JP3236724B2 - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- 238000011068 load Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 53
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003028 elevating Effects 0.000 description 5
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】半導体を製造するための真空処理装置の
中には、エッチング、成膜処理、アッシング、及びスパ
ッタリングなど種々の装置があり、また装置のタイプと
しても枚葉式及びバッチ式のものがある。この種の半導
体製造装置は、半導体の高集積化、高スル−プット化に
対応するため種々の工夫、改良がなされ、例えば枚葉式
の真空処理装置については、複数の真空処理室を共通の
搬送室に接続し、共通の入出力ポ−トから各真空処理室
に搬送する処置も知られている。
中には、エッチング、成膜処理、アッシング、及びスパ
ッタリングなど種々の装置があり、また装置のタイプと
しても枚葉式及びバッチ式のものがある。この種の半導
体製造装置は、半導体の高集積化、高スル−プット化に
対応するため種々の工夫、改良がなされ、例えば枚葉式
の真空処理装置については、複数の真空処理室を共通の
搬送室に接続し、共通の入出力ポ−トから各真空処理室
に搬送する処置も知られている。
【0003】図7はこのような装置を示す図であり、進
退自在及び回転自在な搬送ア−ム101を備えた搬送室
102に複数の真空処理室103及びカセット室104
を、搬送ア−ム101の回転中心に対して放射状に接続
して真空処理装置が構成され、被処理体、例えば半導体
ウエハ(以下ウエハという)を例えば25枚収納したウ
エハカセット100をカセット室104内に搬入し、こ
の中を減圧した後搬送ア−ム101によりウエハカセッ
ト100内のウエハを順次真空処理室103内に搬送
し、例えば各真空処理室103内で並行してウエハの処
理を行うようにしている。
退自在及び回転自在な搬送ア−ム101を備えた搬送室
102に複数の真空処理室103及びカセット室104
を、搬送ア−ム101の回転中心に対して放射状に接続
して真空処理装置が構成され、被処理体、例えば半導体
ウエハ(以下ウエハという)を例えば25枚収納したウ
エハカセット100をカセット室104内に搬入し、こ
の中を減圧した後搬送ア−ム101によりウエハカセッ
ト100内のウエハを順次真空処理室103内に搬送
し、例えば各真空処理室103内で並行してウエハの処
理を行うようにしている。
【0004】このような装置では、真空処理室103と
ロ−ドロック室102とを1対1で接続する場合に比べ
て、複数の真空処理室103に対して搬送ア−ムを共通
化しているので構成上有利であり、また各真空処理室1
03で異なる処理を行うように構成し、1枚のウエハに
ついて連続処理を行って、スル−プットの向上を図って
いた。また、図8に示すように、各真空処理室103等
を制御する制御装置105は例えば真空処理室103や
ロ−ドロック室102を載置する基台106内に配置さ
れており、制御装置105内には、装置全体を制御する
演算処理部、例えばCPU107と、このCPU107
を駆動するためのプログラムを記録した記録媒体、例え
ばROM108によって基本部が構成されている。そし
て、ROM108とCPU107は、デ−タバス及びア
ドレスバス等の信号線109にて接続されている。
ロ−ドロック室102とを1対1で接続する場合に比べ
て、複数の真空処理室103に対して搬送ア−ムを共通
化しているので構成上有利であり、また各真空処理室1
03で異なる処理を行うように構成し、1枚のウエハに
ついて連続処理を行って、スル−プットの向上を図って
いた。また、図8に示すように、各真空処理室103等
を制御する制御装置105は例えば真空処理室103や
ロ−ドロック室102を載置する基台106内に配置さ
れており、制御装置105内には、装置全体を制御する
演算処理部、例えばCPU107と、このCPU107
を駆動するためのプログラムを記録した記録媒体、例え
ばROM108によって基本部が構成されている。そし
て、ROM108とCPU107は、デ−タバス及びア
ドレスバス等の信号線109にて接続されている。
【0005】また、その装置は、カセット室104内に
カセット103を搬入又は搬出する搬入出口をクリ−ン
ル−ム内に配置されたパネル110に嵌合して設けられ
ており、クリ−ンル−ムの環境は、そのパネル110を
挟んで装置側111のクリ−ン度よりカセット室104
の搬入出口側112の方がクリ−ン度が高くなってお
り、一般に狭義で総称すると装置側111をメンテナン
スル−ム、搬入出口側112を作業側クリ−ンル−ムと
言われている。そして、パネル110には、その装置を
駆動するための制御盤として操作パネル113が設けら
れ、この操作パネル113は、信号線114を介してC
PU107と接続されている。
カセット103を搬入又は搬出する搬入出口をクリ−ン
ル−ム内に配置されたパネル110に嵌合して設けられ
ており、クリ−ンル−ムの環境は、そのパネル110を
挟んで装置側111のクリ−ン度よりカセット室104
の搬入出口側112の方がクリ−ン度が高くなってお
り、一般に狭義で総称すると装置側111をメンテナン
スル−ム、搬入出口側112を作業側クリ−ンル−ムと
言われている。そして、パネル110には、その装置を
駆動するための制御盤として操作パネル113が設けら
れ、この操作パネル113は、信号線114を介してC
PU107と接続されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
装置では搬送ア−ムが直線に沿って進退する構成である
ため、各真空処理室及びカセット室を搬送ア−ムの回転
中心に対して放射状に配列しなければならないが、周方
向に配列される各室間にはスペ−スがあるといっても、
このスペ−スは現実にはデッドスペ−スであって、他の
装置を配置することはできず、従って装置全体の実際上
の占有空間は非常に広いものであり、高価なクリ−ンル
−ム内で使用することからすれば、搬送ア−ムの共通化
を図っている割にはスペ−ス的にはあまり大きなメリッ
トがなかった。
装置では搬送ア−ムが直線に沿って進退する構成である
ため、各真空処理室及びカセット室を搬送ア−ムの回転
中心に対して放射状に配列しなければならないが、周方
向に配列される各室間にはスペ−スがあるといっても、
このスペ−スは現実にはデッドスペ−スであって、他の
装置を配置することはできず、従って装置全体の実際上
の占有空間は非常に広いものであり、高価なクリ−ンル
−ム内で使用することからすれば、搬送ア−ムの共通化
を図っている割にはスペ−ス的にはあまり大きなメリッ
トがなかった。
【0007】また、CPUを駆動するプログラムを記録
する記録媒体が装置側に配置されているので、装置を駆
動するプログラムのバ−ジョンアップ,変更,機能追加
等に伴って、その記録媒体を交換する際、通常作業員は
作業側クリ−ンル−ム内にて作業しているので、メンテ
ナンスル−ム側に、一旦移動し、ROMを交換すること
になる。そのような、記録媒体の交換のため何度かクリ
−ンル−ムとメンテナンスル−ムを行き来すると、メン
テナンスル−ムのパ−ティクルがクリ−ンル−ム内に侵
入し、このパ−ティクルの侵入に伴って、クリ−ンル−
ム内に置かれている被処理体、例えば半導体ウエハの表
面に付着してしまい、被処理体の歩留りを低下させてし
まうという問題が生じていた。また、記録媒体の交換の
ため何度かクリ−ンル−ムとメンテナンスル−ムを行き
来しなくてはならないので、媒体交換作業の作業時間の
スル−プットの効率が悪かった。
する記録媒体が装置側に配置されているので、装置を駆
動するプログラムのバ−ジョンアップ,変更,機能追加
等に伴って、その記録媒体を交換する際、通常作業員は
作業側クリ−ンル−ム内にて作業しているので、メンテ
ナンスル−ム側に、一旦移動し、ROMを交換すること
になる。そのような、記録媒体の交換のため何度かクリ
−ンル−ムとメンテナンスル−ムを行き来すると、メン
テナンスル−ムのパ−ティクルがクリ−ンル−ム内に侵
入し、このパ−ティクルの侵入に伴って、クリ−ンル−
ム内に置かれている被処理体、例えば半導体ウエハの表
面に付着してしまい、被処理体の歩留りを低下させてし
まうという問題が生じていた。また、記録媒体の交換の
ため何度かクリ−ンル−ムとメンテナンスル−ムを行き
来しなくてはならないので、媒体交換作業の作業時間の
スル−プットの効率が悪かった。
【0008】また、装置が大型化、複合化に伴って、装
置内のどの箇所で、現在被処理体がどういう処理を行な
われているのか、又は如何なる箇所に半導体ウエハが移
動しているのか等の表示がされておらず、例えば装置内
でトラブル、例えば搬送装置が暴走し、半導体ウエハを
破損した際、どこで破損したか分からないために、それ
ぞれの部屋を大気開放して、対処していた。このような
対処をすると、半導体ウエハが破損していない部屋まで
開けるので大気開放に係るメンテナンス時間のスル−プ
ットが低下してしまい、さらに処理室等に不要なクリ−
ンル−ム中のパ−ティクルが付着し、処理室内等の洗浄
する時期を伸ばすことができないという問題があった。
置内のどの箇所で、現在被処理体がどういう処理を行な
われているのか、又は如何なる箇所に半導体ウエハが移
動しているのか等の表示がされておらず、例えば装置内
でトラブル、例えば搬送装置が暴走し、半導体ウエハを
破損した際、どこで破損したか分からないために、それ
ぞれの部屋を大気開放して、対処していた。このような
対処をすると、半導体ウエハが破損していない部屋まで
開けるので大気開放に係るメンテナンス時間のスル−プ
ットが低下してしまい、さらに処理室等に不要なクリ−
ンル−ム中のパ−ティクルが付着し、処理室内等の洗浄
する時期を伸ばすことができないという問題があった。
【0009】本発明の目的は、真空処理室や容器載置室
の配置のレイアウトの自由度を向上させるとともに、装
置のメンテナンス効率を向上させる真空処理装置を提供
することにある。
の配置のレイアウトの自由度を向上させるとともに、装
置のメンテナンス効率を向上させる真空処理装置を提供
することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、気密
構造の搬送室と、この搬送室に搬出入口を介して気密に
接続された予備室と、前記搬送室に搬出入口を介して気
密に接続された複数の真空処理室と、前記搬送室内に設
けられると共に各々独立して水平方向に回動される少な
くとも3本のアームよりなる多関節型搬送アームを備
え、前記予備室及び真空処理室間で被処理体を搬送する
ための搬送手段と、前記搬送室と予備室との間の搬出入
口及び前記搬送室と真空処理室との間の搬出入口を夫々
開閉するゲートバルブと、前記搬送室、予備室、真空処
理室、搬送アーム及びゲートバルブを含む平面的なレイ
アウトが表示され、搬送アームが被処理体を保持してい
るかまたはいかなる位置に移動中であるかの情報をリア
ルタイムで表示するために搬送アームが実際に移動して
いれば搬送アームの表示もその移動に伴って変化し、ゲ
ートバルブの開閉状態に応じてゲートバルブの表示が変
化するように構成された表示装置と、を備えたことを特
徴とする。
構造の搬送室と、この搬送室に搬出入口を介して気密に
接続された予備室と、前記搬送室に搬出入口を介して気
密に接続された複数の真空処理室と、前記搬送室内に設
けられると共に各々独立して水平方向に回動される少な
くとも3本のアームよりなる多関節型搬送アームを備
え、前記予備室及び真空処理室間で被処理体を搬送する
ための搬送手段と、前記搬送室と予備室との間の搬出入
口及び前記搬送室と真空処理室との間の搬出入口を夫々
開閉するゲートバルブと、前記搬送室、予備室、真空処
理室、搬送アーム及びゲートバルブを含む平面的なレイ
アウトが表示され、搬送アームが被処理体を保持してい
るかまたはいかなる位置に移動中であるかの情報をリア
ルタイムで表示するために搬送アームが実際に移動して
いれば搬送アームの表示もその移動に伴って変化し、ゲ
ートバルブの開閉状態に応じてゲートバルブの表示が変
化するように構成された表示装置と、を備えたことを特
徴とする。
【0011】表示装置は、各真空処理室にてどのレシピ
のいかなるステップで処理中であるかを表示することが
好ましい。例えば前記複数の真空処理室には、少なくと
もプラズマを生起させ、磁場を作用して前記被処理体を
エッチング処理する処理室を含む。
のいかなるステップで処理中であるかを表示することが
好ましい。例えば前記複数の真空処理室には、少なくと
もプラズマを生起させ、磁場を作用して前記被処理体を
エッチング処理する処理室を含む。
【0012】
【作用】本発明によれば、搬送ア−ムによる被処理体の
搬送経路をア−ムのストロ−ク範囲であれば自由に選択
できる。従って真空処理室の搬出入口や予備真空室例え
ば容器載置室の搬出入口の向きと搬送ア−ムとの位置関
係の自由度が大きいので、例えば搬送室の一辺に沿って
真空処理室の搬出入口を横に並べることもでき、スペ−
ス効率を高めることができる。そして表示装置の画面に
被処理体の移動の様子がリアルタイムで表示されるの
で、例えば装置内でトラブル、例えば搬送装置が暴走
し、半導体ウエハを破損した際、明確に作業員が確認す
ることができ、処理の確認の明確化の向上及びトラブル
等に対するメンテナンス時間のスル−プットを向上する
ことができる。
搬送経路をア−ムのストロ−ク範囲であれば自由に選択
できる。従って真空処理室の搬出入口や予備真空室例え
ば容器載置室の搬出入口の向きと搬送ア−ムとの位置関
係の自由度が大きいので、例えば搬送室の一辺に沿って
真空処理室の搬出入口を横に並べることもでき、スペ−
ス効率を高めることができる。そして表示装置の画面に
被処理体の移動の様子がリアルタイムで表示されるの
で、例えば装置内でトラブル、例えば搬送装置が暴走
し、半導体ウエハを破損した際、明確に作業員が確認す
ることができ、処理の確認の明確化の向上及びトラブル
等に対するメンテナンス時間のスル−プットを向上する
ことができる。
【0013】
【実施例】図1及び図2は、夫々本発明の実施例の全体
構成を示す一部破断斜視図及び平面図である。図中2は
搬送室であり、この搬送室2は、直方体形状に形成され
た気密構造のチャンバよりなる。この搬送室2には、一
方の長辺に沿って設けられた、被処理体、例えばウエハ
Wを搬入出する2個の搬出入口31、31が側壁に形成
されており、ウエハカセットCが載置される気密構造の
2個のカセット室3A、3Bが夫々前記搬出入口31、
31を介して搬送室2に気密に接続されている。
構成を示す一部破断斜視図及び平面図である。図中2は
搬送室であり、この搬送室2は、直方体形状に形成され
た気密構造のチャンバよりなる。この搬送室2には、一
方の長辺に沿って設けられた、被処理体、例えばウエハ
Wを搬入出する2個の搬出入口31、31が側壁に形成
されており、ウエハカセットCが載置される気密構造の
2個のカセット室3A、3Bが夫々前記搬出入口31、
31を介して搬送室2に気密に接続されている。
【0014】前記ウエハカセット(以下単にカセットと
いう。)Cは、25枚のウエハWを収納する容器であ
り、カセット室3A、3Bは、この実施例では容器載置
部に相当する。カセット室3A、3Bの上部には、カセ
ットCを取り入れ、取り出しできるように前後に開閉自
在な蓋部32が形成されると共に、内部には図3に示す
ように、カセットCを間欠的に昇降させるための昇降機
構33が設けられ、また底部には排気管34が接続され
ている。この排気管34はバルブV1を介して真空ポン
プ34a例えばドライポンプに接続されている。
いう。)Cは、25枚のウエハWを収納する容器であ
り、カセット室3A、3Bは、この実施例では容器載置
部に相当する。カセット室3A、3Bの上部には、カセ
ットCを取り入れ、取り出しできるように前後に開閉自
在な蓋部32が形成されると共に、内部には図3に示す
ように、カセットCを間欠的に昇降させるための昇降機
構33が設けられ、また底部には排気管34が接続され
ている。この排気管34はバルブV1を介して真空ポン
プ34a例えばドライポンプに接続されている。
【0015】更に前記搬送室2には、他方の長辺に沿っ
て2個のウエハの搬出入口41、41が側壁に形成され
ており、これら搬出入口41、41を介して2個の真空
処理室、例えばマグネットを用いたプラズマエッチング
を行うための真空処理室4A、4Bが搬送室2に気密に
接続されている。またこの例では、搬送室2の短辺側に
も真空処理室4Cが搬出入口41を介して気密に接続さ
れている。なおカセット室3A、3Bの各搬出入口3
1、及び真空処理室4A〜4Cの各搬出入口には、ゲ−
トバルブG(符号共通)が設けられている。
て2個のウエハの搬出入口41、41が側壁に形成され
ており、これら搬出入口41、41を介して2個の真空
処理室、例えばマグネットを用いたプラズマエッチング
を行うための真空処理室4A、4Bが搬送室2に気密に
接続されている。またこの例では、搬送室2の短辺側に
も真空処理室4Cが搬出入口41を介して気密に接続さ
れている。なおカセット室3A、3Bの各搬出入口3
1、及び真空処理室4A〜4Cの各搬出入口には、ゲ−
トバルブG(符号共通)が設けられている。
【0016】前記真空処理室4A(4B、4C)には、
図3に示すようにサセプタを兼用する下部電極42、上
部電極43が設けられると共に処理ガス供給管44及び
排気管45が接続されている。上部電極43の上方に
は、マグネット収納用の磁場漏洩防止用の筐体46が真
空処理室とは分割されて設けられており、この中には真
空処理室4A(4B、4C)内に磁場を形成するマグネ
ット47及びこのマグネット47の上方に磁場極性が互
いに反するように設けられた、前記マグネット47から
の磁場、特に上方及び側方に磁場の漏洩を防止するため
の磁場漏洩防止用のマグネット48とがモ−タ49で同
期して回転されるように配設されている。前記搬送室2
内には、前記カセット室3A、3B及び真空処理室4A
〜4C間でウエハWを搬送するための搬送手段5が設け
られている。前記搬送手段5は、各々独立して水平方向
に回動される3本のアーム51、52、53を備えた多
関節型アームよりなり、下段のアーム51は、図3に示
すように搬送室の下部に設けられた駆動部6によって回
転可能にされており、この駆動部6は、気密構造の円筒
状のケ−ス部65が取り付けられ、ケ−ス部65内の空
間は大気側と気密に区画されている。
図3に示すようにサセプタを兼用する下部電極42、上
部電極43が設けられると共に処理ガス供給管44及び
排気管45が接続されている。上部電極43の上方に
は、マグネット収納用の磁場漏洩防止用の筐体46が真
空処理室とは分割されて設けられており、この中には真
空処理室4A(4B、4C)内に磁場を形成するマグネ
ット47及びこのマグネット47の上方に磁場極性が互
いに反するように設けられた、前記マグネット47から
の磁場、特に上方及び側方に磁場の漏洩を防止するため
の磁場漏洩防止用のマグネット48とがモ−タ49で同
期して回転されるように配設されている。前記搬送室2
内には、前記カセット室3A、3B及び真空処理室4A
〜4C間でウエハWを搬送するための搬送手段5が設け
られている。前記搬送手段5は、各々独立して水平方向
に回動される3本のアーム51、52、53を備えた多
関節型アームよりなり、下段のアーム51は、図3に示
すように搬送室の下部に設けられた駆動部6によって回
転可能にされており、この駆動部6は、気密構造の円筒
状のケ−ス部65が取り付けられ、ケ−ス部65内の空
間は大気側と気密に区画されている。
【0017】そして、前記ケ−ス部65には、排気管3
6が接続され、この排気管36は、バルブV2を介して
前記真空ポンプ35例えばタ−ボ分子ポンプに接続され
ている。従ってバルブV2を開くと、ケ−ス部65の内
部空間が真空排気され、前記搬送室2内も駆動部6の軸
受け部(図示せず)を介して排気されるように構成さ
れ、前記3本のア−ム51〜53の軸受け部等で発生し
たパ−ティクルがケ−ス部65の内部空間を介して排気
管36内に排出されるように構成されている。また、前
記駆動部6は、前記3本のア−ム51〜53に対応して
3個の駆動モ−タ(図示せず)を備えており、駆動部6
の駆動により上段及び中段のア−ム52、53が独立し
て駆動されるように構成されている。
6が接続され、この排気管36は、バルブV2を介して
前記真空ポンプ35例えばタ−ボ分子ポンプに接続され
ている。従ってバルブV2を開くと、ケ−ス部65の内
部空間が真空排気され、前記搬送室2内も駆動部6の軸
受け部(図示せず)を介して排気されるように構成さ
れ、前記3本のア−ム51〜53の軸受け部等で発生し
たパ−ティクルがケ−ス部65の内部空間を介して排気
管36内に排出されるように構成されている。また、前
記駆動部6は、前記3本のア−ム51〜53に対応して
3個の駆動モ−タ(図示せず)を備えており、駆動部6
の駆動により上段及び中段のア−ム52、53が独立し
て駆動されるように構成されている。
【0018】また、前記上段のア−ム53のウエハ保持
部には、例えばウエハを安定して保持できる3個所の位
置に、摩擦によりパ−ティクルの発生しにくい材質例え
ばフッ素樹脂よりなる突起部55が設けられており、こ
のように構成すればウエハをア−ム53に保持したとき
にウエハの位置ずれを防止でき、ウエハ自身のダメ−ジ
もない。
部には、例えばウエハを安定して保持できる3個所の位
置に、摩擦によりパ−ティクルの発生しにくい材質例え
ばフッ素樹脂よりなる突起部55が設けられており、こ
のように構成すればウエハをア−ム53に保持したとき
にウエハの位置ずれを防止でき、ウエハ自身のダメ−ジ
もない。
【0019】前記搬送室2には排気管21が接続されて
おり、この排気管21はバルブV3を介して前記真空ポ
ンプ35に接続されている。また前記搬送室2内には、
ウエハWを一時的に載置するための昇降自在なバッファ
ステ−ジ22と、ウエハのオリエンテ−ションフラット
(以下「オリフラ」という。)の向き及び中心位置を合
わせるための位置合わせ機構7とが配置されている(図
1及び図2参照)。この位置合わせ機構7は、X、Y、
Z及びθ方向に移動可能な回転ステ−ジ71、及びウエ
ハの周縁部を光学的に検出する発受光部72などを備え
ている。
おり、この排気管21はバルブV3を介して前記真空ポ
ンプ35に接続されている。また前記搬送室2内には、
ウエハWを一時的に載置するための昇降自在なバッファ
ステ−ジ22と、ウエハのオリエンテ−ションフラット
(以下「オリフラ」という。)の向き及び中心位置を合
わせるための位置合わせ機構7とが配置されている(図
1及び図2参照)。この位置合わせ機構7は、X、Y、
Z及びθ方向に移動可能な回転ステ−ジ71、及びウエ
ハの周縁部を光学的に検出する発受光部72などを備え
ている。
【0020】また前記搬送室2内には、図1及び図2に
示すように不活性ガス例えば窒素ガスを供給するための
不活性ガス供給管23が前記下段のア−ム51の回動中
心付近の上方位置まで延び出して配管されており、この
不活性ガス供給管23の先端部には、例えば焼結金属よ
りなる不活性ガス供給部24が形成されており、前記不
活性ガス供給管23の基端側は例えば窒素ガス供給源2
5に接続されている。そして、前記搬送室2,真空処理
室4A〜4C及びカセット室3A,3B等の室は、図4
に示す、筐体80に覆われており、この筐体80はクリ
−ンル−ム内に配置されている。そして、この筐体80
の殆どは、装置の保守を行なうためのクリ−ン度の低い
メンテナンスル−ムに配置されており、このメンテナン
スル−ムとクリ−ンル−ムの最もクリ−ン度の高い側、
つまり、作業者が処理すべきウエハWを配置する側とし
ての作業用クリ−ンル−ムとは、パネル81で仕切られ
ている。そして、その作業用クリ−ンル−ム側の筐体8
0面側には、前記カセット室3A,3Bにカセットを搬
入出するための蓋部32が配置するようにされている、
そしてその蓋部32を覆って、メンテナンスル−ムと作
業用クリ−ンル−ムとを遮断するための板体、例えばア
クリル板82が筐体80に脱着可能に設けられている。
また、このアクリル板82の側方には、装置を駆動する
ための制御盤として操作パネル83が設けられており、
この操作パネル83には、装置状態を表示するための表
示装置、例えば液晶ディスプレイ84,処理条件等を入
力するためのキ−ボ−ド85,記録媒体、例えばICカ
−ドを挿入するための読込媒体器としての記録媒体挿入
部86とが設けられている。また、操作パネル83の下
方には、緊急時に装置を停止するためのEMG(エマ−
ジェンシ−)スイッチ87が設けられている。
示すように不活性ガス例えば窒素ガスを供給するための
不活性ガス供給管23が前記下段のア−ム51の回動中
心付近の上方位置まで延び出して配管されており、この
不活性ガス供給管23の先端部には、例えば焼結金属よ
りなる不活性ガス供給部24が形成されており、前記不
活性ガス供給管23の基端側は例えば窒素ガス供給源2
5に接続されている。そして、前記搬送室2,真空処理
室4A〜4C及びカセット室3A,3B等の室は、図4
に示す、筐体80に覆われており、この筐体80はクリ
−ンル−ム内に配置されている。そして、この筐体80
の殆どは、装置の保守を行なうためのクリ−ン度の低い
メンテナンスル−ムに配置されており、このメンテナン
スル−ムとクリ−ンル−ムの最もクリ−ン度の高い側、
つまり、作業者が処理すべきウエハWを配置する側とし
ての作業用クリ−ンル−ムとは、パネル81で仕切られ
ている。そして、その作業用クリ−ンル−ム側の筐体8
0面側には、前記カセット室3A,3Bにカセットを搬
入出するための蓋部32が配置するようにされている、
そしてその蓋部32を覆って、メンテナンスル−ムと作
業用クリ−ンル−ムとを遮断するための板体、例えばア
クリル板82が筐体80に脱着可能に設けられている。
また、このアクリル板82の側方には、装置を駆動する
ための制御盤として操作パネル83が設けられており、
この操作パネル83には、装置状態を表示するための表
示装置、例えば液晶ディスプレイ84,処理条件等を入
力するためのキ−ボ−ド85,記録媒体、例えばICカ
−ドを挿入するための読込媒体器としての記録媒体挿入
部86とが設けられている。また、操作パネル83の下
方には、緊急時に装置を停止するためのEMG(エマ−
ジェンシ−)スイッチ87が設けられている。
【0021】前記記録媒体挿入部86は、図5に示すよ
うに、制御盤としての操作パネル83には、ICカ−ド
90の記録素子、例えばROM91に記憶されている装
置の制御プログラムを読込む読込媒体器本体92の記憶
媒体挿入部としてのICカ−ド挿入部86が設けてあ
り、その読込媒体器本体92は、前記操作パネル83に
読込媒体器本体92の取り付け金具93をネジ94で締
めつけて取り付けられている。そして、ICカ−ド90
の制御プログラムは、一旦読込媒体器本体92を経由
し、CPU97に制御されたEEPROM98に接続ケ
−ブル96を介して読み込まれる。
うに、制御盤としての操作パネル83には、ICカ−ド
90の記録素子、例えばROM91に記憶されている装
置の制御プログラムを読込む読込媒体器本体92の記憶
媒体挿入部としてのICカ−ド挿入部86が設けてあ
り、その読込媒体器本体92は、前記操作パネル83に
読込媒体器本体92の取り付け金具93をネジ94で締
めつけて取り付けられている。そして、ICカ−ド90
の制御プログラムは、一旦読込媒体器本体92を経由
し、CPU97に制御されたEEPROM98に接続ケ
−ブル96を介して読み込まれる。
【0022】更に、CPU97がこのEEPROMに読
み込まれた制御プログラムに依り、装置全体の制御を行
なう。
み込まれた制御プログラムに依り、装置全体の制御を行
なう。
【0023】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずゲ−トバルブGを閉じて搬送室2及び真空処理室4A
〜4C内を夫々真空排気する。搬送室2内の真空排気初
期時(粗引き時)には、バルブV2を開いて真空ポンプ
35により排気管36を介してケ−ス部65内を真空排
気すると共に、不活性ガス供給管23より不活性ガス供
給部24を介して不活性ガス例えば窒素ガスを搬送室2
内に供給する。これにより搬送室2内の気体が排気管2
1からの経路に加えて、回転軸61の軸受け部→ケ−ス
部65→排気管36の経路で排気される。そして搬送室
2内がある程度減圧された後バルブV2を閉じ、その後
は排気管21を通じて例えば50〜900mTorrの
真空度まで減圧する。
ずゲ−トバルブGを閉じて搬送室2及び真空処理室4A
〜4C内を夫々真空排気する。搬送室2内の真空排気初
期時(粗引き時)には、バルブV2を開いて真空ポンプ
35により排気管36を介してケ−ス部65内を真空排
気すると共に、不活性ガス供給管23より不活性ガス供
給部24を介して不活性ガス例えば窒素ガスを搬送室2
内に供給する。これにより搬送室2内の気体が排気管2
1からの経路に加えて、回転軸61の軸受け部→ケ−ス
部65→排気管36の経路で排気される。そして搬送室
2内がある程度減圧された後バルブV2を閉じ、その後
は排気管21を通じて例えば50〜900mTorrの
真空度まで減圧する。
【0024】一方作業クリ−ンル−ム側からカセット室
3A、3Bの蓋32を開き、被処理体であるウエハWを
25枚収納した容器としてのカセットCをウエハWが水
平になる姿勢で例えば一方のカセット室3A(搬入用カ
セット室3A)内の昇降機構33上に例えばオペレ−タ
(作業員又はAGV等のロボット)により載置すると共
に、他方のカセット室3B(搬出用カセット室3B)内
に空のカセットCを載置し、蓋32を閉じてカセット室
3A、3B内を搬送室2内と同じ程度の真空度まで真空
排気した後、カセット室3A、3Bのゲ−トバルブGを
開く。次いで搬送手段5のア−ム51が搬出入口31を
介してカセット室3AのカセットC内に進入し、ウエハ
Wを受け取る。この場合、昇降機構33を間欠的に降下
させてカセットCから1枚づつウエハWから搬出され、
ウエハWは、ア−ム53の先端部の保持部の3つの突起
部54により保持される。
3A、3Bの蓋32を開き、被処理体であるウエハWを
25枚収納した容器としてのカセットCをウエハWが水
平になる姿勢で例えば一方のカセット室3A(搬入用カ
セット室3A)内の昇降機構33上に例えばオペレ−タ
(作業員又はAGV等のロボット)により載置すると共
に、他方のカセット室3B(搬出用カセット室3B)内
に空のカセットCを載置し、蓋32を閉じてカセット室
3A、3B内を搬送室2内と同じ程度の真空度まで真空
排気した後、カセット室3A、3Bのゲ−トバルブGを
開く。次いで搬送手段5のア−ム51が搬出入口31を
介してカセット室3AのカセットC内に進入し、ウエハ
Wを受け取る。この場合、昇降機構33を間欠的に降下
させてカセットCから1枚づつウエハWから搬出され、
ウエハWは、ア−ム53の先端部の保持部の3つの突起
部54により保持される。
【0025】次に、ア−ム53はカセットCから受け取
ったウエハWを位置合わせ機構7の回転ステ−ジ71上
に載置して、例えば発受光部72によりウエハWの周縁
を検出し、その結果にもとづき回転ステ−ジ71を動か
してウエハWのオリフラの向き及び中心の位置合わせを
行う。続いてこのウエハWを搬送手段5により搬出入口
41を介して例えば真空処理室4A内に搬入する。真空
処理室4A内では、サセプタ42に組み合わされた図示
しない昇降ピンの昇降動作を介してウエハWがサセプタ
42上に載置され、サセプタ42及び上部電極43間の
高周波電力とマグネット47の磁場とのエネルギ−によ
り得られたプラズマによってエッチングされる。
ったウエハWを位置合わせ機構7の回転ステ−ジ71上
に載置して、例えば発受光部72によりウエハWの周縁
を検出し、その結果にもとづき回転ステ−ジ71を動か
してウエハWのオリフラの向き及び中心の位置合わせを
行う。続いてこのウエハWを搬送手段5により搬出入口
41を介して例えば真空処理室4A内に搬入する。真空
処理室4A内では、サセプタ42に組み合わされた図示
しない昇降ピンの昇降動作を介してウエハWがサセプタ
42上に載置され、サセプタ42及び上部電極43間の
高周波電力とマグネット47の磁場とのエネルギ−によ
り得られたプラズマによってエッチングされる。
【0026】カセットC内のウエハWは、上述のような
搬送工程により例えば各真空処理室3A〜3Cに分配さ
れ、並行して真空処理、例えばプラズマエッチングが行
われる。処理済みのウエハWは搬送手段5により例えば
他方のカセット室3BのカセットC内に受け渡される
が、次に処理されるべきウエハWは、真空処理室3A〜
3Cで処理が行われている間に位置合わせを行ってバッ
ファステ−ジ22上で待機している。
搬送工程により例えば各真空処理室3A〜3Cに分配さ
れ、並行して真空処理、例えばプラズマエッチングが行
われる。処理済みのウエハWは搬送手段5により例えば
他方のカセット室3BのカセットC内に受け渡される
が、次に処理されるべきウエハWは、真空処理室3A〜
3Cで処理が行われている間に位置合わせを行ってバッ
ファステ−ジ22上で待機している。
【0027】そして搬送手段5が駆動されている間はバ
ルブV2を開いてケ−ス部65内を真空排気して既述の
ように軸受け部より吸引すると共に不活性ガス供給部2
4より例えば窒素ガスを搬送室2内に供給する。この不
活性ガス供給部24は搬送手段5の回転軸61の上方付
近にあるため、前記窒素ガスは主として軸受け部より既
述の経路でケ−ス部65内に流れ込む。
ルブV2を開いてケ−ス部65内を真空排気して既述の
ように軸受け部より吸引すると共に不活性ガス供給部2
4より例えば窒素ガスを搬送室2内に供給する。この不
活性ガス供給部24は搬送手段5の回転軸61の上方付
近にあるため、前記窒素ガスは主として軸受け部より既
述の経路でケ−ス部65内に流れ込む。
【0028】また、前述の装置のステ−タス情報は、図
6に示すように、表示装置84に表示されており、搬送
装置5のア−ム51,52,53の情報は、図中の20
0で示すように表示されている。さらに、そのア−ム5
1,52,53でウエハWを保持しているか、或いはウ
エハWをいかなる位置に移動中であるか等の情報をリア
ルタイムで表示している。つまり、ア−ム51,52,
53が実際に移動していれば、ア−ムの表示200もそ
の移動に伴って、表示も変化する。
6に示すように、表示装置84に表示されており、搬送
装置5のア−ム51,52,53の情報は、図中の20
0で示すように表示されている。さらに、そのア−ム5
1,52,53でウエハWを保持しているか、或いはウ
エハWをいかなる位置に移動中であるか等の情報をリア
ルタイムで表示している。つまり、ア−ム51,52,
53が実際に移動していれば、ア−ムの表示200もそ
の移動に伴って、表示も変化する。
【0029】また、それぞれの室間に配置したゲ−トバ
ルブGの開閉状態も図中の201(開放状態)及び20
2(閉じた状態)等も表示される。さらに、処理室4A
〜4Cのマグネット47(図中の203)の回転も図中
204のマ−カ−で回転中或いは停止しているのかを明
確に判断できるよう表示されている。さらに、それぞれ
の処理室4A〜4CでウエハWをどのレシピ−のいかな
るステップで処理中であるかも表示(図中205)され
ている。これによって、作業側クリ−ンル−ムにいるオ
ペレ−タは、メンテナンスル−ムに行かなくても、一目
で装置の処理状態を明確に確認できることになる。
ルブGの開閉状態も図中の201(開放状態)及び20
2(閉じた状態)等も表示される。さらに、処理室4A
〜4Cのマグネット47(図中の203)の回転も図中
204のマ−カ−で回転中或いは停止しているのかを明
確に判断できるよう表示されている。さらに、それぞれ
の処理室4A〜4CでウエハWをどのレシピ−のいかな
るステップで処理中であるかも表示(図中205)され
ている。これによって、作業側クリ−ンル−ムにいるオ
ペレ−タは、メンテナンスル−ムに行かなくても、一目
で装置の処理状態を明確に確認できることになる。
【0030】また、前述の装置を駆動するプログラムの
バ−ジョンアップ,変更,機能追加等に伴って、そのプ
ログラムの交換は、作業員が作業側クリ−ンル−ム内か
ら図5に示すように、ICカ−ド90を読込媒体本体9
2の記録媒体挿入部86に差し込んで、その後、装置を
リセット、例えばCPU97をリセットしたり、電源リ
セットし、差し込んだICカ−ド90のプログラムによ
って、CPU97を駆動することによって、プログラム
の変更を行なう。
バ−ジョンアップ,変更,機能追加等に伴って、そのプ
ログラムの交換は、作業員が作業側クリ−ンル−ム内か
ら図5に示すように、ICカ−ド90を読込媒体本体9
2の記録媒体挿入部86に差し込んで、その後、装置を
リセット、例えばCPU97をリセットしたり、電源リ
セットし、差し込んだICカ−ド90のプログラムによ
って、CPU97を駆動することによって、プログラム
の変更を行なう。
【0031】上述の実施例によれば、搬送室2内に、各
々独立して水平に移動自在な3本のアーム51〜53よ
りなる多関節型搬送アームよりなる搬送手段5を設けて
いるため、搬送手段5の水平姿勢のとり得る自由度が大
きく、ア−ム51〜53によるウエハの搬送経路をア−
ムのストロ−ク範囲内であれば自由に選択できる。従っ
て真空処理室4A〜4Cの夫々の搬出入口41及びカセ
ット室3A、3Bの夫々の搬出入口31の向きと搬送手
段5との位置関係の自由度が大きいので、搬送室2を直
方体形状に形成し、その一辺に沿って真空処理室4A、
4Bの搬出入口41、41を並べると共に、カセット室
3A、3Bの搬出入口31、31を並べることができ
る。このことは換言すれば、搬送室2の形状、真空処理
室4A〜4C及びカセット室3A、3Bの配置のレイア
ウトの自由度が大きいことであり、四角形の搬送室2の
周りに上述のように真空処理室4A〜4C及びカセット
室3A、3Bを配置することにより、搬送手段の回転中
心に対して放射状に真空処理室やカセット室を放射状に
並べていた場合に比べて、装置の配置スペ−スが狭くて
済み、複数の真空処理室を組み合わせた装置を高価なク
リ−ンル−ム内に設置するにあたって非常に有効であ
る。更に各室の配置のレイアウトの自由度が大きいこと
から搬送距離を短くすることもできるため、スル−プッ
トの向上が図れるまた、前述の装置を駆動するプログラ
ムのバ−ジョンアップ,変更,機能追加等に伴うプログ
ラムの交換は、作業員が作業側クリ−ンル−ム内からI
Cカ−ドを読込媒体本体92の記録媒体挿入部86に差
し込んで、その後、装置をリセット、例えばCPU97
をリセットしたり、電源リセットし、差し込んだICカ
−ド90のプログラムによって、CPU97を駆動する
ことによって、プログラムの変更を行なうことができる
ので、作業員はメンテナンスル−ム側に、いちいち移動
しなくてもよいので、クリ−ンル−ムとメンテナンスル
−ムを行き来する際の、メンテナンスル−ムからのパ−
ティクルがクリ−ンル−ム内に侵入するのを抑制でき
る。そして、このパ−ティクルの侵入を抑制することが
できるので、パ−ティクルがクリ−ンル−ム内に置かれ
ている被処理体、例えば半導体ウエハの表面に付着する
のを抑制することができる。また、媒体交換作業の作業
時間のスル−プットの効率も向上することができる。
々独立して水平に移動自在な3本のアーム51〜53よ
りなる多関節型搬送アームよりなる搬送手段5を設けて
いるため、搬送手段5の水平姿勢のとり得る自由度が大
きく、ア−ム51〜53によるウエハの搬送経路をア−
ムのストロ−ク範囲内であれば自由に選択できる。従っ
て真空処理室4A〜4Cの夫々の搬出入口41及びカセ
ット室3A、3Bの夫々の搬出入口31の向きと搬送手
段5との位置関係の自由度が大きいので、搬送室2を直
方体形状に形成し、その一辺に沿って真空処理室4A、
4Bの搬出入口41、41を並べると共に、カセット室
3A、3Bの搬出入口31、31を並べることができ
る。このことは換言すれば、搬送室2の形状、真空処理
室4A〜4C及びカセット室3A、3Bの配置のレイア
ウトの自由度が大きいことであり、四角形の搬送室2の
周りに上述のように真空処理室4A〜4C及びカセット
室3A、3Bを配置することにより、搬送手段の回転中
心に対して放射状に真空処理室やカセット室を放射状に
並べていた場合に比べて、装置の配置スペ−スが狭くて
済み、複数の真空処理室を組み合わせた装置を高価なク
リ−ンル−ム内に設置するにあたって非常に有効であ
る。更に各室の配置のレイアウトの自由度が大きいこと
から搬送距離を短くすることもできるため、スル−プッ
トの向上が図れるまた、前述の装置を駆動するプログラ
ムのバ−ジョンアップ,変更,機能追加等に伴うプログ
ラムの交換は、作業員が作業側クリ−ンル−ム内からI
Cカ−ドを読込媒体本体92の記録媒体挿入部86に差
し込んで、その後、装置をリセット、例えばCPU97
をリセットしたり、電源リセットし、差し込んだICカ
−ド90のプログラムによって、CPU97を駆動する
ことによって、プログラムの変更を行なうことができる
ので、作業員はメンテナンスル−ム側に、いちいち移動
しなくてもよいので、クリ−ンル−ムとメンテナンスル
−ムを行き来する際の、メンテナンスル−ムからのパ−
ティクルがクリ−ンル−ム内に侵入するのを抑制でき
る。そして、このパ−ティクルの侵入を抑制することが
できるので、パ−ティクルがクリ−ンル−ム内に置かれ
ている被処理体、例えば半導体ウエハの表面に付着する
のを抑制することができる。また、媒体交換作業の作業
時間のスル−プットの効率も向上することができる。
【0032】また、装置が大型化、複合化しても、装置
内のどの箇所で、現在被処理体がどういう処理を行なわ
れているのか、又は如何なる箇所に半導体ウエハWが移
動しているのか等の表示が、図6に示す、表示装置84
の画面にリアルタイムで表示されるので、例えば装置内
でトラブル、例えば搬送装置が暴走し、半導体ウエハを
破損した際、明確に作業員が確認することができるの
で、処理の確認の明確化の向上及びトラブル等に対する
メンテナンス時間のスル−プットを向上することができ
る。
内のどの箇所で、現在被処理体がどういう処理を行なわ
れているのか、又は如何なる箇所に半導体ウエハWが移
動しているのか等の表示が、図6に示す、表示装置84
の画面にリアルタイムで表示されるので、例えば装置内
でトラブル、例えば搬送装置が暴走し、半導体ウエハを
破損した際、明確に作業員が確認することができるの
で、処理の確認の明確化の向上及びトラブル等に対する
メンテナンス時間のスル−プットを向上することができ
る。
【0033】以上において上述の実施例ではカセット室
3A、3Bが請求項1の発明の予備真空室に相当するも
のであるが、この予備真空室としてはカセット室に限ら
ず、1枚だけのウエハを載置するためのロ−ドロック室
や、搬送手段を備えた別の搬送室であってもよい。そし
て真空処理室としてはマグネットを用いたエッチングを
行う処理室に限らず、プラズマCVD、熱CVD、アッ
シング、スパッタリングなどを行う真空処理室であって
もよいし、各真空処理室にて別々の真空処理を行うよう
にしてもよい。なお被処理体としてはウエハに限らずL
CD基板などであってもよい。また、ICカ−ドの制御
プログラムを、EEPROMに一旦読み込んだが、直
接、演算処理部としてのCPUに接続してもよいことは
言うまでもない。
3A、3Bが請求項1の発明の予備真空室に相当するも
のであるが、この予備真空室としてはカセット室に限ら
ず、1枚だけのウエハを載置するためのロ−ドロック室
や、搬送手段を備えた別の搬送室であってもよい。そし
て真空処理室としてはマグネットを用いたエッチングを
行う処理室に限らず、プラズマCVD、熱CVD、アッ
シング、スパッタリングなどを行う真空処理室であって
もよいし、各真空処理室にて別々の真空処理を行うよう
にしてもよい。なお被処理体としてはウエハに限らずL
CD基板などであってもよい。また、ICカ−ドの制御
プログラムを、EEPROMに一旦読み込んだが、直
接、演算処理部としてのCPUに接続してもよいことは
言うまでもない。
【0034】
【発明の効果】本発明によれば、真空処理室の搬出入口
や予備真空室例えば容器載置室の搬出入口の向きと搬送
ア−ムとの位置関係の自由度が大きいので、例えば搬送
室の一辺に沿って真空処理室の搬出入口を横に並べるこ
ともでき、クリ−ンル−ム内でのスペ−ス効率を高める
ことができ、被処理体の生産効率を向上することができ
る。そして表示装置の画面に被処理体の移動の様子がリ
アルタイムで表示されるので、例えば装置内でトラブ
ル、例えば搬送装置が暴走し、半導体ウエハを破損した
際、明確に作業員が確認することができ、処理の確認の
明確化の向上及びトラブル等に対するメンテナンス時間
のスル−プットを向上することができる。
や予備真空室例えば容器載置室の搬出入口の向きと搬送
ア−ムとの位置関係の自由度が大きいので、例えば搬送
室の一辺に沿って真空処理室の搬出入口を横に並べるこ
ともでき、クリ−ンル−ム内でのスペ−ス効率を高める
ことができ、被処理体の生産効率を向上することができ
る。そして表示装置の画面に被処理体の移動の様子がリ
アルタイムで表示されるので、例えば装置内でトラブ
ル、例えば搬送装置が暴走し、半導体ウエハを破損した
際、明確に作業員が確認することができ、処理の確認の
明確化の向上及びトラブル等に対するメンテナンス時間
のスル−プットを向上することができる。
【図1】本発明の実施例の全体構成を示す一部破断斜視
図である。
図である。
【図2】図1の全体構成を示す平面図である。
【図3】図1の全体構成を示す断面図である。
【図4】図1の作業用クリ−ンル−ムからみた装置の正
面図である。
面図である。
【図5】図1の制御盤の部分破断斜視図である。
【図6】図1の表示装置の表示画面を説明する図であ
る。
る。
【図7】従来の真空処理装置を示す平面図である。
【図8】従来の真空処理装置を示す断面図である。
W 半導体ウエハ(被処理体) 2 搬送室 24 不活性ガス供給部 3A、3B カセット室 31、41 搬出入口 35 真空ポンプ 4A〜4C 真空処理室 5 搬送手段 51〜53 ア−ム 6 駆動部 65 ケ−ス部 80 筐体 83 操作パネル(制御盤) 84 表示装置 90 ICカ−ド 92 読込媒体器 97 CPU(演算処理部) 98 EEPROM
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−304112(JP,A) 特開 平2−239611(JP,A) 特開 昭64−5021(JP,A) 特開 平4−35848(JP,A) 特開 平4−139722(JP,A) 特開 昭62−111430(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/02 H01L 21/302 H01L 21/68
Claims (3)
- 【請求項1】 気密構造の搬送室と、 この搬送室に搬出入口を介して気密に接続された予備室
と、 前記搬送室に搬出入口を介して気密に接続された複数の
真空処理室と、 前記搬送室内に設けられると共に各々独立して水平方向
に回動される少なくとも3本のアームよりなる多関節型
搬送アームを備え、前記予備室及び真空処理室間で被処
理体を搬送するための搬送手段と、前記搬送室と予備室との間の搬出入口及び前記搬送室と
真空処理室との間の搬出入口を夫々開閉するゲートバル
ブと、 前記搬送室、予備室、真空処理室、搬送アーム及びゲー
トバルブを含む平面的なレイアウトが表示され、搬送ア
ームが被処理体を保持しているかまたはいかなる位置に
移動中であるかの情報をリアルタイムで表示するために
搬送アームが実際に移動していれば搬送アームの表示も
その移動に伴って変化し、ゲートバルブの開閉状態に応
じてゲートバルブの表示が変化するように構成された表
示装置と、を備えた ことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項2】 表示装置は、各真空処理室にてどのレシ
ピのいかなるステップで処理中であるかを表示すること
を特徴とする請求項1記載の真空処理装置。 - 【請求項3】 前記複数の真空処理室には、少なくとも
プラズマを生起させ、磁場を作用して前記被処理体をエ
ッチング処理する処理室を含むことを特徴とする請求項
1または2記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32622193A JP3236724B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32622193A JP3236724B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08172034A JPH08172034A (ja) | 1996-07-02 |
JP3236724B2 true JP3236724B2 (ja) | 2001-12-10 |
Family
ID=18185346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32622193A Expired - Fee Related JP3236724B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3236724B2 (ja) |
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CN102668924B (zh) * | 2011-03-17 | 2014-06-04 | 淄博天尧工贸有限公司 | 循环多功能温室大棚 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6960057B1 (en) * | 1998-09-30 | 2005-11-01 | Brooks Automation, Inc. | Substrate transport apparatus |
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JP2003264214A (ja) | 2002-03-07 | 2003-09-19 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置及び真空処理方法 |
US7951262B2 (en) | 2004-06-21 | 2011-05-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
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US7988816B2 (en) | 2004-06-21 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
JP5470002B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2014-04-16 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理装置における表示方法 |
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- 1993-11-30 JP JP32622193A patent/JP3236724B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08172034A (ja) | 1996-07-02 |
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