JPS63116435A - Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法Info
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- JPS63116435A JPS63116435A JP26232986A JP26232986A JPS63116435A JP S63116435 A JPS63116435 A JP S63116435A JP 26232986 A JP26232986 A JP 26232986A JP 26232986 A JP26232986 A JP 26232986A JP S63116435 A JPS63116435 A JP S63116435A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＯＳ型半導体装置の製造方法に１ｖ、１し、
特に、シリコン基板と酸化膜界面に発生ずる表１ｒｉｉ
へ１Ｘ位を抑制する技術に関するものである。
特に、シリコン基板と酸化膜界面に発生ずる表１ｒｉｉ
へ１Ｘ位を抑制する技術に関するものである。
従来のＭＯＳ型半導体装置の製造方法は、シリコン基板
と酸化膜界面で発生ずる界面準位を抑制するために、全
ての熱処理工程の後、熱処理炉にウェハーを入れたよ！
ｌ： ｇ ８２雰囲気中で、室温までウェハーを冷却さ
せた後、ウェハーを大気にさらし熱処理工程を終了して
いた。
と酸化膜界面で発生ずる界面準位を抑制するために、全
ての熱処理工程の後、熱処理炉にウェハーを入れたよ！
ｌ： ｇ ８２雰囲気中で、室温までウェハーを冷却さ
せた後、ウェハーを大気にさらし熱処理工程を終了して
いた。
しかし、上記の従来の製造方法では、 ウェハーを冷却
させるために、熱処理炉自体を冷却するため、例えば１
０００°０１２０分、窒素アニール処理では、実際の処
理時間は５時間にもなってしまうと共に、炉心管を熱処
理イ１に室温から１０００’ Ｃ程度に加熱、冷却を操
り返すため消費電力が増大すると共に、炉心管、ヒータ
ーの劣化が激しかった。
させるために、熱処理炉自体を冷却するため、例えば１
０００°０１２０分、窒素アニール処理では、実際の処
理時間は５時間にもなってしまうと共に、炉心管を熱処
理イ１に室温から１０００’ Ｃ程度に加熱、冷却を操
り返すため消費電力が増大すると共に、炉心管、ヒータ
ーの劣化が激しかった。
そこで本発明は、この様な問題点を解決するもので、シ
リコン基板と酸化膜界面に界面べ（（位を発生さ１計る
ことなく、シかも、実質的な熱処理時間を短か（するこ
とを目的とするものである。
リコン基板と酸化膜界面に界面べ（（位を発生さ１計る
ことなく、シかも、実質的な熱処理時間を短か（するこ
とを目的とするものである。
本発明の半導体装置′の製造方法は、ＭＯ８型半ｊΩ体
装圃の製造方法において、製造工程中、処理温度が最も
高い熱処理とその後の熱処理工程において、ＩＦＡ処理
をとり上げた場合、該熱処理温度より低く、かつ該熱処
理より後工程で、最も高い熱感・ｐＩＩ温度までＮ、ガ
ス雰囲気中でウェハーを冷却させた後、該熱処理工程を
終了することを特徴とするものである。
装圃の製造方法において、製造工程中、処理温度が最も
高い熱処理とその後の熱処理工程において、ＩＦＡ処理
をとり上げた場合、該熱処理温度より低く、かつ該熱処
理より後工程で、最も高い熱感・ｐＩＩ温度までＮ、ガ
ス雰囲気中でウェハーを冷却させた後、該熱処理工程を
終了することを特徴とするものである。
以下実施例に基づき本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の製造工程を慎式的に示したものである
。
。
図中ａからｈまで熱処理工程があるとき、（１なる熱処
理工程が第１図の熱処理工程中では最も熱感Ｉ′ｌ１１
１．Ａ度が高く、（Ｉ熱感１！ＩＩ ］二ＥＶ ｆ７）
後に、ｄ熱処理下Ｆ：５の次に熱外１’ｌＪｊ温度が高
い熱処理は、「熱処理で１ｏｏｏ＠ｃである。
理工程が第１図の熱処理工程中では最も熱感Ｉ′ｌ１１
１．Ａ度が高く、（Ｉ熱感１！ＩＩ ］二ＥＶ ｆ７）
後に、ｄ熱処理下Ｆ：５の次に熱外１’ｌＪｊ温度が高
い熱処理は、「熱処理で１ｏｏｏ＠ｃである。
従って（Ｉ熱処理（１２００°Ｃ）が終了した後窒素雰
囲気中でｒ熱処理と同温の１０００°Ｃまで冷却させた
後、ｄ熱処理を終了させ、ウェハーを炉心管外へ搬送し
大気にウェハーをさらす。次にｅ熱処理では、ウェハー
を窒素雰囲気にさらしながら炉心管を大気温度まで冷却
させることなく８５０＠Ｃの熱処理後直ちに炉外へ搬送
する。さらにｆ熱処理では、ｒ熱処理終了、後ｇ熱処理
温度と同じ８００°Ｃまで、窒素雰囲気中で冷却した後
ウェハーを大気にさらす。次にｇ熱処理後は６００°Ｃ
まで炉を冷却させた後ウェハーを人気にさらす。最後に
ＩＩ熱処理後６００°Ｃから窒素雰囲気中で′Ａ′ｉ潟
にまで炉を冷却させてから大気にウェハーをさらして熱
処理工程を終了する。
囲気中でｒ熱処理と同温の１０００°Ｃまで冷却させた
後、ｄ熱処理を終了させ、ウェハーを炉心管外へ搬送し
大気にウェハーをさらす。次にｅ熱処理では、ウェハー
を窒素雰囲気にさらしながら炉心管を大気温度まで冷却
させることなく８５０＠Ｃの熱処理後直ちに炉外へ搬送
する。さらにｆ熱処理では、ｒ熱処理終了、後ｇ熱処理
温度と同じ８００°Ｃまで、窒素雰囲気中で冷却した後
ウェハーを大気にさらす。次にｇ熱処理後は６００°Ｃ
まで炉を冷却させた後ウェハーを人気にさらす。最後に
ＩＩ熱処理後６００°Ｃから窒素雰囲気中で′Ａ′ｉ潟
にまで炉を冷却させてから大気にウェハーをさらして熱
処理工程を終了する。
以」二、本発明の詳細な説明を示したがこの熱処理工程
はあくまで１例にすぎない。
はあくまで１例にすぎない。
以上述べたように、本発明は熱処理後の冷却温度を次の
熱処理！！度によって変化させることによって、シリフ
ン基板とシリＨＪ ７酸化携界面に発生ずる。界面準位
を従来方法と同レベルに抑えることが出来るとノ１ミに
、総熱処理時間を従来方法の５分の３に抑えることが出
来、生産能力を高めることが出来た。
熱処理！！度によって変化させることによって、シリフ
ン基板とシリＨＪ ７酸化携界面に発生ずる。界面準位
を従来方法と同レベルに抑えることが出来るとノ１ミに
、総熱処理時間を従来方法の５分の３に抑えることが出
来、生産能力を高めることが出来た。
第１図は本発明のＭＯ３型半導体装置の製造方？ｈを説
明する図である。 １〜１１・・・熱処理工程の名前 以 上
明する図である。 １〜１１・・・熱処理工程の名前 以 上
Claims (1)
- ＭＯＳ型半導体装置の製造方法において、製造工程中、
処理温度が最も高い熱処理とその後の熱処理工程におい
て、１熱処理をとり上げた場合、該熱処理温度より低く
、かつ、該熱処理より後工程で最も高い熱処理温度まで
、Ｎ＿２ガス雰囲気中でウエハーを冷却させた後、該熱
処理工程を終了することを特徴とする、ＭＯＳ型半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26232986A JPS63116435A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26232986A JPS63116435A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63116435A true JPS63116435A (ja) | 1988-05-20 |
Family
ID=17374258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26232986A Pending JPS63116435A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63116435A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106936A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Rohm Co Ltd | 半導体製造方法 |
| JPH11340238A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP26232986A patent/JPS63116435A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106936A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Rohm Co Ltd | 半導体製造方法 |
| JPH11340238A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
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