JP2005136095A - 半導体製造装置及び半導体製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】プロセスチャンバの均熱化が容易でプロセスチャンバを急速に昇温及び降温させ、比較的低い温度域での短時間の熱処理におけるスループットの向上を図る。
【解決手段】被加熱物20を1枚ずつ収納するプロセスチャンバ1の外側に、加熱体2、断熱材3及び誘導加熱コイル4をこの順に配置し、加熱体2、断熱材3及び誘導加熱コイル4のそれぞれを正面断面において互いに相似形に形成した。プロセスチャンバ1内の被加熱物20の加熱時には、電源装置5から誘導加熱コイル4に電力を供給する。被加熱物20の冷却時には、誘導加熱コイル4に対する電力供給を切断又は減少させる一方、誘導加熱コイル4を構成する銅パイプ41内における冷却装置6からの冷却水の流通を開始させるか、又は銅パイプ41内を流通する冷却水を増量させる。
【選択図】図1
【解決手段】被加熱物20を1枚ずつ収納するプロセスチャンバ1の外側に、加熱体2、断熱材3及び誘導加熱コイル4をこの順に配置し、加熱体2、断熱材3及び誘導加熱コイル4のそれぞれを正面断面において互いに相似形に形成した。プロセスチャンバ1内の被加熱物20の加熱時には、電源装置5から誘導加熱コイル4に電力を供給する。被加熱物20の冷却時には、誘導加熱コイル4に対する電力供給を切断又は減少させる一方、誘導加熱コイル4を構成する銅パイプ41内における冷却装置6からの冷却水の流通を開始させるか、又は銅パイプ41内を流通する冷却水を増量させる。
【選択図】図1
Description
この発明は、半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いた半導体製造方法に関する。
従来、被加熱物である半導体ウエハに対して熱処理を施す半導体製造装置として、縦型炉やランプアニール装置が知られている(例えば、特許文献1及び2参照。)。
一方、次世代半導体デバイスのゲート絶縁膜としては、微細化に伴って従来のSiの酸化膜や酸窒化膜に代えて、酸化ハフニウム(HfO2 )や窒化ハフニウムシリケート(HfSiON)等のHigh−kと呼ばれる新しい材料を用いた高誘電率ゲート薄膜が主流になりつつある。ゲート絶縁膜は組成に応じて300℃から700℃の間で熱処理を施す必要がある。また、ゲート絶縁膜の熱処理中における均熱状態のキープ時間は、数十秒から数分間と短い。このため、比較的低い温度域での短時間の熱処理に適した半導体製造装置が望まれている。
特開平07−029838号公報
特開平05−114570号公報
しかしながら、上記特許文献1等に開示されている縦型炉は、複数枚の半導体ウエハを積層して収納するバッチ炉であり、加熱すべきプロセスチャンバの容積が大きく、熱容量が大きい。このため、昇温速度を速くすると制御温度に対して過大なオーバーシュートが発生し、制御温度に安定させるために長時間を要する。また、縦型炉では一般に、降温速度を速くするために強制空冷が用いられているが、空冷方式は低温度域において十分な効果を得られない。これらのことから、縦型炉は、比較的低い温度域で短時間に行われるゲート絶縁膜や配線材料等(以下、High−k材料等という。)の熱処理に適さない。
また、上記特許文献2等に開示されているランプアニール装置は、本来1200℃程度の比較的高温域における数秒から数十秒程度の熱処理を目的としたものであり、High−k材料等の熱処理が行われる300℃から700℃程度の温度域ではランプの効率が低く出力が安定しないため、ウエハを収納したプロセスチャンバを均熱することが難しい。
この発明の目的は、誘導加熱炉において誘導加熱コイルを冷却するための水冷構造を用いて、被加熱物を収納したプロセスチャンバを冷却できるようにし、プロセスチャンバの均熱化が容易でプロセスチャンバを急速に昇温及び降温させることができ、比較的低い温度域での短時間の熱処理におけるスループットの向上を実現できる半導体製造装置、及び、半導体製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するために、この発明の半導体製造装置は、
被加熱物を1枚ずつ収納するプロセスチャンバと、プロセスチャンバを覆う加熱体と、加熱体を覆う誘導加熱コイルと、を備え、
誘導加熱コイルを、内部に冷却水が流通するパイプによって構成し、
誘導加熱コイルの内部における冷却水の流量を、加熱体及びプロセスチャンバを冷却する冷却工程時に加熱体及びプロセスチャンバを加熱する加熱工程時よりも増加する流量制御手段を設け、
加熱体及び誘導加熱コイルを少なくとも一方の断面において互いに相似形に形成したことを特徴とする。
被加熱物を1枚ずつ収納するプロセスチャンバと、プロセスチャンバを覆う加熱体と、加熱体を覆う誘導加熱コイルと、を備え、
誘導加熱コイルを、内部に冷却水が流通するパイプによって構成し、
誘導加熱コイルの内部における冷却水の流量を、加熱体及びプロセスチャンバを冷却する冷却工程時に加熱体及びプロセスチャンバを加熱する加熱工程時よりも増加する流量制御手段を設け、
加熱体及び誘導加熱コイルを少なくとも一方の断面において互いに相似形に形成したことを特徴とする。
この構成においては、被加熱物を1枚ずつ収納するプロセスチャンバの外側に、加熱体及び誘導加熱コイルがこの順に配置され、少なくとも一方の断面において加熱体の外側面に対して誘導加熱コイルが全周にわたって一定の距離で配置される。また、誘導加熱コイルは内部を流通する冷却水の流量の増加(冷却水が流通していない状態から流通を開始すること、及び、流通させる冷却水を増量することの両方を含む。以下同じ。)によって急速に冷却される。したがって、誘導加熱コイルによる加熱体の加熱時にプロセスチャンバの温度が均一かつ急速に上昇し、冷却水によって誘導加熱コイルが冷却される際には加熱体及びプロセスチャンバの温度が均一かつ急速に下降する。
また、この発明の半導体製造方法は、
誘導加熱コイルによって加熱された加熱体を介してプロセスチャンバの温度を所定期間にわたって所定の熱処理温度に保持する工程と、
誘導加熱コイルを構成するパイプ内における冷却水の流量を増加させて誘導加熱コイル、加熱体及びプロセスチャンバを冷却する工程と、を含むことを特徴とする。
誘導加熱コイルによって加熱された加熱体を介してプロセスチャンバの温度を所定期間にわたって所定の熱処理温度に保持する工程と、
誘導加熱コイルを構成するパイプ内における冷却水の流量を増加させて誘導加熱コイル、加熱体及びプロセスチャンバを冷却する工程と、を含むことを特徴とする。
この構成においては、プロセスチャンバの温度が、誘導加熱コイルによって加熱された加熱体を介して所定期間にわたって所定の熱処理温度に保持された後、内部を流通する冷却水の流量の増加によって急速に冷却される誘導加熱コイルを介して、加熱体の温度とともに下降する。したがって、プロセスチャンバの温度は、所定期間にわたって所定の熱処理温度に保持された後に急速に下降する。
この発明の半導体製造装置によれば、誘導加熱コイルによる加熱体の加熱時にプロセスチャンバの温度を均一かつ急速に上昇させることができるとともに、冷却水によって誘導加熱コイルが冷却される際には加熱体及びプロセスチャンバの温度を均一かつ急速に下降させることができる。これによって、プロセスチャンバの均熱化が容易になるとともに、プロセスチャンバを急速に昇温及び降温させることができ、比較的低い温度域での短時間の熱処理におけるスループットを向上させることができる。
また、この発明の半導体製造方法によれば、プロセスチャンバの温度を、所定期間にわたって所定の熱処理温度に保持された後に急速に下降させることができ、比較的低い温度域での短時間の熱処理におけるスループットを向上させることができる。
図1及び図2は、この発明の実施形態に係る半導体製造装置の構成を示す正面断面図及び側面断面図である。半導体製造装置10は、石英チューブからなるプロセスチャンバ1の外側に、加熱体2、断熱材3及び誘導加熱コイル4をこの順に配置して構成されている。プロセスチャンバ1は、図1に示す正面断面において、上下2本の互いに平行な直線と、上下の直線の左右両端のそれぞれを連結する半円弧と、からなる断面形状を呈している。プロセスチャンバ1の内部には、被加熱物である半導体ウエハ20が載置される支持体11が備えられている。半導体ウエハ20は、プロセスチャンバ1の内部に前面側から挿入される。
加熱体2は、例えば、グラファイトからなり、図1に示す正面断面においてプロセスチャンバ1と相似形に形成されている。プロセスチャンバ1の外側面と加熱体2の内側面との間には、5mm程度の間隙が形成されている。この間隙には空気が流通する。なお、プロセスチャンバ1の外側面と加熱体2の内側面との間の間隙に強制的に空気を導入し、空冷効果を得るようにすることもできる。また、加熱体2の表面に、金属汚染を防止する目的で、例えばSiCコート層を形成してもよい。
断熱材3は、例えば緻密なシリカクロスを5mm程度の厚さに積層して構成されている。断熱材3の素材及び厚さは、電気的絶縁性を有することを条件に、加熱体3の昇温性及び降温性を考慮して決定される。即ち、断熱材3には、加熱体3の加熱時における断熱性が要求されるとともに、加熱体3の冷却時における熱伝導性も要求される。なお、断熱材3は、目的に応じて適宜省略可能である。
誘導加熱コイル4は、一例として角型断面を呈する銅パイプ41によって構成されており、図1に示す正面断面において加熱体2と相似形になるように、加熱体2の外側に巻回されている。誘導加熱コイル4は、加熱体2との間に断熱材3を挟持している。したがって、加熱体2の外側面及び誘導加熱コイル4の内側面に断熱材3が接触しており、断熱材3も図1に示す正面断面において加熱体2と相似形を呈している。
この結果、加熱体2、断熱材3及び誘導加熱コイル4は、正面断面において互いに相似形を呈している。なお、より好ましくは、図1に示すように、プロセスチャンバ1も正面断面において加熱体2、断熱材3及び誘導加熱コイル4と互いに相似形を呈する形状に構成する。
誘導加熱コイル4には電源装置5から電力が供給されるとともに、冷却装置6から冷却水が供給される。冷却装置6は、銅パイプ41の一端と他端との間に連通する水路61、水路61中の冷却水の温度を低下させる熱交換手段62、水路61内及び銅パイプ41内において冷却水を所定の流通方向に流通させるポンプ63、及びポンプ63の動作を制御する制御回路64を備えている。制御回路64は、この発明の流量制御手段であり、後述する加熱工程時と冷却工程時とでポンプ63の回転数を変更する。即ち、制御回路64は、ポンプ63を加熱工程時に回転停止させて冷却工程時に回転させるか、又は、ポンプ63の単位時間当りの回転数を冷却工程時に加熱工程時よりも増加させる。
誘導加熱コイル4を構成する銅パイプ41の外周面は、セラミックの溶射又は耐熱ペイントの塗布等によって水冷効果を維持しつつ電気的に絶縁する。絶縁テープを巻回すると銅パイプ41の水冷効果が減少するからである。
半導体製造装置10において被加熱物20の熱処理を行う場合、先ず、被加熱物20を、プロセスチャンバ1の内部に前面側から挿入し、支持体11上に載置する。この状態でプロセスチャンバ1を密封し、誘導加熱コイル4に電源装置5から電力を供給する(この発明の加熱工程に相当する。)。
これによって、誘導加熱コイル4の電磁誘導により加熱体2が加熱され、加熱体2からの熱輻射によってプロセスチャンバ1の温度が昇温する。誘導加熱コイル4に対する電源装置5からの電力供給量は、プロセスチャンバ1の内部温度が所定の期間にわたって所定の熱処理温度を維持するように制御される。
この後、誘導加熱コイル4に対する電源装置5からの電力供給が断たれるか、又は減少される一方、銅パイプ41内における冷却装置6からの冷却水の流通が開始されるか、又は銅パイプ41内を流通する冷却水が増量される(この発明の冷却工程に相当する。)。
これによって、誘導加熱コイル4による加熱体2の発熱量が減少するとともに、銅パイプ41内を流通する冷却水の流量が増加され、誘導加熱コイル4、断熱材3、加熱体2及びプロセスチャンバ1が急速に冷却されてプロセスチャンバ1の内部温度は急速に降温する。
なお、誘導加熱コイル4に対する電力供給の切断又は減少のタイミング、銅パイプ41内への冷却水の供給を開始するタイミング又は冷却水を増量させるタイミング、及び、これらに続く電力や冷却水流量の調節は、被加熱物の熱処理に要求される降温特性を考慮して適宜決定される。また、電源装置5からの誘導加コイル4への電力供給状態は、ポンプ63の回転数の変更に連動したタイミングで制御回路64によって変更するようにしてもよい。
以上の処理により、図3に示すように、半導体製造装置10によれば、従来の半導体製造装置に比較して、プロセスチャンバ1内の温度を急速に昇温及び降温させることができる。従来の空冷方式の縦型炉では、プロセスチャンバ内の温度を100℃から400℃まで昇温させるために30分、400℃から100℃まで降温させるために100分が必要であった。
また、空冷方式の誘導加熱炉では、プロセスチャンバ内の温度を100℃から400℃まで昇温させるために10分、400℃から100℃まで降温させるために10分が必要であった。特に、空冷方式の誘導加熱炉においては、図3中破線で示すように、誘導加熱コイルに対する電力供給の切断と同時に強制的に空気を導入することによって一時的に急激にプロセスチャンバ内の温度を低下させることができるが、プロセスチャンバ内の温度が室温RTに近づくにしたがって空気の熱交換率が低下し、冷却速度が著しく低下する。
これに対して、この発明の実施形態に係る半導体冷却装置10では、プロセスチャンバ内の温度が3分以内で100℃から400℃まで昇温し、同じく3分以内で400℃から100℃まで降温させることができた。また、半導体冷却装置10では、図3中実線で示すように、誘導加熱コイル4に対する電力供給の切断後から、プロセスチャンバ1内の温度が室温RTに近づいても、長時間にわたって略一定の冷却速度が実現でき、図3中一点鎖線で示す理想の温度曲線を容易に実現することができる。
このため、半導体製造装置10は、均熱状態のキープ時間が数十秒から数分間と短く、比較的低い温度域での短時間の処理が必要とされるHigh−k材料等を有する半導体ウエハ等の熱処理に好適であり、熱処理のスループットを向上させることができる。
1 プロセスチャンバ
2 加熱体
3 断熱材
4 誘導加熱コイル
5 電源装置
6 冷却装置
10 半導体製造装置
11 支持体
20 被加熱物
41 銅パイプ
2 加熱体
3 断熱材
4 誘導加熱コイル
5 電源装置
6 冷却装置
10 半導体製造装置
11 支持体
20 被加熱物
41 銅パイプ
Claims (2)
- 被加熱物を1枚ずつ収納するプロセスチャンバと、プロセスチャンバを覆う加熱体と、加熱体を覆う誘導加熱コイルと、を備え、
誘導加熱コイルを、内部に冷却水が流通するパイプによって構成し、
誘導加熱コイルの内部における冷却水の流量を、加熱体及びプロセスチャンバを冷却する冷却工程時に加熱体及びプロセスチャンバを加熱する加熱工程時よりも増加する流量制御手段を設け、
加熱体及び誘導加熱コイルを少なくとも一方の断面において互いに相似形に形成したことを特徴とする半導体製造装置。 - 誘導加熱コイルによって加熱された加熱体を介してプロセスチャンバの温度を所定期間にわたって所定の熱処理温度に保持する加熱工程と、
誘導加熱コイルを構成するパイプ内に冷却水を流通させて誘導加熱コイル、パイプ内における冷却水の流量を増加して加熱体及びプロセスチャンバを冷却する冷却工程と、を含むことを特徴とする半導体製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003369508A JP2005136095A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003369508A JP2005136095A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005136095A true JP2005136095A (ja) | 2005-05-26 |
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ID=34646837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003369508A Pending JP2005136095A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005136095A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010047155A1 (ja) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
JP2015139804A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 川崎重工業株式会社 | スピニング成形装置 |
CN108700379A (zh) * | 2016-02-24 | 2018-10-23 | 西诺德牙科设备有限公司 | 用于对牙用替换部件进行热处理的感应炉和方法 |
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-
2003
- 2003-10-29 JP JP2003369508A patent/JP2005136095A/ja active Pending
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