JPWO2016174860A1 - サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハ - Google Patents

サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハ Download PDF

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Abstract

本発明は、ウェーハの裏面及び面取り部にリフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵を発生させず、かつ、サセプタからの発塵を抑制することが可能なサセプタを提供する。本発明の一実施形態のサセプタ２０は、サセプタ本体３０及び弧状部材４０Ａ，４０Ｂを含む。座ぐり部２１の底面は、弧状サセプタ部材のおもて面４１Ａ，４１Ｂの全体と、サセプタ本体のおもて面の一部３３とで構成される。ウェーハＷを搬送する際に、リフトピン４４により上昇される弧状部材４０Ａ，４０Ｂのおもて面の全体が、ウェーハＷの裏面の外周部のみを面接触で支持する。

Description

本発明は、エピタキシャル成長装置内でウェーハを載置するためのサセプタと、該サセプタを有するエピタキシャル成長装置と、該エピタキシャル成長装置により製造可能なエピタキシャルウェーハに関する。
エピタキシャルウェーハは、半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させたものである。例えば、結晶の完全性がより要求される場合や抵抗率の異なる多層構造を必要とする場合などには、シリコンウェーハ上に単結晶シリコン薄膜を気相成長（エピタキシャル成長）させてエピタキシャルシリコンウェーハを製造する。
エピタキシャルウェーハの製造には、例えば枚葉式エピタキシャル成長装置を用いる。ここで、一般的な枚葉式エピタキシャル成長装置について、図８を参照して説明する。図８に示すように、エピタキシャル成長装置２００は、上部ドーム１１、下部ドーム１２及びドーム取付体１３を含むチャンバ１０を有し、該チャンバ１０がエピタキシャル膜形成室を区画する。チャンバ１０には、その側面の対向する位置に反応ガスの供給及び排出を行うガス供給口１５及びガス排出口１６が設けられる。一方、チャンバ１０内には、ウェーハＷが載置されるサセプタ２０が配置される。サセプタ２０は、下方からサセプタサポートシャフト５０により支持される。サセプタサポートシャフト５０は、主柱５２と、この主柱５２から放射状に等間隔に延びる３本のアーム５４（１本は図示せず）とを含み、アームの先端の３つの支持ピン５８（１つは図示せず）でサセプタ２０の裏面外周部を勘合支持する。また、サセプタ２０には３つの貫通孔（１つは図示せず）が形成され、３本のアーム５４にも貫通孔が１つずつ形成されている。これらアームの貫通孔及びサセプタの貫通孔には、リフトピン４４が挿通される。リフトピン４４の下端部は昇降シャフト６０に支持される。チャンバ１０内に搬入されたウェーハＷの支持、このウェーハＷのサセプタ２０上への載置、及び、気相成長後のエピタキシャルウェーハのチャンバ１０外への搬出の際には、昇降シャフト６０が昇降することで、リフトピン４４がアームの貫通孔及びサセプタの貫通孔と摺動しながら昇降し、その上端部でウェーハＷの昇降を行う。
このようなエピタキシャル成長装置では、リフトピンで直接ウェーハＷを支持し、持ち上げることになる。そのため、ウェーハＷの裏面のリフトピンが当接する部分には、リフトピンが上昇しながら当り、引き続きリフトピンの上端部の接触が維持される。そのため、ウェーハＷの裏面の当該部分に、深さ0.5μｍを超えるサイズの疵（ピンマーク）が発生するという問題があった。
また、特許文献１には、リフトピンで直接ウェーハを支持し、持ち上げるのではなく、サセプタの一部で直接ウェーハを持ち上げる技術が記載されている。すなわち、特許文献１の図２及び図３には、サセプタ本体２２の周縁部に設けた凹部に収容されたリフトリング３２が、リフトピン４８によってサセプタ本体２２から相対的に持ち上げられて、当該リフトリング３２から内側に突出した３つのリフト部材３６がウェーハのエッジ部分を支持することが記載されている。
特開２００１−３１３３２９号公報
特許文献１の技術によれば、ウェーハを持ち上げる際に、ウェーハをリフトピンで局所的に支持することなく、サセプタの一部でウェーハのエッジ部を支持するため、ウェーハの裏面にリフトピンに起因する疵を発生させることを抑制できる。しかしながら、リフトリング３２から内側に突出した３つのリフト部材３６（すなわち突起）によって、点接触によってウェーハの面取り部（エッジ部）を支持するため、ウェーハの面取り部にはやはり深さ0.5μｍを超えるサイズの疵が発生することが懸念される。また、特許文献１の技術には以下のような課題があることを本発明者らは新たに認識した。
すなわち、特許文献１では、リフトリングが収容される凹部が、サセプタ本体の周縁部の、しかもウェーハのエッジよりも外側に位置している。そのため、気相成長時には、リフトリングのおもて面や、凹部の周囲のサセプタ本体おもて面にもソースガスが接触してエピタキシャル膜が成長し、そのエピタキシャル膜は、リフトリングとサセプタ本体との水平方向離間部でも連結する場合がある。その後、リフトリングをサセプタ本体から相対的に持ち上げると、離間部で連結したエピタキシャル膜が破断し、粉塵が発生する。この粉塵は、製造したエピタキシャルウェーハの表面に付着し、多数の欠陥を生じさせるため、その抑制が望まれる。
そこで本発明は、上記課題に鑑み、ウェーハの裏面及び面取り部にリフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵を発生させず、かつ、サセプタからの発塵を抑制することが可能なサセプタ及びエピタキシャル成長装置を提供することを目的とする。また、本発明は、リフトピン又はサセプタとの接触に起因して発生し得る、深さ0.5μｍを超える疵が観察されないエピタキシャルウェーハを提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の要旨構成は以下のとおりである。
（１）エピタキシャル成長装置内でウェーハを載置するためのサセプタであって、
前記サセプタのおもて面に、前記ウェーハが載置される座ぐり部が形成され、
前記サセプタは、サセプタ本体と、該サセプタ本体のおもて面の外周部に設けられた２以上の凹部にそれぞれ載置された弧状部材とを有し、
前記座ぐり部の底面が、前記弧状部材のおもて面の全体と、前記サセプタ本体のおもて面の一部とで構成され、
前記サセプタ本体には、前記２以上の各弧状部材の裏面を支持して前記２以上の各弧状部材を昇降させるリフトピンを挿通するための２以上の貫通孔が設けられ、
前記ウェーハを前記座ぐり部に載置する際、及び、前記ウェーハを前記座ぐり部から搬出する際に、前記リフトピンにより上昇される前記弧状部材のおもて面の全体が、前記ウェーハの裏面の外周部のみを面接触で支持する支持面として機能することを特徴とするサセプタ。
（２）前記弧状部材の数が２であり、おもて面視で略線対称に位置する上記（１）に記載のサセプタ。
（３）前記リフトピンが前記弧状部材に固定されている上記（１）又は（２）に記載のサセプタ。
（４）上記（１）〜（３）のいずれか一項に記載のサセプタと、
前記リフトピンの下端部を支持して前記リフトピンを昇降させる昇降機構と、を有するエピタキシャル成長装置。
（５）ウェーハ表面上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハであって、前記エピタキシャルウェーハの裏面及び面取り部を、レーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.5μｍを超える疵が観察されないエピタキシャルウェーハ。
（６）前記エピタキシャルウェーハの裏面の中央部をレーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.3μｍ以下の疵が観察されない、上記（５）に記載のエピタキシャルウェーハ。
本発明のサセプタ及びエピタキシャル成長装置は、ウェーハの裏面及び面取り部にリフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵を発生させず、かつ、サセプタからの発塵を抑制することが可能である。また、このサセプタ及びエピタキシャル成長装置を用いることにより、リフトピン又はサセプタとの接触に起因して発生し得る、深さ0.5μｍを超える疵が観察されないエピタキシャルウェーハを製造することができる。
本発明の一実施形態によるサセプタ２０の模式断面図であり、（Ａ）はウェーハを載置していない状態（図２（Ｃ）のI−I断面図）、（Ｂ）は、（Ａ）の座ぐり部２１にウェーハＷを載置した状態、（Ｃ）は、弧状部材４０Ａ，４０ＢでウェーハＷを持ち上げた状態を示す。 （Ａ）は、図１のサセプタ２０におけるサセプタ本体３０の上面図であり、（Ｂ）は、図１のサセプタ２０における弧状部材４０Ａ，４０Ｂの上面図であり、（Ｃ）は、弧状部材４０Ａ，４０Ｂをサセプタ本体３０の凹部に載置した状態のサセプタ２０の上面図である。 図１（Ｃ）の拡大断面図である。 比較例によるサセプタの、図３と同様の断面図である。 （Ａ）は、サセプタサポートシャフト５０の分解斜視図であり、（Ｂ）は、昇降シャフト６０の分解斜視図である。 本発明の一実施形態によるエピタキシャル成長装置１００の模式図であり、ウェーハＷがサセプタに載置された状態（気相成長時）を示す。 本発明の一実施形態によるエピタキシャル成長装置１００の模式図であり、弧状部材４０Ａ，４０ＢがウェーハＷを持ち上げた状態を示す。 従来のエピタキシャル成長装置２００の模式図であり、リフトピン４０がサセプタ２０に対して下降した状態（気相成長時）を示す。 （Ａ）は従来例、（Ｂ）は発明例において、エピタキシャルシリコンウェーハの裏面をレーザー顕微鏡で観察した画像である。
図６及び図７を参照して、本発明の一実施形態によるエピタキシャル成長装置１００を説明する。また、図１〜３を参照して、このエピタキシャル成長装置１００に含まれる、本発明の一実施形態によるサセプタ２０を説明する。
（エピタキシャル成長装置）
図６及び図７に示すエピタキシャル成長装置１００は、チャンバ１０と、加熱ランプ１４と、図１及び図２にも示すサセプタ２０と、図５（Ａ）にも示すサセプタサポートシャフト５０と、図５（Ｂ）にも示す昇降シャフト６０とを有する。
（チャンバ）
チャンバ１０は、上部ドーム１１、下部ドーム１２及びドーム取付体１３を含み、このチャンバ１０がエピタキシャル膜形成室を区画する。チャンバ１０には、その側面の対向する位置に反応ガスの供給及び排出を行うガス供給口１５及びガス排出口１６が設けられる。
（加熱ランプ）
加熱ランプ１４は、チャンバ１０の上側領域および下側領域に配置され、一般に、昇降温速度が速く、温度制御性に優れた、ハロゲンランプや赤外ランプが用いられる。
（サセプタの主要な構成）
図１及び図２を参照して、サセプタ２０の主要な構成を説明する。サセプタ２０は、チャンバ１０の内部でウェーハＷを載置するための円盤状の部材である。サセプタ２０は、カーボングラファイト（黒鉛）を母材とし、その表面を炭化ケイ素でコーティングしたものを使用することができる。図１（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、サセプタ２０のおもて面には、ウェーハＷが載置される座ぐり部２１が形成されている。座ぐり部２１の開口端における直径は、ウェーハＷの直径を考慮して適宜設定すればよく、通常、ウェーハＷの直径よりも１．０〜２．０ｍｍ程度大きくする。
図１（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、サセプタ２０は、サセプタ本体３０と、このサセプタ本体のおもて面の外周部に設けられた２つの凹部３１Ａ，３１Ｂにそれぞれ載置された２つの弧状部材４０Ａ，４０Ｂとを有する。
図１（Ａ）〜（Ｃ）及び図２（Ａ）を参照して、サセプタ本体３０のおもて面は、おもて面外周部３２と、ウェーハ支持面３２Ａと、縦壁面３２Ｂと、おもて面中心部３３と、凹部３１Ａ，３１Ｂの表面（底面３４Ａ，３４Ｂを含む）とを含む。おもて面外周部３２は、図１（Ａ）に示す座ぐり部２１の周囲に位置する。ウェーハ支持面３２Ａは、おもて面外周部３２の内側に位置し、ウェーハＷの裏面周縁部を線接触で支持する、座ぐり部の一部を構成する傾斜面である。縦壁面３２Ｂは、ウェーハ支持面３２Ａの内周端から連続する、座ぐり部の一部を構成する壁面である。おもて面中心部３３は、縦壁面３２Ｂから連続し、座ぐり部２１の底面の一部を構成する。凹部３１Ａ，３１Ｂは、弧状部材４０Ａ，４０Ｂを収容、載置するために、図２（Ａ）のおもて面視で弧状部材４０Ａ，４０Ｂと同じ形状を有する。凹部３１Ａ，３１Ｂの寸法は、弧状部材４０Ａ，４０Ｂとサセプタ本体３０との隙間（クリアランス）が必要最小限（例えば０．１〜１．０ｍｍ程度）となるように設定する。サセプタ本体３０には、底面３４Ａ，３４Ｂ及び裏面を鉛直方向に貫通する４つの貫通孔３５が設けられている。４つの貫通孔３５には、後述するリフトピン４４が挿通される。
図１（Ａ）〜（Ｃ）及び図２（Ｂ）を参照して、弧状部材４０Ａ，４０Ｂは、それぞれおもて面４１Ａ，４１Ｂ及び裏面４２Ａ，４２Ｂを有し、必要最小限の隙間（クリアランス）をもって凹部３１Ａ，３１Ｂにそれぞれ載置される、上面視で弧状の部材である。図１（Ａ）に示すように、おもて面４１Ａ，４１Ｂは座ぐり部２１の底面の一部を構成し、裏面４２Ａ，４２Ｂは凹部の底面３４Ａ，３４Ｂにそれぞれ接触、支持される。ウェーハＷを安定して支持する観点から、弧状部材の外周面４３Ａ，４３Ｂと、内周面４５Ａ，４５Ｂとは、上面視で同じ曲率を有することが好ましく、その曲率は、ウェーハの曲率の８０〜１２０％程度とすることが好ましく、１００％であることがより好ましい。また、ウェーハＷを安定して支持する観点から、２つの弧状部材４０Ａ，４０Ｂは、図２（Ｃ）に示すように略線対称に位置することが好ましい。
裏面４２Ａ，４２Ｂからは、それぞれ２本のリフトピン４４が延びている。これら計４本のリフトピン４４は、サセプタ本体に設けられた４つの貫通孔３５にそれぞれ挿通される。リフトピン４４は、後述の昇降シャフト６０によって鉛直方向上下に昇降されることにより、弧状部材の裏面４２Ａ，４２Ｂを支持しながら、弧状部材４０Ａ，４０Ｂをサセプタ本体３０に対して着脱させることができる。この動作については後述する。弧状部材の安定した昇降の観点から、リフトピン４４は、１つの弧状部材につき２本設けることが好ましく、これら２本のリフトピンを弧状部材の両端部近傍に設けることが好ましい。本実施形態においてリフトピン４４は、弧状部材４０Ａ，４０Ｂに固定されているが、リフトピン４４は、弧状部材４０Ａ，４０Ｂに固定されていなくても構わない。
図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、座ぐり部２１の底面が、弧状部材のおもて面４１Ａ，４１Ｂの全体と、サセプタ本体のおもて面の一部（具体的には、おもて面中心部３３）とで構成される。すなわち、弧状部材４０Ａ，４０Ｂがそれぞれ凹部３１Ａ，３１Ｂに載置され、ウェーハＷが座ぐり部２１に載置されている状態において、座ぐり部２１の表面のうち弧状部材のおもて面４１Ａ，４１Ｂの全体と、サセプタ本体のおもて面中心部３３とが、ウェーハＷの裏面と離間しつつ対向する。
一方で、図１（Ｃ）に示すように、ウェーハＷを座ぐり部２１に載置する際、及び、ウェーハＷを座ぐり部２１から搬出する（つまり、ウェーハＷを搬送する）際には、サセプタ本体３０及び弧状部材４０Ａ，４０Ｂが鉛直方向に離間して、リフトピン４４により上昇される弧状部材のおもて面４１Ａ，４１Ｂの全体が、ウェーハＷの裏面の外周部のみを面接触で支持する支持面として機能する。そのため、ウェーハＷの裏面及び面取り部に、リフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵が発生することを抑制できる。具体的には、本実施形態によれば、製造したエピタキシャルウェーハの裏面及び面取り部を、レーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.5μｍを超える疵が観察されない。ここで本明細書において「ウェーハの裏面の外周部」とは、ウェーハの裏面において、ウェーハ中心からウェーハ半径の７０％以上離れた領域を意味するものとする。
また、本明細書において、「ウェーハの裏面の中央部」とは、前記ウェーハの裏面の外周部の内側領域、すなわち、ウェーハ中心からウェーハ半径の７０％未満の領域を意味する。そして、本実施形態では、弧状部材４０Ａ，４０ＢがウェーハＷの裏面の外周部のみを支持するため、裏面の中央部は何らの部材との接触がない（点接触のみならず、面接触もない）。そのため、製造したエピタキシャルウェーハの裏面の中央部を、レーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.3μｍ以下の疵（接触疵）も観察されない。エピタキシャル成長処理中、ウェーハＷは高温熱処理を受けることにより上凸あるいは下凸に反るなどの現象が起きる。このため、ウェーハＷの裏面中央部に接触疵が存在すると、その疵を起点にスリップ転位が発生し易くなるおそれがあるが、本実施形態ではそのおそれがない。
弧状部材４０Ａ，４０Ｂに支持されたウェーハＷは、図２（Ｃ）に示す方向から挿入されるコの字型の搬送ブレード７０のウェーハ支持部７２によってウェーハＷの裏面中心部を支持され、チャンバの外に搬送される。弧状部材４０Ａ，４０Ｂは、搬送ブレードのウェーハ支持部７２と干渉しないように配置される。
弧状部材４０Ａ，４０Ｂの表面部又は弧状部材４０Ａ，４０Ｂの全体は、柔らかい材料（グラッシーカーボン）からなるものとすることが好ましい。ウェーハＷの裏面を面接触支持する際の傷発生を抑制できるからである。
また、サセプタ本体の凹部３１Ａ，３１Ｂの底部と弧状部材４０Ａ，４０Ｂとを孔あき構造とすることも好ましい。ウェーハＷの裏面への水素ガス回り込みを促進させて、ウェーハ裏面でのハロー（くもり）発生を抑制できるからである。
（サセプタサポートシャフト）
図５（Ａ）を参照して、サセプタサポートシャフト５０は、チャンバ１０内でサセプタ２０を下方から支持するものであり、主柱５２と、４本のアーム５４と、４本の支持ピン５８とを有する。主柱５２は、サセプタの中心とほぼ同軸上に配置される。４本のアーム５４は、主柱５２からサセプタ２０の周縁部下方に放射状に延び、それぞれ鉛直方向に貫通する貫通孔５６を有する。なお、本明細書において「サセプタの周縁部」とは、サセプタ中心からサセプタ半径の８０％以上外側の領域を意味する。支持ピン５８は、４本のアーム５４の先端にそれぞれ設けられ、サセプタ２０を直接支持する。すなわち、支持ピン５８は、サセプタの裏面周縁部を支持する。４つの貫通孔５６には、４本のリフトピン４４がそれぞれ挿通される。サセプタサポートシャフト５０は、石英で構成することが望ましく、特に合成石英で構成することが望ましい。ただし、支持ピン５８の先端部分は、サセプタ２０と同じ炭化ケイ素で構成することが好ましい。
（昇降シャフト）
図５（Ｂ）に示すように、昇降機構としての昇降シャフト６０は、サセプタサポートシャフトの主柱５２を収容する中空を区画し、この主柱３２と回転軸を共有する主柱６２と、この主柱６２の先端で分岐する４本の支柱６４とを有し、これら支柱６４の先端部６６でリフトピン４４の下端部をそれぞれ支持する。昇降シャフト６０は石英で構成されることが好ましい。昇降シャフト６０が、サセプタサポートシャフトの主柱５２に沿って鉛直方向上下に動くことにより、リフトピン４４を昇降させることができる。
（エピタキシャルウェーハの製造手順）
次に、チャンバ１０内へのウェーハＷの搬入、ウェーハＷへのエピタキシャル膜の気相成長、及び製造されたエピタキシャルウェーハのチャンバ１０外への搬出の一連の動作を、図６及び図７を適宜参照して説明する。
図２（Ｃ）に示した搬送ブレード７０に支持されてチャンバ１０内に搬入されたウェーハＷは、リフトピン４４によって持ち上げられた弧状部材４０Ａ，４０Ｂのおもて面４１Ａ，４１Ｂに一旦載置される。リフトピン４４の上昇移動は、これらの下端部を支持する昇降シャフト６０の上昇移動を介して行う。
次いで、サセプタサポートシャフト５０を上昇させることで、サセプタ本体３０を弧状部材４０Ａ，４０Ｂの位置まで移動し、ウェーハＷがサセプタ２０の座ぐり部２１に載置された状態とする。その後、加熱ランプ１４によりウェーハＷを１０００℃以上の温度に加熱する一方、ガス供給口１５からチャンバ１０内に反応ガスを供給して、所定の厚さのエピタキシャル膜を気相成長させて、エピタキシャルウェーハを製造する。気相成長中は、主柱５２を回転軸としてサセプタサポートシャフト５０を回転させることで、サセプタ２０及びその上のウェーハＷを回転させる。
その後、サセプタサポートシャフト５０を下降させることで、サセプタ本体３０を下降させる。この下降は、リフトピン４４が昇降シャフト６０に支持され、弧状部材４０Ａ，４０Ｂがサセプタ本体３０から離間するまで行い、製造後のエピタキシャルウェーハを、リフトピン４４に支持された弧状部材４０Ａ，４０Ｂのおもて面４１Ａ，４１Ｂに支持しておく。そして、チャンバ１０内に搬送ブレード７０を導入し、リフトピン４４を下降して搬送ブレードのウェーハ支持部７２上にエピタキシャルウェーハを載置する。こうして、エピタキシャルウェーハを弧状部材４０Ａ，４０Ｂから搬送ブレード７０に受け渡す。その後、搬送ブレード７０とともにエピタキシャルウェーハをチャンバ１０外へ搬出する。
（サセプタの特徴部分の構成）
ここで本発明の特徴的構成である、弧状部材４０Ａ，４０Ｂの位置について詳細に説明する。
図３を参照して、本実施形態のサセプタ２０では、弧状部材のおもて面４１Ａ，４１Ｂの全体が、ウェーハＷの裏面と対向する。つまり、図２（Ｃ）も合わせて参照して、凹部３１Ａ，３１Ｂの全体、及び、弧状部材４０Ａ，４０Ｂの全体が、ウェーハＷの外周部の直下で、かつ、ウェーハのエッジ部よりも内側に位置する。
このような構成を採用することの技術的意義を、従来例ではない比較例を示す図４と対比して説明する。図４では、弧状部材４０Ａのおもて面は、座ぐり部２１の周囲に位置する水平面４６Ａと、この水平面４６Ａの内側に位置し、ウェーハＷの裏面周縁部を線接触で支持するウェーハ支持面４６Ｂと、このウェーハ支持面３２Ａの内周端から連続する縦壁面４６Ｃと、この縦壁面４６Ｃから連続し、座ぐり部２１の底面の一部を構成する水平面４６Ｄとからなる。つまり、弧状部材４０Ａは、サセプタ本体３０の周縁部の、しかもウェーハＷのエッジ部よりも外側にまで延在して位置する。そのため、気相成長時には、水平面４６Ａと、サセプタ本体のおもて面外周部３２にもソースガスが接触してエピタキシャル膜が成長し、そのエピタキシャル膜は、水平面４６Ａとおもて面外周部３２との水平方向離間部でも連結する場合がある。その後、弧状部材４０Ａをサセプタ本体３０から相対的に持ち上げると、離間部で連結したエピタキシャル膜が破断し、粉塵が発生する。この粉塵は、製造したエピタキシャルウェーハの表面に付着し、多数の欠陥を生じさせる。
これに対し図３に示す本実施形態では、弧状部材４０Ａ，４０Ｂの全体が、ウェーハＷの外周部の直下で、かつ、ウェーハのエッジ部よりも内側に位置する。このため、弧状部材４０Ａ，４０Ｂとサセプタ本体３０との水平方向離間部には、エピタキシャル膜が成長せず、その結果、このエピタキシャル膜起因の粉塵は発生しない。
（発明例）
図１〜３に示すサセプタと、図６，７に示すエピタキシャル成長装置を用いて、上記した手順に従ってエピタキシャルシリコンウェーハを製造した。図３において、ウェーハのエッジと座ぐり部端部とのクリアランスは１．２５ｍｍ、凹部の外側端部とウェーハのエッジとの水平方向距離は２．２５ｍｍとした。エピタキシャルウェーハの基板としては、ボロンドープされた直径３００ｍｍのシリコンウェーハを用いた。
（比較例）
図４に示すサセプタを用いた以外は発明例と同様にして、エピタキシャルシリコンウェーハを製造した。
（従来例）
図８に示す従来のエピタキシャル成長装置を用いて、エピタキシャルシリコンウェーハを製造した。
［気相成長条件］
エピタキシャルウェーハの製造は、シリコンウェーハをチャンバ内に導入し、既述の方法でサセプタ上に載置した。続いて、水素ガス雰囲気下で１１５０℃で水素ベークを行った後、１１５０℃にて、シリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル膜を４μｍ成長させてエピタキシャルシリコンウェーハを得た。ここで、原料ソースガスとしてはトリクロロシランガスを用い、また、ドーパントガスとしてジボランガス、キャリアガスとして水素ガスを用いた。その後、既述の方法で、エピタキシャルシリコンウェーハをチャンバ外へ搬出した。
［裏面品質の評価］
発明例及び従来例で製造したエピタキシャルウェーハそれぞれについて、共焦点レーザー顕微鏡（倍率：1000倍）を用いて、支持部材（従来例ではリフトピン、発明例では弧状部材）の位置に対応する裏面領域を観察した。その結果を図９（Ａ），（Ｂ）に示す。図９（Ａ）から明らかなように、従来例では、リフトピンとの接触に起因すると推測される多数の傷が観察された。この視野中の全ての傷について、深さ（Peak-Vallay値）を測定したところ、大多数の傷では深さが0.5μｍを超えていた。これに対し、図９（Ｂ）から明らかなように、発明例ではほとんど疵は観察されず、この視野中に観察された多少の凹凸の深さを測定したところ、いずれも0.5μｍ以下であった。つまり、発明例では、0.5μｍを超えるような深い疵は全く観察されなかった。
また、発明例のエピタキシャルウェーハは、その面取り部においても深さ0.5μｍを超える疵は観察されなかった。また、発明例のエピタキシャルウェーハは、その裏面の中央部を前記レーザー顕微鏡で観察したところ、深さ（Peak-Vallay値）0.3μｍ以下の疵も観察されなかった。これにより、エピタキシャルウェーハ中央部におけるスリップ転位の発生を確実に防止することができる。
また、発明例及び比較例で製造したエピタキシャルウェーハについて、表面検査装置（KLA-Tencor社製：Surfscan SP-2）を用いて、ＤＣＯモードで、リフトピンの位置に対応する裏面領域を観察し、レーザー反射の設定値以上の散乱強度を有する領域の面積（ピンマーク強度）を測定し、エピタキシャルウェーハ裏面のリフトピン起因の疵付きを評価した。その結果、比較例、発明例とも０ｍｍ2であり、エピタキシャルウェーハの裏面にリフトピンに起因する疵は確認されなかった。
［エピタキシャルウェーハの欠陥数の評価］
発明例及び比較例で製造した各１０枚のエピタキシャルウェーハについて、表面検査装置（KLA-Tencor社製：Surfscan SP-2）を用いて、ＤＣＯモード（Dark Field CompositeObliqueモード）でエピタキシャル膜表面を観察し、直径が０．２５μｍ以上のＬＰＤ（Light Point Defect）の個数を調べた。この測定結果によって、発塵によるパーティクルの発生状況を評価することができる。その結果、比較例では２０．１個／ウェーハ（標準偏差９．１）であったのに対して、発明例では６．４個／ウェーハ（標準偏差３．７）と、減少していた。これは、発明例ではサセプタからの発塵が抑制できたことを示している。
本発明のサセプタ及びエピタキシャル成長装置は、ウェーハの裏面及び面取り部にリフトピン又はサセプタとの接触に起因する深い疵を発生させず、かつ、サセプタからの発塵を抑制することが可能であるため、エピタキシャルウェーハの製造に好適に適用できる。
１００ エピタキシャル成長装置
１０ チャンバ
１１ 上部ドーム
１２ 下部ドーム
１３ ドーム取付体
１４ 加熱ランプ
１５ ガス供給口
１６ ガス排出口
２０ サセプタ
２１ 座ぐり部
３０ サセプタ本体
３１Ａ，３１Ｂ 凹部
３２ サセプタ本体のおもて面外周部
３２Ａ ウェーハ支持面
３２Ｂ 縦壁面
３３ サセプタ本体のおもて面中心部
３４Ａ，３４Ｂ 凹部の底面
３５ 貫通孔
４０Ａ，４０Ｂ 弧状部材
４１Ａ，４１Ｂ 弧状部材のおもて面
４２Ａ，４２Ｂ 弧状部材の裏面
４３Ａ，４３Ｂ 弧状部材の外周面
４４ リフトピン
４５Ａ，４５Ｂ 弧状部材の内周面
５０ サセプタサポートシャフト
５２ 主柱
５４ アーム
５６ 貫通孔
５８ 支持ピン
６０ 昇降シャフト
６２ 主柱
６４ 支柱
６６ 支柱の先端部
７０ ウェーハ搬送用ブレード
７２ ウェーハ支持部
Ｗ ウェーハ

Claims (6)

  1. エピタキシャル成長装置内でウェーハを載置するためのサセプタであって、
    前記サセプタのおもて面に、前記ウェーハが載置される座ぐり部が形成され、
    前記サセプタは、サセプタ本体と、該サセプタ本体のおもて面の外周部に設けられた２以上の凹部にそれぞれ載置された弧状部材とを有し、
    前記座ぐり部の底面が、前記弧状部材のおもて面の全体と、前記サセプタ本体のおもて面の一部とで構成され、
    前記サセプタ本体には、前記２以上の各弧状部材の裏面を支持して前記２以上の各弧状部材を昇降させるリフトピンを挿通するための２以上の貫通孔が設けられ、
    前記ウェーハを前記座ぐり部に載置する際、及び、前記ウェーハを前記座ぐり部から搬出する際に、前記リフトピンにより上昇される前記弧状部材のおもて面の全体が、前記ウェーハの裏面の外周部のみを面接触で支持する支持面として機能することを特徴とするサセプタ。
  2. 前記弧状部材の数が２であり、おもて面視で略線対称に位置する請求項１に記載のサセプタ。
  3. 前記リフトピンが前記弧状部材に固定されている請求項１又は２に記載のサセプタ。
  4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のサセプタと、
    前記リフトピンの下端部を支持して前記リフトピンを昇降させる昇降機構と、を有するエピタキシャル成長装置。
  5. ウェーハ表面上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハであって、前記エピタキシャルウェーハの裏面及び面取り部を、レーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.5μｍを超える疵が観察されないエピタキシャルウェーハ。
  6. 前記エピタキシャルウェーハの裏面の中央部を、レーザー顕微鏡を用いて観察した場合に、深さ0.3μｍ以下の疵が観察されない、請求項５に記載のエピタキシャルウェーハ。
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Families Citing this family (237)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US11264265B2 (en) 2017-02-02 2022-03-01 Sumco Corporation Lift pin, and epitaxial growth apparatus and method of producing silicon epitaxial wafer using the lift pin
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
CN206573826U (zh) * 2017-03-23 2017-10-20 惠科股份有限公司 一种顶升装置及配向紫外线照射机
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
CN109306467B (zh) * 2017-07-26 2020-10-16 上海新昇半导体科技有限公司 气相生长装置及气相生长方法
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) * 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP6493498B1 (ja) 2017-12-01 2019-04-03 株式会社Sumco 半導体ウェーハの載置位置測定方法および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
JP7322365B2 (ja) * 2018-09-06 2023-08-08 株式会社レゾナック サセプタ及び化学気相成長装置
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
CN109686684B (zh) * 2018-12-27 2020-08-28 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
CN112708871A (zh) 2019-10-25 2021-04-27 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 使用于沉积室的载环
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
US11598005B2 (en) * 2020-05-07 2023-03-07 Sandisk Technologies Llc Deposition apparatus including an off-axis lift-and-rotation unit and methods for operating the same
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
JP7063493B2 (ja) * 2020-09-14 2022-05-09 株式会社 天谷製作所 成膜用冶具及び気相成長装置
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN114986360A (zh) * 2022-04-21 2022-09-02 上海新昇半导体科技有限公司 一种抛光设备基座及抛光机
JP2024030041A (ja) 2022-08-23 2024-03-07 ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社 ウェーハ支持板及びそれを備えた半導体製造装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07130658A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
JPH08316222A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法及びその装置
JP2000138281A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Applied Materials Inc 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
JP2004063865A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd サセプタ、気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2005197380A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp ウェーハ支持装置
JP2011146506A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Sumco Corp 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6318957B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Asm America, Inc. Method for handling of wafers with minimal contact
JP2001313329A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Applied Materials Inc 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
FR2832995B1 (fr) * 2001-12-04 2004-02-27 Thales Sa Procede de croissance catalytique de nanotubes ou nanofibres comprenant une barriere de diffusion de type alliage nisi
JP2003197532A (ja) * 2001-12-21 2003-07-11 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用サセプター
JP4016823B2 (ja) * 2002-12-06 2007-12-05 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2005101161A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 熱処理用支持具、熱処理装置、熱処理方法、基板の製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2005235906A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウェーハ保持具及び気相成長装置
JP5412759B2 (ja) * 2008-07-31 2014-02-12 株式会社Ｓｕｍｃｏ エピタキシャルウェーハの保持具及びそのウェーハの製造方法
JP2010074037A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Nuflare Technology Inc サセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07130658A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Tokyo Electron Ltd 処理方法及び処理装置
JPH08316222A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法及びその装置
JP2000138281A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Applied Materials Inc 半導体製造装置におけるウェハ支持装置
JP2004063865A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd サセプタ、気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2005197380A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp ウェーハ支持装置
JP2011146506A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Sumco Corp 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置

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