JP4841035B2 - 真空処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板等の被処理基板に対してドライエッチング等の真空処理を施す真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ＬＣＤ製造プロセスにおいては、被処理基板であるガラス製のＬＣＤ基板に対して、ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等の真空処理が多用されている。
【０００３】
このような真空処理を行う真空処理装置においては、真空に保持されて上記処理を行う真空処理室に隣接して真空予備室が設けられており、被処理基板の搬入出時に真空処理室内の雰囲気変動を極力小さくする構造となっている。
【０００４】
具体的には、例えば、大気側に配置されたカセットとエッチング処理等を行う真空処理室との間に、真空予備室として、大気側と真空側とのインターフェイスの役割を有するロードロック室と、真空中においてロードロック室と真空処理室との間で基板を搬送するための搬送室とが設けられている。
【０００５】
このような真空処理装置においては、真空処理室で処理された後のＬＣＤガラス基板が搬送室に搬出された際に、基板に随伴して残留ガスや反応ガスも搬送室に流入するため、これらガスを置換するために不活性ガス例えばＮ２ガスを搬送室へ流している。従来の真空処理装置においては、搬送室の底部の対角上の隅部にそれぞれＮ２ガス供給口と排気口とを設け、基板の表面および裏面の全面にＮ２ガスを流すようにしている。
【０００６】
一方、ロードロック室においては、基板の位置決め用のポジショナーが設けられている。従来のポジショナーは、特開平６−２４９９６６号公報に示されるように、基板の対角上の隅部に対応する位置に、前進および後退可能に設けられており、これにより基板の対角上の隅部を押さえつけることにより基板の位置決めを行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近時、ＬＣＤガラス基板に対する大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものが要求されており、このような基板の巨大化に合わせて従来のまま真空処理装置の各チャンバーを大型化させると、装置自体が著しく巨大化してしまうため、チャンバーを極力小型化しようという試みがなされている。そのため、基板の存在領域以外のスペースを極力小さくしており、上記搬送室やロードロック室等の真空予備室においても、基板の回りのスペースが極めて小さいものとなっている。
【０００８】
しかしながら、このように基板の回りのスペースが小さい真空予備室に従来と同様に不活性ガスを流してもガス回りが悪いため、基板の表面および裏面の全面に効率よく不活性ガスが供給されず、残留ガスや反応ガス等を不活性ガスで有効に置換することができないという問題がある。
【０００９】
同様に、真空予備室内の位置決めに際しても、そのスペースが極めて小さいため、従来のポジショナーでは対応できなくなりつつある。
【００１０】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、真空予備室のスペースが小さくても被処理基板の全面に対して不活性ガスを供給可能な真空処理装置を提供することを目的とする。また、真空予備室のスペースが小さくても、その中で被処理基板の位置決めを行うことができる真空処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点は、被処理基板に対し、真空中で所定の処理を行う真空処理室と、被処理基板が前記真空処理室に搬入出される過程で被処理基板が一時的に保持される真空予備室と、前記真空予備室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備し、前記不活性ガス供給手段は、前記真空予備室内に保持された被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口を有する不活性ガス供給部を備え、前記真空予備室内で前記被処理基板を載置するバッファと、前記バッファを昇降させる昇降機構とを具備し、前記不活性ガス供給口は、前記真空予備室における被処理基板の搬入位置よりも上方かつ、前記バッファの上昇位置よりも下方にあることを特徴とする真空処理装置を提供する。
【００１２】
この第１の観点において、前記真空予備室を前記真空処理室側から排気するように設けられた排気口を有し、前記不活性ガス供給部は、前記真空予備室内の前記真空処理室と反対側の端部に設けられているように構成することができる。また、前記真空処理室と前記真空予備室との間に、これらの間で被処理基板を搬送するための開口と、この開口を閉じるためのゲートバルブと、このゲートバルブおよびその開閉にともなって駆動される駆動部を囲繞するハウジングとが設けられ、前記排気口は前記ハウジングの下部に設けられているように構成することもできる。
【００１５】
本発明の第２の観点は、被処理基板に対し、真空中で所定の処理を行う真空処理室と、被処理基板が前記真空処理室に搬入出される過程で被処理基板が一時的に保持される真空予備室と、前記真空予備室内で被処理基板を載置するための上下に配設された２台のバッファと、前記真空予備室内で被処理基板の位置合わせを行う位置合わせ機構と、前記バッファを昇降させる昇降機構と、前記真空予備室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備し、前記位置合わせ機構は、被処理基板の各辺を押圧する複数の押圧部材を有し、前記押圧部材により被処理基板の位置合わせを行い、前記昇降機構は、前記２台のバッファを被処理基板の搬入位置と前記押圧部材に対応する高さ位置に移動可能であり、前記不活性ガス供給手段は、前記真空予備室内に保持された被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口を有する不活性ガス供給部を備え、前記不活性ガス供給口は、前記真空予備室における被処理基板の搬入位置よりも上方かつ、前記バッファの上昇位置よりも下方にあることを特徴とする真空処理装置を提供する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について具体的に説明する。
ここでは、真空処理装置としてＬＣＤガラス基板に対して所定のパターンを形成するためのエッチング処理を行なうエッチング装置について説明する。
【００２３】
図１は本実施形態に係るエッチング装置の概略的な外観を示す斜視図、図２はこのエッチング装置の内部を概略的に示す水平断面図、図３は図１のエッチング装置において真空予備室として設けられた搬送室およびロードロック室の内部の構造を示す縦断面図、図４はこれら搬送室およびロードロック室の内部の構造を一部切り欠いて概略的に示す斜視図、図５は搬送室における不活性ガスの流れを示す斜視図、図６はロードロック室のポジショナーを詳細に説明するための斜視図である。
【００２４】
このエッチング装置１００は、真空雰囲気で透明のＬＣＤガラス基板Ｇに対してプラズマエッチング処理を行うエッチング処理室（真空処理室）１０と、このエッチング処理室１０に連設された搬送室２０と、搬送室２０のエッチング処理室１０と反対側に連設されたロードロック室３０とを有している。これら搬送室２０とロードロック室３０とは真空予備室として機能する。
【００２５】
エッチング処理室１０と搬送室２０との間にはこれらの間を開閉可能なゲートバルブ２１を備えた真空ゲート室２２が設けられている。また、搬送室２０とロードロック室３０との間にもゲートバルブ３１を備えた真空ゲート室３２が設けられている。また、ロードロック室３０の搬送室２０と反対側には大気側とロードロック室３０との間を開閉するためのゲートバルブ３５が設けられている。なお、エッチング処理室１０の搬送室２０側には基板Ｇの搬入出用の開口１０ａが設けられており、同様に搬送室２０のエッチング処理室１０側およびロードロック室３０側にはそれぞれ開口２０ａ，２０ｂが設けられており、さらにロードロック室３０の搬送室２０側および大気側にはそれぞれ開口３０ａ，３０ｂが設けられている。また、真空ゲート室２２にはエッチング処理室１０側および搬送室２０側にそれぞれ開口２２ａ，２２ｂが設けられており、真空ゲート室３２には搬送室２０側およびロードロック室３０側にそれぞれ開口３２ａ，３２ｂが設けられている。そして、各室への基板Ｇの搬入出は、各ゲートバルブが開の状態でこれら開口を介して行われる。
【００２６】
また、エッチング装置１００は、図１、図２に示すように、さらに、その全体を制御するメインコントローラ４０と、真空処理室１０を真空排気する真空ポンプ４１と、搬送室２０を真空排気可能な真空ポンプ４２と、ロードロック室３０を真空排気可能な真空ポンプ４３と、エッチング処理室１０に処理ガスを供給する処理ガス供給源４４と、搬送室２０およびロードロック室３０に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源４５とを有している。なお、図１、図３中、参照符号２１ａ，３１ａ，３５ａは、それぞれゲートバルブ２１，３１，３５を開閉するためのシリンダーである。また、図１中、参照符号４８は搬送室２０をメンテナンスするときに使用する踏み台であり、その中に各種電源装置等が収納されている。
【００２７】
上記真空ポンプ４２は、上記真空ゲート室２２の両側壁下部にそれぞれ設けられた排気口２３に接続されており、搬送室２０内を開口２０ａ，２２ｂおよびこれら排気口２３を介して排気する。また、上記真空ポンプ４３は、上記ゲート室３３の両側壁下部にそれぞれ設けられた排気口３３に接続されており、ロードロック室３０内を開口３０ａ，３２ｂおよびこれら排気口３３を介して排気する。
【００２８】
ロードロック室３０のゲートバルブ３５の外側、つまり大気雰囲気には図示しない搬入出ステーションが設けられ、そこに配置された基板収納用のカセットから処理前の基板Ｇがロードロック室３０に搬入され、処理後の基板Ｇはロードロック室３０から搬出されカセットへ収納される。
【００２９】
前記真空処理室１０は、真空ポンプ４１によって排気されることにより所定の真空雰囲気に保持されることが可能であり、その中に載置台１１が配設されており、載置台１１には、基板Ｇを支持するための進退可能な４本の第１の支持ピン１２と、進退および旋回可能な４本の第２の支持ピン１３とが設けられている（図２参照）。この載置台１１は、プラズマを形成するための下部電極として機能し、図示しない上部電極との間に高周波電界を形成し、これにより処理ガス供給源４４から真空処理室１０内に導入された処理ガスのプラズマを形成して基板Ｇに対してエッチング処理を行う。
【００３０】
搬送室２０も、真空処理室と同様、所定の減圧雰囲気に保持されることが可能であり、その際の真空排気は真空ポンプ４２により真空ゲート室２２および排気口２３を介して行われる。この搬送室２０の中には、図２に示すように、真空処理室１０に対する基板Ｇの搬入出およびロードロック室３０に対する基板Ｇの搬入出を行う多関節タイプの搬送機構５０と、基板Ｇを一時保持する１組のバッファ５５と、不活性ガス供給部５７とが設けられている。
【００３１】
搬送機構５０は、図３に示すように、搬送室２０の下方に設けられた駆動部５１に軸を介して連結された第１アーム５２と、第１アーム５２の先端部に回動可能に設けられた第２アーム５３と、第２アーム５３に回動可能に設けられ、基板Ｇを支持するフォーク状の基板支持プレート５４とを有しており、駆動部５１により第１アーム５２、第２アーム５３および基板支持プレート５４を駆動させることにより、基板Ｇを搬送することが可能となっている。
【００３２】
１組のバッファ５５は基板Ｇをその両側面側から支持可能なようにそれぞれ搬送室２０内の両側面側に設けられ、図４に示すようにシリンダ５６により昇降可能となっており、この昇降動作により搬送機構５０の基板支持プレート５４とバッファ５５との間で基板Ｇの受け渡しを行うことができる。特願２０００−２６４２６１に示されるように、バッファ５５で基板Ｇを支持した状態で、搬送機構５０が旋回する。これにより搬送室２０内で基板を回転させる必要がなく、その分搬送室２０を省スペース化することができる。
【００３３】
不活性ガス供給部５７は図３に示すように棒状をなし、図２に示すように搬送室２０内のロードロック室３０側端部の両側面側に２本設けられている。これら不活性ガス供給部５７は、上記不活性ガス供給源４５から置換ガスとして供給された例えばＮ２ガス等の不活性ガスを基板Ｇに向けて供給し、真空ポンプ４２で排気する。この不活性ガスによりエッチング処理後の基板Ｇに随伴して搬送室２０内にもたらされた残留ガスや反応ガスを置換する。不活性ガス供給部５７は、基板Ｇの表面側に不活性ガスを供給する表面側不活性ガス供給口５８と、基板Ｇの裏面側に不活性ガスを供給する裏面側不活性ガス供給口５９とが上下に設けられている。図５に示すように、表面側不活性ガス供給口５８および裏面側不活性ガス供給口５９から吐出された不活性ガスは、それぞれロードロック室３０側の端部から基板Ｇの表面側および裏面側の略全面を通ってエッチング処理室１０側の端部に至り、基板Ｇ周囲の残留ガスや反応ガスをともなって開口２０ａ、２２ｂを経て真空ゲート室２２に至り、その両側の排気口２３を介して排出される。
【００３４】
ロードロック室３０も各処理室および搬送室２０と同様所定の減圧雰囲気に保持されることが可能であり、その際の真空排気は真空ポンプ４３により真空ゲート室３２および排気口３３を介して行われる。このロードロック室３０の中には基板Ｇを一時保持する２組のバッファ６０ａ，６０ｂ（図３，４参照）と、基板Ｇの位置合わせを行うポジショナー７０と、不活性ガス供給部９０とが設けられている。
【００３５】
バッファ６０ａ，６０ｂは上下に配設され、各バッファは基板Ｇをその両側面側から支持可能なようにそれぞれ搬送室２０内の両側面側に設けられている。そして、バッファ６０ａ，６０ｂは、図４に示すようにそれぞれシリンダ６１ａ，６１ｂにより昇降可能となっており、この昇降動作により搬送機構５０の基板支持プレート５４に対する基板Ｇの受け渡しを行うことができるとともに、後述するポジショナー７０による位置合わせ位置に基板Ｇを移動させることができる。
【００３６】
ポジショナー７０は、図２に示すようにロードロック室３０の側壁部３０ｃ，３０ｄの内側に２個ずつ合計４個設けられた押圧部材７１と、開口３０ａ，３０ｂが形成された壁部３０ｅ，３０ｆの内側に２個ずつ合計４個設けられた押圧部材７２とを有している。図３に示すように、これら押圧部材７１，７２は、基板Ｇ搬入出用の開口３０ａ，３０ｂの位置より上方、すなわち基板搬入位置より上方に設けられている。
【００３７】
図６に示すように、ポジショナー７０の押圧部材７１は、筐体８０と、基板Ｇを押圧する押圧子８１と、押圧子８１の基端部がその中をスライドするガイド部８３と、筐体８０の中に設けられたエアシリンダー８２と、エアシリンダー８２の動きを押圧子８１に伝達する伝達部材８９と、押圧子８１と筐体８０の隙間から大気がリークすることを防止する真空シール８４と、筐体８０とロードロック室３０の側壁部との間をシールするシール部材８５とを有している。そして、ロードロック室３０の側壁部と筐体８０内の後壁を貫通する孔部８０ａからセンサーケーブル８６およびエアーが供給される。また、ポジショナー７０の押圧部材７２は、押圧部材７１と同様に、筐体８０、押圧子８１、ガイド部８３、エアシリンダー８２、伝達部材８９および真空シール８４を有している。一方、押圧部材７２の筐体８０の側壁にはフランジ部８８を有する管部材８７が接続されており、この管部材８７はロードロック室３０の側壁部を貫通して設けられている。ロードロック室３０の側壁部とフランジ部８８とはシール部材８８ａでシールされている。そして、この管部材８７を通してセンサーケーブル８６およびエアーが供給される。これら押圧部材７１，７２の筐体８０の大部分はロードロック室３０の壁部の凹所に収容されており、ほぼ押圧子８１のみがロードロック室３０内で進退する。したがって、ロードロック室３０内においてポジショナー７０に必要な空間が小さい。押圧部材７１，７２を完全に壁部の凹所に収容すれば押圧子８１の先端のみがロードロック室３０内で進退することになるのでポジショナー７０に必要な空間をより小さくすることができる。
【００３８】
不活性ガス供給部９０は主に真空雰囲気のロードロック室３０にＮ２等の不活性ガスを供給して大気圧に戻すために用いるものである。この不活性ガス供給部９０は、図２および図３に示すように、ロードロック室３０の大気ゲート室３４側の壁部３０ｆの中央に設けられており、基板Ｇの表面側に不活性ガスを供給する表面側不活性ガス供給口９１と、基板Ｇの裏面側に不活性ガスを供給する裏面側不活性ガス供給口９２とが開口３０ｂを挟んで上下に１箇所ずつ設けられている。表面側不活性ガス供給口９１および裏面側不活性ガス供給口９２から吐出された不活性ガスは、搬送室２０と同様に、それぞれ大気側の端部から基板Ｇの表面側および裏面側の略全面を通って搬送室２０側の端部に至り、基板Ｇ周囲のパーティクルや、残留ガス、反応ガス等をともなって、開口３０ａ、３２ｂを経て真空ゲート室３２に至り、その両側の排気口３３を介して排出される。
【００３９】
次に、以上のように構成される装置の動作について説明する。
まず、ゲートバルブ３５を開にした状態で、ロードロック室３０の大気側に設けられた搬入出ステーション（図示せず）のカセットから大気側の搬送装置（図示せず）により、処理前の基板Ｇをロードロック室３０へ搬入し、上側のバッファ６０ａに基板Ｇを載置する。次いで、大気側のゲートバルブ３５を閉じ、真空ポンプ４３によりロードロック室３０内を排気して、内部を所定の真空度にする。その後、バッファ６０ａに載置された基板Ｇは、シリンダ６１ａによりバッファ６０ａとともに、ポジショナー７０の押圧部材７１，７２に対応する位置まで上昇される。そして、その上昇した位置で各バッファに載置された基板Ｇが位置合わせされる。この際の位置合わせは、押圧部材７１，７２のエアシリンダー８２により、押圧子８１を突出させることにより行う。
【００４０】
その後、搬送室２０およびロードロック室３０間の真空ゲート室３２のゲートバルブ３１を開いた後、搬送機構５０により搬送室２０内に基板Ｇが搬入される。搬送室２０に基板Ｇを搬入した時点でゲートバルブ３１が閉じられる。
【００４１】
次に、ゲートバルブ２１を開にして、搬送機構５０の基板支持プレート５４に支持された基板Ｇをエッチング処理室１０に搬入する。そして、第２の支持ピン１３を載置台上方に突出した状態にして第２の支持ピン１３上に未処理基板Ｇを載置する。その後、基板支持プレート５４はエッチング処理室１０から退避する。次に、処理済み基板Ｇ’は第１の支持ピン１２により未処理基板Ｇの下方に持ち上げられる。搬送機構５０の基板支持プレート５４が再度エッチング処理室１０に進入して処理済み基板Ｇ’を移載し、搬送室２０へ退避する。その後、ゲートバルブ２１を閉じる。この時、エッチング処理室１０では第１の支持ピン１２が突出して未処理基板Ｇを支持し、第２の支持ピン１３が旋回した後、第１の支持ピン１２が降下して未処理基板Ｇが載置台１１に載置され、未処理基板Ｇに対して所定のエッチング処理が行われる。
【００４２】
処理済み基板Ｇ’が搬入された搬送室では、不活性ガス供給部５７から置換ガスとして不活性ガス例えばＮ２ガスを供給するとともに真空ポンプ４２で搬送室２０を排気する。この置換ガスとして供給される不活性ガスにより処理済み基板Ｇ’に随伴して搬送室２０内にもたらされた残留ガスや反応ガスを置換する。その後、ゲートバルブ３１を開にして、搬送機構５０により処理済み基板Ｇ’をロードロック室３０の下側のバッファ６０ｂに載置する。そして、ゲートバルブ３１を閉にして、不活性ガス供給部９０から不活性ガスとしてＮ２ガスを供給することによりロードロック室３０内の圧力を大気圧にする。その後、ゲートバルブ３５を開にして大気側の搬送装置により処理済み基板Ｇ’を下側のバッファ６０ｂから搬入出ステーションのカセットに移載するとともに、未処理基板Ｇをカセットから上側のバッファ６０ａに移載する。この処理動作をカセットに搭載された基板の数だけ繰り返す。
【００４３】
このような処理に際し、搬送室２０では不活性ガス供給部５７は表面側不活性ガス供給口５８および裏面側不活性ガス供給口５９を有しているので、基板の大型化に際して搬送室２０がスペースの小さい（基板Ｇの外周と搬送室２０の側壁との間の隙間が小さい）ものであっても、これら供給口から吐出された不活性ガスを、ロードロック室３０側の端部から基板Ｇの表面側および裏面側の略全面を通ってエッチング処理室１０側の端部に導くことができる。つまり、搬送室２０の圧力は、エッチング処理室１０の圧力と略等しい真空度であり、不活性ガスの流量を大きくすることができないため、置換ガスとしての不活性ガスを供給する不活性ガス供給口が従来のように底部のみにあるような場合には、搬送室２０のスペースが小さいと不活性ガスが回りにくく基板Ｇの全面のガス置換を有効に行えないが、このような構成により、図５に示すように基板Ｇの表面側および裏面側に沿うように不活性ガスを供給することができ、基板Ｇの全面に不活性ガスを供給することができる。したがって、基板Ｇ周囲の残留ガスや反応ガスを、短い時間で確実に排気口２３を介して排出することができる。また、排気口２３を真空ゲート室２２の下方に設けているので、ゲートバルブ２１の可動部で発生したパーティクルは搬送室２０に入り込まず、排気口２３から排出される。同様に、ロードロック室３０でも、不活性ガス供給部９０が表面側不活性ガス供給口９１と裏面側不活性ガス供給口９２とを有しているので、基板Ｇの表面側および裏面側に沿うように不活性ガスを供給することができ、基板Ｇの全面に不活性ガスを供給することができる。また、不活性ガス供給時にパーティクルが基板Ｇの上面または下面で舞い上がっても基板の表面側または裏面側を流れる不活性ガスの気流によってパーティクルが排出される。さらに、基板の表面側または裏面側に常温の不活性ガスを流すことによりエッチング処理で高温になった基板Ｇの両面の温度が下がるという効果もある。
【００４４】
また、ロードロック室３０で基板Ｇの位置合わせを行う場合に、ポジショナー７０の押圧部材７１，７２が基板Ｇの搬入位置よりも上方に内壁面に沿って設けられており、ロードロック室３０内に搬送された基板Ｇを押圧部材７１，７２に対応する高さ位置まで上昇させ、その位置で押圧部材７１，７２により基板Ｇの位置合わせを行うので、押圧部材７１，７２は基板Ｇの搬送の妨げにならない。したがって、従来のように基板搬送の際に押圧部材を待機させておく必要がなく、待機スペースが不要であるからロードロック室３０のスペースが小さくても十分に基板Ｇの位置合わせを行うことができる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく本発明の思想の範囲内で種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、真空予備室として搬送室２０およびロードロック室３０の２つを用いた場合について示したが、真空予備室が１つのみの場合であってもよい。また、不活性ガスとして主にＮ２ガスを用いた場合を示したが、Ｎ２ガスに限らず、Ａｒガス、Ｈｅガス等、他の不活性ガスを適用することができる。さらに、上記実施形態では、搬送室２０およびロードロック室３０の排気を、それぞれ真空ゲート室２２および３２を介して行う例を示したが、搬送室２０およびロードロック室３０に排気口を設けるようにしてもよい。さらにまた、上記実施形態ではエッチング処理装置について示したが、これに限らず、アッシング装置や成膜装置等、他の真空処理装置にも適用可能なことはいうまでもない。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被処理基板の表面側に不活性ガスを供給する表面側不活性ガス供給口と、被処理基板の裏面側に不活性ガスを供給する裏面側不活性ガス供給口とから不活性ガスを供給するので、真空予備室のスペースが小さくても、被処理基板の表面および裏面に確実に不活性ガスを供給することができ、被処理基板の全面に対して不活性ガスを供給可能である。したがって、被処理基板に随伴する残留ガスや反応ガスを不活性ガスによって短い時間で確実に置換することができる。
【００４７】
また、真空予備室内の位置合わせ機構の押圧部材が真空予備室における被処理基板の搬入位置よりも上方に設けられており、真空予備室内に搬入された被処理基板を昇降機構により押圧部材に対応する高さ位置まで上昇させ、その位置で押圧部材により被処理基板の位置合わせを行うので、押圧部材は被処理基板の搬送の妨げにならない。したがって、被処理基板搬送の際に押圧部材を待機させておく必要がなく、その分真空予備室のスペースを小さくすることができ、小さいスペースで被処理基板の位置合わせを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るＬＣＤガラス基板用のエッチング装置の概略的な外観を示す斜視図。
【図２】図１のエッチング装置の内部を概略的に示す水平断面図。
【図３】図１のエッチング装置において真空予備室として設けられた搬送室およびロードロック室の内部の構造を示す縦断面図。
【図４】図１のエッチング装置において真空予備室として設けられた搬送室およびロードロック室の内部の構造を一部切り欠いて概略的に示す斜視図。
【図５】図１のエッチング装置の搬送室における不活性ガスの流れを示す斜視図。
【図６】図１のロードロック室のポジショナーを詳細に説明するための斜視図。
【符号の説明】
１００；エッチング装置
１０；エッチング処理室
２０；搬送室（真空予備室）
２１，３１，３５；ゲートバルブ
２２，３２；真空ゲート室
２３，３３；排気口
３０；ロードロック室（真空予備室）
４５；不活性ガス供給源（不活性ガス供給手段）
５０；搬送機構
５７，９０；不活性ガス供給部（不活性ガス供給手段）
５８，９１；表面側不活性ガス供給口
５９，９２；裏面側不活性ガス供給口
６１ａ，６１ｂ；シリンダ（昇降機構）
７０；ポジショナー（位置合わせ機構）
７１，７２；押圧部材
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板等の被処理基板に対してドライエッチング等の真空処理を施す真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、ＬＣＤ製造プロセスにおいては、被処理基板であるガラス製のＬＣＤ基板に対して、ドライエッチングやスパッタリング、ＣＶＤ（化学気相成長）等の真空処理が多用されている。
【０００３】
このような真空処理を行う真空処理装置においては、真空に保持されて上記処理を行う真空処理室に隣接して真空予備室が設けられており、被処理基板の搬入出時に真空処理室内の雰囲気変動を極力小さくする構造となっている。
【０００４】
具体的には、例えば、大気側に配置されたカセットとエッチング処理等を行う真空処理室との間に、真空予備室として、大気側と真空側とのインターフェイスの役割を有するロードロック室と、真空中においてロードロック室と真空処理室との間で基板を搬送するための搬送室とが設けられている。
【０００５】
このような真空処理装置においては、真空処理室で処理された後のＬＣＤガラス基板が搬送室に搬出された際に、基板に随伴して残留ガスや反応ガスも搬送室に流入するため、これらガスを置換するために不活性ガス例えばＮ２ガスを搬送室へ流している。従来の真空処理装置においては、搬送室の底部の対角上の隅部にそれぞれＮ２ガス供給口と排気口とを設け、基板の表面および裏面の全面にＮ２ガスを流すようにしている。
【０００６】
一方、ロードロック室においては、基板の位置決め用のポジショナーが設けられている。従来のポジショナーは、特開平６−２４９９６６号公報に示されるように、基板の対角上の隅部に対応する位置に、前進および後退可能に設けられており、これにより基板の対角上の隅部を押さえつけることにより基板の位置決めを行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近時、ＬＣＤガラス基板に対する大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものが要求されており、このような基板の巨大化に合わせて従来のまま真空処理装置の各チャンバーを大型化させると、装置自体が著しく巨大化してしまうため、チャンバーを極力小型化しようという試みがなされている。そのため、基板の存在領域以外のスペースを極力小さくしており、上記搬送室やロードロック室等の真空予備室においても、基板の回りのスペースが極めて小さいものとなっている。
【０００８】
しかしながら、このように基板の回りのスペースが小さい真空予備室に従来と同様に不活性ガスを流してもガス回りが悪いため、基板の表面および裏面の全面に効率よく不活性ガスが供給されず、残留ガスや反応ガス等を不活性ガスで有効に置換することができないという問題がある。
【０００９】
同様に、真空予備室内の位置決めに際しても、そのスペースが極めて小さいため、従来のポジショナーでは対応できなくなりつつある。
【００１０】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、真空予備室のスペースが小さくても被処理基板の全面に対して不活性ガスを供給可能な真空処理装置を提供することを目的とする。また、真空予備室のスペースが小さくても、その中で被処理基板の位置決めを行うことができる真空処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点は、被処理基板に対し、真空中で所定の処理を行う真空処理室と、被処理基板が前記真空処理室に搬入出される過程で被処理基板が一時的に保持される真空予備室と、前記真空予備室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備し、前記不活性ガス供給手段は、前記真空予備室内に保持された被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口を有する不活性ガス供給部を備え、前記真空予備室内で前記被処理基板を載置するバッファと、前記バッファを昇降させる昇降機構とを具備し、前記不活性ガス供給口は、前記真空予備室における被処理基板の搬入位置よりも上方かつ、前記バッファの上昇位置よりも下方にあることを特徴とする真空処理装置を提供する。
【００１２】
この第１の観点において、前記真空予備室を前記真空処理室側から排気するように設けられた排気口を有し、前記不活性ガス供給部は、前記真空予備室内の前記真空処理室と反対側の端部に設けられているように構成することができる。また、前記真空処理室と前記真空予備室との間に、これらの間で被処理基板を搬送するための開口と、この開口を閉じるためのゲートバルブと、このゲートバルブおよびその開閉にともなって駆動される駆動部を囲繞するハウジングとが設けられ、前記排気口は前記ハウジングの下部に設けられているように構成することもできる。
【００１５】
本発明の第２の観点は、被処理基板に対し、真空中で所定の処理を行う真空処理室と、被処理基板が前記真空処理室に搬入出される過程で被処理基板が一時的に保持される真空予備室と、前記真空予備室内で被処理基板を載置するための上下に配設された２台のバッファと、前記真空予備室内で被処理基板の位置合わせを行う位置合わせ機構と、前記バッファを昇降させる昇降機構と、前記真空予備室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備し、前記位置合わせ機構は、被処理基板の各辺を押圧する複数の押圧部材を有し、前記押圧部材により被処理基板の位置合わせを行い、前記昇降機構は、前記２台のバッファを被処理基板の搬入位置と前記押圧部材に対応する高さ位置に移動可能であり、前記不活性ガス供給手段は、前記真空予備室内に保持された被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口を有する不活性ガス供給部を備え、前記不活性ガス供給口は、前記真空予備室における被処理基板の搬入位置よりも上方かつ、前記バッファの上昇位置よりも下方にあることを特徴とする真空処理装置を提供する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について具体的に説明する。
ここでは、真空処理装置としてＬＣＤガラス基板に対して所定のパターンを形成するためのエッチング処理を行なうエッチング装置について説明する。
【００２３】
図１は本実施形態に係るエッチング装置の概略的な外観を示す斜視図、図２はこのエッチング装置の内部を概略的に示す水平断面図、図３は図１のエッチング装置において真空予備室として設けられた搬送室およびロードロック室の内部の構造を示す縦断面図、図４はこれら搬送室およびロードロック室の内部の構造を一部切り欠いて概略的に示す斜視図、図５は搬送室における不活性ガスの流れを示す斜視図、図６はロードロック室のポジショナーを詳細に説明するための斜視図である。
【００２４】
このエッチング装置１００は、真空雰囲気で透明のＬＣＤガラス基板Ｇに対してプラズマエッチング処理を行うエッチング処理室（真空処理室）１０と、このエッチング処理室１０に連設された搬送室２０と、搬送室２０のエッチング処理室１０と反対側に連設されたロードロック室３０とを有している。これら搬送室２０とロードロック室３０とは真空予備室として機能する。
【００２５】
エッチング処理室１０と搬送室２０との間にはこれらの間を開閉可能なゲートバルブ２１を備えた真空ゲート室２２が設けられている。また、搬送室２０とロードロック室３０との間にもゲートバルブ３１を備えた真空ゲート室３２が設けられている。また、ロードロック室３０の搬送室２０と反対側には大気側とロードロック室３０との間を開閉するためのゲートバルブ３５が設けられている。なお、エッチング処理室１０の搬送室２０側には基板Ｇの搬入出用の開口１０ａが設けられており、同様に搬送室２０のエッチング処理室１０側およびロードロック室３０側にはそれぞれ開口２０ａ，２０ｂが設けられており、さらにロードロック室３０の搬送室２０側および大気側にはそれぞれ開口３０ａ，３０ｂが設けられている。また、真空ゲート室２２にはエッチング処理室１０側および搬送室２０側にそれぞれ開口２２ａ，２２ｂが設けられており、真空ゲート室３２には搬送室２０側およびロードロック室３０側にそれぞれ開口３２ａ，３２ｂが設けられている。そして、各室への基板Ｇの搬入出は、各ゲートバルブが開の状態でこれら開口を介して行われる。
【００２６】
また、エッチング装置１００は、図１、図２に示すように、さらに、その全体を制御するメインコントローラ４０と、真空処理室１０を真空排気する真空ポンプ４１と、搬送室２０を真空排気可能な真空ポンプ４２と、ロードロック室３０を真空排気可能な真空ポンプ４３と、エッチング処理室１０に処理ガスを供給する処理ガス供給源４４と、搬送室２０およびロードロック室３０に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源４５とを有している。なお、図１、図３中、参照符号２１ａ，３１ａ，３５ａは、それぞれゲートバルブ２１，３１，３５を開閉するためのシリンダーである。また、図１中、参照符号４８は搬送室２０をメンテナンスするときに使用する踏み台であり、その中に各種電源装置等が収納されている。
【００２７】
上記真空ポンプ４２は、上記真空ゲート室２２の両側壁下部にそれぞれ設けられた排気口２３に接続されており、搬送室２０内を開口２０ａ，２２ｂおよびこれら排気口２３を介して排気する。また、上記真空ポンプ４３は、上記ゲート室３３の両側壁下部にそれぞれ設けられた排気口３３に接続されており、ロードロック室３０内を開口３０ａ，３２ｂおよびこれら排気口３３を介して排気する。
【００２８】
ロードロック室３０のゲートバルブ３５の外側、つまり大気雰囲気には図示しない搬入出ステーションが設けられ、そこに配置された基板収納用のカセットから処理前の基板Ｇがロードロック室３０に搬入され、処理後の基板Ｇはロードロック室３０から搬出されカセットへ収納される。
【００２９】
前記真空処理室１０は、真空ポンプ４１によって排気されることにより所定の真空雰囲気に保持されることが可能であり、その中に載置台１１が配設されており、載置台１１には、基板Ｇを支持するための進退可能な４本の第１の支持ピン１２と、進退および旋回可能な４本の第２の支持ピン１３とが設けられている（図２参照）。この載置台１１は、プラズマを形成するための下部電極として機能し、図示しない上部電極との間に高周波電界を形成し、これにより処理ガス供給源４４から真空処理室１０内に導入された処理ガスのプラズマを形成して基板Ｇに対してエッチング処理を行う。
【００３０】
搬送室２０も、真空処理室と同様、所定の減圧雰囲気に保持されることが可能であり、その際の真空排気は真空ポンプ４２により真空ゲート室２２および排気口２３を介して行われる。この搬送室２０の中には、図２に示すように、真空処理室１０に対する基板Ｇの搬入出およびロードロック室３０に対する基板Ｇの搬入出を行う多関節タイプの搬送機構５０と、基板Ｇを一時保持する１組のバッファ５５と、不活性ガス供給部５７とが設けられている。
【００３１】
搬送機構５０は、図３に示すように、搬送室２０の下方に設けられた駆動部５１に軸を介して連結された第１アーム５２と、第１アーム５２の先端部に回動可能に設けられた第２アーム５３と、第２アーム５３に回動可能に設けられ、基板Ｇを支持するフォーク状の基板支持プレート５４とを有しており、駆動部５１により第１アーム５２、第２アーム５３および基板支持プレート５４を駆動させることにより、基板Ｇを搬送することが可能となっている。
【００３２】
１組のバッファ５５は基板Ｇをその両側面側から支持可能なようにそれぞれ搬送室２０内の両側面側に設けられ、図４に示すようにシリンダ５６により昇降可能となっており、この昇降動作により搬送機構５０の基板支持プレート５４とバッファ５５との間で基板Ｇの受け渡しを行うことができる。特願２０００−２６４２６１に示されるように、バッファ５５で基板Ｇを支持した状態で、搬送機構５０が旋回する。これにより搬送室２０内で基板を回転させる必要がなく、その分搬送室２０を省スペース化することができる。
【００３３】
不活性ガス供給部５７は図３に示すように棒状をなし、図２に示すように搬送室２０内のロードロック室３０側端部の両側面側に２本設けられている。これら不活性ガス供給部５７は、上記不活性ガス供給源４５から置換ガスとして供給された例えばＮ２ガス等の不活性ガスを基板Ｇに向けて供給し、真空ポンプ４２で排気する。この不活性ガスによりエッチング処理後の基板Ｇに随伴して搬送室２０内にもたらされた残留ガスや反応ガスを置換する。不活性ガス供給部５７は、基板Ｇの表面側に不活性ガスを供給する表面側不活性ガス供給口５８と、基板Ｇの裏面側に不活性ガスを供給する裏面側不活性ガス供給口５９とが上下に設けられている。図５に示すように、表面側不活性ガス供給口５８および裏面側不活性ガス供給口５９から吐出された不活性ガスは、それぞれロードロック室３０側の端部から基板Ｇの表面側および裏面側の略全面を通ってエッチング処理室１０側の端部に至り、基板Ｇ周囲の残留ガスや反応ガスをともなって開口２０ａ、２２ｂを経て真空ゲート室２２に至り、その両側の排気口２３を介して排出される。
【００３４】
ロードロック室３０も各処理室および搬送室２０と同様所定の減圧雰囲気に保持されることが可能であり、その際の真空排気は真空ポンプ４３により真空ゲート室３２および排気口３３を介して行われる。このロードロック室３０の中には基板Ｇを一時保持する２組のバッファ６０ａ，６０ｂ（図３，４参照）と、基板Ｇの位置合わせを行うポジショナー７０と、不活性ガス供給部９０とが設けられている。
【００３５】
バッファ６０ａ，６０ｂは上下に配設され、各バッファは基板Ｇをその両側面側から支持可能なようにそれぞれ搬送室２０内の両側面側に設けられている。そして、バッファ６０ａ，６０ｂは、図４に示すようにそれぞれシリンダ６１ａ，６１ｂにより昇降可能となっており、この昇降動作により搬送機構５０の基板支持プレート５４に対する基板Ｇの受け渡しを行うことができるとともに、後述するポジショナー７０による位置合わせ位置に基板Ｇを移動させることができる。
【００３６】
ポジショナー７０は、図２に示すようにロードロック室３０の側壁部３０ｃ，３０ｄの内側に２個ずつ合計４個設けられた押圧部材７１と、開口３０ａ，３０ｂが形成された壁部３０ｅ，３０ｆの内側に２個ずつ合計４個設けられた押圧部材７２とを有している。図３に示すように、これら押圧部材７１，７２は、基板Ｇ搬入出用の開口３０ａ，３０ｂの位置より上方、すなわち基板搬入位置より上方に設けられている。
【００３７】
図６に示すように、ポジショナー７０の押圧部材７１は、筐体８０と、基板Ｇを押圧する押圧子８１と、押圧子８１の基端部がその中をスライドするガイド部８３と、筐体８０の中に設けられたエアシリンダー８２と、エアシリンダー８２の動きを押圧子８１に伝達する伝達部材８９と、押圧子８１と筐体８０の隙間から大気がリークすることを防止する真空シール８４と、筐体８０とロードロック室３０の側壁部との間をシールするシール部材８５とを有している。そして、ロードロック室３０の側壁部と筐体８０内の後壁を貫通する孔部８０ａからセンサーケーブル８６およびエアーが供給される。また、ポジショナー７０の押圧部材７２は、押圧部材７１と同様に、筐体８０、押圧子８１、ガイド部８３、エアシリンダー８２、伝達部材８９および真空シール８４を有している。一方、押圧部材７２の筐体８０の側壁にはフランジ部８８を有する管部材８７が接続されており、この管部材８７はロードロック室３０の側壁部を貫通して設けられている。ロードロック室３０の側壁部とフランジ部８８とはシール部材８８ａでシールされている。そして、この管部材８７を通してセンサーケーブル８６およびエアーが供給される。これら押圧部材７１，７２の筐体８０の大部分はロードロック室３０の壁部の凹所に収容されており、ほぼ押圧子８１のみがロードロック室３０内で進退する。したがって、ロードロック室３０内においてポジショナー７０に必要な空間が小さい。押圧部材７１，７２を完全に壁部の凹所に収容すれば押圧子８１の先端のみがロードロック室３０内で進退することになるのでポジショナー７０に必要な空間をより小さくすることができる。
【００３８】
不活性ガス供給部９０は主に真空雰囲気のロードロック室３０にＮ２等の不活性ガスを供給して大気圧に戻すために用いるものである。この不活性ガス供給部９０は、図２および図３に示すように、ロードロック室３０の大気ゲート室３４側の壁部３０ｆの中央に設けられており、基板Ｇの表面側に不活性ガスを供給する表面側不活性ガス供給口９１と、基板Ｇの裏面側に不活性ガスを供給する裏面側不活性ガス供給口９２とが開口３０ｂを挟んで上下に１箇所ずつ設けられている。表面側不活性ガス供給口９１および裏面側不活性ガス供給口９２から吐出された不活性ガスは、搬送室２０と同様に、それぞれ大気側の端部から基板Ｇの表面側および裏面側の略全面を通って搬送室２０側の端部に至り、基板Ｇ周囲のパーティクルや、残留ガス、反応ガス等をともなって、開口３０ａ、３２ｂを経て真空ゲート室３２に至り、その両側の排気口３３を介して排出される。
【００３９】
次に、以上のように構成される装置の動作について説明する。
まず、ゲートバルブ３５を開にした状態で、ロードロック室３０の大気側に設けられた搬入出ステーション（図示せず）のカセットから大気側の搬送装置（図示せず）により、処理前の基板Ｇをロードロック室３０へ搬入し、上側のバッファ６０ａに基板Ｇを載置する。次いで、大気側のゲートバルブ３５を閉じ、真空ポンプ４３によりロードロック室３０内を排気して、内部を所定の真空度にする。その後、バッファ６０ａに載置された基板Ｇは、シリンダ６１ａによりバッファ６０ａとともに、ポジショナー７０の押圧部材７１，７２に対応する位置まで上昇される。そして、その上昇した位置で各バッファに載置された基板Ｇが位置合わせされる。この際の位置合わせは、押圧部材７１，７２のエアシリンダー８２により、押圧子８１を突出させることにより行う。
【００４０】
その後、搬送室２０およびロードロック室３０間の真空ゲート室３２のゲートバルブ３１を開いた後、搬送機構５０により搬送室２０内に基板Ｇが搬入される。搬送室２０に基板Ｇを搬入した時点でゲートバルブ３１が閉じられる。
【００４１】
次に、ゲートバルブ２１を開にして、搬送機構５０の基板支持プレート５４に支持された基板Ｇをエッチング処理室１０に搬入する。そして、第２の支持ピン１３を載置台上方に突出した状態にして第２の支持ピン１３上に未処理基板Ｇを載置する。その後、基板支持プレート５４はエッチング処理室１０から退避する。次に、処理済み基板Ｇ’は第１の支持ピン１２により未処理基板Ｇの下方に持ち上げられる。搬送機構５０の基板支持プレート５４が再度エッチング処理室１０に進入して処理済み基板Ｇ’を移載し、搬送室２０へ退避する。その後、ゲートバルブ２１を閉じる。この時、エッチング処理室１０では第１の支持ピン１２が突出して未処理基板Ｇを支持し、第２の支持ピン１３が旋回した後、第１の支持ピン１２が降下して未処理基板Ｇが載置台１１に載置され、未処理基板Ｇに対して所定のエッチング処理が行われる。
【００４２】
処理済み基板Ｇ’が搬入された搬送室では、不活性ガス供給部５７から置換ガスとして不活性ガス例えばＮ２ガスを供給するとともに真空ポンプ４２で搬送室２０を排気する。この置換ガスとして供給される不活性ガスにより処理済み基板Ｇ’に随伴して搬送室２０内にもたらされた残留ガスや反応ガスを置換する。その後、ゲートバルブ３１を開にして、搬送機構５０により処理済み基板Ｇ’をロードロック室３０の下側のバッファ６０ｂに載置する。そして、ゲートバルブ３１を閉にして、不活性ガス供給部９０から不活性ガスとしてＮ２ガスを供給することによりロードロック室３０内の圧力を大気圧にする。その後、ゲートバルブ３５を開にして大気側の搬送装置により処理済み基板Ｇ’を下側のバッファ６０ｂから搬入出ステーションのカセットに移載するとともに、未処理基板Ｇをカセットから上側のバッファ６０ａに移載する。この処理動作をカセットに搭載された基板の数だけ繰り返す。
【００４３】
このような処理に際し、搬送室２０では不活性ガス供給部５７は表面側不活性ガス供給口５８および裏面側不活性ガス供給口５９を有しているので、基板の大型化に際して搬送室２０がスペースの小さい（基板Ｇの外周と搬送室２０の側壁との間の隙間が小さい）ものであっても、これら供給口から吐出された不活性ガスを、ロードロック室３０側の端部から基板Ｇの表面側および裏面側の略全面を通ってエッチング処理室１０側の端部に導くことができる。つまり、搬送室２０の圧力は、エッチング処理室１０の圧力と略等しい真空度であり、不活性ガスの流量を大きくすることができないため、置換ガスとしての不活性ガスを供給する不活性ガス供給口が従来のように底部のみにあるような場合には、搬送室２０のスペースが小さいと不活性ガスが回りにくく基板Ｇの全面のガス置換を有効に行えないが、このような構成により、図５に示すように基板Ｇの表面側および裏面側に沿うように不活性ガスを供給することができ、基板Ｇの全面に不活性ガスを供給することができる。したがって、基板Ｇ周囲の残留ガスや反応ガスを、短い時間で確実に排気口２３を介して排出することができる。また、排気口２３を真空ゲート室２２の下方に設けているので、ゲートバルブ２１の可動部で発生したパーティクルは搬送室２０に入り込まず、排気口２３から排出される。同様に、ロードロック室３０でも、不活性ガス供給部９０が表面側不活性ガス供給口９１と裏面側不活性ガス供給口９２とを有しているので、基板Ｇの表面側および裏面側に沿うように不活性ガスを供給することができ、基板Ｇの全面に不活性ガスを供給することができる。また、不活性ガス供給時にパーティクルが基板Ｇの上面または下面で舞い上がっても基板の表面側または裏面側を流れる不活性ガスの気流によってパーティクルが排出される。さらに、基板の表面側または裏面側に常温の不活性ガスを流すことによりエッチング処理で高温になった基板Ｇの両面の温度が下がるという効果もある。
【００４４】
また、ロードロック室３０で基板Ｇの位置合わせを行う場合に、ポジショナー７０の押圧部材７１，７２が基板Ｇの搬入位置よりも上方に内壁面に沿って設けられており、ロードロック室３０内に搬送された基板Ｇを押圧部材７１，７２に対応する高さ位置まで上昇させ、その位置で押圧部材７１，７２により基板Ｇの位置合わせを行うので、押圧部材７１，７２は基板Ｇの搬送の妨げにならない。したがって、従来のように基板搬送の際に押圧部材を待機させておく必要がなく、待機スペースが不要であるからロードロック室３０のスペースが小さくても十分に基板Ｇの位置合わせを行うことができる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなく本発明の思想の範囲内で種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、真空予備室として搬送室２０およびロードロック室３０の２つを用いた場合について示したが、真空予備室が１つのみの場合であってもよい。また、不活性ガスとして主にＮ２ガスを用いた場合を示したが、Ｎ２ガスに限らず、Ａｒガス、Ｈｅガス等、他の不活性ガスを適用することができる。さらに、上記実施形態では、搬送室２０およびロードロック室３０の排気を、それぞれ真空ゲート室２２および３２を介して行う例を示したが、搬送室２０およびロードロック室３０に排気口を設けるようにしてもよい。さらにまた、上記実施形態ではエッチング処理装置について示したが、これに限らず、アッシング装置や成膜装置等、他の真空処理装置にも適用可能なことはいうまでもない。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被処理基板の表面側に不活性ガスを供給する表面側不活性ガス供給口と、被処理基板の裏面側に不活性ガスを供給する裏面側不活性ガス供給口とから不活性ガスを供給するので、真空予備室のスペースが小さくても、被処理基板の表面および裏面に確実に不活性ガスを供給することができ、被処理基板の全面に対して不活性ガスを供給可能である。したがって、被処理基板に随伴する残留ガスや反応ガスを不活性ガスによって短い時間で確実に置換することができる。
【００４７】
また、真空予備室内の位置合わせ機構の押圧部材が真空予備室における被処理基板の搬入位置よりも上方に設けられており、真空予備室内に搬入された被処理基板を昇降機構により押圧部材に対応する高さ位置まで上昇させ、その位置で押圧部材により被処理基板の位置合わせを行うので、押圧部材は被処理基板の搬送の妨げにならない。したがって、被処理基板搬送の際に押圧部材を待機させておく必要がなく、その分真空予備室のスペースを小さくすることができ、小さいスペースで被処理基板の位置合わせを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るＬＣＤガラス基板用のエッチング装置の概略的な外観を示す斜視図。
【図２】図１のエッチング装置の内部を概略的に示す水平断面図。
【図３】図１のエッチング装置において真空予備室として設けられた搬送室およびロードロック室の内部の構造を示す縦断面図。
【図４】図１のエッチング装置において真空予備室として設けられた搬送室およびロードロック室の内部の構造を一部切り欠いて概略的に示す斜視図。
【図５】図１のエッチング装置の搬送室における不活性ガスの流れを示す斜視図。
【図６】図１のロードロック室のポジショナーを詳細に説明するための斜視図。
【符号の説明】
１００；エッチング装置
１０；エッチング処理室
２０；搬送室（真空予備室）
２１，３１，３５；ゲートバルブ
２２，３２；真空ゲート室
２３，３３；排気口
３０；ロードロック室（真空予備室）
４５；不活性ガス供給源（不活性ガス供給手段）
５０；搬送機構
５７，９０；不活性ガス供給部（不活性ガス供給手段）
５８，９１；表面側不活性ガス供給口
５９，９２；裏面側不活性ガス供給口
６１ａ，６１ｂ；シリンダ（昇降機構）
７０；ポジショナー（位置合わせ機構）
７１，７２；押圧部材
Claims (6)
- 被処理基板に対し、真空中で所定の処理を行う真空処理室と、
被処理基板が前記真空処理室に搬入出される過程で被処理基板が一時的に保持される真空予備室と、
前記真空予備室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と
を具備し、
前記不活性ガス供給手段は、前記真空予備室内に保持された被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口を有する不活性ガス供給部を備え、
前記真空予備室内で前記被処理基板を載置するバッファと、前記バッファを昇降させる昇降機構とを具備し、前記不活性ガス供給口は、前記真空予備室における被処理基板の搬入位置よりも上方かつ、前記バッファの上昇位置よりも下方にあることを特徴とする真空処理装置。 - 前記真空予備室を前記真空処理室側から排気するように設けられた排気口を有し、前記不活性ガス供給部は、前記真空予備室内の前記真空処理室と反対側の端部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
- 前記真空処理室と前記真空予備室との間に、これらの間で被処理基板を搬送するための開口と、この開口を閉じるためのゲートバルブと、このゲートバルブおよびその開閉にともなって駆動される駆動部を囲繞するハウジングとが設けられ、前記排気口は前記ハウジングの下部に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の真空処理装置。
- 被処理基板に対し、真空中で所定の処理を行う真空処理室と、
被処理基板が前記真空処理室に搬入出される過程で被処理基板が一時的に保持される真空予備室と、
前記真空予備室内で被処理基板を載置するための上下に配設された２台のバッファと、
前記真空予備室内で被処理基板の位置合わせを行う位置合わせ機構と、
前記バッファを昇降させる昇降機構と、
前記真空予備室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と
を具備し、
前記位置合わせ機構は、被処理基板の各辺を押圧する複数の押圧部材を有し、前記押圧部材により被処理基板の位置合わせを行い、
前記昇降機構は、前記２台のバッファを被処理基板の搬入位置と前記押圧部材に対応する高さ位置に移動可能であり、
前記不活性ガス供給手段は、前記真空予備室内に保持された被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口を有する不活性ガス供給部を備え、前記不活性ガス供給口は、前記真空予備室における被処理基板の搬入位置よりも上方かつ、前記バッファの上昇位置よりも下方にあることを特徴とする真空処理装置。 - 前記真空処理室と隣接して設けられ、その内部が真空に保持されるとともに、被処理基板を搬送する搬送機構を備えた搬送室と、
前記搬送室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備し、
前記不活性ガス供給手段は、前記搬送室内に保持された被処理基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給口を有する不活性ガス供給部を備え、
前記真空処理室と前記搬送室との間のゲートバルブおよびその開閉にともなって駆動される駆動部を囲繞するハウジングの下部に設けられた排気口を有し、前記搬送室内部を真空に保持するために、前記不活性ガス供給部から前記被処理基板に不活性ガスを供給しながら前記排気口に排気することを特徴とする請求項４に記載の真空処理装置。 - 前記真空処理室と前記真空予備室との間のゲートバルブと、前記ゲートバルブおよびその開閉にともなって駆動される駆動部を囲繞するハウジングと、前記ハウジングの下部に設けられた排気口を有することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の真空処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000360272A JP4841035B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 真空処理装置 |
| TW090129185A TW514972B (en) | 2000-11-27 | 2001-11-26 | Vacuum processing apparatus |
| KR1020010073664A KR20020041294A (ko) | 2000-11-27 | 2001-11-26 | 진공 처리 장치 |
| KR1020080077107A KR100900870B1 (ko) | 2000-11-27 | 2008-08-06 | 진공 처리 장치 |
| KR1020090023592A KR100937073B1 (ko) | 2000-11-27 | 2009-03-19 | 진공 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000360272A JP4841035B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291758A JP2001291758A (ja) | 2001-10-19 |
| JP4841035B2 true JP4841035B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=18831898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000360272A Expired - Lifetime JP4841035B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 真空処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4841035B2 (ja) |
| KR (3) | KR20020041294A (ja) |
| TW (1) | TW514972B (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005211865A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Masato Toshima | プラズマ処理装置 |
| KR100613265B1 (ko) | 2004-09-06 | 2006-08-21 | (주)아이씨디 | 진공처리 시스템 및 이를 이용한 대상물 이송방법 |
| JP5078243B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2012-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置および真空予備室の排気方法 |
| JP4642610B2 (ja) * | 2005-09-05 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板位置合わせ装置および基板収容ユニット |
| KR101036188B1 (ko) * | 2006-03-22 | 2011-05-23 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 평판표시소자 제조장치 |
| JP4985031B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置、真空処理装置の運転方法及び記憶媒体 |
| KR100972965B1 (ko) * | 2009-10-28 | 2010-07-29 | 씨에이코리아(주) | 풍력발전기 타워 지지 장치 |
| KR101085241B1 (ko) | 2010-04-23 | 2011-11-21 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 게이트밸브어셈블리와 이를 포함하는 기판처리시스템 |
| SG11201701744PA (en) * | 2014-09-05 | 2017-04-27 | Tae Wha Kim | Fume removal apparatus for semiconductor manufacturing chamber |
| JP6240695B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2017-11-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP7209318B2 (ja) * | 2017-11-22 | 2023-01-20 | 日新イオン機器株式会社 | フラットパネルディスプレイ製造装置 |
| JP6559813B2 (ja) * | 2018-01-19 | 2019-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の基板載置部の雰囲気制御方法 |
| DE102019208704A1 (de) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | Siltronic Ag | Einrichtung und Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben |
| WO2021044622A1 (ja) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | ロードロック装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147811A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-20 | Kawasaki Steel Corp | ＳｉＣ微粉末の製造方法 |
| JP3350234B2 (ja) * | 1994-06-06 | 2002-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体のバッファ装置、これを用いた処理装置及びその搬送方法 |
| JPH0817899A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Hitachi Ltd | 基板処理装置 |
| JPH08340037A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置 |
| JP3650495B2 (ja) * | 1995-12-12 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理装置、その基板交換機構及び基板交換方法 |
| JP4502411B2 (ja) * | 1996-12-05 | 2010-07-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JPH10321610A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-12-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH11200035A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Anelva Corp | スパッタ化学蒸着複合装置 |
| KR19990068950A (ko) * | 1998-02-03 | 1999-09-06 | 윤종용 | 잔류가스 배기 시스템 |
| JPH11260742A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Kokusai Electric Co Ltd | 熱処理装置 |
-
2000
- 2000-11-27 JP JP2000360272A patent/JP4841035B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-11-26 TW TW090129185A patent/TW514972B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-26 KR KR1020010073664A patent/KR20020041294A/ko not_active Application Discontinuation
-
2008
- 2008-08-06 KR KR1020080077107A patent/KR100900870B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-03-19 KR KR1020090023592A patent/KR100937073B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100900870B1 (ko) | 2009-06-04 |
| JP2001291758A (ja) | 2001-10-19 |
| TW514972B (en) | 2002-12-21 |
| KR20020041294A (ko) | 2002-06-01 |
| KR20080080269A (ko) | 2008-09-03 |
| KR20090042883A (ko) | 2009-05-04 |
| KR100937073B1 (ko) | 2010-01-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100921 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101117 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110524 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110810 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110817 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111004 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141014 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |