JP2009099728A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理室を急速に冷却することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１を形成するプロセスチューブ２０３と、処理室２０１内に設けられるウエハ２００に膜を形成するための原料ガスを処理室２０１内に供給するノズル２３０と、プロセスチューブ２０３を覆い、プロセスチューブ２０３を加熱する加熱ヒータ２０６と、プロセスチューブ２０３と加熱ヒータ２０６との間に冷却ガスを供給する給気管２６０と、プロセスチューブ２０３と加熱ヒータ２０６との間の冷却ガスを排気するブロア２６２と、を有し、加熱ヒータ２０６の一部に開口部１００が設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体製造装置に関し、特に基板を処理する処理室内に原料ガスを供給してその基板に膜を形成する半導体製造装置に関する。

この種の半導体製造装置では、容器内に基板を処理する処理室が形成されており、その容器が、例えば図８に示すような円筒状の加熱ヒータ１０００に覆われている。加熱ヒータ１０００は円筒状を呈した断熱材１００１を有し、その断熱材１００１中又はその内側にヒータ素線が配された構造を有している。実際の基板処理に際しては、加熱ヒータ１０００が作動して容器を加熱し、その容器内の処理室を室全体にわたり加熱して処理室内での温度分布を均一とするように温度調整している。

しかしながら、基板処理後において容器から処理済の基板を取り出す場合に、加熱ヒータの作動を停止させて容器内の温度を下降させようとするが、余熱の影響により容器やその内部（特には処理室）が冷え難く、処理済の基板を取り出して後続の未処理の基板を容器内に搬入するまで時間がかかる。

したがって、本発明の主な目的は、処理室を急速に冷却することができる半導体製造装置を提供することにある。

上記課題を解決するため本発明によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる前記基板に膜を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室を加熱する加熱ヒータと、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間に冷却ガスを供給する冷却ガス供給系と、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間の冷却ガスを排気する冷却ガス排気系と、
を有し、
前記加熱ヒータの一部に開口部が設けられていることを特徴とする半導体製造装置が提供される。

本発明によれば、冷却ガス供給系と冷却ガス排気系とを有するから、冷却ガス供給系から冷却ガス排気系への冷却ガスの流通で処理室を冷却することができる。これに加えて、加熱ヒータの一部に開口部が形成されているから、処理室の余熱を容易に放熱させることができ、処理室の冷却を助長することができる。以上から、処理室を急速に冷却することができる。

以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施例を説明する。

本発明の好ましい実施例に係る半導体製造装置は図１に示す処理炉２０２を有している。処理炉２０２は加熱機構としての加熱ヒータ２０６を有している。加熱ヒータ２０６は、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。

図２に示す通り、加熱ヒータ２０６は円筒形状を呈した断熱部材２０６ａと複数本のヒータ素線２０６ｂとを備えており、断熱部材２０６ａに対しヒータ素線２０６ｂが設けられた構成を有している。断熱部材２０６ａの一部には矩形状の開口部１００が形成されており、開口部１００は蓋体１１０で覆われている。例えば、処理炉２０２で処理されるウエハ２００が直径３００ｍｍの円形状を呈する場合には、開口部１００の幅は１０〜２０ｃｍ程度とされる。蓋体１１０は金属以外の材料（例えばガラスウォール，断熱クロス材）で構成されている。なお、蓋体１１０が開口部１００に対し開閉可能とされ、ウエハ２００を加熱する場合には閉じておき、加熱ヒータ２０６の熱を放出する場合には開けるような構成としてもよい。

ヒータ素線２０６ｂは図２中上下に湾曲した波形状を呈しており、開口部１００の近傍で折り返されている（ヒータ素線２０６ｂは蓋体１１０には配されていない。）。加熱ヒータ２０６はヒータ素線２０６ｂが通電されることでその内部を加熱することができるようになっている。

図２中では、ヒータ素線２０６ｂの構成を分かり易く説明するため断熱部材２０６ａの外周面に設けられているように図示しているが、ヒータ素線２０６ｂは断熱部材２０６ａの内周面又はその内部に設けられている。

本実施例では、加熱ヒータ２０６に形成される開口部１００は、図２，図３（ａ）に示す通りに上下方向に延在する長方形状を呈しているが、図３（ｂ）に示す通りに略正方形状を呈した２つの開口部１００を上下に配列した構成としてもよいし、更に図３（ｃ）に示す通りに複数の開口部１００を上下に配列した構成としてもよい。すなわち、図３（ｂ），（ｃ）に示す通り、開口部１００同士の間に断熱部材２０６ａによる仕切りが介在してもよい。

図１，図４に示す通り、加熱ヒータ２０６の内側には、加熱ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。

インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ_２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状を呈している。インナーチューブ２０４の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されており、後述するボート２１７が収容されている。ウエハ２００はボート２１７によって水平姿勢を保持するように支持されており、図１中上下方向に多段に整列した状態で処理室２０１に収容されている。

アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きい。アウターチューブ２０５は上端が閉塞しかつ下端が開口した円筒形状を呈しており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。

なお、加熱ヒータ２０６の外側には金属製の冷却板３００が設けられており、加熱ヒータ２０６や冷却板３００を含む処理炉２０２はヒータ室３１０内に設けられている。

アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状を呈している。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。

なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。プロセスチューブ２０３はマニホールド２０９に支持されながら垂直に据え付けられた状態となっている。本実施例では、少なくともプロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により容器が形成されている。

マニホールド２０９にはガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０には原料ガスを処理室２０１に供給するためのガス供給管２３２が接続されている。

図１に示す通り、ノズル２３０は処理室２０１の下方から上方に延在している。本実施例では、ノズル２３０は４本存在している。ノズル２３０は図４に示す通りにインナーチューブ２０４の内側に配されており、インナーチューブ２０４の内壁に沿うように１列に配列されている。４本のノズル２３０は直径１ｃｍ程度の筒状の細管であり、加熱ヒータ２０６の開口部１００と対向配置されている。本実施例では、ノズル２３０同士の間には３ｃｍ程度の間隔が開けられるのが好ましい。

図５に示す通り、ノズル２３０は高さがそれぞれ異なっており、各ノズル２３０間に段差が形成されている。各ノズル２３０間に段差を形成すると、上部（Top）のウエハ２００と下部（Bottom）のウエハ２００との間で膜質を改善することができる。また、例えば、本実施例のように、ノズル２３０の本数を４本として各ノズル２３０間に段差を形成した場合にはウエハ２００の同一面間における膜厚差を３％以内に抑えることができ、更にノズル２３０の本数を６本と増設した場合にはウエハ２００の同一面間における膜厚差を２％以内に抑えることができ、ウエハ２００への膜の形成の均一性を向上させることができる。

ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介してウエハ２００に膜を形成するための原料ガス供給源（図示略）や不活性ガス供給源（図示略）が接続されている。

ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。

マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間に形成されている筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２が設けられている。圧力調整装置２４２には真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。

圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて圧力調整装置２４２の動作を制御するように構成されている。

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に対し図１中方向下方から上方に当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状を呈している。シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。

シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって図１中上下方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入・搬出することが可能となっている。

回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、駆動制御部２３７は回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所望の動作をするよう所望のタイミングにて回転機構２５４及びボートエレベータ１１５の動作を制御するように構成されている。

基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状を呈した断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、加熱ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。

プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。加熱ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されている。温度制御部２３８は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づき加熱ヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて加熱ヒータ２０６を制御するように構成されている。

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、半導体製造装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。

次に、図６を参照しながら、上記構成に係る半導体製造装置を用いた半導体装置（半導体デバイス）の製造方法について説明し、特に半導体装置の製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について詳細に説明する。なお、以下の説明において、半導体製造装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。

複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示されているように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。

処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器２４２が、フィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるように加熱ヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づき加熱ヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される（図６中「昇温」期間参照）。

続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転する。

次いで、原料ガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御された原料ガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入された原料ガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される（図６中「処理」期間参照）。

ここで、処理中のウエハ２００及びノズル２３０の温度に関し、ノズル２３０の温度は処理中のウエハ２００の温度より２０〜１００℃程度低くなると考えられ、例えば、インナーチューブ２０４がない状態でウエハ２００が４００〜８００℃、ノズル２３０が３００℃位になると考えられる。

本実施例を想定した場合、低温成膜（Ｐｏｌｙ膜，ＢＴＢＡＳ＋ＮＨ_３によるＳｉＮ膜（６００℃位），高温酸化膜（ＨＴＯ））が実施可能である。また、ＳｉＯ膜の形成は５００℃まで下げることができれば実施可能である。一方、ジクロロシラン（ＤＣＳ）を用いたＳｉＮ膜の形成は６５０℃と高温なので実施可能性が低いと考えられる。なお、ノズル２３０の温度がウエハ２００の温度より低くなるといってもノズル２３０に不要な膜が付着するような場合には、ノズル２３０の長さを短縮したり、ノズル２３０の本数を減らしたりすることにより、ノズル２３０で不要な膜が形成されるのを抑制することができる。

そして予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が大気圧に復帰される。

また、予め設定された処理時間が経過したら、炉内温度を下降させる。この降温工程において、炉内温度を急激に冷却する際は、給気管２６０よりＮ_２等の冷却ガスを加熱ヒータ２０６とアウターチューブ２０５との間の空間に供給し、開口部１００を通して排気路２６１を介しブロア２６２により排気する。即ち、処理室２０１の外壁付近に冷却ガスの流れを作り、処理室２０１を急速に冷却する。この降温工程の際も、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づき加熱ヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される（図６中「急冷」期間参照）。
なお、昇温シーケンス、熱処理シーケンス及び降温シーケンスの制御は温度制御部２３８により行う。

その後、処理室２０１内が大気圧に戻り処理室２０１内の温度が一定の温度に下降したら、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９を下降させ、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下方からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。

ボート２１７に支持された全てのウエハ２００が冷えるまで、ボート２１７を所定位置で待機させる。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。

以上の本実施例によれば、処理室２０１を冷却する際に給気管２６０から冷却ガスを供給してブロア２６２より排気するから、その冷却ガスの流通で処理室２０１を急激に冷却することができる。この場合に、図７に示す通りに加熱ヒータ２０６の一部に開口部１００が形成されているから、インナーチューブ２０４やアウターチューブ２０５、処理室２０１の余熱を開口部１００から容易に放熱させることができ、処理室２０１の冷却を助長することができる。

また、加熱ヒータ２０６の一部に開口部１００が形成されているから、加熱ヒータ２０６が作動しているウエハ２００の処理中においては、処理室２０１内の領域であって開口部１００と対向する領域はウエハ２００が配置されている領域より温度が低い（図４参照）。そのため、当該低温領域に配置されているノズル２３０には膜が形成され難く、ノズル２３０で不要な膜が形成されるのを抑制することができ、ウエハ２００への処理を円滑に行うことができる。

なお、この場合に、処理室２０１内では開口部１００に対向する領域の温度がやや低くなって処理室２０１内での温度分布は不均一となるが、回転機構２５４によりウエハ２００を回転させながらウエハ２００に膜を形成するので、ウエハ２００の膜質（例えば膜厚の均一性）はその不均一な温度分布の影響を受け難い。

以上から、処理室２０１を急速で冷却することができ、ウエハ２００が配置される領域以外の他の領域での不要な処理も抑制することができる。

更に、本実施例では、開口部１００を蓋体１１０で覆い、加熱ヒータ２０６とアウターチューブ２０５との間で冷却ガスを流通させてその冷却ガスをブロア２６２により排気するから、加熱ヒータ２０６の内部で発生する金属を強制的に排気することができ、その金属がアウターチューブ２０５やインナーチューブ２０４を透過してウエハ２００を汚染するのを未然に防止することができる。

本実施例に係る処理炉２０２では、図７に示す通り、加熱ヒータ２０６は片側面のみ加熱する箇所が設けられ、その反対側に放熱冷却用の開口部１００が形成された形状を呈している。つまり、加熱ヒータ２０６に覆われた処理室２０１においては、開口部１００が形成された領域以外の領域のみが加熱される。この場合に、処理室２０１内においては、ウエハ２００が配置された領域から開口部１００に向かって温度が傾斜（低下）するような不均一な温度分布が形成されるが、回転機構２５４によりウエハ２００が回転した状態で処理を受けるから、ウエハ２００内面の膜厚均一性は保たれる。

また、開口部１００を原料ガスの供給側に設ける、つまりノズル２３０側に設ける（ノズル２３０と対向している）ことにより、ノズル２３０が配置された領域は膜を形成するための処理温度より低温領域となり、ノズル２３０への成膜が減るという利点もある。

さらに、開口部１００を金属以外の部材である蓋体１１０で覆い、且つ、Ｎ_２等の冷却ガスを排気路２６１に沿って流通させ、加熱ヒータ２０６の内部から放出される金属を強制排気する。

具体的には、処理炉２０２のアウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４は石英部材等で構成されているため、高温になる程加熱ヒータ２０６の表面の冷却板３００の金属（銅、鉄、ニッケル等）がアウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４を透過して処理室２０１内に侵入し、処理炉２０２内のウエハ２００が前記金属によって汚染される。そのため、処理室２０１内に金属が透過するのを防止する必要があり、水素アニールの爆発防止に似た現象のように、加熱ヒータ２０６とアウターチューブ２０５との間に窒素（Ｎ_２）等を供給すればよい。よって、本実施例のように、開口部１００を金属以外の部材である蓋体１１０で覆い、さらにＮ_２等の冷却ガスを供給して開口部１００からブロア２６２等で連続的に熱排気ダクトを行うことで、加熱ヒータ２０６とアウターチューブ２０５との間の金属を強制排気するような構成が好ましい。

以上より、本実施例では、加熱ヒータ２０６に開口部１００が形成されているから、加熱ヒータ２０６に開口部１００がない場合と比較して、ウエハ２００の熱履歴低減性を限りなく追求することができる。さらに、開口部１００を介して冷却ガスをブロア２６２で排気することによって、急冷却を改善することができるようになり、これを連続的に継続することにより低温時の維持制御が容易になる。

また、ノズル２３０等への成膜を低減することができるためガスクリーニング手法で運用でき、メンテナンス周期を伸ばせる。すなわち、本実施例では、ノズル２３０に膜が形成され難いから、ノズル２３０を処理炉２０２から取り外して専用の洗浄液で洗浄するといった作業をするまでもなく、クリーニング用のガスを単にノズル２３０に流通させるだけでノズル２３０のメンテナンスをすることができる。

以上の本実施例において、開口部１００を設ける主な目的は、処理炉２０２の急冷却を行うことにより処理時間を短縮し、ハイスループットを実現することであり、もうひとつの他の目的は、開口部１００を設けてそこから冷却ガスを排気することにより、加熱ヒータ２０６の表面から発生する金属も同時に排気してウエハ２００の金属汚染を防止することである。

以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明の好ましい実施の形態によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に設けられる前記基板に膜を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室を加熱する加熱ヒータと、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間に冷却ガスを供給する冷却ガス供給系と、
前記処理室と前記加熱ヒータとの間の冷却ガスを排気する冷却ガス排気系と、
を有し、
前記加熱ヒータの一部に開口部が設けられていることを特徴とする第１の半導体製造装置が提供される。

ここで、本実施例に係る加熱ヒータ２０６の比較例として開口部１００が形成されていない構成を想定することができる（図８参照）。当該構成では、基板の処理中において、処理室内の温度分布が均一となるように温度調整されるから、処理室内の基板が配置される領域のみならず、例えば原料ガスの供給部等が配置される領域で不要な処理がなされ、基板への処理を円滑に行なえないときがある。例えば、処理室内の領域であって基板が配置された領域から離間した領域に原料ガスを供給するノズル等が配置されている場合に、当該ノズルで不要な膜が形成されることが考えられ、この場合には当該ノズルで原料ガスの詰まりが発生して所定量の原料ガスが基板に到達しないときがある。

これに対し、本実施形態では、好ましくは、第１の半導体製造装置において、
前記処理室内には前記原料ガスを供給するノズルが設けられ、
前記ノズルが前記開口部と対向して配置されている第２の半導体製造装置が提供される。

第２の半導体製造装置によれば、ノズルが加熱ヒータの一部に形成された開口部に対向して配置されている。すなわち、ノズルが配置されている領域は、処理室内の領域であって開口部と対向する領域であり、加熱ヒータが作動する基板の処理中においては基板の配置される領域より温度が低い。そのため、当該ノズルで不要な処理がなされる（不要な膜が形成される）のを抑制することができ、ひいては基板への処理を円滑に行なうことができるのである。

また、好ましくは、第１の半導体製造装置において、
前記開口部が金属以外の部材で覆われている第３の半導体製造装置が提供される。

本発明の好ましい実施例で使用される半導体製造装置の処理炉の概略構成図であり、特に縦断面を示している。 本発明の好ましい実施例で使用される加熱ヒータの概略構成を示す斜視図である。 本発明の好ましい実施例で使用される加熱ヒータの（ａ）基本形と（ｂ），（ｃ）その変形例とを示す概略的な斜視図である。 本発明の好ましい実施例で使用される処理炉の概略的な構成を示す平面図である。 本発明の好ましい実施例で使用される処理炉に配されるノズルの概略的な構成を示す図面である。 本発明の好ましい実施例に係る半導体製造装置を用いて膜を形成する際の温度・圧力と時間との関係を概略的に示す図面である。 本発明の好ましい実施例で使用される加熱ヒータの概略的な斜視図（上段）と平面図（下段）であって、当該加熱ヒータにおける放熱の様子を模式的に説明するための図面である。 従来の加熱ヒータの一例を示す概略的な斜視図（上段）と平面図（下段）である。

符号の説明

１００ 開口部
１１０ 蓋体
１１５ ボートエレベータ
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０３ プロセスチューブ
２０４ インナーチューブ
２０５ アウターチューブ
２０６ 加熱ヒータ
２０６ａ 断熱部材
２０６ｂ ヒータ素線
２０９ マニホールド
２１６ 断熱板
２１７ ボート
２１９ シールキャップ
２２０ａ，２２０ｂ Ｏリング
２３０ ノズル
２３１ 排気管
２３２ ガス供給管
２３５ ガス流量制御部
２３６ 圧力制御部
２３７ 駆動制御部
２３８ 温度制御部
２３９ 主制御部
２４０ コントローラ
２４１ ＭＦＣ（マスフローコントローラ）
２４２ 圧力調整装置
２４５ 圧力センサ
２４６ 真空排気装置
２５０ 筒状空間
２５１ ヒータベース
２５４ 回転機構
２５５ 回転軸
２６０ 給気管
２６１ 排気路
２６２ ブロア
２６３ 温度センサ
３００ 冷却板
３１０ ヒータ室

Claims (1)

1. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室内に設けられる前記基板に膜を形成するための原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
   前記処理室を加熱する加熱ヒータと、
   前記処理室と前記加熱ヒータとの間に冷却ガスを供給する冷却ガス供給系と、
   前記処理室と前記加熱ヒータとの間の冷却ガスを排気する冷却ガス排気系と、
   を有し、
   前記加熱ヒータの一部に開口部が設けられていることを特徴とする半導体製造装置。

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