JPS6095917A - 熱処理炉 - Google Patents
熱処理炉Info
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- JPS6095917A JPS6095917A JP20350783A JP20350783A JPS6095917A JP S6095917 A JPS6095917 A JP S6095917A JP 20350783 A JP20350783 A JP 20350783A JP 20350783 A JP20350783 A JP 20350783A JP S6095917 A JPS6095917 A JP S6095917A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は縦型の熱処理炉に関するものであり、特に、
半導体ウニ１１等の被処理材を垂直状態にマウントして
保持する形式のものにおける炉内の熱の逃げを極力少な
くした熱処理炉に係わるものである。
半導体ウニ１１等の被処理材を垂直状態にマウントして
保持する形式のものにおける炉内の熱の逃げを極力少な
くした熱処理炉に係わるものである。
従来、半導体製造工程において、材料（半導体ウェハ）
をアニーリングによって８ｉ単結晶から８ｉアモルファ
スに移行させる際等に使用する熱処理炉として、第１図
に示すような縦形のものが多用されている。
をアニーリングによって８ｉ単結晶から８ｉアモルファ
スに移行させる際等に使用する熱処理炉として、第１図
に示すような縦形のものが多用されている。
図において、水平装填部１と水平搬出部２の中央に垂直
本体部３が設けられており、該本体部３の上部には、充
填ガス供給口４、下部には、被処理材用装填開口５が設
けられている。一方、垂直本体部３内には、装填開口５
から出没する上下動可能な被処理材保持台６が設けられ
ており、該保持台６上には、適宜の支持部材７によって
水平方向に一定間隔を保って支持された半導体ウェハ８
が載置されて、前記本体部３内に装填される。
本体部３が設けられており、該本体部３の上部には、充
填ガス供給口４、下部には、被処理材用装填開口５が設
けられている。一方、垂直本体部３内には、装填開口５
から出没する上下動可能な被処理材保持台６が設けられ
ており、該保持台６上には、適宜の支持部材７によって
水平方向に一定間隔を保って支持された半導体ウェハ８
が載置されて、前記本体部３内に装填される。
そして、熱処理に際しては、炉内を安定な雰囲気に保つ
ためにＮ２ガス等の不活性ガスを供給口４から垂直一本
体部３内に充填する。そして、該Ｎ２ガスは、垂直本体
部３の下部から若干量だけ排出され、該本体部内にＮ２
ガスの若干の流れが形成されており、熱処理中にウェハ
から滲み出る不所望のガスを炉外に運び去る作用をも行
う。
ためにＮ２ガス等の不活性ガスを供給口４から垂直一本
体部３内に充填する。そして、該Ｎ２ガスは、垂直本体
部３の下部から若干量だけ排出され、該本体部内にＮ２
ガスの若干の流れが形成されており、熱処理中にウェハ
から滲み出る不所望のガスを炉外に運び去る作用をも行
う。
又、充填ガスとして上記Ｎ２ガスに代えて、０２ガスを
用いれば材料の酸化処理を行うことができる。
用いれば材料の酸化処理を行うことができる。
かかる従来技術は、ウェハを水平方向にマウントして保
持するものであるので、第１図（Ｂ）に示すように、ウ
ェハの直径に対して垂直本体部３の直径を若干大きくす
るのみで足り、炉全体が小さなもので済み、空間利用率
が良好であるが、反面、水平に保持されたつエバが熱処
理中に自重によって撓んでしまうという欠点があり、不
良品発生の原因となっていた。
持するものであるので、第１図（Ｂ）に示すように、ウ
ェハの直径に対して垂直本体部３の直径を若干大きくす
るのみで足り、炉全体が小さなもので済み、空間利用率
が良好であるが、反面、水平に保持されたつエバが熱処
理中に自重によって撓んでしまうという欠点があり、不
良品発生の原因となっていた。
上記問題点を解消するものとして、第２図に示すように
、ウェハを垂直状態にマウントして保持するものが提案
されている。
、ウェハを垂直状態にマウントして保持するものが提案
されている。
図において、ウェハ８は適宜の支持部材９によって垂直
状態で一定間隔を保って保持されて、垂直本体部３内に
装填されている。
状態で一定間隔を保って保持されて、垂直本体部３内に
装填されている。
上記技術によれば、ウェハ８は自重の影響を受けること
がないので、撓みによる不良品の発生はな（なるが、反
面、第２図（Ｂ）に示すように、炉本体部３の直径がウ
ェハ８の直径よりも相当に大径となり、炉壁とウェハ支
持部材９との間に大きな空間１０が形成されてしまうの
で、ここを通って流下する充填ガスによって大量の熱が
炉外に運び去られてしまって、熱効率が著しく低下する
という欠点があった。
がないので、撓みによる不良品の発生はな（なるが、反
面、第２図（Ｂ）に示すように、炉本体部３の直径がウ
ェハ８の直径よりも相当に大径となり、炉壁とウェハ支
持部材９との間に大きな空間１０が形成されてしまうの
で、ここを通って流下する充填ガスによって大量の熱が
炉外に運び去られてしまって、熱効率が著しく低下する
という欠点があった。
この発明の目的は、上記従来技術に基づく縦型熱処理炉
の構造上の制約による炉内の熱の逸散等の問題点に鑑み
、垂直本体部の装填開口に遮熱体を設ける構成とするこ
とにより、前記欠点を除去して、熱効率の良好な縦型熱
処理炉を提供せんとするものである。。
の構造上の制約による炉内の熱の逸散等の問題点に鑑み
、垂直本体部の装填開口に遮熱体を設ける構成とするこ
とにより、前記欠点を除去して、熱効率の良好な縦型熱
処理炉を提供せんとするものである。。
上記目的に沿うこの発明の構成は、水平装填部と水平搬
出部の中央に垂直本体部を有し、該垂直本体部の上下に
それぞれ充填ガス供給口と装填開口を設け、被処理材を
垂直状態でマウントして保持し、前記本体部内に出没自
在な保持台を備えて成る熱処理炉において、前記保持台
に遮熱体を設けるとともに、該遮熱体には、前記垂直本
体部に臨むように補助ヒータを付設して、前記保持台を
上昇して被処理材を垂直本体部内に装填したときに、遮
熱体によって垂直本体部の下部装填開口を略々閉塞し、
これにより、充填ガスが炉内の熱を奪って大正に流出す
ることを防止するとともに、垂直本体部内に臨む補助ヒ
ータによって炉内を下部からも加熱することにより炉内
の温度分布を均一化することができるようにしたことを
要旨とするものである。
出部の中央に垂直本体部を有し、該垂直本体部の上下に
それぞれ充填ガス供給口と装填開口を設け、被処理材を
垂直状態でマウントして保持し、前記本体部内に出没自
在な保持台を備えて成る熱処理炉において、前記保持台
に遮熱体を設けるとともに、該遮熱体には、前記垂直本
体部に臨むように補助ヒータを付設して、前記保持台を
上昇して被処理材を垂直本体部内に装填したときに、遮
熱体によって垂直本体部の下部装填開口を略々閉塞し、
これにより、充填ガスが炉内の熱を奪って大正に流出す
ることを防止するとともに、垂直本体部内に臨む補助ヒ
ータによって炉内を下部からも加熱することにより炉内
の温度分布を均一化することができるようにしたことを
要旨とするものである。
次に、この発明の実施例を第３図以下の図面に基づいて
説明すれば以下の通りである。
説明すれば以下の通りである。
第３図において、ウェハ８を垂直状態にマウントした支
持部材９が載置される保持台６の昇降桿６ａには、スカ
ート状の遮熱体１１が取′付けられており、その取付位
置は、保持台６が上昇してウェハ８を垂直不体部３内に
装填する位置に到達したときに、該遮熱体１１が垂直本
体部３の被処理材用装填開口５に位置するような個所で
あり、又、その大きさは、該位置にあるときに、上記装
填開口５を略々閉塞する程度であって、炉壁との間に若
干間隙の充填ガス流出間隙１２が形成されている。そし
て、該遮熱体１１は、炉体と同様に石英によって作られ
ている。
持部材９が載置される保持台６の昇降桿６ａには、スカ
ート状の遮熱体１１が取′付けられており、その取付位
置は、保持台６が上昇してウェハ８を垂直不体部３内に
装填する位置に到達したときに、該遮熱体１１が垂直本
体部３の被処理材用装填開口５に位置するような個所で
あり、又、その大きさは、該位置にあるときに、上記装
填開口５を略々閉塞する程度であって、炉壁との間に若
干間隙の充填ガス流出間隙１２が形成されている。そし
て、該遮熱体１１は、炉体と同様に石英によって作られ
ている。
又、上記遮熱体１１の上面裏側には、補助ヒータ１３が
付設されていて、保持台６の上昇時に、該補助ヒータが
装填開口５から垂直本体部３内に臨むようになっており
、該補助ヒータ１３は、断熱材１４により裏打ちされて
いる。
付設されていて、保持台６の上昇時に、該補助ヒータが
装填開口５から垂直本体部３内に臨むようになっており
、該補助ヒータ１３は、断熱材１４により裏打ちされて
いる。
尚、１５．１５′は主ヒータであって、垂直本体部３の
外周に設けられており、 １６は断熱材である。
外周に設けられており、 １６は断熱材である。
又、熱処理炉の下部には、水平装填部１と水平搬出部２
にかけて公知のウオーキングビーム等のウェハ搬送装置
１８が設けられており、該搬送装置比は一対の担体１９
と搬送体２ｏとから成る。
にかけて公知のウオーキングビーム等のウェハ搬送装置
１８が設けられており、該搬送装置比は一対の担体１９
と搬送体２ｏとから成る。
尚、他の構成要素は第２図において同一の符号が示す構
成要素とそれぞれ同一である。
成要素とそれぞれ同一である。
上記構成において、熱処理に際しては、ウェハ８が垂直
状態でマウントされた支持部材９を保持台６上に載置し
、該保持台６を上昇させて被処理材用装填開口５から垂
直本体部３内に装填する。このとき、該保持台６と一体
の遮熱体１１が前記装填開口５を略々閉塞する。そして
、充填ガス供給口４から垂直本体部３内にＮ２ガス等の
充填ガスを供給充填する。このとき、垂直本体部３内の
充填ガスはその一部が、炉壁と遮熱体１１の間の流出間
隙１２より流出して、垂直本体部３内に若干の充填ガス
の流れが形成されるだけである。この状態で、主ヒータ
１５．１５′及び補助し−タ１３によって炉内が加熱さ
れ、ウェハ８は熱処理される◎ 熱処理が終了した後は、第４図に示すよう・に、支持部
−材９が載置された保持台６を搬送装置１８の一対の担
体１９と同一平面まで降下させてから、搬送装置１８全
体を保持台６方向に移動させて、両側の専体１９ｔ−該
保持台６にａチ七る。次いで、搬送体２０゛に対して図
示の円軌跡に沿りて回動運動を与え、１サイクルの回動
運動毎に支持部材９を、図にて右方に歩進させて、これ
を水平搬出部２を通じて搬出する。
状態でマウントされた支持部材９を保持台６上に載置し
、該保持台６を上昇させて被処理材用装填開口５から垂
直本体部３内に装填する。このとき、該保持台６と一体
の遮熱体１１が前記装填開口５を略々閉塞する。そして
、充填ガス供給口４から垂直本体部３内にＮ２ガス等の
充填ガスを供給充填する。このとき、垂直本体部３内の
充填ガスはその一部が、炉壁と遮熱体１１の間の流出間
隙１２より流出して、垂直本体部３内に若干の充填ガス
の流れが形成されるだけである。この状態で、主ヒータ
１５．１５′及び補助し−タ１３によって炉内が加熱さ
れ、ウェハ８は熱処理される◎ 熱処理が終了した後は、第４図に示すよう・に、支持部
−材９が載置された保持台６を搬送装置１８の一対の担
体１９と同一平面まで降下させてから、搬送装置１８全
体を保持台６方向に移動させて、両側の専体１９ｔ−該
保持台６にａチ七る。次いで、搬送体２０゛に対して図
示の円軌跡に沿りて回動運動を与え、１サイクルの回動
運動毎に支持部材９を、図にて右方に歩進させて、これ
を水平搬出部２を通じて搬出する。
そして、このとき同時に、水平装填部１に装填された別
の支持部材９′をも図にて右方に歩進させて、これを保
持台６上に載置するものである。
の支持部材９′をも図にて右方に歩進させて、これを保
持台６上に載置するものである。
上記のように、この発明によれば、垂直の炉本体部に対
して下部の被処理材用装填開口から、被処理材を垂直に
マウントして保持する保持台を上昇させて、被処理材を
垂直本体部内に装填するとともに、上部から充填ガスを
供給する熱処理炉において、前記保持台に遮熱体を取付
ける構成としたことにより、熱処理時に、遮熱体が垂直
本体部の装填開口を略々閉塞する状態になるので、充填
ガスは必要最小限の流出をするのみであって、該流出ガ
スによる大量の熱の逸散を防止でき、熱効率が良好にな
るという優れた効果が奏される。
して下部の被処理材用装填開口から、被処理材を垂直に
マウントして保持する保持台を上昇させて、被処理材を
垂直本体部内に装填するとともに、上部から充填ガスを
供給する熱処理炉において、前記保持台に遮熱体を取付
ける構成としたことにより、熱処理時に、遮熱体が垂直
本体部の装填開口を略々閉塞する状態になるので、充填
ガスは必要最小限の流出をするのみであって、該流出ガ
スによる大量の熱の逸散を防止でき、熱効率が良好にな
るという優れた効果が奏される。
その上、前記遮熱体上面には、補助ヒータを付設する構
成としたので、熱処理時に該補助ヒータが装填開口より
垂直本体部内に臨み、炉内を下方からも加熱し、炉本体
部外周の主ヒータによる加熱と相俟って、炉内を全周か
ら加熱することになり、垂直本体部下方からの熱の逃げ
が防げるのみならず、該本体部内の温度分布を一様にす
ることができ、被処理材を均一に加熱できるという効果
もある。
成としたので、熱処理時に該補助ヒータが装填開口より
垂直本体部内に臨み、炉内を下方からも加熱し、炉本体
部外周の主ヒータによる加熱と相俟って、炉内を全周か
ら加熱することになり、垂直本体部下方からの熱の逃げ
が防げるのみならず、該本体部内の温度分布を一様にす
ることができ、被処理材を均一に加熱できるという効果
もある。
しかも、遮熱体は保持台と一体的に昇降するので、被処
理材の装填作業や諏出作業に際して、該遮熱体が作業の
邪魔になることがない。
理材の装填作業や諏出作業に際して、該遮熱体が作業の
邪魔になることがない。
かくして、この発明は垂直本体部内で仮処理拐が垂直状
態に保持されて熱処理される縦型熱処理炉における熱の
逸散という欠点を、簡単な４Ｊ６造で解消できるので、
被処理材に撓み等の悪影ｌｉ番与えることのない上記形
式の縦型熱処理炉の熱効率を同上させて、その実親化に
利すること大である。
態に保持されて熱処理される縦型熱処理炉における熱の
逸散という欠点を、簡単な４Ｊ６造で解消できるので、
被処理材に撓み等の悪影ｌｉ番与えることのない上記形
式の縦型熱処理炉の熱効率を同上させて、その実親化に
利すること大である。
第１図は従来例を示し、第１図（Ａｌｌｔ斜視図、第１
図＋１３１ハ第１ 図ｃＡｌ）Ａ −Ａ断面図、第２
図（よ他の従来例を示し、１２図（Ａｌは斜視図、第２
図（均は第２図ＩＡＩのＢ−Ｂ断面図、第３図及び第４
図はこの発明の実施例を示し、第３図＋１り断面図、第
４図は作動説明図で、第４図（Ａ）（ま一部の側断面図
、第４図（Ｂｌは搬送装置の上面図である。 １・・・・・・水平装填部 ２・・・・・・水平搬出部
３・・・・・・垂直本体部 ４・・・・・・充填ガス供
給口５・・・・・・被処理材用装填開口 ６・・・・・・被処理材保持台 ８・・・・・・被処理材（ウェハ） １１・・・・・・遮熱体 １３・・・・・・補助ヒータ
１５．１５′・・・・・・主ヒータ １８・・・・・・
搬送装置特許出願人 株式会社 技術情報研究所第１図 （Ａ） （Ｂ） （Ａ） （Ｂ）
図＋１３１ハ第１ 図ｃＡｌ）Ａ −Ａ断面図、第２
図（よ他の従来例を示し、１２図（Ａｌは斜視図、第２
図（均は第２図ＩＡＩのＢ−Ｂ断面図、第３図及び第４
図はこの発明の実施例を示し、第３図＋１り断面図、第
４図は作動説明図で、第４図（Ａ）（ま一部の側断面図
、第４図（Ｂｌは搬送装置の上面図である。 １・・・・・・水平装填部 ２・・・・・・水平搬出部
３・・・・・・垂直本体部 ４・・・・・・充填ガス供
給口５・・・・・・被処理材用装填開口 ６・・・・・・被処理材保持台 ８・・・・・・被処理材（ウェハ） １１・・・・・・遮熱体 １３・・・・・・補助ヒータ
１５．１５′・・・・・・主ヒータ １８・・・・・・
搬送装置特許出願人 株式会社 技術情報研究所第１図 （Ａ） （Ｂ） （Ａ） （Ｂ）
Claims (1)
- 水平装填部１と水平搬出部２の中央に設けられた垂直本
体部３と、該本体部の上下にそれぞれ設けられた充填ガ
ス供給口４及び被処理材用装填開口５と、前記本体部内
に該装填開口から出没する上下動可能な被処理材保持台
６とから成る熱処理炉において、前記保持台６に、該保
持台が上昇したときに上記装填開口５を略々閉塞する遮
熱体１１を取付けるとともに、該遮熱体には、本体部内
に臨むように補助し−タ１３を付設したことを特徴とす
る熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20350783A JPS6095917A (ja) | 1983-10-29 | 1983-10-29 | 熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20350783A JPS6095917A (ja) | 1983-10-29 | 1983-10-29 | 熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095917A true JPS6095917A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=16475297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20350783A Pending JPS6095917A (ja) | 1983-10-29 | 1983-10-29 | 熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6095917A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61152010A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | 半導体ウエハの熱処理装置 |
| JPS62281321A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Fukui Shinetsu Sekiei:Kk | ウエハ処理装置 |
| JPS63278227A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Teru Sagami Kk | 熱処理装置 |
| JPS6471119A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Ltd | Thermal treatment equipment for semiconductor wafer |
| JPH01120326U (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | ||
| JPH01217925A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Tel Sagami Ltd | 熱処理炉 |
| JPH088194A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-12 | Kishimoto Sangyo Kk | 気相成長機構および熱処理機構における加熱装置 |
| US6259061B1 (en) * | 1997-09-18 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Limited | Vertical-heat-treatment apparatus with movable lid and compensation heater movable therewith |
| JP2009285569A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Nippon Yusen Kk | ストレーナー用内スクリーン |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5691417A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Fujitsu Ltd | Heating treatment device for wafer |
-
1983
- 1983-10-29 JP JP20350783A patent/JPS6095917A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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| JPS6471119A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Ltd | Thermal treatment equipment for semiconductor wafer |
| JPH01120326U (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-15 | ||
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