JP2003257872A - 冷却装置及びこれを用いた熱処理装置 - Google Patents
冷却装置及びこれを用いた熱処理装置Info
- Publication number
- JP2003257872A JP2003257872A JP2002054543A JP2002054543A JP2003257872A JP 2003257872 A JP2003257872 A JP 2003257872A JP 2002054543 A JP2002054543 A JP 2002054543A JP 2002054543 A JP2002054543 A JP 2002054543A JP 2003257872 A JP2003257872 A JP 2003257872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling
- cooling device
- treatment
- pipe member
- reflectance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 188
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 82
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 29
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 4
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 重量が軽く、冷却効率及び信頼性も高い冷却
装置を提供する。 【解決手段】 加熱手段９８により加熱された処理容器
５６内で被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すように
した熱処理装置５０に設けられる冷却装置１０８におい
て、前記加熱手段を含む前記処理容器の周囲に配置され
た筒体状の冷却筒部１１０と、前記冷却筒部の側面に巻
回されて前記側面にろう付けされた冷却パイプ部材１１
２と、前記冷却パイプ部材に冷媒を供給して流通させる
冷媒供給手段１１４と、を備える。これにより、冷却パ
イプ部材自体が冷媒の圧力に対する耐圧性を有していれ
ばよいことから冷却パイプ部材自体の肉厚を薄くでき、
従って、冷却装置全体の重量を大幅に軽減することが可
能となる。
装置を提供する。 【解決手段】 加熱手段９８により加熱された処理容器
５６内で被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すように
した熱処理装置５０に設けられる冷却装置１０８におい
て、前記加熱手段を含む前記処理容器の周囲に配置され
た筒体状の冷却筒部１１０と、前記冷却筒部の側面に巻
回されて前記側面にろう付けされた冷却パイプ部材１１
２と、前記冷却パイプ部材に冷媒を供給して流通させる
冷媒供給手段１１４と、を備える。これにより、冷却パ
イプ部材自体が冷媒の圧力に対する耐圧性を有していれ
ばよいことから冷却パイプ部材自体の肉厚を薄くでき、
従って、冷却装置全体の重量を大幅に軽減することが可
能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理体に対して所定の熱処理を施す熱処理装置及びこ
れに用いられる冷却装置に関する。
被処理体に対して所定の熱処理を施す熱処理装置及びこ
れに用いられる冷却装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
にはシリコン基板等よりなる半導体ウエハに対して、成
膜処理、エッチング処理、酸化処理、拡散処理、改質処
理等の各種の熱処理が行なわれる。これらの熱処理を縦
型の、いわゆるバッチ式の熱処理装置にて行う場合に
は、まず、半導体ウエハを複数枚、例えば２５枚程度収
容できるカセットから、半導体ウエハを縦型のウエハボ
ートへ移載してこれに多段に支持させる。このウエハボ
ートは、例えばウエハサイズにもよるが３０〜１５０枚
程度のウエハを載置できる。このウエハボートは、排気
可能な処理容器内にその下方より搬入（ロード）された
後、処理容器内が気密に維持される。そして、処理ガス
の流量、プロセス圧力、プロセス温度等の各種のプロセ
ス条件を制御しつつ所定の熱処理が施される。
にはシリコン基板等よりなる半導体ウエハに対して、成
膜処理、エッチング処理、酸化処理、拡散処理、改質処
理等の各種の熱処理が行なわれる。これらの熱処理を縦
型の、いわゆるバッチ式の熱処理装置にて行う場合に
は、まず、半導体ウエハを複数枚、例えば２５枚程度収
容できるカセットから、半導体ウエハを縦型のウエハボ
ートへ移載してこれに多段に支持させる。このウエハボ
ートは、例えばウエハサイズにもよるが３０〜１５０枚
程度のウエハを載置できる。このウエハボートは、排気
可能な処理容器内にその下方より搬入（ロード）された
後、処理容器内が気密に維持される。そして、処理ガス
の流量、プロセス圧力、プロセス温度等の各種のプロセ
ス条件を制御しつつ所定の熱処理が施される。
【０００３】ところで、処理容器の外周には、ウエハを
加熱する加熱ヒータや、熱的安全性や保温の機能を発揮
する例えばアルミナ、シリカ等よりなる断熱層が、一般
的には設けられているが、最近になって、高温状態にな
っている断熱層に含まれるＢ、Ｆｅ、Ｃｕ等の金属不純
物が石英製の処理容器を次第に透過して容器内部に侵入
し、ウエハを僅かに汚染してしまう、という可能性が指
摘されている。そして、その可能性を排除するために、
断熱層を用いない熱処理装置も開発されてきた。
加熱する加熱ヒータや、熱的安全性や保温の機能を発揮
する例えばアルミナ、シリカ等よりなる断熱層が、一般
的には設けられているが、最近になって、高温状態にな
っている断熱層に含まれるＢ、Ｆｅ、Ｃｕ等の金属不純
物が石英製の処理容器を次第に透過して容器内部に侵入
し、ウエハを僅かに汚染してしまう、という可能性が指
摘されている。そして、その可能性を排除するために、
断熱層を用いない熱処理装置も開発されてきた。
【０００４】また、処理容器の昇降温の速度を上げてス
ループットを向上させる必要から、加熱炉の熱容量を小
さくする目的でも、上記したような断熱層を用いない熱
処理装置が望まれている。ここで、図９を参照して金属
汚染の可能性のある、また昇降温速度の低下の原因とな
る断熱層を用いない従来の熱処理装置の一例について説
明すると、この熱処理装置２は、内筒４と外筒６とより
なる石英製の２重管構造の縦型の所定の長さの処理容器
８を有している。上記内筒４内の処理空間Ｓには、被処
理体を保持するための被処理体保持具としての石英製の
ウエハボート１０が収容されており、このウエハボート
１０には被処理体としての半導体ウエハＷが所定のピッ
チで多段に保持される。
ループットを向上させる必要から、加熱炉の熱容量を小
さくする目的でも、上記したような断熱層を用いない熱
処理装置が望まれている。ここで、図９を参照して金属
汚染の可能性のある、また昇降温速度の低下の原因とな
る断熱層を用いない従来の熱処理装置の一例について説
明すると、この熱処理装置２は、内筒４と外筒６とより
なる石英製の２重管構造の縦型の所定の長さの処理容器
８を有している。上記内筒４内の処理空間Ｓには、被処
理体を保持するための被処理体保持具としての石英製の
ウエハボート１０が収容されており、このウエハボート
１０には被処理体としての半導体ウエハＷが所定のピッ
チで多段に保持される。
【０００５】この処理容器８の下方を開閉するためにキ
ャップ１２が設けられ、これには磁性流体シール１４を
介して回転する回転軸１６が設けられる。そして、この
回転軸１６の上端に回転テーブル１８が設けられ、この
テーブル１８上に保温筒２０を設け、この保温筒２０上
に上記ウエハボート１０を載置している。そして、上記
キャップ１２は昇降可能なボートエレベータ２２のアー
ム２４に取り付けられており、上記回転軸１６やウエハ
ボート１０等と一体的に昇降可能にしており、ウエハボ
ート１０は処理容器８内へその下方から挿脱可能になさ
れている。
ャップ１２が設けられ、これには磁性流体シール１４を
介して回転する回転軸１６が設けられる。そして、この
回転軸１６の上端に回転テーブル１８が設けられ、この
テーブル１８上に保温筒２０を設け、この保温筒２０上
に上記ウエハボート１０を載置している。そして、上記
キャップ１２は昇降可能なボートエレベータ２２のアー
ム２４に取り付けられており、上記回転軸１６やウエハ
ボート１０等と一体的に昇降可能にしており、ウエハボ
ート１０は処理容器８内へその下方から挿脱可能になさ
れている。
【０００６】上記処理容器８の下端開口部は、例えばス
テンレス製のマニホールド２６が接合されており、この
マニホールド２６には、熱処理、例えば成膜に必要な種
々の処理ガスを処理容器８内へ導入するための複数、図
示例では２つのガスノズル２８Ａ、２８Ｂが貫通させて
設けられている。そして、各ガスノズル２８Ａ、２８Ｂ
には、それぞれガス供給系３０Ａ、３０Ｂが接続される
と共に、各ガス供給系３０Ａ、３０Ｂには、ガス流量を
制御する例えばマスフローコントローラのような流量制
御器３２Ａ、３２Ｂが介設されている。
テンレス製のマニホールド２６が接合されており、この
マニホールド２６には、熱処理、例えば成膜に必要な種
々の処理ガスを処理容器８内へ導入するための複数、図
示例では２つのガスノズル２８Ａ、２８Ｂが貫通させて
設けられている。そして、各ガスノズル２８Ａ、２８Ｂ
には、それぞれガス供給系３０Ａ、３０Ｂが接続される
と共に、各ガス供給系３０Ａ、３０Ｂには、ガス流量を
制御する例えばマスフローコントローラのような流量制
御器３２Ａ、３２Ｂが介設されている。
【０００７】そして、上記各ガスノズル２８Ａ、２８Ｂ
より供給された各処理ガスは、内筒４内の処理空間Ｓで
あるウエハの収容領域を上昇して天井部で下方へ折り返
し、そして内筒４と外筒６との間隙内を流下して排出さ
れることになる。また、マニホールド２６の側壁には、
排気口３４が設けられており、この排気口３４には、図
示しない真空ポンプ等が介設されて処理容器８内を真空
引きするようになっている。また、処理容器８の外周に
は、この底部側より起立させて配置した棒状の加熱ヒー
タ３６が設けられており、内側に位置するウエハＷを所
定の温度に加熱するようになっている。
より供給された各処理ガスは、内筒４内の処理空間Ｓで
あるウエハの収容領域を上昇して天井部で下方へ折り返
し、そして内筒４と外筒６との間隙内を流下して排出さ
れることになる。また、マニホールド２６の側壁には、
排気口３４が設けられており、この排気口３４には、図
示しない真空ポンプ等が介設されて処理容器８内を真空
引きするようになっている。また、処理容器８の外周に
は、この底部側より起立させて配置した棒状の加熱ヒー
タ３６が設けられており、内側に位置するウエハＷを所
定の温度に加熱するようになっている。
【０００８】そして、この加熱ヒータ３６の更に外周に
は、断熱層を設けることなく筒体状の冷却ジャケット３
８が設けられており、外部に対して熱的安全性を保って
いる。この冷却ジャケット３８は、例えばステンレスス
チールよりなる筒体状の内側シェル３８Ａと筒体状の外
側シェル３８Ｂとを所定の間隔を隔てて接合してなり、
内部の空間に多数の通路仕切板４０を溶接接合して冷却
通路４２を形成し、この冷却通路４２に例えば冷却水を
流すことにより、加熱炉自体の熱的安全性を確保するよ
うになっている。
は、断熱層を設けることなく筒体状の冷却ジャケット３
８が設けられており、外部に対して熱的安全性を保って
いる。この冷却ジャケット３８は、例えばステンレスス
チールよりなる筒体状の内側シェル３８Ａと筒体状の外
側シェル３８Ｂとを所定の間隔を隔てて接合してなり、
内部の空間に多数の通路仕切板４０を溶接接合して冷却
通路４２を形成し、この冷却通路４２に例えば冷却水を
流すことにより、加熱炉自体の熱的安全性を確保するよ
うになっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな冷却ジャケット３８にあっては、冷却水の圧力は例
えば５ｋｇ／ｃｍ2 程度と比較的高いことから、この圧
力に耐えるために内側シェル３８Ａ及び外側シェル３８
Ｂの強度をかなり高くしなければならない。このため、
これらの内側及び外側シェル３８Ａ、３８Ｂの厚さｔは
その強度を高めるために共に厚く、例えば６ｍｍ程度に
設定されており、重量が非常に大きくなってしまって支
持構造が複雑化する、という問題点があった。また、上
記冷却ジャケット３８の構造が、内側シェル３８Ａと外
側シェル３８Ｂとの間に通路仕切板４０を溶接接合させ
ている構造のため、これらの通路仕切板４０の溶接接合
がかなり困難で製造が複雑であることからコスト高にな
るのみならず、溶接不良が発生した場合には冷却水の流
れの短絡が生じて冷却ムラや熱処理中のウエハの面間に
おける温度ムラが生じてしまう、といった問題もあっ
た。
うな冷却ジャケット３８にあっては、冷却水の圧力は例
えば５ｋｇ／ｃｍ2 程度と比較的高いことから、この圧
力に耐えるために内側シェル３８Ａ及び外側シェル３８
Ｂの強度をかなり高くしなければならない。このため、
これらの内側及び外側シェル３８Ａ、３８Ｂの厚さｔは
その強度を高めるために共に厚く、例えば６ｍｍ程度に
設定されており、重量が非常に大きくなってしまって支
持構造が複雑化する、という問題点があった。また、上
記冷却ジャケット３８の構造が、内側シェル３８Ａと外
側シェル３８Ｂとの間に通路仕切板４０を溶接接合させ
ている構造のため、これらの通路仕切板４０の溶接接合
がかなり困難で製造が複雑であることからコスト高にな
るのみならず、溶接不良が発生した場合には冷却水の流
れの短絡が生じて冷却ムラや熱処理中のウエハの面間に
おける温度ムラが生じてしまう、といった問題もあっ
た。
【００１０】更には、上述したように、内側シェル３８
Ａに上記通路仕切板４０を溶接する場合には、その内周
面に溶接跡が生じてこの部分の熱的な反射率が局所的に
変化し、この点よりもウエハに対する面間における温度
ムラが生じてしまう、といった問題があった。本発明
は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決す
べく創案されたものである。本発明の目的は、重量が軽
く、冷却効率及び信頼性も高い冷却装置及びこれを用い
た熱処理装置を提供することにある。
Ａに上記通路仕切板４０を溶接する場合には、その内周
面に溶接跡が生じてこの部分の熱的な反射率が局所的に
変化し、この点よりもウエハに対する面間における温度
ムラが生じてしまう、といった問題があった。本発明
は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決す
べく創案されたものである。本発明の目的は、重量が軽
く、冷却効率及び信頼性も高い冷却装置及びこれを用い
た熱処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に規定する発明
は、加熱手段により加熱された処理容器内で被処理体に
対して所定の熱処理を施すようにした熱処理装置に設け
られる冷却装置において、前記加熱手段を含む前記処理
容器の周囲に配置された筒体状の冷却筒部と、前記冷却
筒部の側面に巻回されて前記側面にろう付けされた冷却
パイプ部材と、前記冷却パイプ部材に冷媒を供給して流
通させる冷媒供給手段と、を備えたことを特徴とする冷
却装置である。これによれば、筒体状の冷却筒部の側面
に、冷却パイプ部材を巻回してろう付けし、この冷却パ
イプ部材に冷媒を流すように冷却しているので、冷却パ
イプ部材自体が冷媒の圧力に対する耐圧性を有していれ
ばよいことから冷却パイプ部材自体の肉厚を薄くでき、
従って、冷却装置全体の重量を大幅に軽減することが可
能となる。また、冷却パイプ部材自体に冷媒が流れるの
で、冷媒通路形成のための溶接が不要となり、従って、
溶接不良に伴う冷媒の流れの短絡等が生ずることもな
く、冷却効率を高めることができるのみならず、信頼性
も向上させることが可能となる。
は、加熱手段により加熱された処理容器内で被処理体に
対して所定の熱処理を施すようにした熱処理装置に設け
られる冷却装置において、前記加熱手段を含む前記処理
容器の周囲に配置された筒体状の冷却筒部と、前記冷却
筒部の側面に巻回されて前記側面にろう付けされた冷却
パイプ部材と、前記冷却パイプ部材に冷媒を供給して流
通させる冷媒供給手段と、を備えたことを特徴とする冷
却装置である。これによれば、筒体状の冷却筒部の側面
に、冷却パイプ部材を巻回してろう付けし、この冷却パ
イプ部材に冷媒を流すように冷却しているので、冷却パ
イプ部材自体が冷媒の圧力に対する耐圧性を有していれ
ばよいことから冷却パイプ部材自体の肉厚を薄くでき、
従って、冷却装置全体の重量を大幅に軽減することが可
能となる。また、冷却パイプ部材自体に冷媒が流れるの
で、冷媒通路形成のための溶接が不要となり、従って、
溶接不良に伴う冷媒の流れの短絡等が生ずることもな
く、冷却効率を高めることができるのみならず、信頼性
も向上させることが可能となる。
【００１２】この場合、例えば請求項２に規定するよう
に、前記冷却筒部の内周面には、この反射率を高くする
ための高反射率処理が施されている。これによれば、冷
却筒部の内周面の熱に対する反射率が高くなって、その
分、熱効率を高めることが可能となる。また、例えば請
求項３に規定するように、前記高反射率処理は、前記内
周面の鏡面仕上げ処理である。また、例えば請求項４に
規定するように、前記高反射率処理は、反射率の高い金
属膜を形成するための金属膜形成処理である。この場
合、例えば請求項５に規定するように、前記金属膜は、
チタンナイトライド膜、銅膜、クロム膜、ニッケル膜、
金膜の内のいずれか１つである。
に、前記冷却筒部の内周面には、この反射率を高くする
ための高反射率処理が施されている。これによれば、冷
却筒部の内周面の熱に対する反射率が高くなって、その
分、熱効率を高めることが可能となる。また、例えば請
求項３に規定するように、前記高反射率処理は、前記内
周面の鏡面仕上げ処理である。また、例えば請求項４に
規定するように、前記高反射率処理は、反射率の高い金
属膜を形成するための金属膜形成処理である。この場
合、例えば請求項５に規定するように、前記金属膜は、
チタンナイトライド膜、銅膜、クロム膜、ニッケル膜、
金膜の内のいずれか１つである。
【００１３】また、例えば請求項６に規定するように、
前記冷却筒部の内周面には、この反射率を低くするため
の低反射率処理が施されている。請求項７に規定する発
明は、加熱手段により加熱された処理容器内で被処理体
に対して所定の熱処理を施すようにした熱処理装置に設
けられる冷却装置において、前記加熱手段を含む前記処
理容器の周囲に配置されて、冷却パイプ部材を上下方向
で接触するように螺旋状に巻回して筒体状に成形してな
る冷却ジャケット本体と、前記冷却パイプ部材に冷媒を
供給して流通させる冷媒供給手段と、を備えたことを特
徴とする冷却装置である。これによれば、冷却パイプ部
材を螺旋状に巻回して筒体状に成形した冷却ジャケット
本体に冷媒を流すように冷却しているので、冷却パイプ
部材自体が冷媒の圧力に対する耐圧性を有していればよ
いことから冷却パイプ部材自体の肉厚を薄くでき、従っ
て、冷却装置全体の重量を大幅に軽減することが可能と
なる。また、冷却パイプ部材自体に冷媒が流れるので、
冷媒通路形成のための溶接が不要となり、従って、溶接
不良に伴う冷媒の流れの短絡等が生ずることもなく、冷
却効率を高めることができるのみならず、信頼性も向上
させることが可能となる。
前記冷却筒部の内周面には、この反射率を低くするため
の低反射率処理が施されている。請求項７に規定する発
明は、加熱手段により加熱された処理容器内で被処理体
に対して所定の熱処理を施すようにした熱処理装置に設
けられる冷却装置において、前記加熱手段を含む前記処
理容器の周囲に配置されて、冷却パイプ部材を上下方向
で接触するように螺旋状に巻回して筒体状に成形してな
る冷却ジャケット本体と、前記冷却パイプ部材に冷媒を
供給して流通させる冷媒供給手段と、を備えたことを特
徴とする冷却装置である。これによれば、冷却パイプ部
材を螺旋状に巻回して筒体状に成形した冷却ジャケット
本体に冷媒を流すように冷却しているので、冷却パイプ
部材自体が冷媒の圧力に対する耐圧性を有していればよ
いことから冷却パイプ部材自体の肉厚を薄くでき、従っ
て、冷却装置全体の重量を大幅に軽減することが可能と
なる。また、冷却パイプ部材自体に冷媒が流れるので、
冷媒通路形成のための溶接が不要となり、従って、溶接
不良に伴う冷媒の流れの短絡等が生ずることもなく、冷
却効率を高めることができるのみならず、信頼性も向上
させることが可能となる。
【００１４】この場合、例えば請求項８に規定するよう
に、前記筒体状の冷却ジャケット本体の内周面には、こ
の反射率を高くするための高反射率処理が施されてい
る。これによれば、冷却ジャケット本体の内周面の熱に
対する反射率が高くなって、その分、熱効率を高めるこ
とが可能となる。また、例えば請求項９に規定するよう
に、前記高反射率処理は、前記内周面の鏡面仕上げ処理
である。また、例えば請求項１０に規定するように、前
記筒体状の冷却ジャケット本体の内周面には、この反射
率を低くするための低反射率処理が施されている。ま
た、例えば請求項１１に規定するように、前記冷却パイ
プ部材は、複数の領域に分割されており、各領域毎に並
列的に前記冷媒が供給されて流通される。請求項１２に
規定する発明は、上記冷却装置を用いた熱処理装置であ
り、すなわち、被処理体に対して所定の熱処理を施す熱
処理装置において、排気可能になされた筒体状の処理容
器と、複数の前記被処理体を多段に保持して前記処理容
器内へ挿脱される被処理体保持手段と、前記処理容器内
へ所定の処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、前記
処理容器の外側に配置されて前記被処理体を加熱する加
熱手段と、上記冷却装置と、を備えたことを特徴とする
熱処理装置である。
に、前記筒体状の冷却ジャケット本体の内周面には、こ
の反射率を高くするための高反射率処理が施されてい
る。これによれば、冷却ジャケット本体の内周面の熱に
対する反射率が高くなって、その分、熱効率を高めるこ
とが可能となる。また、例えば請求項９に規定するよう
に、前記高反射率処理は、前記内周面の鏡面仕上げ処理
である。また、例えば請求項１０に規定するように、前
記筒体状の冷却ジャケット本体の内周面には、この反射
率を低くするための低反射率処理が施されている。ま
た、例えば請求項１１に規定するように、前記冷却パイ
プ部材は、複数の領域に分割されており、各領域毎に並
列的に前記冷媒が供給されて流通される。請求項１２に
規定する発明は、上記冷却装置を用いた熱処理装置であ
り、すなわち、被処理体に対して所定の熱処理を施す熱
処理装置において、排気可能になされた筒体状の処理容
器と、複数の前記被処理体を多段に保持して前記処理容
器内へ挿脱される被処理体保持手段と、前記処理容器内
へ所定の処理ガスを導入する処理ガス導入手段と、前記
処理容器の外側に配置されて前記被処理体を加熱する加
熱手段と、上記冷却装置と、を備えたことを特徴とする
熱処理装置である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る冷却装置及
びこれを用いた熱処理装置の一実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。 ＜第１実施例＞図１は本発明の第１実施例の冷却装置を
用いた熱処理装置を示す構成図、図２は本発明の熱処理
装置を示す横断面図、図３は加熱手段のヒータ棒を示す
斜視図、図４は冷却装置を示す側面図、図５は図１中の
Ａ部を示す拡大断面図である。図示するように、この熱
処理装置５０は、筒体状の石英製の内筒５２とその外側
に所定の間隙を介して同心円状に配置した石英製の外筒
５４とよりなる２重管構造の処理容器５６を有してい
る。
びこれを用いた熱処理装置の一実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。 ＜第１実施例＞図１は本発明の第１実施例の冷却装置を
用いた熱処理装置を示す構成図、図２は本発明の熱処理
装置を示す横断面図、図３は加熱手段のヒータ棒を示す
斜視図、図４は冷却装置を示す側面図、図５は図１中の
Ａ部を示す拡大断面図である。図示するように、この熱
処理装置５０は、筒体状の石英製の内筒５２とその外側
に所定の間隙を介して同心円状に配置した石英製の外筒
５４とよりなる２重管構造の処理容器５６を有してい
る。
【００１６】この処理容器５６の下端は、Ｏリング等の
シール部材５７を介して例えばステンレススチール製の
筒体状のマニホールド５８によって支持されており、内
筒５２の下端は、マニホールド５８の内壁より内側へ突
出させたリング状の支持板５８Ａにより支持され、この
マニホールド５８の下方より多数枚の被処理体としての
半導体ウエハＷを多段に載置した被処理体保持手段とし
ての石英製のウエハボート６０が昇降可能に挿脱自在に
なされている。本実施例の場合において、このウエハボ
ート６０には、例えば２５枚程度の直径が３００ｍｍの
ウエハＷを略等ピッチで多段に支持できるようになって
いる。
シール部材５７を介して例えばステンレススチール製の
筒体状のマニホールド５８によって支持されており、内
筒５２の下端は、マニホールド５８の内壁より内側へ突
出させたリング状の支持板５８Ａにより支持され、この
マニホールド５８の下方より多数枚の被処理体としての
半導体ウエハＷを多段に載置した被処理体保持手段とし
ての石英製のウエハボート６０が昇降可能に挿脱自在に
なされている。本実施例の場合において、このウエハボ
ート６０には、例えば２５枚程度の直径が３００ｍｍの
ウエハＷを略等ピッチで多段に支持できるようになって
いる。
【００１７】このウエハボート６０は、石英製の保温筒
６２を介して回転テーブル６４上に載置されており、こ
の回転テーブル６４は、マニホールド５８の下端開口部
を開閉する蓋部６６を貫通する回転軸６８上に支持され
る。そして、この回転軸６８の貫通部には、例えば磁性
流体シール７０が介設され、この回転軸６８を気密にシ
ールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部６６の
周辺部とマニホールド５８の下端部には、例えばＯリン
グ等よりなるシール部材７２が介設されており、容器内
のシール性を保持している。
６２を介して回転テーブル６４上に載置されており、こ
の回転テーブル６４は、マニホールド５８の下端開口部
を開閉する蓋部６６を貫通する回転軸６８上に支持され
る。そして、この回転軸６８の貫通部には、例えば磁性
流体シール７０が介設され、この回転軸６８を気密にシ
ールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部６６の
周辺部とマニホールド５８の下端部には、例えばＯリン
グ等よりなるシール部材７２が介設されており、容器内
のシール性を保持している。
【００１８】上記した回転軸６８は、例えばボートエレ
ベータ等の昇降機構７４より延びるアーム７６の先端に
取り付けられており、ウエハボート６０及び蓋部６６等
を一体的に昇降できるようになされている。また、上記
マニホールド５８の側部には、内筒５２と外筒５４の間
隙の底部から容器内の雰囲気を排出する排気口７８が設
けられており、この排気口７８には、図示しない真空ポ
ンプ等を介設した真空排気系が接続されている。上記マ
ニホールド５８の側部には、上記内筒５２内に所定の処
理ガスを供給するための処理ガス導入手段８０が設けら
れる。具体的には、この処理ガス導入手段８０は、図示
例では２つのガス供給系８２、８４よりなり、各ガス供
給系８２、８４は、マニホールド５８の側壁を貫通して
設けられたガスノズル８６、８８をそれぞれ有してい
る。
ベータ等の昇降機構７４より延びるアーム７６の先端に
取り付けられており、ウエハボート６０及び蓋部６６等
を一体的に昇降できるようになされている。また、上記
マニホールド５８の側部には、内筒５２と外筒５４の間
隙の底部から容器内の雰囲気を排出する排気口７８が設
けられており、この排気口７８には、図示しない真空ポ
ンプ等を介設した真空排気系が接続されている。上記マ
ニホールド５８の側部には、上記内筒５２内に所定の処
理ガスを供給するための処理ガス導入手段８０が設けら
れる。具体的には、この処理ガス導入手段８０は、図示
例では２つのガス供給系８２、８４よりなり、各ガス供
給系８２、８４は、マニホールド５８の側壁を貫通して
設けられたガスノズル８６、８８をそれぞれ有してい
る。
【００１９】そして、各ガスノズル８６、８８にはマス
フローコントローラのような流量制御器９０、９２をそ
れぞれ介設したガス流路９４、９６がそれぞれ接続され
ており、熱処理に必要なガスをそれぞれ流量制御しつつ
供給できるようになっている。尚、上記ガス供給系は、
２系統に限定されず、実際には熱処理に必要なガスの種
類に応じた数だけ設けられる。そして、上記処理容器５
６の外周側には、上記半導体ウエハＷを加熱する加熱手
段９８が設けられる。具体的には、上記加熱手段９８
は、例えば図３にも示すように、上部をＵ字状に屈曲し
た長いヒータ棒１００を有しており、このヒータ棒１０
０を図１及び図２にも示すように、処理容器５６の周方
向に複数個、図２に示す場合には８個設けられている
が、この数量に限定されない。このヒータ棒１００の長
さは、上記ウエハボート６０の高さよりも長く設定され
ており、処理容器５６の内壁面にその高さ方向に沿っ
て、且つこの内壁面より僅かな距離だけ離間させた状態
で配置されている。そして、このヒータ棒１００の下端
部１００Ａは略直角にＬ字状に屈曲されており、この下
端部１００Ａを上記マニホールド５８に固定することに
より、このヒータ棒１００の全体を支持している。この
ヒータ棒１００としては、例えばカーボンワイヤの周囲
を石英層で被覆してなるカーボンワイヤヒータ等を用い
ることができる。上記各ヒータ棒１００は、給電ライン
１０２によりスイッチ機構１０４を介してヒータ電源１
０６へ接続されている。
フローコントローラのような流量制御器９０、９２をそ
れぞれ介設したガス流路９４、９６がそれぞれ接続され
ており、熱処理に必要なガスをそれぞれ流量制御しつつ
供給できるようになっている。尚、上記ガス供給系は、
２系統に限定されず、実際には熱処理に必要なガスの種
類に応じた数だけ設けられる。そして、上記処理容器５
６の外周側には、上記半導体ウエハＷを加熱する加熱手
段９８が設けられる。具体的には、上記加熱手段９８
は、例えば図３にも示すように、上部をＵ字状に屈曲し
た長いヒータ棒１００を有しており、このヒータ棒１０
０を図１及び図２にも示すように、処理容器５６の周方
向に複数個、図２に示す場合には８個設けられている
が、この数量に限定されない。このヒータ棒１００の長
さは、上記ウエハボート６０の高さよりも長く設定され
ており、処理容器５６の内壁面にその高さ方向に沿っ
て、且つこの内壁面より僅かな距離だけ離間させた状態
で配置されている。そして、このヒータ棒１００の下端
部１００Ａは略直角にＬ字状に屈曲されており、この下
端部１００Ａを上記マニホールド５８に固定することに
より、このヒータ棒１００の全体を支持している。この
ヒータ棒１００としては、例えばカーボンワイヤの周囲
を石英層で被覆してなるカーボンワイヤヒータ等を用い
ることができる。上記各ヒータ棒１００は、給電ライン
１０２によりスイッチ機構１０４を介してヒータ電源１
０６へ接続されている。
【００２０】そして、このように形成された熱処理装置
５０に、本発明に係る冷却装置１０８が設けられる。こ
の冷却装置１０８は、上記加熱手段９８を含む上記処理
容器５６の周囲に配置された筒体状の冷却筒部１１０
と、上記冷却筒部１１０の側面に巻回されて上記側面に
ろう付けされた冷却パイプ部材１１２と、上記冷却パイ
プ部材１１２に冷媒を供給して流通させる冷媒供給手段
１１４とを有している。上記冷却筒部１１０は、例えば
アルミニウムやステンレススチール等の金属材料よりな
り、有天井の筒体状に形成されて、上述のように加熱手
段９８を含む処理容器５６の周囲に配置されている。こ
の冷却筒部１１０の厚さｔ１は非常に薄くてよく、例え
ば１．５ｍｍ程度に設定される。
５０に、本発明に係る冷却装置１０８が設けられる。こ
の冷却装置１０８は、上記加熱手段９８を含む上記処理
容器５６の周囲に配置された筒体状の冷却筒部１１０
と、上記冷却筒部１１０の側面に巻回されて上記側面に
ろう付けされた冷却パイプ部材１１２と、上記冷却パイ
プ部材１１２に冷媒を供給して流通させる冷媒供給手段
１１４とを有している。上記冷却筒部１１０は、例えば
アルミニウムやステンレススチール等の金属材料よりな
り、有天井の筒体状に形成されて、上述のように加熱手
段９８を含む処理容器５６の周囲に配置されている。こ
の冷却筒部１１０の厚さｔ１は非常に薄くてよく、例え
ば１．５ｍｍ程度に設定される。
【００２１】また、上記冷却パイプ部材１１２は、例え
ば断面が略四角形状（略矩形）又は楕円形に成形されて
おり、この冷却パイプ部材１１２は上述のように、上記
筒体状の冷却筒部１１０の側面、ここでは外周側の側面
の略全体に、例えば螺旋状に巻回させて設けられてい
る。この冷却パイプ部材１１２は、上下方向において図
４にも示すように密に互いに接触状態となるように設け
てもよいし、ある程度離間させて設けてもよい。そし
て、この冷却パイプ部材１１２の全内周面は上記冷却筒
部１１０の外周面に、ろう材１１６を介してろう付け接
合によって全面的に接合して取り付けられており、両部
材間の伝熱効率が非常に高くなるように、すなわち熱抵
抗が非常に小さくなるように設定している。
ば断面が略四角形状（略矩形）又は楕円形に成形されて
おり、この冷却パイプ部材１１２は上述のように、上記
筒体状の冷却筒部１１０の側面、ここでは外周側の側面
の略全体に、例えば螺旋状に巻回させて設けられてい
る。この冷却パイプ部材１１２は、上下方向において図
４にも示すように密に互いに接触状態となるように設け
てもよいし、ある程度離間させて設けてもよい。そし
て、この冷却パイプ部材１１２の全内周面は上記冷却筒
部１１０の外周面に、ろう材１１６を介してろう付け接
合によって全面的に接合して取り付けられており、両部
材間の伝熱効率が非常に高くなるように、すなわち熱抵
抗が非常に小さくなるように設定している。
【００２２】ここで、上記冷却パイプ部材１１２を上下
方向に互いに接触状態で巻回した場合には、上下方向の
パイプ部材１１２同士も溶接やろう付け接合で接合する
のが、強度向上の上から好ましい。上記した冷却パイプ
部材１１２の材質は、例えばステンレススチール、アル
ミニウム、チタン、銅等の金属材料よりなる。そして、
上記冷却筒部１１０の内周面には、この熱処理装置での
熱処理として例えば６００〜１２００℃程度の高温処理
を行う場合には、熱に対する反射率を高くするための高
反射率処理が施されている。この高反射率処理として
は、メッキ処理やスパッタ処理等の金属膜形成処理を行
うことができ、これにより、チタンナイトライド膜、銅
膜、クロム膜、ニッケル膜、或いは金膜等の薄い金属膜
１１８（図５参照）が形成される。このような反射率の
高い金属膜１１８を形成しておくことにより、熱線を内
側に反射してヒータ自体の熱効率を高めることができ
る。
方向に互いに接触状態で巻回した場合には、上下方向の
パイプ部材１１２同士も溶接やろう付け接合で接合する
のが、強度向上の上から好ましい。上記した冷却パイプ
部材１１２の材質は、例えばステンレススチール、アル
ミニウム、チタン、銅等の金属材料よりなる。そして、
上記冷却筒部１１０の内周面には、この熱処理装置での
熱処理として例えば６００〜１２００℃程度の高温処理
を行う場合には、熱に対する反射率を高くするための高
反射率処理が施されている。この高反射率処理として
は、メッキ処理やスパッタ処理等の金属膜形成処理を行
うことができ、これにより、チタンナイトライド膜、銅
膜、クロム膜、ニッケル膜、或いは金膜等の薄い金属膜
１１８（図５参照）が形成される。このような反射率の
高い金属膜１１８を形成しておくことにより、熱線を内
側に反射してヒータ自体の熱効率を高めることができ
る。
【００２３】これに対して、この熱処理装置での熱処理
として、例えば５０〜６００℃程度の低温処理を行う場
合には、低温域での昇降温の速度をより向上させるため
に、上記冷却筒部１１０の内周面には、低反射率処理、
すなわち黒化処理が施されている。この低反射率処理と
しては、例えば黒色の塗料を塗布やコーティングした
り、表面を溶射処理やブラスト処理することにより粗面
化するなどして、熱の反射率を低下させる。そして、上
記巻回された冷却パイプ部材１１２は、図４にも示すよ
うに、処理容器５６の高さ方向において、複数、図示例
では４つの領域１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２
Ｄに分割されている。そして、各領域１１２Ａ〜１１２
Ｄ毎に冷媒入口ノズル１２０と冷媒出口ノズル１２２と
が形成されている。
として、例えば５０〜６００℃程度の低温処理を行う場
合には、低温域での昇降温の速度をより向上させるため
に、上記冷却筒部１１０の内周面には、低反射率処理、
すなわち黒化処理が施されている。この低反射率処理と
しては、例えば黒色の塗料を塗布やコーティングした
り、表面を溶射処理やブラスト処理することにより粗面
化するなどして、熱の反射率を低下させる。そして、上
記巻回された冷却パイプ部材１１２は、図４にも示すよ
うに、処理容器５６の高さ方向において、複数、図示例
では４つの領域１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２
Ｄに分割されている。そして、各領域１１２Ａ〜１１２
Ｄ毎に冷媒入口ノズル１２０と冷媒出口ノズル１２２と
が形成されている。
【００２４】また、上記冷媒供給手段１１４は、図１に
示すように、冷媒循環ライン１２４を有しており、この
冷却循環ライン１２４の途中には、冷媒を循環させる冷
媒循環ポンプ１２６と、熱交換によって暖まった冷媒を
再度冷却する冷却用熱交換器１２８とが介設されてい
る。そして、上記冷却用熱交換器１２８の出口側の冷媒
循環ライン１２４は複数に分岐されて上記冷却パイプ部
材１１２の各冷媒入口ノズル１２０に連結され、また各
冷媒出口ノズル１２２は集合されて上記冷媒循環ライン
１２４の冷媒戻りライン側に連結されている。尚、冷媒
を循環使用しないで、１回スルーパスして廃棄するよう
にしてもよい。ここでの冷媒としては、例えば冷却水を
用いることができるが、これに限定されないのは勿論で
ある。
示すように、冷媒循環ライン１２４を有しており、この
冷却循環ライン１２４の途中には、冷媒を循環させる冷
媒循環ポンプ１２６と、熱交換によって暖まった冷媒を
再度冷却する冷却用熱交換器１２８とが介設されてい
る。そして、上記冷却用熱交換器１２８の出口側の冷媒
循環ライン１２４は複数に分岐されて上記冷却パイプ部
材１１２の各冷媒入口ノズル１２０に連結され、また各
冷媒出口ノズル１２２は集合されて上記冷媒循環ライン
１２４の冷媒戻りライン側に連結されている。尚、冷媒
を循環使用しないで、１回スルーパスして廃棄するよう
にしてもよい。ここでの冷媒としては、例えば冷却水を
用いることができるが、これに限定されないのは勿論で
ある。
【００２５】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれる熱処理について説明する。まず、半導体ウ
エハＷが載置された状態のウエハボート６０を処理容器
５６内にその下方より上昇させてロードし、蓋部６６で
マニホールド５８の下端開口部を閉じることにより容器
内を密閉する。そして、処理容器５６内を真空引きして
所定のプロセス圧力に維持すると共に、加熱手段９８の
各ヒータ棒１００への供給電力を増加してウエハ温度を
上昇させてプロセス温度に安定するまで待機し、その
後、所定の処理ガススを、それぞれ流量制御しつつ処理
ガス導入手段８０のガス供給系８２、８４の各ノズル８
６、８８から供給する。
て行なわれる熱処理について説明する。まず、半導体ウ
エハＷが載置された状態のウエハボート６０を処理容器
５６内にその下方より上昇させてロードし、蓋部６６で
マニホールド５８の下端開口部を閉じることにより容器
内を密閉する。そして、処理容器５６内を真空引きして
所定のプロセス圧力に維持すると共に、加熱手段９８の
各ヒータ棒１００への供給電力を増加してウエハ温度を
上昇させてプロセス温度に安定するまで待機し、その
後、所定の処理ガススを、それぞれ流量制御しつつ処理
ガス導入手段８０のガス供給系８２、８４の各ノズル８
６、８８から供給する。
【００２６】これと同時に、冷媒供給手段１１４を動作
させて、冷媒供給ライン１２４を介して冷却パイプ部材
１１２の各領域１１２Ａ〜１１２Ｄに並列的に冷媒、例
えば冷却水を供給し、循環させる。これにより、この冷
却パイプ部材１１２及び内側の冷却筒部１１０を所定の
安全温度まで冷却しつつ所定の熱処理がウエハＷに対し
て施されることになる。そして、所定の時間だけ熱処理
が終了したならば、上記加熱手段９８の各ヒータ棒１０
０への電力供給及び処理容器５６内への処理ガスの供給
を停止すると共に、冷却パイプ部材１１２への冷媒の循
環供給は継続して行い、処理容器５６及びこの内部の半
導体ウエハＷの温度を所定のハンドリング温度まで低下
させる。そして、ウエハ温度がハンドリング温度まで低
下したならば、この処理容器５６内から処理済みのウエ
ハＷをアンロードして取り出すことになる。
させて、冷媒供給ライン１２４を介して冷却パイプ部材
１１２の各領域１１２Ａ〜１１２Ｄに並列的に冷媒、例
えば冷却水を供給し、循環させる。これにより、この冷
却パイプ部材１１２及び内側の冷却筒部１１０を所定の
安全温度まで冷却しつつ所定の熱処理がウエハＷに対し
て施されることになる。そして、所定の時間だけ熱処理
が終了したならば、上記加熱手段９８の各ヒータ棒１０
０への電力供給及び処理容器５６内への処理ガスの供給
を停止すると共に、冷却パイプ部材１１２への冷媒の循
環供給は継続して行い、処理容器５６及びこの内部の半
導体ウエハＷの温度を所定のハンドリング温度まで低下
させる。そして、ウエハ温度がハンドリング温度まで低
下したならば、この処理容器５６内から処理済みのウエ
ハＷをアンロードして取り出すことになる。
【００２７】このように、本発明の冷却装置１０８で
は、冷却筒部１１０に冷却パイプ部材１１２を巻回して
接合することにより装置本体を構成しているので、冷却
パイプ部材１１２自体は肉厚が薄くても十分に冷媒の循
環圧力、例えば５ｋｇ／ｃｍ2程度に耐えることがで
き、従って、従来装置で必要とされた厚さｔが６ｍｍ程
度の厚く、且つ重い内側シェル３８Ａ及び外側シェル３
８Ｂ（図９参照）を用いる必要がなく、その分、装置全
体の重量を軽くすることができる。また、冷却パイプ部
材１１２を冷却筒部１１０の側壁に単に巻き付けてろう
付け操作により接合するだけなので、従来装置で必要と
された通路仕切板４０（図９参照）の困難な溶接作業を
不要にでき、従って、構造が簡単化されて安価に提供で
きるのみならず、冷媒の流れの短絡も生ずることなく、
装置の信頼性及び冷却効果も高めることができる。
は、冷却筒部１１０に冷却パイプ部材１１２を巻回して
接合することにより装置本体を構成しているので、冷却
パイプ部材１１２自体は肉厚が薄くても十分に冷媒の循
環圧力、例えば５ｋｇ／ｃｍ2程度に耐えることがで
き、従って、従来装置で必要とされた厚さｔが６ｍｍ程
度の厚く、且つ重い内側シェル３８Ａ及び外側シェル３
８Ｂ（図９参照）を用いる必要がなく、その分、装置全
体の重量を軽くすることができる。また、冷却パイプ部
材１１２を冷却筒部１１０の側壁に単に巻き付けてろう
付け操作により接合するだけなので、従来装置で必要と
された通路仕切板４０（図９参照）の困難な溶接作業を
不要にでき、従って、構造が簡単化されて安価に提供で
きるのみならず、冷媒の流れの短絡も生ずることなく、
装置の信頼性及び冷却効果も高めることができる。
【００２８】また、上記冷却パイプ部材１１２と冷却筒
部１１０とは、ろう付け操作により、ろう材１１６を介
して全面的に面接触で接合されているので、両部材間の
熱伝導性が非常に良好となって、更に冷却効率を高める
ことができる。以上のように、断熱層を用いず、すなわ
ち熱容量が小さく、且つ上述のように冷却効率が高いの
で、ウエハＷや処理容器５６等の降温速度を大幅に向上
させることができ、その分、スループットを向上させる
ことができる。ここで、ウエハの高温処理を主として行
う熱処理装置の場合には、上記冷却筒部１１０の内周面
に熱に対する反射率を向上させる処理を行っていること
から、処理容器５６側からの熱線は内側へ反射されるこ
とになり、特に、高温処理時には熱効率を高めることが
できる。
部１１０とは、ろう付け操作により、ろう材１１６を介
して全面的に面接触で接合されているので、両部材間の
熱伝導性が非常に良好となって、更に冷却効率を高める
ことができる。以上のように、断熱層を用いず、すなわ
ち熱容量が小さく、且つ上述のように冷却効率が高いの
で、ウエハＷや処理容器５６等の降温速度を大幅に向上
させることができ、その分、スループットを向上させる
ことができる。ここで、ウエハの高温処理を主として行
う熱処理装置の場合には、上記冷却筒部１１０の内周面
に熱に対する反射率を向上させる処理を行っていること
から、処理容器５６側からの熱線は内側へ反射されるこ
とになり、特に、高温処理時には熱効率を高めることが
できる。
【００２９】また、上述したように、装置自体の熱容量
も小さく出来ることから、熱容量が小さい分だけ、ウエ
ハＷの降温時に降温速度を大幅に向上できるのみなら
ず、ウエハＷの昇温時にも、この昇温速度を大幅に向上
でき、この点よりも更にスループットを向上させること
ができる。また、上記冷却パイプ部材１１２を複数、例
えば４つの領域１１２Ａ〜１１２Ｄに分割して、各領域
毎に並列的に冷媒を流すようにしているので、処理容器
５６の高さ方向に沿って略均一にこれを冷却することが
でき、この結果、ウエハＷの面間温度に温度ムラが生ず
ることがなく、この面内温度の均一性を高めることが可
能となる。尚、冷却パイプ部材１１２を複数に分割しな
いで、一本の連続した流路として用いてもよいのは勿論
である。上記実施例では、冷却筒部１１０の外周面に上
記冷却パイプ部材１１２を接合したが、これに代えて、
冷却筒部１１０の内周面に上記冷却パイプ部材１１２を
接合してもよい。また、ここでは冷却筒部１１０に上記
冷却パイプ部材１１２を螺旋状に巻回したが、これに代
えて、冷却パイプ部材１１２を例えば水平方向へ、或い
は上下方向へ蛇行状に配設するようにしてもよい。
も小さく出来ることから、熱容量が小さい分だけ、ウエ
ハＷの降温時に降温速度を大幅に向上できるのみなら
ず、ウエハＷの昇温時にも、この昇温速度を大幅に向上
でき、この点よりも更にスループットを向上させること
ができる。また、上記冷却パイプ部材１１２を複数、例
えば４つの領域１１２Ａ〜１１２Ｄに分割して、各領域
毎に並列的に冷媒を流すようにしているので、処理容器
５６の高さ方向に沿って略均一にこれを冷却することが
でき、この結果、ウエハＷの面間温度に温度ムラが生ず
ることがなく、この面内温度の均一性を高めることが可
能となる。尚、冷却パイプ部材１１２を複数に分割しな
いで、一本の連続した流路として用いてもよいのは勿論
である。上記実施例では、冷却筒部１１０の外周面に上
記冷却パイプ部材１１２を接合したが、これに代えて、
冷却筒部１１０の内周面に上記冷却パイプ部材１１２を
接合してもよい。また、ここでは冷却筒部１１０に上記
冷却パイプ部材１１２を螺旋状に巻回したが、これに代
えて、冷却パイプ部材１１２を例えば水平方向へ、或い
は上下方向へ蛇行状に配設するようにしてもよい。
【００３０】＜第２実施例＞次に、本発明の第２実施例
の冷却装置を用いた熱処理装置について説明する。図６
は本発明の第２実施例の冷却装置を用いた熱処理装置を
示す構成図、図７は第２実施例の冷却装置を示す側面
図、図８は図６中のＢ部を示す拡大断面図である。尚、
図１〜図５に示す構成部分と同一構成部分については同
一参照符号を付して説明を省略する。先の第１実施例で
は、装置の主要部を筒体状の冷却筒部１１０に冷却パイ
プ部材１１２を巻回して接合することにより構成した
が、この第２実施例では、装置の主要部として冷却筒部
１１０を用いないで冷却パイプ部材１１２のみで構成し
た点にある。尚、この第２実施例では、冷却装置以外の
熱処理装置の構成は、先の第１実施例の場合と全く同じ
である。すなわち、図示するように、この第２実施例の
冷却装置１３０は、断面略四角形（略矩形）の冷却パイ
プ部材１１２を螺旋状に巻回し、且つ上下方向では互い
に接触するような状態とする。そして、この冷却パイプ
部材１１２は、上下に接触する部分では、例えばろう材
１３２を介してろう付け操作により接合されており、こ
れにより、円筒体状の冷却ジャケット本体１３４が形成
されている。
の冷却装置を用いた熱処理装置について説明する。図６
は本発明の第２実施例の冷却装置を用いた熱処理装置を
示す構成図、図７は第２実施例の冷却装置を示す側面
図、図８は図６中のＢ部を示す拡大断面図である。尚、
図１〜図５に示す構成部分と同一構成部分については同
一参照符号を付して説明を省略する。先の第１実施例で
は、装置の主要部を筒体状の冷却筒部１１０に冷却パイ
プ部材１１２を巻回して接合することにより構成した
が、この第２実施例では、装置の主要部として冷却筒部
１１０を用いないで冷却パイプ部材１１２のみで構成し
た点にある。尚、この第２実施例では、冷却装置以外の
熱処理装置の構成は、先の第１実施例の場合と全く同じ
である。すなわち、図示するように、この第２実施例の
冷却装置１３０は、断面略四角形（略矩形）の冷却パイ
プ部材１１２を螺旋状に巻回し、且つ上下方向では互い
に接触するような状態とする。そして、この冷却パイプ
部材１１２は、上下に接触する部分では、例えばろう材
１３２を介してろう付け操作により接合されており、こ
れにより、円筒体状の冷却ジャケット本体１３４が形成
されている。
【００３１】この場合、冷却パイプ部材１１２の上下方
向における接合は、ろう付けに限定されず、例えば通常
の溶接等でもよく、筒体状の冷却ジャケット本体１３４
として所定の温度を維持できるならば、どのような接合
手法を用いてもよい。そして、この冷却パイプ部材１１
２も、第１実施例の場合と同様に、複数に、例えば４つ
の領域１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄに分割
されており、各領域１１２Ａ〜１１２Ｄの冷却パイプ部
材１１２に対して冷媒供給手段１１４により並列的に冷
媒を供給して循環し得るようになっている。
向における接合は、ろう付けに限定されず、例えば通常
の溶接等でもよく、筒体状の冷却ジャケット本体１３４
として所定の温度を維持できるならば、どのような接合
手法を用いてもよい。そして、この冷却パイプ部材１１
２も、第１実施例の場合と同様に、複数に、例えば４つ
の領域１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄに分割
されており、各領域１１２Ａ〜１１２Ｄの冷却パイプ部
材１１２に対して冷媒供給手段１１４により並列的に冷
媒を供給して循環し得るようになっている。
【００３２】そして、上記冷却ジャケット本体１３４の
内周面には、この熱処理装置での熱処理として例えば６
００〜１２００℃程度の高温処理を行う場合には、熱に
対する反射率を高くするための高反射率処理が施されて
いる。この高反射率処理としては、メッキ処理やスパッ
タ処理等の金属膜形成処理を行うことができ、これによ
り、チタンナイトライド膜、銅膜、クロム膜、ニッケル
膜、或いは金膜等の薄い金属膜１３６（図８参照）が形
成される。このような反射率の高い金属膜１３６を形成
しておくことにより、第１実施例でも説明したように熱
線を内側に反射してヒータ自体の熱効率を高めることが
できる。
内周面には、この熱処理装置での熱処理として例えば６
００〜１２００℃程度の高温処理を行う場合には、熱に
対する反射率を高くするための高反射率処理が施されて
いる。この高反射率処理としては、メッキ処理やスパッ
タ処理等の金属膜形成処理を行うことができ、これによ
り、チタンナイトライド膜、銅膜、クロム膜、ニッケル
膜、或いは金膜等の薄い金属膜１３６（図８参照）が形
成される。このような反射率の高い金属膜１３６を形成
しておくことにより、第１実施例でも説明したように熱
線を内側に反射してヒータ自体の熱効率を高めることが
できる。
【００３３】これに対して、この熱処理装置での熱処理
として、例えば５０〜６００℃程度の低温処理を行う場
合には、低温域での昇降温の速度をより向上させるため
に、上記冷却ジャケット本体１３４の内周面には、低反
射率処理が施されている。この低反射率処理としては、
例えば黒色の塗料を塗布したり、表面をブラスト処理に
より粗面化するなどして、熱の反射率を低下させる。
として、例えば５０〜６００℃程度の低温処理を行う場
合には、低温域での昇降温の速度をより向上させるため
に、上記冷却ジャケット本体１３４の内周面には、低反
射率処理が施されている。この低反射率処理としては、
例えば黒色の塗料を塗布したり、表面をブラスト処理に
より粗面化するなどして、熱の反射率を低下させる。
【００３４】尚、図６に示す冷却ジャケット本体１３４
は天井部が開放されているが、ここにも別個の冷却ジャ
ケットを設けて天井部を塞ぐようにしてもよい。この第
２実施例によれば、先の第１実施例の場合と同様な作用
効果を発揮することができる。更に、この第２実施例で
は第１実施例で用いた筒状の冷却筒部１１０を用いてい
ない分だけ重量、及び熱容量を共に小さくできるので、
更に重量の軽減化を図ることができるのみならず、熱容
量が小さくなった分だけ更に昇温速度及び降温速度を上
げることができ、一層スループットを向上させることが
可能となる。
は天井部が開放されているが、ここにも別個の冷却ジャ
ケットを設けて天井部を塞ぐようにしてもよい。この第
２実施例によれば、先の第１実施例の場合と同様な作用
効果を発揮することができる。更に、この第２実施例で
は第１実施例で用いた筒状の冷却筒部１１０を用いてい
ない分だけ重量、及び熱容量を共に小さくできるので、
更に重量の軽減化を図ることができるのみならず、熱容
量が小さくなった分だけ更に昇温速度及び降温速度を上
げることができ、一層スループットを向上させることが
可能となる。
【００３５】また、螺旋状に巻回した冷却パイプ部材１
１２を上下に接触させた状態で接合するだけで主要部で
ある冷却ジャケット本体１３４を製造することができる
ので、製造工程が更に簡略化され、その分、コストを削
減することが可能となる。尚、上記各実施例では冷媒と
して冷却水を用いたが、これに限定されず、他の冷媒、
例えばガルデン（登録商標）、フロリナート（登録商
標）等を用いてもよい。また、ここでは内筒５２と外筒
５４とよりなる２重管構造の処理容器５６を例にとって
説明したが、これに限定されず、いわゆる単管構造の処
理容器を用いてもよい。また、被処理体としては、半導
体ウエハに限定されず、ガラス基板やＬＣＤ基板等に
も、本発明を適用することができる。
１２を上下に接触させた状態で接合するだけで主要部で
ある冷却ジャケット本体１３４を製造することができる
ので、製造工程が更に簡略化され、その分、コストを削
減することが可能となる。尚、上記各実施例では冷媒と
して冷却水を用いたが、これに限定されず、他の冷媒、
例えばガルデン（登録商標）、フロリナート（登録商
標）等を用いてもよい。また、ここでは内筒５２と外筒
５４とよりなる２重管構造の処理容器５６を例にとって
説明したが、これに限定されず、いわゆる単管構造の処
理容器を用いてもよい。また、被処理体としては、半導
体ウエハに限定されず、ガラス基板やＬＣＤ基板等に
も、本発明を適用することができる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の冷却装置
及びこれを用いた熱処理装置によれば、次のように優れ
た作用効果を発揮することができる。請求項１に規定す
る発明によれば、筒体状の冷却筒部の側面に、冷却パイ
プ部材を巻回してろう付けし、この冷却パイプ部材に冷
媒を流すように冷却しているので、冷却パイプ部材自体
が冷媒の圧力に対する耐圧性を有していればよいことか
ら冷却パイプ部材自体の肉厚を薄くでき、従って、冷却
装置全体の重量を大幅に軽減することができる。また、
冷却パイプ部材自体に冷媒が流れるので、冷媒通路形成
のための溶接が不要となり、従って、溶接不良に伴う冷
媒の流れの短絡等が生ずることもなく、冷却効率を高め
ることができるのみならず、信頼性も向上させることが
できる。請求項２〜５に規定する発明によれば、冷却筒
部の内周面の熱に対する反射率が高くなって、その分、
熱効率を高めることができる。請求項６、９、１０に規
定する発明によれば、低温域での昇降温の速度をより向
上させることができる。請求項７に規定する発明によれ
ば、冷却パイプ部材を螺旋状に巻回して筒体状に成形し
た冷却ジャケット本体に冷媒を流すように冷却している
ので、冷却パイプ部材自体が冷媒の圧力に対する耐圧性
を有していればよいことから冷却パイプ部材自体の肉厚
を薄くでき、従って、冷却装置全体の重量を大幅に軽減
することができる。また、冷却パイプ部材自体に冷媒が
流れるので、冷媒通路形成のための溶接が不要となり、
従って、溶接不良に伴う冷媒の流れの短絡等が生ずるこ
ともなく、冷却効率を高めることができるのみならず、
信頼性も向上させることができる。請求項８に規定する
発明によれば、冷却ジャケット本体の内周面の熱に対す
る反射率が高くなって、その分、熱効率を高めることが
できる。請求項１１に規定する発明によれば、冷却パイ
プ部材を複数、例えば４つの領域に分割して、各領域毎
に並列的に冷媒を流すようにしているので、処理容器の
高さ方向に沿って略均一にこれを冷却することができ、
この結果、ウエハＷの面間温度に温度ムラが生ずること
がなく、この面内温度の均一性を高めることができる。
請求項１２に規定する発明によれば、上記した冷却装置
を用いることにより、熱処理装置全体の軽量化及び信頼
性を向上させることができる。
及びこれを用いた熱処理装置によれば、次のように優れ
た作用効果を発揮することができる。請求項１に規定す
る発明によれば、筒体状の冷却筒部の側面に、冷却パイ
プ部材を巻回してろう付けし、この冷却パイプ部材に冷
媒を流すように冷却しているので、冷却パイプ部材自体
が冷媒の圧力に対する耐圧性を有していればよいことか
ら冷却パイプ部材自体の肉厚を薄くでき、従って、冷却
装置全体の重量を大幅に軽減することができる。また、
冷却パイプ部材自体に冷媒が流れるので、冷媒通路形成
のための溶接が不要となり、従って、溶接不良に伴う冷
媒の流れの短絡等が生ずることもなく、冷却効率を高め
ることができるのみならず、信頼性も向上させることが
できる。請求項２〜５に規定する発明によれば、冷却筒
部の内周面の熱に対する反射率が高くなって、その分、
熱効率を高めることができる。請求項６、９、１０に規
定する発明によれば、低温域での昇降温の速度をより向
上させることができる。請求項７に規定する発明によれ
ば、冷却パイプ部材を螺旋状に巻回して筒体状に成形し
た冷却ジャケット本体に冷媒を流すように冷却している
ので、冷却パイプ部材自体が冷媒の圧力に対する耐圧性
を有していればよいことから冷却パイプ部材自体の肉厚
を薄くでき、従って、冷却装置全体の重量を大幅に軽減
することができる。また、冷却パイプ部材自体に冷媒が
流れるので、冷媒通路形成のための溶接が不要となり、
従って、溶接不良に伴う冷媒の流れの短絡等が生ずるこ
ともなく、冷却効率を高めることができるのみならず、
信頼性も向上させることができる。請求項８に規定する
発明によれば、冷却ジャケット本体の内周面の熱に対す
る反射率が高くなって、その分、熱効率を高めることが
できる。請求項１１に規定する発明によれば、冷却パイ
プ部材を複数、例えば４つの領域に分割して、各領域毎
に並列的に冷媒を流すようにしているので、処理容器の
高さ方向に沿って略均一にこれを冷却することができ、
この結果、ウエハＷの面間温度に温度ムラが生ずること
がなく、この面内温度の均一性を高めることができる。
請求項１２に規定する発明によれば、上記した冷却装置
を用いることにより、熱処理装置全体の軽量化及び信頼
性を向上させることができる。
【図１】本発明の第１実施例の冷却装置を用いた熱処理
装置を示す構成図である。
装置を示す構成図である。
【図２】本発明の熱処理装置を示す横断面図である。
【図３】加熱手段のヒータ棒を示す斜視図である。
【図４】冷却装置を示す側面図である。
【図５】図１中のＡ部を示す拡大断面図である。
【図６】本発明の第２実施例の冷却装置を用いた熱処理
装置を示す構成図である。
装置を示す構成図である。
【図７】第２実施例の冷却装置を示す側面図である。
【図８】図６中のＢ部を示す拡大断面図である。
【図９】従来の熱処理装置の一例を示す構成図である。
５０ 熱処理装置
５６ 処理容器
６０ ウエハボート（被処理体保持手段）
８０ 処理ガス導入手段
９８ 加熱手段
１００ ヒータ棒
１０８，１３０ 冷却装置
１１０ 冷却筒部
１１２ 冷却パイプ部材
１１２Ａ〜１１２Ｄ 領域
１１４ 冷媒供給手段
１１６ ろう材
１１８ 金属膜
１２０ 冷媒入口ノズル
１２２ 冷媒出口ノズル
１３４ 冷却ジャケット本体
１３６ 金属膜
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｅ
21/31 21/302 Ｐ
Ｆターム(参考） 4K061 AA05 BA11 CA02 CA19
5F004 AA01 BA19 BB25 EA34
5F045 AA20 DP19 DQ05 EJ04
Claims (12)
- 【請求項１】 加熱手段により加熱された処理容器内で
被処理体に対して所定の熱処理を施すようにした熱処理
装置に設けられる冷却装置において、 前記加熱手段を含む前記処理容器の周囲に配置された筒
体状の冷却筒部と、 前記冷却筒部の側面に巻回されて前記側面にろう付けさ
れた冷却パイプ部材と、 前記冷却パイプ部材に冷媒を供給して流通させる冷媒供
給手段と、 を備えたことを特徴とする冷却装置。 - 【請求項２】 前記冷却筒部の内周面には、この反射率
を高くするための高反射率処理が施されていることを特
徴とする請求項１記載の冷却装置。 - 【請求項３】 前記高反射率処理は、前記内周面の鏡面
仕上げ処理であることを特徴とする請求項２記載の冷却
装置。 - 【請求項４】 前記高反射率処理は、反射率の高い金属
膜を形成するための金属膜形成処理であることを特徴と
する請求項２記載の冷却装置。 - 【請求項５】 前記金属膜は、チタンナイトライド膜、
銅膜、クロム膜、ニッケル膜、金膜の内のいずれか１つ
であることを特徴とする請求項４記載の冷却装置。 - 【請求項６】 前記冷却筒部の内周面には、この反射率
を低くするための低反射率処理が施されていることを特
徴とする請求項１記載の冷却装置。 - 【請求項７】 加熱手段により加熱された処理容器内で
被処理体に対して所定の熱処理を施すようにした熱処理
装置に設けられる冷却装置において、 前記加熱手段を含む前記処理容器の周囲に配置されて、
冷却パイプ部材を上下方向で接触するように螺旋状に巻
回して筒体状に成形してなる冷却ジャケット本体と、 前記冷却パイプ部材に冷媒を供給して流通させる冷媒供
給手段と、 を備えたことを特徴とする冷却装置。 - 【請求項８】 前記筒体状の冷却ジャケット本体の内周
面には、この反射率を高くするための高反射率処理が施
されていることを特徴とする請求項７記載の冷却装置。 - 【請求項９】 前記高反射率処理は、前記内周面の鏡面
仕上げ処理であることを特徴とする請求項８記載の冷却
装置。 - 【請求項１０】 前記筒体状の冷却ジャケット本体の内
周面には、この反射率を低くするための低反射率処理が
施されていることを特徴とする請求項８記載の冷却装
置。 - 【請求項１１】 前記冷却パイプ部材は、複数の領域に
分割されており、各領域毎に並列的に前記冷媒が供給さ
れて流通されることを特徴とする請求項１乃至１０のい
ずれかに記載の冷却装置。 - 【請求項１２】 被処理体に対して所定の熱処理を施す
熱処理装置において、 排気可能になされた筒体状の処理容器と、 複数の前記被処理体を多段に保持して前記処理容器内へ
挿脱される被処理体保持手段と、 前記処理容器内へ所定の処理ガスを導入する処理ガス導
入手段と、 前記処理容器の外側に配置されて前記被処理体を加熱す
る加熱手段と、 請求項１乃至１１のいずれかに記載の冷却装置と、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002054543A JP4158386B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 冷却装置及びこれを用いた熱処理装置 |
| TW092104292A TW200306617A (en) | 2002-02-28 | 2003-02-27 | Cooling device and heat treating device using the same |
| TW097144136A TW200936975A (en) | 2002-02-28 | 2003-02-27 | Cooling device and heat treating device using the same |
| US10/505,900 US7528347B2 (en) | 2002-02-28 | 2003-02-28 | Cooling device and heat treating device using the same |
| KR1020047009493A KR100712170B1 (ko) | 2002-02-28 | 2003-02-28 | 냉각 장치 및 이를 이용한 열 처리 장치 |
| EP03742892A EP1480261B1 (en) | 2002-02-28 | 2003-02-28 | Cooling device and heat treating device using the same |
| PCT/JP2003/002383 WO2003073485A1 (fr) | 2002-02-28 | 2003-02-28 | Dispositif de refroidissement et dispositif de traitement thermique mettant en oeuvre celui-ci |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002054543A JP4158386B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 冷却装置及びこれを用いた熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003257872A true JP2003257872A (ja) | 2003-09-12 |
| JP4158386B2 JP4158386B2 (ja) | 2008-10-01 |
Family
ID=27764402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002054543A Expired - Fee Related JP4158386B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 冷却装置及びこれを用いた熱処理装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7528347B2 (ja) |
| EP (1) | EP1480261B1 (ja) |
| JP (1) | JP4158386B2 (ja) |
| KR (1) | KR100712170B1 (ja) |
| TW (2) | TW200936975A (ja) |
| WO (1) | WO2003073485A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153505A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Nhk Spring Co Ltd | 熱処理装置用冷却装置及びその製造方法 |
| JP2012156510A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-16 | Asm Internatl Nv | 熱処理炉およびそのライナー |
| JP2013004904A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Nichias Corp | 熱処理炉及び熱処理装置 |
| WO2014021041A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 三菱重工業株式会社 | 巻き付け用冷却配管 |
| JP2015035481A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ装置、基板処理装置及びメンテナンス方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008186865A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| RU2009107892A (ru) * | 2007-08-03 | 2013-03-20 | Теосс Ко., Лтд. | Опорное устройство для кремниевого материала и оборудование для нагрева и быстрого охлаждения кремниевого материала с использованием этого устройства |
| JP5217663B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法 |
| JP5043776B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2012-10-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP5642612B2 (ja) * | 2011-04-05 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
| KR101392378B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2014-05-12 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 |
| KR101392379B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2014-05-12 | 주식회사 유진테크 | 기판처리장치 |
| JP5941589B1 (ja) * | 2015-09-14 | 2016-06-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
| TWI764436B (zh) * | 2020-12-15 | 2022-05-11 | 國立臺灣海洋大學 | 熱處理裝置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61191015A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Hitachi Ltd | 半導体の気相成長方法及びその装置 |
| US5259883A (en) * | 1988-02-16 | 1993-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of thermally processing semiconductor wafers and an apparatus therefor |
| JP2751588B2 (ja) | 1990-07-10 | 1998-05-18 | 忠弘 大見 | 液冷式冷却装置 |
| JPH04101419A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の熱処理炉 |
| JPH08139081A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-31 | Kokusai Electric Co Ltd | 熱交換手段を有する反応管 |
| JPH0992424A (ja) | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 電線接続用溶接装置 |
| JPH0992624A (ja) | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Semitsukusu Eng Kk | 熱処理炉 |
| JPH09251959A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Kokusai Electric Co Ltd | 加熱装置 |
| JPH1190566A (ja) | 1997-09-22 | 1999-04-06 | Fuji Electric Co Ltd | 冷却装置 |
| US6182851B1 (en) | 1998-09-10 | 2001-02-06 | Applied Materials Inc. | Vacuum processing chambers and method for producing |
-
2002
- 2002-02-28 JP JP2002054543A patent/JP4158386B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-27 TW TW097144136A patent/TW200936975A/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-02-27 TW TW092104292A patent/TW200306617A/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-02-28 KR KR1020047009493A patent/KR100712170B1/ko active IP Right Grant
- 2003-02-28 US US10/505,900 patent/US7528347B2/en active Active
- 2003-02-28 EP EP03742892A patent/EP1480261B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-28 WO PCT/JP2003/002383 patent/WO2003073485A1/ja active Application Filing
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153505A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Nhk Spring Co Ltd | 熱処理装置用冷却装置及びその製造方法 |
| JP4705905B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2011-06-22 | 日本発條株式会社 | 熱処理装置用冷却装置及びその製造方法 |
| JP2012156510A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-16 | Asm Internatl Nv | 熱処理炉およびそのライナー |
| JP2013004904A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Nichias Corp | 熱処理炉及び熱処理装置 |
| WO2014021041A1 (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | 三菱重工業株式会社 | 巻き付け用冷却配管 |
| CN104412007A (zh) * | 2012-07-30 | 2015-03-11 | 三菱重工业株式会社 | 缠绕用冷却配管 |
| JP2015035481A (ja) * | 2013-08-08 | 2015-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ装置、基板処理装置及びメンテナンス方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003073485A1 (fr) | 2003-09-04 |
| TW200306617A (en) | 2003-11-16 |
| TWI366655B (ja) | 2012-06-21 |
| KR20040091613A (ko) | 2004-10-28 |
| TWI310213B (ja) | 2009-05-21 |
| US20050225937A1 (en) | 2005-10-13 |
| TW200936975A (en) | 2009-09-01 |
| EP1480261A4 (en) | 2006-04-19 |
| EP1480261A1 (en) | 2004-11-24 |
| KR100712170B1 (ko) | 2007-04-27 |
| US7528347B2 (en) | 2009-05-05 |
| JP4158386B2 (ja) | 2008-10-01 |
| EP1480261B1 (en) | 2012-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3912208B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3230836B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3190165B2 (ja) | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP2003257872A (ja) | 冷却装置及びこれを用いた熱処理装置 | |
| KR100748820B1 (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
| JP2009141205A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP2003121023A (ja) | 熱媒体循環装置及びこれを用いた熱処理装置 | |
| WO2003041139A1 (fr) | Appareil de traitement thermique | |
| JP2008103707A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| US20100024728A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP4498210B2 (ja) | 基板処理装置およびｉｃの製造方法 | |
| JP4516318B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP4282539B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2004055880A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4516838B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP4537201B2 (ja) | バッチ炉 | |
| JP4161959B2 (ja) | 被処理体の熱処理方法 | |
| JP2009099728A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2002009000A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH08162447A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060815 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060919 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080507 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080527 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080624 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080707 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4158386 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140725 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |