JPH1098048A - ウエハー熱処理装置 - Google Patents
ウエハー熱処理装置Info
- Publication number
- JPH1098048A JPH1098048A JP27407796A JP27407796A JPH1098048A JP H1098048 A JPH1098048 A JP H1098048A JP 27407796 A JP27407796 A JP 27407796A JP 27407796 A JP27407796 A JP 27407796A JP H1098048 A JPH1098048 A JP H1098048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- support
- heat
- outer peripheral
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】結晶転移の生じる部分が少なく、ウエハー全体
を均一に熱処理することができるウエハー熱処理装置を
提供する。 【解決手段】ウエハーの外周端部を支持体の傾斜面によ
り均一に支持するので、ウエハー全体を均一に熱処理す
ることができる。結晶転移の生じる部分が少なく、歩留
まりが良くなるため、一枚のウエハーから得られる半導
体の個数が増加し、製造コストの低減が図れる。ウエハ
ーの外周端部を複数の傾斜面により部分的に支持して、
相互の接触箇所及び接触面積を少なくすることで、結晶
転移の生じる要因及び部分が削減され、品質の向上及び
安定を図ることができる。炭化ケイ素製の支持体は熱伝
導性が良く、支持体自体の熱がウエハーに直接伝導され
るため、熱損失が少なく、ウエハーの熱処理が効率よく
行える。
を均一に熱処理することができるウエハー熱処理装置を
提供する。 【解決手段】ウエハーの外周端部を支持体の傾斜面によ
り均一に支持するので、ウエハー全体を均一に熱処理す
ることができる。結晶転移の生じる部分が少なく、歩留
まりが良くなるため、一枚のウエハーから得られる半導
体の個数が増加し、製造コストの低減が図れる。ウエハ
ーの外周端部を複数の傾斜面により部分的に支持して、
相互の接触箇所及び接触面積を少なくすることで、結晶
転移の生じる要因及び部分が削減され、品質の向上及び
安定を図ることができる。炭化ケイ素製の支持体は熱伝
導性が良く、支持体自体の熱がウエハーに直接伝導され
るため、熱損失が少なく、ウエハーの熱処理が効率よく
行える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、半導体
ウエハーに各種熱処理、蒸着処理を施すときに用いられ
るウエハー熱処理装置に関する。
ウエハーに各種熱処理、蒸着処理を施すときに用いられ
るウエハー熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、上述のようなウエハーを熱処理す
る場合、例えば、図６に示すように、支持体１２の上面
側に立設した複数の各支持ピン１２ａ…でウエハーＡを
水平に支持して熱処理したり、或いは、図７に示すよう
に、支持体１３の内周縁部に形成した水平部１３ａでウ
エハーＡを水平に支持して熱処理する方法がある。
る場合、例えば、図６に示すように、支持体１２の上面
側に立設した複数の各支持ピン１２ａ…でウエハーＡを
水平に支持して熱処理したり、或いは、図７に示すよう
に、支持体１３の内周縁部に形成した水平部１３ａでウ
エハーＡを水平に支持して熱処理する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した支持
体１２でウエハーＡを支持した場合、各支持ピン１２ａ
…により支持した部分にウエハーＡ自体の自重が付加さ
れるので、熱処理時に起きる反りや熱膨張の差により摩
擦が生じたり、自重の集中する部分に歪みが生じたりす
るため、その部分に、結晶転移（ディフロケーション＝
一般的にはスリップ）が生じるのを回避することができ
ない。且つ、各支持ピン１２ａ…により支持された部分
の温度が低く、ウエハーＡの外周縁部に対して熱が均一
に伝導されず、その部分の温度も低くなるため、熱処理
時の温度が不均一となる。また、炉の中心部に近いと温
度が高く、遠いと温度が低く、温度勾配が生じる。
体１２でウエハーＡを支持した場合、各支持ピン１２ａ
…により支持した部分にウエハーＡ自体の自重が付加さ
れるので、熱処理時に起きる反りや熱膨張の差により摩
擦が生じたり、自重の集中する部分に歪みが生じたりす
るため、その部分に、結晶転移（ディフロケーション＝
一般的にはスリップ）が生じるのを回避することができ
ない。且つ、各支持ピン１２ａ…により支持された部分
の温度が低く、ウエハーＡの外周縁部に対して熱が均一
に伝導されず、その部分の温度も低くなるため、熱処理
時の温度が不均一となる。また、炉の中心部に近いと温
度が高く、遠いと温度が低く、温度勾配が生じる。
【０００４】例えば、８インチのシリコンウエハーを、
窒素雰囲気中に於いて２５℃／secのレートで昇温し、
約１２００℃に１分間保持して熱処理した試験品をＸ線
トポグラフで転移状況を観察した結果、図８に示すよう
に、各支持ピン１２ａ…により支持された部分に結晶転
移が生じ、外周縁部にも結晶転移が多数生じることが確
認できるが、摩擦や歪みの生じた部分に結晶転移が起き
やすいため、ウエハーＡ全体を均一に熱処理することが
できない。不良箇所が多数発生するため、１枚のウエハ
ーから得られる半導体の個数が少なく、歩留まりが悪い
という問題点を有している。
窒素雰囲気中に於いて２５℃／secのレートで昇温し、
約１２００℃に１分間保持して熱処理した試験品をＸ線
トポグラフで転移状況を観察した結果、図８に示すよう
に、各支持ピン１２ａ…により支持された部分に結晶転
移が生じ、外周縁部にも結晶転移が多数生じることが確
認できるが、摩擦や歪みの生じた部分に結晶転移が起き
やすいため、ウエハーＡ全体を均一に熱処理することが
できない。不良箇所が多数発生するため、１枚のウエハ
ーから得られる半導体の個数が少なく、歩留まりが悪い
という問題点を有している。
【０００５】また、支持体１３でウエハーＡを支持した
場合、支持体１３の水平部１３ａによりウエハーＡの外
周縁部を平面的に支持するため、上述した支持体１２よ
りも接触面積が大きく、その接触部分の熱処理温度が低
くなるため、ウエハーＡ全体を均一に熱処理することが
困難である。且つ、ウエハーＡの外周縁部全体に結晶転
移が生じるだけでなく、熱処理を繰り返す度に結晶転移
が内側に成長し、結晶転移の生じる部分が大きくなるた
め、歩留まりが悪くなるという問題点を有している。
場合、支持体１３の水平部１３ａによりウエハーＡの外
周縁部を平面的に支持するため、上述した支持体１２よ
りも接触面積が大きく、その接触部分の熱処理温度が低
くなるため、ウエハーＡ全体を均一に熱処理することが
困難である。且つ、ウエハーＡの外周縁部全体に結晶転
移が生じるだけでなく、熱処理を繰り返す度に結晶転移
が内側に成長し、結晶転移の生じる部分が大きくなるた
め、歩留まりが悪くなるという問題点を有している。
【０００６】この発明は上記問題に鑑み、ウエハーの外
周端部を支持体の傾斜面により水平に支持して熱処理す
るので、結晶転移の生じる部分が少なくなり、ウエハー
全体を均一に熱処理することができるウエハー熱処理装
置の提供を目的とする。
周端部を支持体の傾斜面により水平に支持して熱処理す
るので、結晶転移の生じる部分が少なくなり、ウエハー
全体を均一に熱処理することができるウエハー熱処理装
置の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
上記支持体を、上記ウエハーの外周端部と対応する形状
であって、該外周端部が水平に支持される大きさに形成
し、上記支持体の上面側に、上記ウエハーの外周端部を
支持する傾斜面を形成すると共に、該傾斜面を外周側か
ら内周側に向けて低くなる角度に斜設したウエハー熱処
理装置であることを特徴とする。
上記支持体を、上記ウエハーの外周端部と対応する形状
であって、該外周端部が水平に支持される大きさに形成
し、上記支持体の上面側に、上記ウエハーの外周端部を
支持する傾斜面を形成すると共に、該傾斜面を外周側か
ら内周側に向けて低くなる角度に斜設したウエハー熱処
理装置であることを特徴とする。
【０００８】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の構成と併せて、上記ウエハーの外周端部と対向して、
複数の傾斜面を円周方向に対して等間隔に隔てて形成し
たウエハー熱処理装置であることを特徴とする。
の構成と併せて、上記ウエハーの外周端部と対向して、
複数の傾斜面を円周方向に対して等間隔に隔てて形成し
たウエハー熱処理装置であることを特徴とする。
【０００９】請求項３記載の発明は、上記請求項１又は
２記載の構成と併せて、上記傾斜面の外周部に、上記ウ
エハーの上面側よりも上方に突出され、該ウエハーの外
周端部に対して熱伝導される間隔に近接して壁部を形成
したウエハー熱処理装置であることを特徴とする。
２記載の構成と併せて、上記傾斜面の外周部に、上記ウ
エハーの上面側よりも上方に突出され、該ウエハーの外
周端部に対して熱伝導される間隔に近接して壁部を形成
したウエハー熱処理装置であることを特徴とする。
【００１０】請求項４記載の発明は、上記請求項１又は
２記載の構成と併せて、上記支持体の傾斜面を、約１０
度〜約３０度となる角度に斜設したウエハー熱処理装置
であることを特徴とする。
２記載の構成と併せて、上記支持体の傾斜面を、約１０
度〜約３０度となる角度に斜設したウエハー熱処理装置
であることを特徴とする。
【００１１】請求項５記載の発明は、上記請求項１記載
の構成と併せて、上記支持体又は傾斜面を炭化ケイ素で
構成したウエハー熱処理装置であることを特徴とする。
の構成と併せて、上記支持体又は傾斜面を炭化ケイ素で
構成したウエハー熱処理装置であることを特徴とする。
【００１２】
【作用】請求項１記載のウエハー熱処理装置は、支持体
に形成した傾斜面によりウエハーの外周端部を水平に支
持して、支持体の傾斜面とウエハーの外周端部とを線接
触させるので、相互の線接触によりウエハーの外周端部
が均等に支持され、反りや熱膨張による摩擦が部分的に
生じたり、自重による応力が部分的に付加されるのを防
止できると共に、結晶転移が生じるのを抑制でき、ウエ
ハー全体を均一に熱処理することができる。且つ、ウエ
ハーの外周端部のみを支持体により支持するので、ウエ
ハーの外周端部よりも内側に結晶転移が生じるのを防止
でき、歩留まりが良くなる。
に形成した傾斜面によりウエハーの外周端部を水平に支
持して、支持体の傾斜面とウエハーの外周端部とを線接
触させるので、相互の線接触によりウエハーの外周端部
が均等に支持され、反りや熱膨張による摩擦が部分的に
生じたり、自重による応力が部分的に付加されるのを防
止できると共に、結晶転移が生じるのを抑制でき、ウエ
ハー全体を均一に熱処理することができる。且つ、ウエ
ハーの外周端部のみを支持体により支持するので、ウエ
ハーの外周端部よりも内側に結晶転移が生じるのを防止
でき、歩留まりが良くなる。
【００１３】請求項２記載のウエハー熱処理装置は、上
記請求項１記載の作用と併せて、支持体に形成した複数
の傾斜面によりウエハーの外周端部を水平に支持して熱
処理するので、支持体とウエハーとの接触箇所及び接触
面積が少なくなり、結晶転移の生じる部分が減少するた
め、品質の向上及び安定を図ることができる。
記請求項１記載の作用と併せて、支持体に形成した複数
の傾斜面によりウエハーの外周端部を水平に支持して熱
処理するので、支持体とウエハーとの接触箇所及び接触
面積が少なくなり、結晶転移の生じる部分が減少するた
め、品質の向上及び安定を図ることができる。
【００１４】請求項３記載のウエハー熱処理装置は、上
記請求項１又は２記載の作用と併せて、支持体によりウ
エハーを水平に支持して、ウエハーの外周端部に壁部を
近接した状態のまま熱処理するので、熱処理時に於い
て、支持体自体に伝導された熱が傾斜面及び壁部から同
時に放熱され、壁部から放熱される熱が、ウエハーの外
周端部に対して効率よく熱伝導されるため、ウエハーの
外周端部を他の部分と同等温度に熱処理することができ
る。
記請求項１又は２記載の作用と併せて、支持体によりウ
エハーを水平に支持して、ウエハーの外周端部に壁部を
近接した状態のまま熱処理するので、熱処理時に於い
て、支持体自体に伝導された熱が傾斜面及び壁部から同
時に放熱され、壁部から放熱される熱が、ウエハーの外
周端部に対して効率よく熱伝導されるため、ウエハーの
外周端部を他の部分と同等温度に熱処理することができ
る。
【００１５】請求項４記載のウエハー熱処理装置は、上
記請求項１又は２記載の作用と併せて、支持体の傾斜面
を、約１０度〜約３０度となる角度に斜設しているの
で、ウエハーの載置位置及び載置姿勢が安定すると共
に、傾斜面と線接触するウエハーの外周端部に対して、
支持体自体に伝導された熱が効率よく熱伝導されるた
め、ウエハーの外周端部を均一に熱処理することができ
る。
記請求項１又は２記載の作用と併せて、支持体の傾斜面
を、約１０度〜約３０度となる角度に斜設しているの
で、ウエハーの載置位置及び載置姿勢が安定すると共
に、傾斜面と線接触するウエハーの外周端部に対して、
支持体自体に伝導された熱が効率よく熱伝導されるた
め、ウエハーの外周端部を均一に熱処理することができ
る。
【００１６】請求項５記載のウエハー熱処理装置は、上
記請求項１記載の作用と併せて、支持体又は傾斜面を熱
伝導性の良い炭化ケイ素により構成した場合、熱処理時
に於いて、支持体自体の熱がウエハーに直接伝導される
ため、熱損失が少なく、ウエハーの熱処理が効率よく行
える。
記請求項１記載の作用と併せて、支持体又は傾斜面を熱
伝導性の良い炭化ケイ素により構成した場合、熱処理時
に於いて、支持体自体の熱がウエハーに直接伝導される
ため、熱損失が少なく、ウエハーの熱処理が効率よく行
える。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、支持体の傾斜面によ
りウエハーの外周端部を水平に支持するので、相互の線
接触によりウエハー全体が均等に支持され、反りや熱膨
張による摩擦が部分的に生じたり、自重による応力が部
分的に付加されるのを防止できると共に、ウエハー全体
を均等に支持した状態で熱処理するため、結晶転移が生
じるのを抑制でき、ウエハー全体を均一に熱処理するこ
とができる。しかも、ウエハーの外周端部のみを支持体
により支持するので、ウエハーの外周端部よりも内側に
結晶転移が生じるのを防止でき、従来例のような支持体
１２，１３よりも結晶転移の生じる部分が少なく、歩留
まりが良くなるため、一枚のウエハーから得られる半導
体の個数が増加し、製造コストの低減を図ることができ
る。
りウエハーの外周端部を水平に支持するので、相互の線
接触によりウエハー全体が均等に支持され、反りや熱膨
張による摩擦が部分的に生じたり、自重による応力が部
分的に付加されるのを防止できると共に、ウエハー全体
を均等に支持した状態で熱処理するため、結晶転移が生
じるのを抑制でき、ウエハー全体を均一に熱処理するこ
とができる。しかも、ウエハーの外周端部のみを支持体
により支持するので、ウエハーの外周端部よりも内側に
結晶転移が生じるのを防止でき、従来例のような支持体
１２，１３よりも結晶転移の生じる部分が少なく、歩留
まりが良くなるため、一枚のウエハーから得られる半導
体の個数が増加し、製造コストの低減を図ることができ
る。
【００１８】さらに、ウエハーの外周端部を複数の傾斜
面により部分的に支持して、相互の接触箇所及び接触面
積を少なくすることで、結晶転移の生じる要因及び部分
が削減し、ウエハー全体を均一に熱処理することがで
き、品質の向上及び安定を図ることができる。且つ、約
１０度〜約３０度となる角度に支持体の傾斜面を斜設す
ることで、ウエハーの載置位置及び載置姿勢が安定する
と共に、傾斜面と線接触するウエハーの外周端部に対し
て、支持体自体に伝導された熱が効率よく熱伝導される
ため、ウエハーの外周端部を均一に熱処理することがで
きる。
面により部分的に支持して、相互の接触箇所及び接触面
積を少なくすることで、結晶転移の生じる要因及び部分
が削減し、ウエハー全体を均一に熱処理することがで
き、品質の向上及び安定を図ることができる。且つ、約
１０度〜約３０度となる角度に支持体の傾斜面を斜設す
ることで、ウエハーの載置位置及び載置姿勢が安定する
と共に、傾斜面と線接触するウエハーの外周端部に対し
て、支持体自体に伝導された熱が効率よく熱伝導される
ため、ウエハーの外周端部を均一に熱処理することがで
きる。
【００１９】さらにまた、支持体又は傾斜面を炭化ケイ
素により構成した場合、炭化ケイ素は熱伝導性が良く、
支持体自体の熱がウエハーに直接伝導されるため、熱損
失が少なく、ウエハーの熱処理が効率よく行える。
素により構成した場合、炭化ケイ素は熱伝導性が良く、
支持体自体の熱がウエハーに直接伝導されるため、熱損
失が少なく、ウエハーの熱処理が効率よく行える。
【００２０】
【実施例】図面は第１実施例の支持体を備えた急速加熱
型のウエハー熱処理装置を示し、図１に於いて、このウ
エハー熱処理装置１は、加熱炉２の一側部に搬入口２ａ
を形成し、他側部に搬出口２ｂを形成して、搬入側及び
搬出側に配設したロボットアームＢにより未熱処理のウ
エハーＡを炉内部に搬入し、熱処理済みのウエハーＡを
炉外部に搬出する。
型のウエハー熱処理装置を示し、図１に於いて、このウ
エハー熱処理装置１は、加熱炉２の一側部に搬入口２ａ
を形成し、他側部に搬出口２ｂを形成して、搬入側及び
搬出側に配設したロボットアームＢにより未熱処理のウ
エハーＡを炉内部に搬入し、熱処理済みのウエハーＡを
炉外部に搬出する。
【００２１】加熱炉２の内部は、例えば、石英（ＳｉＯ
2 ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の耐熱性の高い壁部材３
で囲繞されると共に、その壁部材３の外側にはヒータ素
線４ａを有する加熱ヒータ４が配設され、その加熱ヒー
タ４の外側は断熱材５で囲繞されている。加熱炉２の下
部には、同炉下部に配設した基台６の上面側中央部に凹
状収納部６ａを形成し、その凹状収納部６ａの底面中央
部にウエハーＡを載置するための支持台７を固定し、そ
の上段にウエハーＡを上下方向に昇降するための支持体
８を配設している。
2 ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の耐熱性の高い壁部材３
で囲繞されると共に、その壁部材３の外側にはヒータ素
線４ａを有する加熱ヒータ４が配設され、その加熱ヒー
タ４の外側は断熱材５で囲繞されている。加熱炉２の下
部には、同炉下部に配設した基台６の上面側中央部に凹
状収納部６ａを形成し、その凹状収納部６ａの底面中央
部にウエハーＡを載置するための支持台７を固定し、そ
の上段にウエハーＡを上下方向に昇降するための支持体
８を配設している。
【００２２】上述した支持台７は、上述した凹状収納部
６ａの底面中央部に、円盤形状に形成した台本体７ａの
下面中央部を固定して、凹状収納部６ａの底面中央部に
形成した摺動孔６ｂと、台本体７ａの下面中央部に形成
した摺動孔７ｂとを上下方向に連通すると共に、各孔６
ｂ，７ｂを、後述する昇降体１０の上下摺動が許容され
る孔径に形成している。台本体７ａの上面側には、上述
した摺動孔７ｂを中心として、ウエハーＡが水平に支持
される長さ及び間隔に隔てて先細形状に形成した複数本
（例えば、３本）の各支持突起７ｃ…を立設すると共
に、これら各支持突起７ｃ…を、後述する支持体８の内
周部よりも内側に配列している。
６ａの底面中央部に、円盤形状に形成した台本体７ａの
下面中央部を固定して、凹状収納部６ａの底面中央部に
形成した摺動孔６ｂと、台本体７ａの下面中央部に形成
した摺動孔７ｂとを上下方向に連通すると共に、各孔６
ｂ，７ｂを、後述する昇降体１０の上下摺動が許容され
る孔径に形成している。台本体７ａの上面側には、上述
した摺動孔７ｂを中心として、ウエハーＡが水平に支持
される長さ及び間隔に隔てて先細形状に形成した複数本
（例えば、３本）の各支持突起７ｃ…を立設すると共
に、これら各支持突起７ｃ…を、後述する支持体８の内
周部よりも内側に配列している。
【００２３】前述した支持体８は、図２、図３に示すよ
うに、熱伝導性が良く、耐熱性の高い炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）により形成され、或いは、その表面をコーティング
処理（ＳｉＣ−ＣＶＤコート）して構成されると共に、
所定サイズにカットされたウエハーＡの外周端部Ａａと
対向するリング形状であって、その外周端部Ａａが水平
に支持される大きさ及び形状に部材本体８ａを形成して
いる。部材本体８ａの内周部は、ウエハーＡの外周端部
Ａａよりも若干小径に形成され、その外周部は、ウエハ
ーＡの外周端部Ａａよりも若干大径に形成されている。
うに、熱伝導性が良く、耐熱性の高い炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）により形成され、或いは、その表面をコーティング
処理（ＳｉＣ−ＣＶＤコート）して構成されると共に、
所定サイズにカットされたウエハーＡの外周端部Ａａと
対向するリング形状であって、その外周端部Ａａが水平
に支持される大きさ及び形状に部材本体８ａを形成して
いる。部材本体８ａの内周部は、ウエハーＡの外周端部
Ａａよりも若干小径に形成され、その外周部は、ウエハ
ーＡの外周端部Ａａよりも若干大径に形成されている。
【００２４】且つ、部材本体８ａの上面側内周部には、
ウエハーＡの外周端部Ａａを支持する傾斜面８ｂを円周
方向に連続して形成すると共に、その傾斜面８ｂを、外
周側から内周側に向けて低くなる角度（例えば、約１０
度〜約３０度）に斜設している。部材本体８ａの下面側
外周部には、後述する昇降台９の各支持軸９ｂ…と対向
して各孔部８ｃ…を形成している。
ウエハーＡの外周端部Ａａを支持する傾斜面８ｂを円周
方向に連続して形成すると共に、その傾斜面８ｂを、外
周側から内周側に向けて低くなる角度（例えば、約１０
度〜約３０度）に斜設している。部材本体８ａの下面側
外周部には、後述する昇降台９の各支持軸９ｂ…と対向
して各孔部８ｃ…を形成している。
【００２５】上述した昇降台９は、円盤形状に形成した
台本体９ａの上面側周縁部に、上述した支持体８の各孔
部８ｃ…と対向して複数本（例えば、３本）の各支持軸
９ｂ…を立設すると共に、各支持軸９ｂ…を、支持体８
が水平に支持される長さ及び間隔に隔てて立設して、こ
れら各支持軸９ｂ…を支持体８の各孔部８ｃ…に対して
下方から差込み固定することで、支持体８を水平状態に
固定されている。且つ、台本体９ａの上面側には、上述
した支持台７の各支持突起７ｃ…と対向して各孔部９ｃ
…が形成され、各孔部９ｃ…は、各支持突起７ｃ…の出
没動作が許容される孔径に形成している。
台本体９ａの上面側周縁部に、上述した支持体８の各孔
部８ｃ…と対向して複数本（例えば、３本）の各支持軸
９ｂ…を立設すると共に、各支持軸９ｂ…を、支持体８
が水平に支持される長さ及び間隔に隔てて立設して、こ
れら各支持軸９ｂ…を支持体８の各孔部８ｃ…に対して
下方から差込み固定することで、支持体８を水平状態に
固定されている。且つ、台本体９ａの上面側には、上述
した支持台７の各支持突起７ｃ…と対向して各孔部９ｃ
…が形成され、各孔部９ｃ…は、各支持突起７ｃ…の出
没動作が許容される孔径に形成している。
【００２６】且つ、台本体９ａの下面中央部に、筒状に
形成した昇降体１０の上端部を固定して、台本体９ａの
下面中央部に形成した孔部９ｄに昇降体１０を連通固定
している。一方、昇降体１０の下端側を、基台６及び支
持台７に形成した各孔６ｂ，７ｂに対して上下摺動可能
に挿入して、例えば、サーボモータ、エアシリンダ等の
昇降手段（図示省略）により昇降体１０を鉛直方向に上
下摺動させ、支持台７の各支持突起７ｃ…が支持体８よ
りも上方に突出される降下位置と、支持体８により水平
に支持されたウエハーＡが加熱炉２の中心部により持上
げられる上昇位置とに昇降体１０を上下摺動する。な
お、昇降体１０は、例えば、窒素ガス（Ｎ2 ）等のプロ
セスガスをパージするためのガス供給装置（図示省略）
に接続されている。加熱炉２の搬出側又は搬入側に、降
下位置に昇降停止されたウエハーＡに向けて冷却ガスを
吐出するための噴射ノズル１１を配設している。
形成した昇降体１０の上端部を固定して、台本体９ａの
下面中央部に形成した孔部９ｄに昇降体１０を連通固定
している。一方、昇降体１０の下端側を、基台６及び支
持台７に形成した各孔６ｂ，７ｂに対して上下摺動可能
に挿入して、例えば、サーボモータ、エアシリンダ等の
昇降手段（図示省略）により昇降体１０を鉛直方向に上
下摺動させ、支持台７の各支持突起７ｃ…が支持体８よ
りも上方に突出される降下位置と、支持体８により水平
に支持されたウエハーＡが加熱炉２の中心部により持上
げられる上昇位置とに昇降体１０を上下摺動する。な
お、昇降体１０は、例えば、窒素ガス（Ｎ2 ）等のプロ
セスガスをパージするためのガス供給装置（図示省略）
に接続されている。加熱炉２の搬出側又は搬入側に、降
下位置に昇降停止されたウエハーＡに向けて冷却ガスを
吐出するための噴射ノズル１１を配設している。
【００２７】図示実施例は上記の如く構成するものにし
て、以下、ウエハー熱処理装置１によりウエハーＡを熱
処理するときの動作を説明する。先ず、未熱処理のウエ
ハーＡをロボットアームＢにより保持した後、加熱炉２
内部にロボットアームＢを挿入して、加熱室３に設置さ
れた支持台７の各支持突起７ｃ…上にウエハーＡを水平
に載置する。加熱炉２外部にロボットアームＢを引出し
た後、支持体８を垂直上昇させて、支持台７の各支持突
起７ｃ…により支持されたウエハーＡの外周端部Ａａを
支持体８の傾斜面８ｂにより水平に支持して所定高さに
持上げる。同時に、筒状の昇降体１０から吐出されるプ
ロセスガスを加熱炉２内部にパージして、熱処理に応じ
たガス環境を形成した後、ウエハーＡの外周端部Ａａを
支持体８の傾斜面８ｂで水平に支持した状態のまま加熱
ヒータ４により均一に熱処理する。
て、以下、ウエハー熱処理装置１によりウエハーＡを熱
処理するときの動作を説明する。先ず、未熱処理のウエ
ハーＡをロボットアームＢにより保持した後、加熱炉２
内部にロボットアームＢを挿入して、加熱室３に設置さ
れた支持台７の各支持突起７ｃ…上にウエハーＡを水平
に載置する。加熱炉２外部にロボットアームＢを引出し
た後、支持体８を垂直上昇させて、支持台７の各支持突
起７ｃ…により支持されたウエハーＡの外周端部Ａａを
支持体８の傾斜面８ｂにより水平に支持して所定高さに
持上げる。同時に、筒状の昇降体１０から吐出されるプ
ロセスガスを加熱炉２内部にパージして、熱処理に応じ
たガス環境を形成した後、ウエハーＡの外周端部Ａａを
支持体８の傾斜面８ｂで水平に支持した状態のまま加熱
ヒータ４により均一に熱処理する。
【００２８】熱処理後に於いて、支持体８を垂直降下さ
せて、支持体８により支持したウエハーＡを支持台７の
各支持突起７ｃ…に再び載置する。支持台７の各支持突
起７ｃ…よりも下方に支持体８を降下させた後、熱処理
済みのウエハーＡに向けて噴射ノズル１１から吐出され
る冷却ガスを吹き付けて冷却処理した後、加熱炉２内部
にロボットアームＢを挿入して、支持台７の各支持突起
７ｃ…により支持された熱処理済みのウエハーＡをロボ
ットアームＢにより保持する。加熱炉２外部にロボット
アームＢを引出して熱処理済みのウエハーＡを搬出し、
次の処理工程に移送する。
せて、支持体８により支持したウエハーＡを支持台７の
各支持突起７ｃ…に再び載置する。支持台７の各支持突
起７ｃ…よりも下方に支持体８を降下させた後、熱処理
済みのウエハーＡに向けて噴射ノズル１１から吐出され
る冷却ガスを吹き付けて冷却処理した後、加熱炉２内部
にロボットアームＢを挿入して、支持台７の各支持突起
７ｃ…により支持された熱処理済みのウエハーＡをロボ
ットアームＢにより保持する。加熱炉２外部にロボット
アームＢを引出して熱処理済みのウエハーＡを搬出し、
次の処理工程に移送する。
【００２９】上述のように、支持体８の傾斜面８ｂによ
りウエハーＡの外周端部Ａａを水平に支持して、支持体
８の傾斜面８ｂとウエハーＡの外周端部Ａａとを線接触
させるので、相互の線接触によりウエハーＡ全体が均等
に支持され、反りや熱膨張による摩擦が部分的に生じた
り、自重による応力が部分的に付加されるのを防止でき
ると共に、ウエハーＡ全体を均等に支持した状態で熱処
理するため、結晶転移が生じるのを抑制でき、ウエハー
Ａ全体を均一に熱処理することができる。
りウエハーＡの外周端部Ａａを水平に支持して、支持体
８の傾斜面８ｂとウエハーＡの外周端部Ａａとを線接触
させるので、相互の線接触によりウエハーＡ全体が均等
に支持され、反りや熱膨張による摩擦が部分的に生じた
り、自重による応力が部分的に付加されるのを防止でき
ると共に、ウエハーＡ全体を均等に支持した状態で熱処
理するため、結晶転移が生じるのを抑制でき、ウエハー
Ａ全体を均一に熱処理することができる。
【００３０】しかも、ウエハーＡの外周端部Ａａのみを
支持体８により支持するので、従来例と同一条件で熱処
理済みのウエハーＡを試験して、転移状況を観察した結
果、ウエハーＡの外周端部Ａａ（例えば、約５mm）より
も内側に結晶転移が生じることがなく、従来例のような
支持体１２，１３よりも結晶転移の生じる部分が少なく
なり、歩留まりが良くなるため、１枚のウエハーＡから
得られる半導体の個数が増加し、製造コストの低減を図
ることができる。
支持体８により支持するので、従来例と同一条件で熱処
理済みのウエハーＡを試験して、転移状況を観察した結
果、ウエハーＡの外周端部Ａａ（例えば、約５mm）より
も内側に結晶転移が生じることがなく、従来例のような
支持体１２，１３よりも結晶転移の生じる部分が少なく
なり、歩留まりが良くなるため、１枚のウエハーＡから
得られる半導体の個数が増加し、製造コストの低減を図
ることができる。
【００３１】さらに、支持体８の傾斜面８ｂを、例え
ば、約１０度〜約３０度となる角度に斜設することで、
ウエハーＡの載置位置及び載置姿勢が安定すると共に、
傾斜面８ｂと線接触するウエハーＡの外周端部Ａａに対
して、支持体８自体に伝導された熱が効率よく熱伝導さ
れるため、ウエハーＡの外周端部Ａａを均一に熱処理す
ることができる。また、支持体８又は傾斜面８ｂを炭化
ケイ素により構成した場合、炭化ケイ素は熱伝導性が良
いため、熱処理時に於いて、支持体８自体の熱がウエハ
ーＡに直接伝導され、熱損失が少なく、ウエハーＡの熱
処理が効率よく行える。
ば、約１０度〜約３０度となる角度に斜設することで、
ウエハーＡの載置位置及び載置姿勢が安定すると共に、
傾斜面８ｂと線接触するウエハーＡの外周端部Ａａに対
して、支持体８自体に伝導された熱が効率よく熱伝導さ
れるため、ウエハーＡの外周端部Ａａを均一に熱処理す
ることができる。また、支持体８又は傾斜面８ｂを炭化
ケイ素により構成した場合、炭化ケイ素は熱伝導性が良
いため、熱処理時に於いて、支持体８自体の熱がウエハ
ーＡに直接伝導され、熱損失が少なく、ウエハーＡの熱
処理が効率よく行える。
【００３２】図４はウエハーＡの外周端部Ａａに対し
て、上面側外周部に形成した壁部８ｄを近接して支持す
る第２実施例の支持体８を示し、傾斜面８ｂの外周部に
沿って壁部８ｄを円周方向に連続して形成すると共に、
その壁部８ｄを、傾斜面８ｂで支持されるウエハーＡの
上面側よりも若干上方に突出される高さであって、ウエ
ハーＡの外周端部Ａａに対して熱伝導される間隔（例え
ば、約３mm以下）に近接して形成している。つまり、支
持体８に形成した傾斜面８ｂによりウエハーＡを水平に
支持して、ウエハーＡの外周端部Ａａに壁部８ｄを近接
した状態のまま熱処理するので、熱処理時に於いて、支
持体８自体に伝導された熱が傾斜面８ｂ及び壁部８ｄか
ら同時に放熱され、壁部８ｄから放熱される熱が、ウエ
ハーＡの外周端部Ａａに対して壁部８ｄの効率よく熱伝
導されるため、ウエハーＡの外周端部Ａａを他の部分と
同等温度に熱処理することができると共に、ウエハーＡ
の中央部と外周部とに温度勾配が生じるのを確実に防止
でき、ウエハーＡ全体を均一に熱処理することができ
る。
て、上面側外周部に形成した壁部８ｄを近接して支持す
る第２実施例の支持体８を示し、傾斜面８ｂの外周部に
沿って壁部８ｄを円周方向に連続して形成すると共に、
その壁部８ｄを、傾斜面８ｂで支持されるウエハーＡの
上面側よりも若干上方に突出される高さであって、ウエ
ハーＡの外周端部Ａａに対して熱伝導される間隔（例え
ば、約３mm以下）に近接して形成している。つまり、支
持体８に形成した傾斜面８ｂによりウエハーＡを水平に
支持して、ウエハーＡの外周端部Ａａに壁部８ｄを近接
した状態のまま熱処理するので、熱処理時に於いて、支
持体８自体に伝導された熱が傾斜面８ｂ及び壁部８ｄか
ら同時に放熱され、壁部８ｄから放熱される熱が、ウエ
ハーＡの外周端部Ａａに対して壁部８ｄの効率よく熱伝
導されるため、ウエハーＡの外周端部Ａａを他の部分と
同等温度に熱処理することができると共に、ウエハーＡ
の中央部と外周部とに温度勾配が生じるのを確実に防止
でき、ウエハーＡ全体を均一に熱処理することができ
る。
【００３３】図５はウエハーＡの外周端部Ａａを、上面
側内周部に形成した複数の各傾斜面８ｂ…で水平に支持
する第３実施例の支持体８を示し、支持体８の上面側内
周部に対して複数の各傾斜面８ｂ…を部分的に形成する
と共に、各傾斜面８ｂ…を、円周方向に対して所定等間
隔に隔てて複数箇所（例えば、３箇所）形成している。
つまり、支持体８に形成した複数の各傾斜面８ｂ…によ
りウエハーＡの外周端部Ａａを水平に支持して熱処理す
るので、第１実施例のようにウエハーＡの外周全体を支
持するよりも、支持体８とウエハーＡとの接触箇所及び
接触面積が少なくなり、結晶転移の生じる要因及び部分
が削減されるため、結晶転移の生じる部分が減少し、ウ
エハーＡ全体を均一に熱処理することができ、品質の向
上及び安定を図ることができる。
側内周部に形成した複数の各傾斜面８ｂ…で水平に支持
する第３実施例の支持体８を示し、支持体８の上面側内
周部に対して複数の各傾斜面８ｂ…を部分的に形成する
と共に、各傾斜面８ｂ…を、円周方向に対して所定等間
隔に隔てて複数箇所（例えば、３箇所）形成している。
つまり、支持体８に形成した複数の各傾斜面８ｂ…によ
りウエハーＡの外周端部Ａａを水平に支持して熱処理す
るので、第１実施例のようにウエハーＡの外周全体を支
持するよりも、支持体８とウエハーＡとの接触箇所及び
接触面積が少なくなり、結晶転移の生じる要因及び部分
が削減されるため、結晶転移の生じる部分が減少し、ウ
エハーＡ全体を均一に熱処理することができ、品質の向
上及び安定を図ることができる。
【００３４】この発明は、上述の実施例の構成のみに限
定されるものではない。
定されるものではない。
【００３５】上述した第１実施例では、支持体８の上面
側内周部に沿って傾斜面８ｂを連続して形成している
が、例えば、支持体８の上面側内周縁部に対して各傾斜
面８ｂ…を相対向して２箇所形成するもよく、左右の各
傾斜面８ｂ…によりウエハーＡの両側端部Ａａを水平に
支持するので、安定性が損なわれず、均一に熱処理でき
る。また、支持体８を複数に分割して、その複数に分割
された各傾斜面８ｂ…でウエハーＡを支持してもよい。
側内周部に沿って傾斜面８ｂを連続して形成している
が、例えば、支持体８の上面側内周縁部に対して各傾斜
面８ｂ…を相対向して２箇所形成するもよく、左右の各
傾斜面８ｂ…によりウエハーＡの両側端部Ａａを水平に
支持するので、安定性が損なわれず、均一に熱処理でき
る。また、支持体８を複数に分割して、その複数に分割
された各傾斜面８ｂ…でウエハーＡを支持してもよい。
【図１】 第１実施例の支持体を備えたウエハー熱処理
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図２】 支持体によるウエハーの支持状態を示す平面
図。
図。
【図３】 支持体によるウエハーの支持部分を示す要部
断面図。
断面図。
【図４】 第２実施例の支持体に壁部を形成した例を示
す要部断面図。
す要部断面図。
【図５】 第３実施例の支持体に傾斜面を部分形成した
他の例を示す平面図。
他の例を示す平面図。
【図６】 第１従来例の支持体によるウエハーの支持状
態を示す縦断側面図。
態を示す縦断側面図。
【図７】 第２従来例の支持体によるウエハーの支持状
態を示す縦断側面図。
態を示す縦断側面図。
Ａ…ウエハー Ａａ…外周端部 １…ウエハー熱処理装置 ２…加熱炉 ７…支持台 ７ｃ…支持突起 ８…支持体 ８ｂ…傾斜面 ８ｄ…壁部 ９…昇降台 １０…昇降体
【手続補正書】
【提出日】平成８年１１月１５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１実施例の支持体を備えたウエハー熱処理
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図２】 支持体によるウエハーの支持状態を示す平面
図。
図。
【図３】 支持体によるウエハーの支持部分を示す要部
断面図。
断面図。
【図４】 第２実施例の支持体に壁部を形成した例を示
す要部断面図。
す要部断面図。
【図５】 第３実施例の支持体に傾斜面を部分形成した
他の例を示す平面図。
他の例を示す平面図。
【図６】 第１従来例の支持体によるウエハーの支持状
態を示す縦断側面図。
態を示す縦断側面図。
【図７】 第２従来例の支持体によるウエハーの支持状
態を示す縦断側面図。
態を示す縦断側面図。
【図８】 Ｘ線トポグラフで転移状況を観察した試験品
シリコンウエハーの説明図。
シリコンウエハーの説明図。
【符号の説明】 Ａ…ウエハー Ａａ…外周端部 １…ウエハー熱処理装置 ２…加熱炉 ７…支持台 ７ｃ…支持突起 ８…支持体 ８ｂ…傾斜面 ８ｄ…壁部 ９…昇降台 １０…昇降体
Claims (5)
- 【請求項１】支持体により支持されたウエハーを加熱炉
内に搬入して均一に熱処理するウエハー熱処理装置であ
って、上記支持体を、上記ウエハーの外周端部と対応す
る形状であって、該外周端部が水平に支持される大きさ
に形成し、上記支持体の上面側に、上記ウエハーの外周
端部を支持する傾斜面を形成すると共に、該傾斜面を外
周側から内周側に向けて低くなる角度に斜設したウエハ
ー熱処理装置。 - 【請求項２】上記ウエハーの外周端部と対向して、複数
の傾斜面を円周方向に対して等間隔に隔てて形成した請
求項１記載のウエハー熱処理装置。 - 【請求項３】上記傾斜面の外周部に、上記ウエハーの上
面側よりも上方に突出され、該ウエハーの外周端部に対
して熱伝導される間隔に近接して壁部を形成した請求項
１又は２記載のウエハー熱処理装置。 - 【請求項４】上記傾斜面を、約１０度〜約３０度となる
角度に斜設した請求項１又は２記載のウエハー熱処理装
置。 - 【請求項５】上記支持体又は傾斜面を炭化ケイ素で構成
した請求項１記載のウエハー熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27407796A JP2971818B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | ウエハー熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27407796A JP2971818B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | ウエハー熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1098048A true JPH1098048A (ja) | 1998-04-14 |
| JP2971818B2 JP2971818B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=17536662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27407796A Expired - Fee Related JP2971818B2 (ja) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | ウエハー熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2971818B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19821007A1 (de) * | 1998-05-11 | 1999-11-25 | Steag Rtp Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
| CN102703883A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-10-03 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种板式pecvd镀膜载板 |
| JP2017517877A (ja) * | 2014-04-11 | 2017-06-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板を急速に冷却する方法および装置 |
| WO2019098033A1 (ja) * | 2017-11-17 | 2019-05-23 | 信越半導体株式会社 | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2019119896A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1996
- 1996-09-24 JP JP27407796A patent/JP2971818B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19821007A1 (de) * | 1998-05-11 | 1999-11-25 | Steag Rtp Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
| US6752625B1 (en) | 1998-05-11 | 2004-06-22 | Steag Rtp Systems Gmbh | Method and apparatus device for the heat treatment of substrates |
| CN102703883A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-10-03 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | 一种板式pecvd镀膜载板 |
| JP2017517877A (ja) * | 2014-04-11 | 2017-06-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板を急速に冷却する方法および装置 |
| WO2019098033A1 (ja) * | 2017-11-17 | 2019-05-23 | 信越半導体株式会社 | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2019096639A (ja) * | 2017-11-17 | 2019-06-20 | 信越半導体株式会社 | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2019119896A (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-22 | トヨタ自動車株式会社 | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2971818B2 (ja) | 1999-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6780251B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device | |
| JPWO2016174860A1 (ja) | サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハ | |
| JP6424726B2 (ja) | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 | |
| JPH08250444A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0478130A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JP2971818B2 (ja) | ウエハー熱処理装置 | |
| JP3357311B2 (ja) | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 | |
| JP3067658B2 (ja) | ウエハー熱処理装置 | |
| JPH10242067A (ja) | 熱処理用基板支持具 | |
| JP2000269137A (ja) | 半導体製造装置及びウェハ取扱方法 | |
| JP3507624B2 (ja) | 熱処理用ボ−ト及び熱処理装置 | |
| JP3777964B2 (ja) | 熱処理用基板支持具 | |
| JPH1070171A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH10247680A (ja) | 高温炉への搬送用フォークおよび熱処理装置 | |
| JPS60152675A (ja) | 縦型拡散炉型気相成長装置 | |
| JP2019117890A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ | |
| JP2005235906A (ja) | ウェーハ保持具及び気相成長装置 | |
| KR20090080870A (ko) | 핀 마크를 방지할 수 있는 웨이퍼 리프트 핀 및 이를구비한 웨이퍼 가공 장치 | |
| KR100533586B1 (ko) | 반도체 기판 지지용 기판 홀더 | |
| JP4029610B2 (ja) | ウェーハ支持具 | |
| JP3240187B2 (ja) | 熱処理方法及びそれに用いる縦型熱処理装置 | |
| JPH1154445A (ja) | 半導体デバイス製造方法および製造装置 | |
| JP4597432B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH07326593A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP2005086132A (ja) | 熱処理装置、半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070827 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100827 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110827 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120827 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |