JPH0817899A

JPH0817899A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH0817899A
Application number: JP14748094A
Authority: JP
Inventors: Zenzo Torii; 善三鳥居; Naoyuki Tamura; 直行田村; Tsunehiko Tsubone; 恒彦坪根; Kenji Nakada; 健二中田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-06-29
Filing date: 1994-06-29
Publication date: 1996-01-19

Abstract

(57)【要約】【目的】基板処理装置の設置床面積を縮小する。ま
た、基板の大型化による基板処理装置の設置床面積の増
加を抑制する。【構成】基板１０に芯出処理を施す芯出処理部５と、
前記芯出処理部５で処理された基板１０に洗浄処理を施
す洗浄処理部６(又は７)と、前記洗浄処理部６で処理さ
れた基板１０に乾燥処理を施す乾燥処理部８と、前記各
処理部に基板１０を搬送する搬送ロボット９とを備えた
基板処理装置において、前記芯出処理部５、乾燥処理部
８のうち、一方の処理部上に他方の処理部を立体的に配
置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板処理装置に関し、
特に、基板に芯出処理を施す芯出処理部と、前記芯出処
理部で処理された基板に洗浄処理を施す洗浄処理部と、
前記洗浄処理部で処理された基板に乾燥処理を施す乾燥
処理部と、前記各処理部に基板を搬送する搬送ロボット
とを備えた基板処理装置に適用して有効な技術に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路装置の製造プロセ
ス中のウエーハ処理工程で使用されるウエーハ処理装置
(基板処理装置)として、複数の処理部を備えたウエーハ
処理装置が開発されている。

【０００３】本発明者等が開発中のウエーハ処理装置
は、エッチング処理部、アッシング処理部、芯出処理
部、洗浄処理部、乾燥処理部及び搬送ロボットを備えて
いる。エッチング処理部は、所定のパターンのフォトレ
ジスト膜をマスクにして、ウエーハ上に形成された導体
膜(例えばＡｌ膜)にエッチング処理を施す。アッシング
処理部はマスクとして使用したフォトレジスト膜を除去
する。芯出処理部はアッシング処理部で処理されたウエ
ーハに芯出処理を施す。洗浄処理部は芯出処理部で処理
されたウエーハに洗浄処理を施す。乾燥処理部は洗浄処
理部で処理されたウエーハに乾燥処理を施す。

【０００４】前記ウエーハ処理装置は、アッシング処理
部から乾燥処理部までのウエーハの搬送を２台の搬送ロ
ボットで行っている。２台の搬送ロボットのうち、一方
の搬送ロボットは、アッシング処理部で処理されたウエ
ーハを真空予備室（アンロードロック室）から芯出処理
部に搬送する。他方の搬送ロボットは、芯出処理部で処
理されたウエーハを洗浄処理部に搬送すると共に、洗浄
処理部で処理されたウエーハを乾燥処理部に搬送する。
つまり、他方の搬送ロボットは、芯出処理部、洗浄処理
部、乾燥処理部の夫々の各処理部間におけるウエーハの
搬送を行う。

【０００５】このように構成されるウエーハ処理装置
は、エッチング処理から乾燥処理までのウエーハ処理を
連続的に行っているので、各処理部での処理精度を高め
ることができると共に、スループットを高めることがで
きる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記ウエーハ処理装置
(基板処理装置)において、各処理部及び搬送ロボットは
平面的に配置されている。このため、各処理部及び搬送
ロボットの占有面積に相当する分、ウエーハ処理装置の
設置床面積が増加するという問題があった。

【０００７】また、各処理部及び搬送ロボットの占有面
積はウエーハの大型化(大口径化)に伴って増加する。こ
のため、ウエーハの大型化に伴いウエーハ処理装置の設
置床面積が増加するという問題があった。

【０００８】本発明の目的は、基板処理装置の設置床面
積を縮小することが可能な技術を提供することにある。

【０００９】また、本発明の他の目的は、前記目的を達
成し、基板の大型化による基板処理装置の設置床面積の
増加を抑制することが可能な技術を提供することにあ
る。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１２】基板に芯出処理を施す芯出処理部と、前記
芯出処理部で処理された基板に洗浄処理を施す洗浄処理
部と、前記洗浄処理部で処理された基板に乾燥処理を施
す乾燥処理部と、前記各処理部に基板を搬送する搬送ロ
ボットとを備えた基板処理装置において、前記芯出処理
部、乾燥処理部のうち、一方の処理部上に他方の処理部
を立体的に配置する。

【００１３】

【作用】上述した手段によれば、芯出処理部、乾燥処理
部のうち、一方の処理部の占有面積を廃止することがで
きるので、一方の処理部の占有面積に相当する分、基板
搬送装置の設置床面積を縮小することができる。

【００１４】また、基板の大型化による各処理部の占有
面積の増加分を一方の処理部の占有面積の廃止分で相殺
することができるので、基板の大型化による基板処理装
置の設置床面積の増加を抑制できる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の構成について、ウエーハ処理
装置(基板処理装置)に本発明を適用した一実施例ととも
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００１６】本発明の一実施例であるウエーハ処理装置
の概略構成を図１（平面レイアウト図）に示す。

【００１７】図１に示すように、ウエーハ処理装置は、
真空予備室(ロードロック室)１、エッチング処理部２、
アッシング処理部３、真空予備室(アンロードロック室)
４、芯出処理部５、洗浄処理部６、洗浄処理部７、乾燥
処理部８及び搬送ロボット９等を備えている。このウエ
ーハ処理装置は、半導体集積回路装置の製造プロセス中
のウエーハ処理工程において使用され、エッチング処理
から乾燥処理までの各処理を連続的に行うことができ
る。

【００１８】前記エッチング処理部２は、所定のパター
ンのフォトレジスト膜をマスクにして、ウエーハ(半導
体基板)上に形成された導体膜(例えばＡｌ膜)にエッチ
ング処理を施す。エッチング処理部２は、真空予備室１
が連結された真空チャバー室を備え、この真空チャンバ
ー室内にウエーハを配置する。導体膜は例えばＲＦ（Ｒ
adio Ｆrequency)バイアス印加のＥＣＲ(Ｅlectron Ｃy
clotron Ｒesonance）プラズマでエッチングされる。

【００１９】前記アッシング処理部３はマスクとして使
用したフォトレジスト膜を除去する。アッシング処理部
３は、エッチング処理部２の真空チャンバー室及び真空
予備室４が連結されたチャンバー室を備え、この真空チ
ャンバー室内にウエーハを配置する。フォトレジスト膜
は例えばＥＣＲプラズマで除去される。

【００２０】前記芯出処理部５は、アッシング処理部３
で処理されたウエーハに芯出処理を施す。前記洗浄処理
部６、洗浄処理部７の夫々は、芯出処理部で処理された
ウエーハに洗浄処理を施す。前記乾燥処理部８は、洗浄
処理部６、洗浄処理部７の夫々で処理されたウエーハに
乾燥処理を施す。前記搬送ロボット９は、芯出処理部
５、洗浄処理部６、洗浄処理部７、乾燥処理部８の夫々
の各処理部にウエーハを搬送すると共に、前段のアッシ
ング処理部３で処理されたウエーハを真空予備室４から
乾燥処理部８に搬送する。

【００２１】前記芯出処理部５、乾燥処理部８の夫々
は、図２（側面レイアウト図）に示すように、立体的に
配置される。本実施例においては乾燥処理部８上に芯出
処理部５が配置される。つまり、ウエーハ処理装置は、
芯出処理部５の占有面積と乾燥処理部８の占有面積とを
兼用し、芯出処理部５の占有面積を実質的に廃止してい
る。

【００２２】前記芯出処理部５はセンタリングユニット
１１を備えている。センタリングユニット１１は例えば
２つのユニット部材１１Ａで構成される。このセンタリ
ングユニット１１は、２つのユニット部材１１Ａの夫々
を左右方向に移動させる移動機構を備え、２つのユニッ
ト部材１１Ａの夫々の移動でウエーハ１０に芯出処理を
施す。

【００２３】前記乾燥処理部８はホットプレート１２及
び搬送部材１３を備えている。ホットプレート１２は、
その上面に配置されたウエーハを過熱し、ウエーハに乾
燥処理を施す。搬送部材１３は、上下方向に移動する移
動機構を備え、乾燥処理部８と芯出処理部５との間にお
いてウエーハを搬送する。

【００２４】前記洗浄処理部６、洗浄処理部７の夫々
は、図示していないが、ウエット処理カップ(ウエット
処理室)を備えている。このウエット処理カップでは、
弱酸又は弱アルカリ処理を行った後、純水洗浄処理及び
スピン乾燥処理を行い、ウエーハに付着した異物を除去
する。

【００２５】前記搬送ロボット９は、図３(平面図)に示
すように、芯出処理部５、洗浄処理部６、洗浄処理部
７、乾燥処理部８の夫々の各処理部にウエーハ１０を搬
送すると共に、前段のアッシング処理部３で処理された
ウエーハ１０を真空予備室４から乾燥処理部８に搬送す
る搬送アーム９Ａを備えている。この搬送ロボット９
は、Ｘ方向、Ｙ方向の夫々の方向に搬送アーム９Ａを移
動させる移動機構を備えている。

【００２６】次に、前記ウエーハ処理装置の動作につい
て、図４乃至図７（動作を説明するための動作説明図）
を用いて簡単に説明する。

【００２７】まず、導体膜及びこの導体膜上にフォトレ
ジスト膜が形成されたウエーハ１０をロードカセット室
から真空予備室１に搬送する。

【００２８】次に、真空予備室１からエッチング処理部
２の真空チャンバー室内にウエーハ１０を搬送し、ウエ
ーハ１０の導体膜にＲＦバイアス印加のＥＣＲプラズマ
でエッチング処理を施す。

【００２９】次に、エッチング処理部２の真空チャンバ
ー室からアッシング処理部３の真空チャンバー室にウエ
ーハ１０を搬送し、エッチング処理が施された導体膜上
のフォトレジスト膜をＲＦバイアス印加のＥＣＲプラズ
マで除去する。

【００３０】次に、アッシング処理部３の真空チャンバ
ー室から真空予備室４にウエーハ１０を搬送する。

【００３１】次に、図４に示すように、真空予備室４か
ら乾燥処理部８のホットプレート１２上にウエーハ１０
を搬送ロボット９の搬送アーム９Ａで搬送する。

【００３２】次に、搬送部材１３を上昇させ、乾燥処理
部８から芯出処理部５のセンタリングユニット１１にウ
エーハ１０を搬送する。この時、センタリングユニット
１１の２つのユニット部材１１Ａの夫々は、ウエーハ１
０が下方から上方に通過できるように、左右方向に開い
た状態で待機している。

【００３３】次に、センタリングユニット１１の２つの
ユニット部材１１Ａの夫々を閉じ、図５に示すように、
ウエーハ１０に芯出処理を施す。

【００３４】次に、２つのユニット部材１１Ａの夫々を
開き、搬送部材１３を降下させ、図６に示すように、芯
出処理部５から乾燥処理部８のホットプレート１２上に
ウエーハ１０を搬送する。

【００３５】次に、乾燥処理部８から洗浄処理部６又は
洗浄処理部７にウエーハ１０を搬送ロボット９の搬送ア
ーム９Ａで搬送し、ウエーハ１０に洗浄処理を施す。本
実施例のウエーハ処理装置は、洗浄処理部６及び洗浄処
理部７を備えているので、２枚のウエーハ１０を同時に
処理することができる。

【００３６】次に、洗浄処理部６から乾燥処理部８のホ
ットプレート１２上にウエーハ１０を搬送ロボット９の
搬送アーム９Ａで搬送し、図７に示すように、ウエーハ
１０に乾燥処理を施す。

【００３７】次に、乾燥処理部８からアンロードカセッ
ト室にウエーハ１０を搬送ロボット９の搬送アーム９Ａ
で搬送する。

【００３８】以上の動作を繰り返すことにより、エッチ
ング処理、アッシング処理、芯出処理、洗浄処理、乾燥
処理の夫々を連続的に行うことができると共に、枚葉式
で処理することができる。

【００３９】このように、本実施例によれば以下の作用
効果が得られる。

【００４０】ウエーハ(基板)１０に芯出処理を施す芯出
処理部５と、前記芯出処理部５で処理されたウエーハ１
０に洗浄処理を施す洗浄処理部(又は洗浄処理部７)６
と、前記洗浄処理部６で処理されたウエーハ１０に乾燥
処理を施す乾燥処理部８と、前記各処理部にウエーハ１
０を搬送する搬送ロボット９とを備えたウエーハ処理装
置(基板処理装置)において、前記芯出処理部５、乾燥処
理部８のうち、乾燥処理部８上に芯出処理部５を立体的
に配置する。この構成により、芯出処理部５の占有面積
を乾燥処理部８の占有面積で兼用し、芯出処理部５の占
有面積を廃止することができるので、芯出処理部５の占
有面積に相当する分、ウエーハ搬送装置の設置床面積を
縮小することができる。

【００４１】また、ウエーハ１０の大型化による各処理
部の占有面積の増加分を芯出処理部５の占有面積の廃止
分で相殺することができるので、ウエーハ１０の大型化
によるウエーハ処理装置の設置床面積の増加を抑制でき
る。

【００４２】また、芯出処理部５の占有面積の廃止に相
当する分、他の処理部の配置に余裕ができるので、真空
予備室４から乾燥処理部８までの各処理部へのウエーハ
１０の搬送を１台の搬送ロボット９で行うことができ
る。

【００４３】また、芯出処理部５の占有面積の廃止に相
当する分、膜厚検査処理、パーティクル検査処理、測長
検査処理等の検査処理部を配置することができるので、
設置床面積を増加することなく、検査処理部を備えたウ
エーハ処理装置を提供することができる。

【００４４】また、前記乾燥処理部８に、この乾燥処理
部８と前記芯出処理部５との間でウエーハ１０を搬送す
る搬送部材１３を備えることにより、乾燥部材８とこの
乾燥処理部８上に立体的に配置された芯出処理部５との
間でのウエーハ１０の搬送を行うことができる。

【００４５】なお、前記芯出処理部５、乾燥処理部８に
おいて、芯出処理部５上に乾燥処理部８を配置してもよ
い。

【００４６】また、前記搬送ロボット９に、搬送アーム
９ＡをＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の夫々の方向に移動させ
る移動機構を備えてもよい。この場合、芯出処理部５と
乾燥処理部８との高低差におけるウエーハ１０の搬送
は、搬送アーム９Ａの上下方向(Ｚ方向)の移動によって
行う。

【００４７】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００４８】例えば、本発明は、液晶用基板の製造プロ
セスで使用される基板処理装置に適用できる。

【００４９】また、本発明は、光ディスク基板の製造プ
ロセスで使用される基板処理装置に適用できる。

【００５０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００５１】基板処理装置の設置床面積を縮小すること
ができる。

【００５２】また、基板の大型化による基板処理装置の
設置床面積の増加を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるウエーハ処理装置の概
略構成を示す平面レイアウト図。

【図２】前記ウエーハ処理装置に塔載される芯出処理部
及び乾燥処理部の側面レイアウト図。

【図３】前記ウエーハ処理装置に塔載される搬送ロボッ
トの平面図。

【図４】前記ウエーハ処理装置の動作を説明するための
動作説明図。

【図５】前記ウエーハ処理装置の動作を説明するための
動作説明図。

【図６】前記ウエーハ処理装置の動作を説明するための
動作説明図。

【図７】前記ウエーハ処理装置の動作を説明するための
動作説明図。

【符号の説明】

１…真空予備室(ロードロック室)、２…エッチング処理
部、３…アッシング処理部、４…真空予備室(アンロー
ドロック室)、５…芯出処理部、６，７…洗浄処理部、
８…芯出処理部、９…搬送ロボット、９Ａ…搬送アー
ム、１０…ウエーハ、１１…センタリングユニット、１
２…ホットプレート、１３…搬送部材。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中田健二山口県下松市東豊井794番地株式会社日立製作所笠戸工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に芯出処理を施す芯出処理部と、前
記芯出処理部で処理された基板に洗浄処理を施す洗浄処
理部と、前記洗浄処理部で処理された基板に乾燥処理を
施す乾燥処理部と、前記各処理部に基板を搬送する搬送
ロボットとを備えた基板処理装置において、前記芯出処
理部、乾燥処理部のうち、一方の処理部上に他方の処理
部を立体的に配置したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置におい
て、前記乾燥処理部は、この乾燥処理部と前記芯出処理
部との間で基板を搬送する搬送部材を備えていることを
特徴とする基板処理装置。
【請求項３】請求項１に記載の基板処理装置におい
て、前記搬送ロボットは、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の夫
々の方向に搬送アームを移動させる移動機構を備えてい
ることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】請求項１乃至請求項３のうちいずれか１
項に記載の基板処理装置において、前記芯出処理部の前
段にエッチング処理部及びアッシング処理部を備えてい
ることを特徴とする基板搬送装置。