JPH04157162A - 表面処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハを加熱処理するための反応炉を備
えた半導体製造装置゛に関する。

〔従来の技術） 第３図は、例えば特開昭６３−２３９９３８号公報に開
示されたこの種の装置を示したもので、１１は縦型の反
応炉１０の炉体、１２はヒータ、１３は石英管である。

１４はマニホルド、１４Ａはマニホルド１４の被処理物
搬入・搬出口である。

このマニホルド１４はそのフランジ部１５で石英管１３
を受けている。

１６はＣＶＤ処理される半導体ウェハＷ、とダミーウェ
ハＷＤ及びフィラーウェハＷＦの多数枚を段々に保持す
るボートであって、ボートエレベータの昇降台１７上の
ボート支持台１８に載置される。２０はシリンダ１９等
で進退駆動される熱遮蔽板であり、ボート１６の炉内へ
の搬入・搬出を妨げない退避位置から図示の位置へ進退
駆動される。

この構成において、上記ボートエレベータは図示しない
移載装置からボート１６をボート支持台１８上に移載さ
れて上昇し、該ボート１６を石英管１３内の鎖線で示す
所定位置（処理領域）へ搬入する。石英管１３内には、
図示しないガス供給管から処理流体Ｆが供給され、石英
管１３内に搬入されたウェハは高温の処理流体雰囲気に
されてＣＶＤ処理される。所定時間が経過すると、ボー
トエレベータの昇降台１７は元の位置へ下降し、ボート
１６は上記移載装置により別の場所へ移載され、ここで
ＣＶＤ処理された半導体ウェハＷ。

のボ、−トからの取り出しと処理前の半導体ウェハＷｐ
のボートへの移載が行なわれる。

ＣＶＤ処理が終わって、ボート１６が石英管１３から搬
出されると、炉内の輻射熱を炉外に対して遮蔽するため
に、従来は、図示のように、シリンダ１９等で進退駆動
される熱遮蔽板２０を退避位置からマニホルド１４の下
方の搬入・搬出口１４Ａをさえぎる位置へ移動するよう
にしている。

〔発明が解決しようとする課題］ しかしながら、この従来の方法は、熱遮蔽板２０で、単
に、輻射熱をさえぎっているだけであるので、輻射熱の
遮蔽が充分でないうえ、炉内のゴミ（パーティクル状生
成物）が炉外にもれ、また、炉内温度と外部温度との差
から外部の空気Ａｉｒが図に矢印で示す経路で石英管１
３内に入る空気巻き込みが生じ、この時、外部の大気中
に浮遊しているゴミが石英管１３内に巻き込まれ、欠陥
ウェハを作る原因となる。

本考案はこの課題を解決するためになされたもので、輻
射熱の拡散および外部空気の炉内への巻き込みを完全に
防止し、従来に比し、製品の歩留りを向上することがで
きる表面処理装置を提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段〕 本考案は上目的を達成するため、マニホルドの搬入・搬
出口を開閉可能な防熱シャッターを設は上記防熱シャッ
ターの上面には、上記搬入・搬出口を囲んで上記マニホ
ルドの下面との間を密封するシールリングが嵌着される
構成とした。

請求項２では、防熱シャッターは、上下壁間が、冷却流
体用空間である中空体であって、この空間の一部は、周
壁から中央部側に伸びる仕切り壁で区分され、この区分
空間の一方に冷却流体供給口が、他方の区分空間の上記
冷却流体供給口に近接する位置に冷却流体排出口が設け
られ、配管を通して冷却流体循環装置に接続される構成
とした。

［作用］ 本考案では、炉のボート搬入・搬出口が防熱シャッター
で閉鎖されると、炉内の輻射熱の炉外への拡散が防止さ
れるだけでなく、炉内への外部空気の侵入が防がれ、ゴ
ミの出入りも無くなる。

〔実施例〕

以下、本発明の１実施例を図面を参照して説明する。

第１図および第２図において、３０は防熱シャッターで
あって、上下壁間を冷却流体用空間３１とする二重壁構
造の偏平な中空体からなり、土壁３０Ａには、マニホル
ド１４の搬入・搬出口１４Ａの径より大きい径のシール
リング３２を嵌着している。３３は仕切り壁であって、
空間３１内を周壁３０Ｃから中心部側に伸びて、空間３
１の一部を、３１Ａと３１Ｂの２つに区分している。

３４は区分空間３１Ａに連通ずる冷却流体供給口、３５
は区分空間３１Ｂに連通ずる冷却流体排出口であって、
両者は、周壁３０Ｃの仕切り壁３３端部に近接する位置
に設けられている。冷却流体供給口３４、冷却流体排出
口３５は、それぞれ可撓性の配管３６．３７を通して、
冷却器３８に接続される。配管３６には循環ポンプＰが
介装されている。

この防熱シャッター３０は回動機構４０に連結された支
持ロッド３９で支持されており、この回動機構４０は昇
陳機構５０で上下駆動される。

他の構成は前記第３図のものと同じであるので、同一構
成要素には同一符号を付して示しである。

この構成においては、ＣＶＤ処理が終わって、ボート１
６が石英管１３から搬出されると、回動機構４０が駆動
されて、防熱シャシター３０の支持ロッド３９を所定角
度だけ回動させて防熱シャッター３０を退避位置から図
示に鎖線で示す位置へ移動させる。次いで、昇降機構５
０が駆動されて、防熱シャッター３０が所定高さだけ上
に持ち上げられて、シールリング３２がマニホルド１４
の下面に押圧し、該下面と防熱シャッター３０との間を
シールする。

また、回動機構４０の上記駆動が始まると、ポンプＰが
駆動されて、冷却水が配管３６を通し冷却流体供給口３
４から区分空間３１Ａに流入する。

流入した冷却水は、第２図に破線で示すように空間３１
内を流れ空間３１内を充満して防熱シャッター３０を冷
却したのち、冷却流体排出口３５から配管３７へ流出す
る。

前記ボートエレベータが図示しない移載装置からボート
１６をボート支持台１８上に移載されて該ボート１６を
石英管１３内に搬入するシーケンスが始まると、昇降機
構５０の下降駆動と回動機構４０の復帰回動が開始され
、防熱シャッター３０が上記退避位置へ戻ると、ポンプ
Ｐも停止する。

このように、本実施例の防熱シャッター３０は、マニホ
ルド１４の搬入・搬出口１４Ａを気密にシールするので
、外部空気の炉内への侵入、ゴミの炉内への出入りが完
全に防がれる。

また、防熱シャッター３０は、シャッター動作時は常に
冷却されているので、炉内の熱を外部に熱放散すること
がなく、シールリング３２の熱破壊は防止される。

なお、本発明は横型反応炉などの他の表面処理装置に実
施してもよい。

〔発明の効果〕

本発明は以上説明した通り、炉のボート搬入・搬出口を
開閉可能な防熱シャッターを設けたことにより、炉内の
輻射熱の炉外への拡散を防止するだけでなく、炉内への
外部空気の侵入を防ぐことができ、ゴミの出入りが無く
なるので、従来に比し、製品の止まりを向上することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す縦断面図、第２図は上記
実施例における防熱シャッターの平面図、第３図は従来
の縦型反応炉の縦断面図である。 １〇−反応炉、１１・・−炉体、１２−ヒータ、１３−
石英管、１４・−マニホルド、１４Ａ−搬入・搬出口、
３〇−防熱シャッター、３１−空間、３１Ａ、３１Ｂ−
区分空間、３２−シールリング、３３・−仕切り壁、３
４−冷却流体供給口、３５−冷却流体排出口、３９−冷
却器、４０・−回動機構、５０−・昇降機構、Ｐ−ポン
プ。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）炉体、この炉体に設けられたヒータ、該炉体内に
   挿入された反応管、被処理物の搬入・搬出口を区画して
   フランジ部で上記反応管を支持するマニホルドを備え、
   供給管を通して上記反応管内に処理流体を供給される表
   面処理装置において、上記搬入・搬出口を開閉可能な防
   熱シャッターを有し、この防熱シャッターの上面には、
   上記搬入・搬出口を囲んで上記マニホルドの下面との間
   を密封可能なシールリングが嵌着されていることを特徴
   とする表面処理装置。
2. （２）防熱シャッターは、上下壁間が、冷却流体用空間
   である中空体であって、この空間の一部は、周壁から中
   央部側に伸びる仕切り壁で区分され、この区分空間の一
   方に冷却流体供給口が、他方の区分空間の上記冷却流体
   供給口に近接する位置に冷却流体排出口が設けられ、可
   撓性の配管を通して冷却流体循環装置に接続されている
   ことを特徴とする請求項１記載の表面処理装置。