JPS612330A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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Publication number
JPS612330A
JPS612330A JP12175284A JP12175284A JPS612330A JP S612330 A JPS612330 A JP S612330A JP 12175284 A JP12175284 A JP 12175284A JP 12175284 A JP12175284 A JP 12175284A JP S612330 A JPS612330 A JP S612330A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
processing chamber
tube
inert gas
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12175284A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Kasahara
修 笠原
Tomoji Niina
新名 朋次
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP12175284A priority Critical patent/JPS612330A/ja
Publication of JPS612330A publication Critical patent/JPS612330A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、処理技術、特に、処理室に被処理物を搬入し
て処理を施す技術に関し、例えば、半導体装置の製造に
おいて、ウェハに形成された金属膜に熱処理を施すのに
使用して有効な技術に関する。
〔背景技術〕
半導体装置の製造において、ウェハに形成された金属膜
にアニールのような熱処理を施すための熱処理装置とし
て、プロセスチューブをヒータの外側に延長させてなる
低温領域に不活性ガスを導入し、この領域に遮蔽板を両
側に立てた状態でウェハを搬入することにより、プロセ
スチューブ内への外部酸素の逆拡散を防止するように構
成したものが、提案されている(特開昭54−1083
0号参照)。
しかし、かかる熱処理装置においては、プロセスチュー
ブの輻射熱をプロセスチューブよりも僅かに小径の遮蔽
板によって遮蔽するようになっているため、ソフトラン
ディング方式のローダを使用することができないという
問題点があることが、本発明者により明らかにされた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、条件を制約されることなく外部雰囲気
の侵入を防止することができる処理技術を提供すること
にある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、処理室の手前に予備室を配設し、処理室への
出し入れの前に被処理物を不活性ガス雰囲気の予備室に
待機させることにより、処理室への外部雰囲気の侵入を
阻止するようにしたものである。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例である熱処理装置を示す縦断
面図、第2図は第1図のn−n線に沿う横断面図である
本実施例において、この熱処理装置は、石英ガラス等か
ら略円筒形状に形成されたプロセスチューブ1を備えて
おり、このプロセスチューブ1の内部室は処理室2を実
質的に形成している。プロセスチューブ1の外部にはヒ
ータ3が包設されており、ヒータ3は処理室2を加熱す
るように構成されている。プロセスチューブ1の一端に
は、窒素、アルゴン等の不活性ガスを処理室2内に供給
するための供給口4が開設されており、プロセスチュー
ブ1の他端には、被処理物としてのウェハを出し入れす
るための開口部としての炉口5が開設されている。炉口
5付近には排気口6が開設されており、この排気口6に
より処理室2は排気されるようになっている。
プロセスチューブ1の炉口5側には、予備室8を実質的
に形成するためのチューブ7が連設されており、このチ
ューブ7は予備室8が処理室2に略−直線に連通ずるよ
うに清心を一致されて連設されている。チューブ7の清
心方向の略中央部には窒素等の不活性ガスを予備室8に
導入するための導入口9が開設されている。
プロセスチューブ1の処理室2とチューブ7の予備室8
との間には、ゲートバルブ10が両室2と8との連通を
遮断し得るように開閉自在に介設されており、かつ、ゲ
ートバルブ10はプロセスチューブ1における排気口6
の両側位置を移動するように構成されている。すなわち
、ゲートバルブ10は、第2図に示されているように、
処理室2および予備室8を横断する方向に開閉移動され
るように構成されているとともに、清心方向に移動され
るように構成されている。
予備室チューブ7のプロセスチューブ1と反対側端には
、ウェハの出し入れ目11が開設されており、この出し
入れ口11には、上下一対の扉体12a、12bからな
るシャッタ12が設けられており、シャッタ12の扉体
12aと12bとは上下に移動することにより、ウェハ
を出し入れするためのローダ筒13を清心方向への摺動
、がっ、上下動を許容しつつ挟みつけるようになってい
る。
被処理物としてのウェハ14は治具15に複数枚整列さ
れた状態で保持され、この治具15がローダ筒13の先
端部に載せられて出し入れされることにより、予備室8
および処理室2にソフトランディング状態で搬入、Il
l出されるようになっている。
次に作用を説明する。
予備室8にウェハ14が搬入される以前、ゲートバルブ
10は閉じられているとともに、排気口6の予備室8側
に位置されている。また、排気口6は処理室2の炉口5
を排気している。この状態において、予備室8はプロセ
スチューブ1の処理室2に対してゲートバルブ10によ
り遮断されているため、処理室2の熱が予備室8に輻射
することは阻止され。また、排気口6が炉口5を排気し
ているため、処理室2の高温ガスが予備室8に流れ込む
ことは阻止される。したがって、予備室8の温度は処理
室2に対して低温を維持していることになる。
ウェハ14を保持した冶具15を載せた状態でローダ筒
13が予備室8に挿入されると、シャック12が閉じら
れて扉体12a、12bがローダ筒13を上下から挟み
つける。このとき、予備室8は低温に維持されているた
め、予備室8に残留している空気により、ウェハ14に
形成されている金属膜が酸化されることはない。
続いて、不活性ガスが予備室8に導入口9から導入され
、予備室8の雰囲気は不活性ガスに置換される。このと
き、ゲートバルブ10を排気口6の処理室2例の位置に
移動させることにより、真空排気を同時に行うと、予備
室8における空気と不活性ガスとの置換効率を向上させ
ることができる。
予備室8が不活性ガスに置換されると、ゲートバルブl
Oが開かれ、ローダ筒13が処理室2に向けて前進され
る。この前進時、ローダ筒13はその外周においてシャ
ッタ12の上下扉体12a。
12bの内周を摺動することになる。
ゲートバルブ10が開かれると、処理室2に予備室8の
雰囲気が逆流するが、予備室8は不活性ガスに置換され
ているため、処理室2の雰囲気に悪影響を与えることは
ない。
ローダ筒13の先端部が処理室2の所定位置まで達する
と、ローダ部13は下降することにより、ウェハ14を
保持している治具15を処理室2の床面上に静かに移載
する(ソフトランディング)。
移載が終了すると、ローダ筒13は上昇した後、予備室
8まで後退して待機する状態になる。ローダ筒13の昇
降時、シャッタ12の上下の扉体12a、12bはロー
ダ筒13を挟みつけたまま上下動することにより、シー
ル状態を維持し続ける。
ローダ筒13が処理室2から離脱すると、ゲートバルブ
10は予備室8を閉しるとともに、排気口6の予備室8
例の位置に移動する。
処理室2においては、排気口6により排気が行われると
ともに、供給口4がら窒素またはアルゴン等の不活性ガ
スが導入される。そして、ヒータ3による加熱により、
ウェハ14に対して金属膜に対するアニール処理のよう
な所定の熱処理が施される。
熱処理が終了すると、ゲートバルブ10が開かれ、ロー
ダ筒13が処理室2へ前進して冶具15を静かにすくい
取り、ウェハ14を処理室2から予備室8まで)般用す
る。
ウェハ14が予備室8に移送されると、ゲートバルブ1
0が閉しられ、導入口9から窒素等の不活性ガスが予備
室8に導入される。この状態において、熱処理により高
温になったウェハ14は冷却される。このとぎ、ゲート
バルブ10を排気口6の処理室2側に位置せしめて真空
排気をガス導入と併用すると、冷却効率を向上させるこ
とができる。
〜ウェハ14が冷却されると、ローダ筒13がシャッタ
12から引き抜かれてウェハ14が予備室8から搬出さ
れる。外部に搬出されたウェハ14は冷却されているた
め、熱処理済みの金属膜が外気により酸化されてしまう
ことはない。
〔効果〕
(1)予備室を設けることにより、処理室への出し入れ
時に被処理物を不活性雰囲気中において待機させること
ができるため、被処理物の処理室への出し入れ時Gこお
ける外気の侵入を防止することができる。
(2)  予備室において、外気の侵入を防止すること
により、被処理物の前後に立てられる外気侵入防止用の
遮蔽板を廃止することができるため、被処理物の出し入
れ手段として、ローダ筒によるソフトランディング方式
を使用することができる。
(3)  ソフトランディング方式を使用することがで
きるため、被処理物の出し入れ時における異物や損傷を
防止することができる。
(4)  シャックをローダ筒を挟みつけるように構成
することにより、ローダ筒の前後動および上下動時にお
けるシール状態を維持することができるため、ソフトラ
ンディングによる出し入れ時における外気の侵入を防止
することができる。
(5)予備室と処理室との間にゲートバルブを開設する
ことにより、被処理物を予備室に待機させている時にゲ
ートバルブによって処理室の輻射熱を遮ることができる
ため、被処理物を低温に維持することができ、被処理物
の酸化を防止することができる。
(6)被処理物の酸化を防止することができるため、金
属膜の剥離や接触抵抗の増大化等の不良を防止すること
ができ、特性の安定化や歩留りの向上化を推進すること
ができる。
(7)ゲートバルブを処理室に開設された排気口の両側
位置を移動し得るように設けることにより、処理室の排
気口を予備室の排気にも兼用することができ、予備室の
不活性雰囲気置換効率を促進することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、ゲートバルブは排気口の両側位置を移動し得る
ように構成するに限らず、単に開閉する構造にしてもよ
いし、前後二重の構造に構成してもよい。
シャッタは上下開きに構成するに限らず、左右開きに構
成してもよいし、多重扉体構造に構成してもよい。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハに形成された
金属膜を熱処理する装置に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、ウェハに酸化膜
を形成する酸化膜形成装置や、各種の膜を形成するCV
D装置等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である熱処理装置を示す縦断
面図、 第2図は第1図のn−n線に沿う横断面図である。 l・・・プロセスチューブ、2・・・処理室、3・・・
ヒー外4+−,供給口、5・・・炉口、6・・・排気口
、7・・・予備室デユープ、g・・・予備室、9・・・
導入口、1o・・・ゲートバルブ、11・・・出し入れ
口、12・・・シャッタ、12a、12b・・・扉体、
13・・・ローダ筒、14・・・ウェハ(被処理物)、
15・・・治具。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、処理室の開口部の外側に設けられた予備室と、処理
    室と予備室との間に両室を遮断し得るように介設された
    ゲートバルブと、予備室の処理室と反対側の開口部を開
    閉するように設けられたシャッタと、予備室に不活性ガ
    スを導入する導入口とを備えていることを特徴とする処
    理装置。 2、ゲートバルブが、処理室に開設される排気口の両側
    位置を移動し得るように構成されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の処理装置。 3、シャッタが、被処理物を予備室および処理室に対し
    て出し入れするローダ筒を挟みつけるように構成されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の処理
    装置。
JP12175284A 1984-06-15 1984-06-15 処理装置 Pending JPS612330A (ja)

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JP12175284A JPS612330A (ja) 1984-06-15 1984-06-15 処理装置

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JP12175284A JPS612330A (ja) 1984-06-15 1984-06-15 処理装置

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JPS612330A true JPS612330A (ja) 1986-01-08

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ID=14819007

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JP12175284A Pending JPS612330A (ja) 1984-06-15 1984-06-15 処理装置

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JP (1) JPS612330A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01130521A (ja) * 1987-11-17 1989-05-23 Tel Sagami Ltd 熱処理方法
JPH01296628A (ja) * 1988-05-25 1989-11-30 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造装置及びその製造方法
US4962726A (en) * 1987-11-10 1990-10-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chemical vapor deposition reaction apparatus having isolated reaction and buffer chambers
JPH05251457A (ja) * 1992-03-09 1993-09-28 Nec Corp 半導体製造装置
KR100635219B1 (ko) 2004-10-20 2006-10-17 주식회사 에이디피엔지니어링 반송 챔버 오염 방지 방법

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