供給管１０に
接続され、前記排気口９は排気管１１に接続されてい
る。従来の反応管３では、ガス導入管８とガス供給管１
０の接合、及び排気口９と排気管１１との接合は、図示
される様にガスの導入口、排気口が高温となる為、テー
パー面による接合であった。又、導入ガスが爆発等の危
険のあるものでは、前記テーパー面による接合に代えテ
フロンコネクタを用いている。均熱管２の上端はヒータ
１内部の発熱体１ａ等の高温時の金属元素放出による反
応管３の金属汚染を防止するため、閉じられている。
連通され、前記反応管３の下端部には排気口９が設けら
れている。前記ガス導入管８の下端はガス供給管１０に
接続され、前記排気口９は排気管１１に接続されてい
る。従来の反応管３では、ガス導入管８とガス供給管１
０の接合、及び排気口９と排気管１１との接合は、図示
される様にガスの導入口、排気口が高温となる為、テー
パー面による接合であった。又、導入ガスが爆発等の危
険のあるものでは、前記テーパー面による接合に代えテ
フロンコネクタを用いている。均熱管２の上端はヒータ
１内部の発熱体１ａ等の高温時の金属元素放出による反
応管３の金属汚染を防止するため、閉じられている。
【０００４】このような従来の縦型反応炉は、ボート４
を反応管３より引き出した状態で、多数枚のウェーハ５
を前記ボート４に装填し、図示しないボートエレベータ
によりボート４を上昇させて反応管３内に装入する。前
記ヒータ１で反応管３内を所定の温度に加熱し、前記ガ
ス供給管１０を経てガス導入管８より反応ガスを反応管
３内に導入し、前記ウェーハ５表面に薄膜を生成し、成
膜に供された後の残りの反応ガスは前記排気口９、排気
管１１を経て排気するものである。
を反応管３より引き出した状態で、多数枚のウェーハ５
を前記ボート４に装填し、図示しないボートエレベータ
によりボート４を上昇させて反応管３内に装入する。前
記ヒータ１で反応管３内を所定の温度に加熱し、前記ガ
ス供給管１０を経てガス導入管８より反応ガスを反応管
３内に導入し、前記ウェーハ５表面に薄膜を生成し、成
膜に供された後の残りの反応ガスは前記排気口９、排気
管１１を経て排気するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、このようにウェーハの熱処理，成膜処理は、通常、
ボートエレベータで反応管３内にボート４を昇降する時
よりも高温にて実施され、ウェーハ処理が終了し、反応
管３内の温度を下げる時、ウェーハ周囲の雰囲気は排気
口９より排出されるが、反応管３と均熱管２の間に熱が
こもり、温度が下がりにくく、反応管３内の降温時間が
長くなるという課題がある。
は、このようにウェーハの熱処理，成膜処理は、通常、
ボートエレベータで反応管３内にボート４を昇降する時
よりも高温にて実施され、ウェーハ処理が終了し、反応
管３内の温度を下げる時、ウェーハ周囲の雰囲気は排気
口９より排出されるが、反応管３と均熱管２の間に熱が
こもり、温度が下がりにくく、反応管３内の降温時間が
長くなるという課題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明縦型反応炉は、上
記の課題を解決するため、ヒータ１内にウェーハ５を加
熱処理する反応管３を挿設し、ヒータ１と反応管３の間
に、一端に通気穴１２を有する均熱管２を設けることを
特徴とする。
記の課題を解決するため、ヒータ１内にウェーハ５を加
熱処理する反応管３を挿設し、ヒータ１と反応管３の間
に、一端に通気穴１２を有する均熱管２を設けることを
特徴とする。
【０００７】
【作用】上記のような構成であるから、均熱管２と反応
管３間に形成される空間１３の空間上部１３ａの空気が
通気穴１２を通り、ヒータ１と均熱管２の間へ対流す
る。これにより空間下部１３ｂの空気の対流も増加し、
反応管３の熱が均熱管２の外へ伝達し易くなり、反応管
３の温度が急速に低下することになる。このことによ
り、反応管３内にあるウェーハ５の熱が、排気口９から
の放出だけでなく、反応管３にも多く伝わるようにな
り、ウェーハ５の温度を急速に低下させることになる。
管３間に形成される空間１３の空間上部１３ａの空気が
通気穴１２を通り、ヒータ１と均熱管２の間へ対流す
る。これにより空間下部１３ｂの空気の対流も増加し、
反応管３の熱が均熱管２の外へ伝達し易くなり、反応管
３の温度が急速に低下することになる。このことによ
り、反応管３内にあるウェーハ５の熱が、排気口９から
の放出だけでなく、反応管３にも多く伝わるようにな
り、ウェーハ５の温度を急速に低下させることになる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明縦型反応炉の１実施例の構成を
示す縦断面図である。図１において１はヒータ、１ａは
発熱体、３は反応管、２は上端に通気穴１２を有する均
熱管で、ヒータ１と反応管３の間に設けられている。通
気穴１２の数は１個でも複数個でもよい。４は多数枚の
ウェーハ５を載置したボートで、反応管３内に挿入され
る。６はボートキャップ、７はエレベータキャップ、１
４は反応管３の上端に設けられたガス流入口、１０はガ
ス流入口１４にガス導入路１５を経て連通するガス供給
管、１１は反応管３の下部に設けた排気口９に連結した
排気管である。
示す縦断面図である。図１において１はヒータ、１ａは
発熱体、３は反応管、２は上端に通気穴１２を有する均
熱管で、ヒータ１と反応管３の間に設けられている。通
気穴１２の数は１個でも複数個でもよい。４は多数枚の
ウェーハ５を載置したボートで、反応管３内に挿入され
る。６はボートキャップ、７はエレベータキャップ、１
４は反応管３の上端に設けられたガス流入口、１０はガ
ス流入口１４にガス導入路１５を経て連通するガス供給
管、１１は反応管３の下部に設けた排気口９に連結した
排気管である。
【０００９】上記構成の本実施例において、多数枚のウ
ェーハ５を装填したボート４を上昇させて反応管３内に
挿入し、ヒータ１により反応管３内を所定の温度に加熱
すると共にガス供給管１０より反応ガスをガス導入路１
５及びガス流入口１４を経て反応管３内に導入し、ウェ
ーハ５の表面に薄膜を生成する。成膜に供された後の残
りの反応ガスは排気口９、排気管１１を経て排気され
る。
ェーハ５を装填したボート４を上昇させて反応管３内に
挿入し、ヒータ１により反応管３内を所定の温度に加熱
すると共にガス供給管１０より反応ガスをガス導入路１
５及びガス流入口１４を経て反応管３内に導入し、ウェ
ーハ５の表面に薄膜を生成する。成膜に供された後の残
りの反応ガスは排気口９、排気管１１を経て排気され
る。
【００１０】ウェーハ５の成膜処理が終了し、反応管３
内の温度を下げる時、ウェーハ周囲の雰囲気は排気口９
より排気管１１を経て排気され、又、均熱管２と反応管
３間に形成される空間１３の空間上部１３ａの空気が通
気穴１２を通り、ヒータ１と均熱管２の間へ対流する。
これにより空間下部１３ｂの空気の対流も増加し、反応
管３の熱が均熱管２の外へ伝達し易くなり、反応管３の
温度が急速に低下することになる。このことにより、反
応管３内にあるウェーハ５の熱が、排気口９からの放出
だけでなく、反応管３にも多く伝わるようになり、ウェ
ーハ５の温度を急速に低下させることになる。なお、従
来と同じ外形寸法の均熱管２の天井部に通気穴１２を設
けることが可能であり、天井部のみに通気穴を設けるこ
とでヒータ内の発熱体１ａなどからの金属元素放出によ
る反応管３の汚染を防ぐことが可能である。
内の温度を下げる時、ウェーハ周囲の雰囲気は排気口９
より排気管１１を経て排気され、又、均熱管２と反応管
３間に形成される空間１３の空間上部１３ａの空気が通
気穴１２を通り、ヒータ１と均熱管２の間へ対流する。
これにより空間下部１３ｂの空気の対流も増加し、反応
管３の熱が均熱管２の外へ伝達し易くなり、反応管３の
温度が急速に低下することになる。このことにより、反
応管３内にあるウェーハ５の熱が、排気口９からの放出
だけでなく、反応管３にも多く伝わるようになり、ウェ
ーハ５の温度を急速に低下させることになる。なお、従
来と同じ外形寸法の均熱管２の天井部に通気穴１２を設
けることが可能であり、天井部のみに通気穴を設けるこ
とでヒータ内の発熱体１ａなどからの金属元素放出によ
る反応管３の汚染を防ぐことが可能である。
【００１１】
【発明の効果】上述の説明より明らかなように本発明に
よれば、ウェーハ処理後のウェーハ降温速度が速くな
り、ウェーハの成膜，熱処理時間を短縮でき、経済的で
ある。また、従来のものと同じ外形寸法の均熱管と置換
可能なので、均熱管交換だけで反応炉の性能を高めるこ
とができる。
よれば、ウェーハ処理後のウェーハ降温速度が速くな
り、ウェーハの成膜，熱処理時間を短縮でき、経済的で
ある。また、従来のものと同じ外形寸法の均熱管と置換
可能なので、均熱管交換だけで反応炉の性能を高めるこ
とができる。
【図１】本発明縦型反応炉の１実施例の構成を示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】従来の縦型反応炉の１例の構成を示す縦断面図
である。
である。
１ ヒータ ２ 均熱管 ３ 反応管 ４ ボート ５ ウェーハ １２ 通気穴
Claims (1)
- 【請求項１】 ヒータ内にウェーハを加熱処理する反応
管を挿設し、ヒータと反応管の間に、一端に通気穴を有
する均熱管を設けることを特徴とする縦型反応炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11665294A JPH07326579A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 縦型反応炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11665294A JPH07326579A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 縦型反応炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326579A true JPH07326579A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14692539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11665294A Pending JPH07326579A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 縦型反応炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326579A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170933A (ja) * | 2002-01-17 | 2009-07-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板ホルダ、積層ボート、半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP11665294A patent/JPH07326579A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009170933A (ja) * | 2002-01-17 | 2009-07-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板ホルダ、積層ボート、半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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