JP3067467B2 - 半導体製造装置におけるマニホ−ルドの口部のシ−ル構造 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体の単結晶を材料で
あるウエハ−上に形成するＣＶＤ装置等の半導体製造装
置に関し，更に，詳しくは同装置の反応炉にガスを供給
するマニホ−ルドの口部のシ−ル構造の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は従来のＣＶＤ装置の構造を示す縦
断正面図で，フレ−ム１で囲まれた内側のプロセス室２
は図で右方上部にヒ−タ部３，左方上部にクリ−ンユニ
ット部４が区画されている。５は反応炉，７はクリ−ン
ユニット，８はウエハ−が収納される石英ボ−ド，９は
石英ボ−ド８を操作するハンドラ−で，昇降装置１０が
石英ボ−ド８を反応炉５の中へ上昇して挿入，処理後下
降して取り出し，反応炉５の下部にあるマニホ−ルド１
１の底部開放口１８をシ−ルシャッタ装置１２が開閉作
用を行うようになっている。また，ハンドラ−９の図で
左方にはロボット１３，キャリアステ−ジ１４が設けら
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記構造のＣＶＤ装置
が使用される場合は，フレ−ム内は無塵とし，反応炉５
内にはマニホ−ルド１１の継手２５を介してＨ₂等の所
要のガスが供給されるようになっている。ところで，マ
ニホ−ルド１１の周囲に備えられた反応炉５への真空ポ
ンプ，またはウエハ−処理に使用される上記のガス供給
口としての継手２５や温度制御の熱電対の継手２５’は
作業の前後に切換，清掃又は補修のために人の手で操作
され，その度にプロセス室のガス排出，真空化，再充填
作業や，塵を持ち込まぬよう細心の注意を払うなど管理
に多大の努力を要していた。このため，マニホ−ルド１
１の口部のシ−ルドを反応炉と昇降装置１０で上下動す
る石英ボ−ト８との芯合わせも容易に行えるマニホ−ル
ド１１の口部のシ−ルド構造が要望されていた。本発明
はこのような課題（要望）を解決するようにした半導体
製造装置におけるマニホ−ルドの口部のシ−ル構造を提
供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために，半導体製造装置における反応炉に対するガ
ス供給手段として設けられるマニホ−ルドの口部の外周
表面の外側に水平に配置されるシ−ルプレ−トであっ
て，このシ−ルプレ−トはその内周部に前記マニホ−ル
ドの口部の外周表面との間を密封するシ−ル材を備えて
おり，このシ−ルプレ−ト，フレ−ム及びマニホ−ルド
Ａ部，マニホ−ルドＢ部，フレ−ムからシ−ルされた中
間室を形成するように構成した。この場合，前記シ−ル
プレ−トは環状の形状に形成され，その内周部に設けた
溝内にシ−ル材としてＯリングを装着するように構成す
ることが望ましい。

【０００５】

【作用】本発明によるシ−ルプレ−トをフレ−ムに取り
付けてマニホ−ルドの口部との間がシ−ルされた中間室
内で前記の継手類が取り扱われ，プロセス室はそのまま
なので管理が容易であり，また，シ−ルプレ−トに設け
られるシ−ル材としてのＯリングが水平に位置している
ので，フレ−ムの板金工作から来る製作誤差によるマニ
ホ−ルドの多少の傾き及び上下ズレは容易に吸収され
る。

【０００６】

【実施例】以下図１〜図４に示す一実施例により本発明
を具体的に説明する。図１は本発明によるマニホ−ルド
の口部のシ−ル構造を有するＣＶＤ装置の一実施例の縦
断正面図，図２は図１のＡ部の拡大断面図で，従来例と
同等の構成については図５と同一符号を付して示してあ
る。図１及び図２において，反応炉５の炉壁５ａはほぼ
水平なフレ−ム１ａに固定され，アウタチュ−ブ１５は
リング１６とマニホ−ルドＡ部１１ａに保持され，イン
ナチュ−ブ１７はマニホ−ルドＡ部１１ａとマニホ−ル
ドＢ部１１ｂに保持され（マニホ−ルド１１はＡ部１１
ａとＢ部１１ｂがボルト結合されて構成される），マニ
ホ−ルドＢ部１１ｂの開放口１８はシ−ルシャッタ装置
１２で操作されるマニホ−ルドキャップ１９によって開
閉される。２２はシ−ルプレ−ト，２３はこのシ−ルプ
レ−ト２２の装着部である内周部に配置されたシ−ル材
としてのＯリングで，マニホ−ルド１１の口部２０のマ
ニホ−ルドＢ部１１ｂの外周表面２１に，ほぼ水平なフ
レ−ム１ｂに図示しないパッキンを介してボルト止めさ
れたシ−ルプレ−ト２２がＯリング２３を介して係合さ
れ，シ−ルプレ−ト２２，フレ−ム１ａ，１ｂ及びマニ
ホ−ルドＡ部１１ａ，マニホ−ルドＢ部１１ｂによりシ
−ルされた中間室２４を形成するように構成されてい
る。

【０００７】ここで，本発明の要部であるシ−ルプレ−
ト２２の構造について詳述する。図３はシ−ルプレ−ト
２２の平面図，図４は図３のＢ−Ｂ断面図である。即
ち，シ−ルプレ−ト２２は図３，図４に示すように，た
とえば，環状の外形の外周に沿って複数個のボルト通し
穴２２ａが設けられ，中央部の内径Ｄはマニホ−ルドＢ
部１１ｂの外周表面２１の直径より少し大きく，内径部
分は厚く形成さればち形断面を有する溝２２ｂが形成さ
れ，この溝２２ｂにシ−ル材としてのＯリング２３が装
着されるようになっている。

【０００８】上記構成において，マニホ−ルド１１に取
り付けられた各種継手２５，２５’は図２に示すように
プロセス室２とは無関係に，人の手で操作でき，管理上
極めて都合がよく，又板金工作のフレ−ム１ａ，１ｂの
製作誤差による多少のマニホ−ルド１１の傾き，フレ−
ム１ａ，１ｂ間の垂直方向の寸法誤差はＯリング２３で
吸収できる。

【０００９】

【発明の効果】本発明は上記のように構成されるから次
のような優れた効果を有する。 ヒ−タ部とプロセス室との間にシ−ルされた中間室が
構成されるので，反応炉への各種継手類の人手による操
作が外気を通ずる中間室内で自由に実施できるようにな
った。 シ−ルプレ−トは着脱自在で，マニホ−ルドの多少の
傾き，上下の位置誤差はその内周部に装着されたＯリン
グ等のシ−ル材の存在によって吸収されるので，反応炉
と上下動する石英ボ−トとの芯合わせも容易に行え，マ
ニホ−ルド自体の分解，手入れは容易となり，半導体製
造装置の管理が極めて容易になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるマニホ−ルドの口部のシ−ル構造
を有する半導体製造装置の一実施例を示す縦断正面図で
ある。

【図２】図１のＡ部の拡大断面図である。

【図３】本発明によるシ−ルプレ−トの平面図である。

【図４】図３のＢ−Ｂ断面図である。

【図５】従来のＣＶＤ装置の主要構成を示す縦断正面図
である。

【符号の説明】 ２：プロセス室 ３：ヒ−タ部 ５：反応炉 １１：マニホ−ルド ２０：口部 ２１：外周表面 ２２：シ−ルプレ−ト ２３：Ｏリング ２４：中間室

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−269825（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−200626（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−16121（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−216054（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−25234（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭64−44627（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/22 H01L 21/31 C23C 16/44

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体製造装置における反応炉に対する
   ガス供給手段として設けられるマニホ−ルド（１１）の
   口部の外周表面の外側に水平に配置されるシ−ルプレ−
   ト（２２）であって，このシ−ルプレ−ト（２２）はそ
   の内周部に前記マニホ−ルド（１１）の口部の外周表面
   との間を密封するシ−ル材を備えており，このシ−ルプ
   レ−ト（２２），フレ−ム（１ｂ）及びマニホ−ルドＡ
   部（１１ａ），マニホ−ルドＢ部（１１ｂ），フレ−ム
   （１ａ）によりシ−ルされた中間室を形成するようにし
   たことを特徴とする半導体製造装置におけるマニホ−ル
   ドの口部のシ−ル構造。
2. 【請求項２】 前記シ−ルプレ−ト（２２）は環状の形
   状に形成され，その内周部に設けた溝内にシ−ル材とし
   てＯリング（２３）を装着するようにした請求項１記載
   の半導体製造装置におけるマニホ−ルドの口部のシ−ル
   構造。