JPH09251959A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
- Publication number
- JPH09251959A JPH09251959A JP8575996A JP8575996A JPH09251959A JP H09251959 A JPH09251959 A JP H09251959A JP 8575996 A JP8575996 A JP 8575996A JP 8575996 A JP8575996 A JP 8575996A JP H09251959 A JPH09251959 A JP H09251959A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- cooling water
- heating device
- insulating material
- water pipe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】降温速度を大きくできてプロセス時間を短縮で
き、また、加熱装置の降温速度のゾーン間のばらつきを
抑制し、加熱装置内の降温時における温度むらを減少さ
せた加熱装置を提供する。 【解決手段】反応管４の外部に発熱部３を設け、発熱部
３の外周部を断熱材５によって覆う。反応管４の内部に
石英ボート２を設け、石英ボート２には複数枚のシリコ
ンウェーハ１を搭載する。半導体装置１００の上部と下
部とを除いた中央部付近の断熱材５の外周側に冷却水管
７をコイル状に巻き付ける。冷却水管７と発熱部３との
間の断熱材５ａを他の部分の断熱材５よりも薄肉に形成
する。さらに冷却水管７を銅等の熱伝導率の高い素材に
より覆う。
き、また、加熱装置の降温速度のゾーン間のばらつきを
抑制し、加熱装置内の降温時における温度むらを減少さ
せた加熱装置を提供する。 【解決手段】反応管４の外部に発熱部３を設け、発熱部
３の外周部を断熱材５によって覆う。反応管４の内部に
石英ボート２を設け、石英ボート２には複数枚のシリコ
ンウェーハ１を搭載する。半導体装置１００の上部と下
部とを除いた中央部付近の断熱材５の外周側に冷却水管
７をコイル状に巻き付ける。冷却水管７と発熱部３との
間の断熱材５ａを他の部分の断熱材５よりも薄肉に形成
する。さらに冷却水管７を銅等の熱伝導率の高い素材に
より覆う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加熱装置に関し、
特に半導体製造装置に関する。
特に半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体製造装置として
は、例えば図３に示すような半導体製造装置１００が知
られている。この半導製造装置１００においては、反応
管４の外部にこの反応管４を取り囲むように発熱部３を
設けており、この発熱部３は上下方向に複数のゾーンに
分割され、各ゾーン毎に温度制御されるようになってい
る。発熱部３の外周部および反応管４の上部は断熱材５
によって覆われている。反応管４の内部は反応室９とな
っており、反応室９の底部にはキャップ８が設けられ、
キャップ８上には石英ボート２が設けられている。石英
ボート２には複数枚のシリコンウェーハ１が縦方向に積
層されて搭載されている。反応室９内には熱電対６が設
けられ、反応室９内の所定の箇所の温度をそれぞれ測定
できるようになっている。この半導体製造装置１００で
は、各ゾーンの発熱部３に投入する電力をそれぞれ制御
することにより昇温を行い、またその後、所定の温度に
保持する。
は、例えば図３に示すような半導体製造装置１００が知
られている。この半導製造装置１００においては、反応
管４の外部にこの反応管４を取り囲むように発熱部３を
設けており、この発熱部３は上下方向に複数のゾーンに
分割され、各ゾーン毎に温度制御されるようになってい
る。発熱部３の外周部および反応管４の上部は断熱材５
によって覆われている。反応管４の内部は反応室９とな
っており、反応室９の底部にはキャップ８が設けられ、
キャップ８上には石英ボート２が設けられている。石英
ボート２には複数枚のシリコンウェーハ１が縦方向に積
層されて搭載されている。反応室９内には熱電対６が設
けられ、反応室９内の所定の箇所の温度をそれぞれ測定
できるようになっている。この半導体製造装置１００で
は、各ゾーンの発熱部３に投入する電力をそれぞれ制御
することにより昇温を行い、またその後、所定の温度に
保持する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の半導体製造装置１００では、降温する際には自
然放冷を利用していたので、降温速度は炉の熱容量で制
限され、その結果、一定の降温速度以上にすることがで
きなかった。
た従来の半導体製造装置１００では、降温する際には自
然放冷を利用していたので、降温速度は炉の熱容量で制
限され、その結果、一定の降温速度以上にすることがで
きなかった。
【０００４】図４はこの従来の半導体製造装置１００の
降温過程における各点（Ｐ1 、Ｐ2、Ｐ3 ）の温度変化
を模式的に示すグラフである。このように、各ゾーンの
熱容量に応じて降温速度が決定され、熱容量の大きい順
に設定温度に到達するまでの降温時間が長くなり、プロ
セスに要する時間が熱容量が大きくて降温時間の長いゾ
ーンによって制約されていた。例えば、図４を参照すれ
ば、下部の点Ｐ3 が存在するゾーンが一番降温速度が大
きく、上部の点Ｐ1 が存在するゾーンがその次に大き
く、中央付近の点Ｐ2 が存在するゾーンの降温速度が最
も小さく、一番降温時間が長い。そのために、この半導
体製造装置１００を使用した場合のプロセス時間は、こ
の点Ｐ2 が存在するゾーンの降温時間によって律速され
ていた。すなわち、図４における時間ｔ2 がプロセス時
間となっていた。
降温過程における各点（Ｐ1 、Ｐ2、Ｐ3 ）の温度変化
を模式的に示すグラフである。このように、各ゾーンの
熱容量に応じて降温速度が決定され、熱容量の大きい順
に設定温度に到達するまでの降温時間が長くなり、プロ
セスに要する時間が熱容量が大きくて降温時間の長いゾ
ーンによって制約されていた。例えば、図４を参照すれ
ば、下部の点Ｐ3 が存在するゾーンが一番降温速度が大
きく、上部の点Ｐ1 が存在するゾーンがその次に大き
く、中央付近の点Ｐ2 が存在するゾーンの降温速度が最
も小さく、一番降温時間が長い。そのために、この半導
体製造装置１００を使用した場合のプロセス時間は、こ
の点Ｐ2 が存在するゾーンの降温時間によって律速され
ていた。すなわち、図４における時間ｔ2 がプロセス時
間となっていた。
【０００５】このように、従来の半導体製造装置１００
においては、降温時間、ひいてはプロセス時間が炉の熱
容量で制限されて一定時間以下にできないばかりでな
く、各ゾーンの熱容量はそれぞれのゾーンの構造に応じ
て異なるため、ゾーン間においても降温速度にばらつき
があり、炉内に温度むらが生じてウエーハー１間で特性
がばらついてしまうという問題があった。
においては、降温時間、ひいてはプロセス時間が炉の熱
容量で制限されて一定時間以下にできないばかりでな
く、各ゾーンの熱容量はそれぞれのゾーンの構造に応じ
て異なるため、ゾーン間においても降温速度にばらつき
があり、炉内に温度むらが生じてウエーハー１間で特性
がばらついてしまうという問題があった。
【０００６】従って、本発明の一目的は、降温速度を大
きくできプロセス時間を短縮できる加熱装置を提供する
ことにある。
きくできプロセス時間を短縮できる加熱装置を提供する
ことにある。
【０００７】本発明の他の目的は、加熱装置の降温速度
のゾーン間のばらつきを抑制し、加熱装置内の降温時に
おける温度むらを減少させた加熱装置を提供することに
ある。
のゾーン間のばらつきを抑制し、加熱装置内の降温時に
おける温度むらを減少させた加熱装置を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、他の領
域よりも降温速度の小さい領域に強制冷却手段を設けた
ことを特徴とする加熱装置が提供される。
域よりも降温速度の小さい領域に強制冷却手段を設けた
ことを特徴とする加熱装置が提供される。
【０００９】本発明においては、他の領域よりも降温速
度の小さい領域に強制冷却手段を設けているから、降温
時にこの領域を強制的に冷却して、この領域の降温速度
を大きくすることができる。このように、他の領域より
も降温速度が小さかった領域の降温速度を大きくできる
ので、加熱装置全体の降温速度を大きくできて、プロセ
ス時間を短縮できる。また、他の領域よりも降温速度が
小さかった領域の降温速度を大きくできるので、他の降
温速度の大きい領域の降温速度と間のばらつきを抑制す
ることができて、加熱装置内の降温時における温度むら
を減少させることができる。
度の小さい領域に強制冷却手段を設けているから、降温
時にこの領域を強制的に冷却して、この領域の降温速度
を大きくすることができる。このように、他の領域より
も降温速度が小さかった領域の降温速度を大きくできる
ので、加熱装置全体の降温速度を大きくできて、プロセ
ス時間を短縮できる。また、他の領域よりも降温速度が
小さかった領域の降温速度を大きくできるので、他の降
温速度の大きい領域の降温速度と間のばらつきを抑制す
ることができて、加熱装置内の降温時における温度むら
を減少させることができる。
【００１０】本発明の加熱装置は、複数のゾーンに分割
された発熱部とその発熱部の外部に設けた断熱材とを有
する炉を好ましくは備える。この場合には、強制冷却手
段は、他の領域よりも降温速度が小さい領域に設けられ
ている断熱材の外側に好ましくは設けられる。この際、
他の領域よりも降温速度が小さい領域の断熱材を薄くす
れば、強制冷却手段と炉との間の熱伝導がよくなり、降
温速度が小さかった領域の降温速度をより大きくするこ
とができる。また、強制冷却手段を銅等の熱伝導率の大
きい材料で覆うことにより、強制冷却手段と炉との熱伝
導を向上させることができ、降温速度が小さかった領域
の降温速度をより大きくすることができる。
された発熱部とその発熱部の外部に設けた断熱材とを有
する炉を好ましくは備える。この場合には、強制冷却手
段は、他の領域よりも降温速度が小さい領域に設けられ
ている断熱材の外側に好ましくは設けられる。この際、
他の領域よりも降温速度が小さい領域の断熱材を薄くす
れば、強制冷却手段と炉との間の熱伝導がよくなり、降
温速度が小さかった領域の降温速度をより大きくするこ
とができる。また、強制冷却手段を銅等の熱伝導率の大
きい材料で覆うことにより、強制冷却手段と炉との熱伝
導を向上させることができ、降温速度が小さかった領域
の降温速度をより大きくすることができる。
【００１１】なお、強制冷却手段は、必ずしも他の領域
よりも降温速度の小さい領域にのみ設ける必要はなく、
この他の領域よりも降温速度の小さい領域の前後にも設
けてもよく、炉全体に設けてもよい。このようにすれ
ば、加熱装置全体の降温速度をより大きくできて、プロ
セス時間をより短縮できる。また、降温速度の領域間の
ばらつきを一層抑制することができて、加熱装置内の降
温時における温度むらをさらに減少させることができ
る。
よりも降温速度の小さい領域にのみ設ける必要はなく、
この他の領域よりも降温速度の小さい領域の前後にも設
けてもよく、炉全体に設けてもよい。このようにすれ
ば、加熱装置全体の降温速度をより大きくできて、プロ
セス時間をより短縮できる。また、降温速度の領域間の
ばらつきを一層抑制することができて、加熱装置内の降
温時における温度むらをさらに減少させることができ
る。
【００１２】また、強制冷却手段をいくつかのゾーンに
分割し、各ゾーン毎に冷却量を制御できる構造にしても
よい。強制冷却手段を他の領域よりも降温速度の小さい
領域にのみに設けるのではなく、この他の領域よりも降
温速度の小さい領域の前後にも設ける場合や、炉全体に
設ける場合には、他の領域よりも降温速度が小さい領域
のゾーンに設ける強制冷却手段の冷却能力を他のゾーン
の強制冷却手段の冷却能力よりも大きくすることもで
き、このようにすれば、加熱装置のゾーン間のばらつき
を小さくするのに資することができる。
分割し、各ゾーン毎に冷却量を制御できる構造にしても
よい。強制冷却手段を他の領域よりも降温速度の小さい
領域にのみに設けるのではなく、この他の領域よりも降
温速度の小さい領域の前後にも設ける場合や、炉全体に
設ける場合には、他の領域よりも降温速度が小さい領域
のゾーンに設ける強制冷却手段の冷却能力を他のゾーン
の強制冷却手段の冷却能力よりも大きくすることもで
き、このようにすれば、加熱装置のゾーン間のばらつき
を小さくするのに資することができる。
【００１３】強制冷却手段としては、好ましくは冷却水
管が使用される。この冷却水管は、加熱装置が、複数の
ゾーンに分割された発熱部とその発熱部の外部に設けた
断熱材とを有する炉を備える場合には、好ましくは、断
熱材の外側に巻き付けて設けられる。冷却水管は一本の
管からなっていてもよく、また、複数の互いに独立して
冷却水を流せる複数の管から構成されていてもよい。冷
却水管によってゾーン毎に冷却能力を変えるには、冷却
水管を巻き付ける間隔を変えることが好ましく、また、
冷却水管が複数の互いに独立して冷却水を流せる複数の
管から構成されている場合には、それぞれに流す冷却水
の流量を変化させてもよい。冷却水管に流す冷媒として
は好ましくは水が用いられるが、他の冷媒を用いること
もできる。
管が使用される。この冷却水管は、加熱装置が、複数の
ゾーンに分割された発熱部とその発熱部の外部に設けた
断熱材とを有する炉を備える場合には、好ましくは、断
熱材の外側に巻き付けて設けられる。冷却水管は一本の
管からなっていてもよく、また、複数の互いに独立して
冷却水を流せる複数の管から構成されていてもよい。冷
却水管によってゾーン毎に冷却能力を変えるには、冷却
水管を巻き付ける間隔を変えることが好ましく、また、
冷却水管が複数の互いに独立して冷却水を流せる複数の
管から構成されている場合には、それぞれに流す冷却水
の流量を変化させてもよい。冷却水管に流す冷媒として
は好ましくは水が用いられるが、他の冷媒を用いること
もできる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１５】図１は、本発明の一実施の形態の半導体製
造装置１００を説明するための縦断面図である。この半
導体製造装置１００においては、石英製の反応管４の外
部にこの反応管４を取り囲むように発熱部３を設けてお
り、この発熱部３は上下方向に複数のゾーンに分割さ
れ、各ゾーン毎に温度制御されるようになっている。発
熱部３の外周部および反応管４の上部は断熱材５によっ
て覆われている。反応管４の内部は反応室９となってお
り、反応室９の底部にはキャップ８が設けられ、キャッ
プ８上には石英ボート２が設けられている。石英ボート
２には複数枚のシリコンウェーハ１が縦方向に積層され
て搭載されている。反応室９内には熱電対６が設けら
れ、反応室９内の所定の箇所の温度をそれぞれ測定でき
るようになっている。
造装置１００を説明するための縦断面図である。この半
導体製造装置１００においては、石英製の反応管４の外
部にこの反応管４を取り囲むように発熱部３を設けてお
り、この発熱部３は上下方向に複数のゾーンに分割さ
れ、各ゾーン毎に温度制御されるようになっている。発
熱部３の外周部および反応管４の上部は断熱材５によっ
て覆われている。反応管４の内部は反応室９となってお
り、反応室９の底部にはキャップ８が設けられ、キャッ
プ８上には石英ボート２が設けられている。石英ボート
２には複数枚のシリコンウェーハ１が縦方向に積層され
て搭載されている。反応室９内には熱電対６が設けら
れ、反応室９内の所定の箇所の温度をそれぞれ測定でき
るようになっている。
【００１６】半導体製造装置１００の上部と下部とを除
いた中央部付近の断熱材５の外周側にコイル状に巻き付
けられて冷却水管７が設けられている。冷却水管７は銅
管など熱伝導率の高い材料でできている。冷却水管７と
発熱部３との間の断熱材５ａは他の部分の断熱材５より
も薄肉に形成され、さらに冷却水管７は銅等の熱伝導率
の高い素材により覆われている。
いた中央部付近の断熱材５の外周側にコイル状に巻き付
けられて冷却水管７が設けられている。冷却水管７は銅
管など熱伝導率の高い材料でできている。冷却水管７と
発熱部３との間の断熱材５ａは他の部分の断熱材５より
も薄肉に形成され、さらに冷却水管７は銅等の熱伝導率
の高い素材により覆われている。
【００１７】本実施の形態においては、発熱部３に抵抗
加熱式のヒータを使用し、各ゾーンの抵抗加熱ヒータに
投入する電力をそれぞれ制御することにより昇温すると
ともに、昇温後においては所定の温度に保持し、その後
降温を行った。
加熱式のヒータを使用し、各ゾーンの抵抗加熱ヒータに
投入する電力をそれぞれ制御することにより昇温すると
ともに、昇温後においては所定の温度に保持し、その後
降温を行った。
【００１８】昇温するには、昇温に先だって予め冷却水
管７の水を排水しておき、その後、発熱部を加熱する。
管７の水を排水しておき、その後、発熱部を加熱する。
【００１９】降温時においては、降温が始まると同時
に、または所定の温度にまで降温した後に冷却水管７に
冷却水を流す。
に、または所定の温度にまで降温した後に冷却水管７に
冷却水を流す。
【００２０】本実施の形態においては、冷却水管７とし
て直径１／４インチの銅管を用いて水温１０℃の水を５
（リットル／分）の流量で流して強制冷却した。図２
は、本実施の形態の半導体製造装置１００の降温過程に
おける各点（Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3）の温度変化を模式的に
示すグラフである。図２からもわかるように、特に、中
央付近の点Ｐ2 の降温速度が従来の冷却水管７を設けな
い場合に比べて大きくなり、その結果、半導体製造装置
１００全体の降温速度も大きくなり、プロセス時間を短
縮できた。すなわち、１プロセスの温度変化域が１００
℃の場合においては、１プロセス当たりの所用時間が２
０分間短縮できた。また、中央付近の点Ｐ2 の降温速度
が大きくなって他の点Ｐ1 、Ｐ3 との間のばらつきも小
さくなって、半導体製造装置１００内の降温時における
温度むらも減少した。
て直径１／４インチの銅管を用いて水温１０℃の水を５
（リットル／分）の流量で流して強制冷却した。図２
は、本実施の形態の半導体製造装置１００の降温過程に
おける各点（Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3）の温度変化を模式的に
示すグラフである。図２からもわかるように、特に、中
央付近の点Ｐ2 の降温速度が従来の冷却水管７を設けな
い場合に比べて大きくなり、その結果、半導体製造装置
１００全体の降温速度も大きくなり、プロセス時間を短
縮できた。すなわち、１プロセスの温度変化域が１００
℃の場合においては、１プロセス当たりの所用時間が２
０分間短縮できた。また、中央付近の点Ｐ2 の降温速度
が大きくなって他の点Ｐ1 、Ｐ3 との間のばらつきも小
さくなって、半導体製造装置１００内の降温時における
温度むらも減少した。
【００２１】
【発明の効果】本発明においては、他の領域よりも降温
速度の小さい領域に強制冷却手段を設けているから、降
温時にこの領域を強制的に冷却して、この領域の降温速
度を大きくすることができる。
速度の小さい領域に強制冷却手段を設けているから、降
温時にこの領域を強制的に冷却して、この領域の降温速
度を大きくすることができる。
【００２２】このように、他の領域よりも降温速度が小
さかった領域の降温速度を大きくできるので、加熱装置
全体の降温速度を大きくできて、プロセス時間を短縮で
きる。その結果、スループットを向上することができ、
またメンテナンス時における降温時間も短縮できる。
さかった領域の降温速度を大きくできるので、加熱装置
全体の降温速度を大きくできて、プロセス時間を短縮で
きる。その結果、スループットを向上することができ、
またメンテナンス時における降温時間も短縮できる。
【００２３】また、他の領域よりも降温速度が小さかっ
た領域の降温速度を大きくできるので、他の降温速度の
大きい領域の降温速度との間のばらつきを抑制すること
ができて、加熱装置内の降温時における温度むらを減少
させることができる。その結果、温度むらに起因する被
加熱物の品質の低下を抑制することができ、例えば、ウ
ェーハ上に均一な薄膜を形成することができ、また、ウ
ェーハ間の特性のばらつきを抑制することができる。
た領域の降温速度を大きくできるので、他の降温速度の
大きい領域の降温速度との間のばらつきを抑制すること
ができて、加熱装置内の降温時における温度むらを減少
させることができる。その結果、温度むらに起因する被
加熱物の品質の低下を抑制することができ、例えば、ウ
ェーハ上に均一な薄膜を形成することができ、また、ウ
ェーハ間の特性のばらつきを抑制することができる。
【図１】本発明の一実施の形態の半導体製造装置を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図２】図１の半導体製造装置の降温過程における各点
（Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3 ）の温度変化を模式的に示すグラフ
である。
（Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3 ）の温度変化を模式的に示すグラフ
である。
【図３】従来の半導体製造装置を示す縦断面図である。
【図４】図３の半導体製造装置の降温過程における各点
（Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3 ）の温度変化を模式的に示すグラフ
である。
（Ｐ1 、Ｐ2 、Ｐ3 ）の温度変化を模式的に示すグラフ
である。
１…シリコンウェーハ ２…石英ボート ３…発熱部 ４…反応管 ５…断熱材 ６…熱電対 ７…冷却水管 ８…キャップ ９…反応室
Claims (1)
- 【請求項１】他の領域よりも降温速度の小さい領域に強
制冷却手段を設けたことを特徴とする加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8575996A JPH09251959A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8575996A JPH09251959A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251959A true JPH09251959A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13867801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8575996A Pending JPH09251959A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09251959A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003168A1 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Limited | Installation de fabrication de semi-conducteurs |
| WO2001003169A1 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Limited | Installation, procede et dispositif de fabrication de semi-conducteurs |
| WO2003073485A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de refroidissement et dispositif de traitement thermique mettant en oeuvre celui-ci |
-
1996
- 1996-03-14 JP JP8575996A patent/JPH09251959A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003168A1 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Limited | Installation de fabrication de semi-conducteurs |
| WO2001003169A1 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Limited | Installation, procede et dispositif de fabrication de semi-conducteurs |
| US6370897B1 (en) | 1999-07-02 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor manufacturing facility |
| US6427462B1 (en) | 1999-07-02 | 2002-08-06 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor manufacturing facility, semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method |
| WO2003073485A1 (fr) * | 2002-02-28 | 2003-09-04 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de refroidissement et dispositif de traitement thermique mettant en oeuvre celui-ci |
| EP1480261A1 (en) * | 2002-02-28 | 2004-11-24 | Tokyo Electron Limited | Cooling device and heat treating device using the same |
| EP1480261A4 (en) * | 2002-02-28 | 2006-04-19 | Tokyo Electron Ltd | COOLING DEVICE AND THERMAL PROCESSING DEVICE USING THE SAME |
| KR100712170B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2007-04-27 | 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 | 냉각 장치 및 이를 이용한 열 처리 장치 |
| US7528347B2 (en) * | 2002-02-28 | 2009-05-05 | Tokyo Electron Limited | Cooling device and heat treating device using the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4773340B2 (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
| US5059770A (en) | Multi-zone planar heater assembly and method of operation | |
| JP3204699B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| KR101070667B1 (ko) | 기판 처리 장치, 가열 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2714577B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP4567192B2 (ja) | 結晶成長装置用電気抵抗ヒータ及びその使用方法 | |
| US6278089B1 (en) | Heater for use in substrate processing | |
| JP2000290096A (ja) | 結晶シリコン製造装置 | |
| JPH032840B2 (ja) | ||
| JPH09251959A (ja) | 加熱装置 | |
| JP2756566B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2006505947A (ja) | 強制対流利用型の急速加熱炉 | |
| JP3108134B2 (ja) | 縦型電気炉 | |
| CN114072545B (zh) | 感应加热线圈及使用了该感应加热线圈的单晶制造装置 | |
| JP2007096334A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置 | |
| US6091889A (en) | Rapid thermal processor for heating a substrate | |
| JPH0831707A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06216056A (ja) | 縦型炉 | |
| JP2004235425A (ja) | 縦型炉および半導体装置の製造方法 | |
| US20060243385A1 (en) | Device for producing electroconductive passages in a semiconductor wafer by means of thermomigration | |
| JP2862158B2 (ja) | シリコン単結晶の製造装置 | |
| JP2005136095A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
| JP2011103469A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び加熱装置及び断熱材 | |
| JPH08181082A (ja) | 縦型高速熱処理装置 | |
| KR20230080643A (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040413 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |