JP2024030041A - ウェーハ支持板及びそれを備えた半導体製造装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ウェーハ上に成膜後に同じチャンバ内で移動可能でかつ成膜後のウェーハの処理を可能とする構成を有するウェーハ支持体及びそれを備えた半導体製造装置を提供することである。【解決手段】本発明のウェーハ支持板１０は、ウェーハＷを支持する平坦部１と、平坦部１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部２とを備え、平坦部１は、穴開き支持部１Ａと、穴開き支持部１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外周端部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなる。【選択図】図１

Description

本発明は、ウェーハ支持板及びそれを備えた半導体製造装置に関する。
従来、複数種の膜を成膜する成膜装置において、成膜材料や条件が異なる工程毎にチャンバを設置し、ウェーハをチャンバに搬送して成膜を行う成膜装置が知られている。
ヒーター台を用いてウェーハを加熱し、例えば、スパッタリング法等の成膜法によって、金属膜を成膜することがある。成膜が完了したら、別の工程チャンバに、ウェーハ搬送して成膜を続ける、あるいは必要に応じて冷却工程により、ウェーハを冷却する。例えば、スパッタリング法によって複数種の膜を成長する際には、複数チャンバにウェーハを搬送して、各々成膜を実施する場合が多く、ウェーハ搬送チャンバも含め、工程チャンバは金属膜の酸化を防止するために高真空に維持されている。
ウェーハを支持する構造は種々知られている（例えば、特許文献１～１０）。例えば、特許文献１に開示されたウェーハ支持構造はウェーハの側面と外周裏面を支える構造に特徴があるものである。
特開２００９－１８２００９号公報 特開２０００－２８６３２８号公報 特開２０１７－２２８７０５号公報 特開２０１６－２０７９３２号公報 国際公開第２０１６／１７４８６０号 特開２０２０－１０７８５７号公報 特開２０２１－１５３１２２号公報 特開平６－１３２２３１号公報 特開平１０－１０７１２６号公報 特開２００５－１５８２０号公報
高真空中では熱伝導度が低く、成膜後のウェーハは概ね成膜時の温度が維持される。このため、搬送に時間を要すると、その間、ウェーハ上に成膜された金属膜の熱履歴が長時間となり、低耐熱性の金属膜では膜形状が変化したり、あるいは膜質が劣化する。
特許文献１に開示されたウェーハ支持構造はウェーハ裏面を支える構造を有さない。また、外周部に凸部が設けられているものの、周回状ではなく、その高さ（厚み）もウェーハよりも低いものとなっているため、そのウェーハ支持構造を用いて、チャンバ内壁との間に閉鎖空間を形成することはできない。また、このウェーハ支持構造の外周側を仮に独立したウェーハ支持構造として移動可能とした場合で何らかの方法でチャンバ内壁との間に閉鎖空間を設けることができたとしても、ウェーハの表面側と裏面側に差圧が生じる際に加わる力がウェーハの外周部に集中し、ウェーハ破損の確率が高まる。
本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、ウェーハ上へのプロセス処理後に同じチャンバ内で移動可能でかつプロセス処理後のウェーハの温度調整処理を可能とする構成を有するウェーハ支持体及びそれを備えた半導体製造装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
本発明の態様１は、ウェーハを支持する平坦部と、前記平坦部の外周に周回状に配置し、ウェーハよりも厚く形成された外周凸部とを備え、前記平坦部は、穴開き支持部と、前記穴開き支持部の外側に配置し、ウェーハの外周端部を支持する環状支持部とからなる、ウェーハ支持板である。
本発明の態様２は、態様１のウェーハ支持板において、前記外周凸部には上面から内周側壁に連通するガス導入管が形成されている。
本発明の態様３は、態様１又は態様２のウェーハ支持板において、前記穴開き支持部は線状の部分からなり、前記平坦部の中心に対して対称な線状パターンを有する。
本発明の態様４は、態様１から態様３のいずれか一つのウェーハ支持板において、前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心を円中心とするリング状部と、前記リング状部から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部と、を有する。
本発明の態様５は、態様１から態様３のいずれか一つのウェーハ支持板において、前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部からなる。
本発明の態様６は、態様１から態様３のいずれか一つのウェーハ支持板において、前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部と、前記平坦部の中心を同心円の中心として同心円状に配置される複数のリング状部とを有する。
本発明の態様７は、態様１から態様３のいずれか一つのウェーハ支持板において、前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心を円中心とするリング状部と、前記リング状部から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部と、前記リング状部から前記環状支持部へと非放射状に線状で延伸する非放射線状部とを有する。
本発明の態様８は、態様１から態様７のいずれか一つのウェーハ支持板において、前記穴開き支持部が３ｍｍ以上３０ｍｍ以下の幅の線状部からなる。
本発明の態様９は、態様１から態様８のいずれか一つのウェーハ支持板において、前記外周凸部は、前記上面に設けられたガス導入孔と、前記内周側壁に設けられたガス放出孔と、前記ガス導入孔と前記ガス放出孔を連通するガス流通経路とからなる前記ガス導入管を備える。
本発明の態様１０は、態様９のウェーハ支持板において、前記ガス流通経路は、前記外周凸部内を周回状に配置される。
本発明の態様１１は、態様９又は態様１０のウェーハ支持板において、前記ガス導入管は、離間して配置する前記ガス放出孔を複数有する。
本発明の態様１２は、態様１から態様１１のいずれか一つのウェーハ支持板において、 融点が５００℃以上の耐熱材料からなる。
本発明の態様１３は、態様１２のウェーハ支持板において、前記耐熱材料がＳＵＳ、Ｔｉ合金、Ｎｉ合金、Ｃｏ合金、Ｔａ合金又はＭｏ合金のいずれかを含むものからなる、若しくはそれらの組み合わせを含むものからなる。
本発明の態様１４は、態様１から態様１３のいずれか一つのウェーハ支持板と、ウェーハが載置される載置面を有し、前記載置面に溝パターンが形成されているヒーター台と、前記ウェーハ支持板を上下方向に移動させる移動機構と、前記ウェーハ支持板及び前記ヒーター台を収容するチャンバと、前記チャンバの外壁に設けられたガス供給管と、を備え、前記ウェーハ支持板は、前記穴開き支持部の一部が前記溝パターン内に収容されている、半導体製造装置である。
本発明の態様１５は、態様１４の半導体製造装置において、前記ガス供給管はガス排出管を兼ねる。
本発明の態様１６は、態様１４の半導体製造装置において、前記チャンバの外壁に設けられたガス排出管をさらに備える。
本発明の態様１７は、態様１４の半導体製造装置において、前記外周凸部を支持する支持ピンを備え、前記移動機構が前記支持ピンを上下移動させることによってウェーハ支持板を上下方向に移動させる。
本発明の態様１８は、態様１７の半導体製造装置において、前記支持ピンが前記外周凸部の下面から前記外周凸部を支持する。
本発明の態様１９は、態様１７の半導体製造装置において、前記支持ピンが前記外周凸部の上面から前記外周凸部を支持する。
本発明の態様２０は、態様１７の半導体製造装置において、前記支持ピンが前記外周凸部の外周側面から突出する第１部分と、前記第１部分に接続され、上方に延伸する第２部分とを有し、前記支持ピンが前記外周凸部を支持する。
本発明のウェーハ支持体によれば、ウェーハ上へのプロセス処理後に同じチャンバ内で移動可能でかつプロセス処理後のウェーハの温度調整処理を可能とする構成を有するウェーハ支持体を提供できる。
（ａ）は第１実施形態に係るウェーハ支持板の概略構成を示す平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）で示したウェーハ支持板についてＸ－Ｘ線で切った断面模式図である。 （ａ）はウェーハ及びウェーハを載置する前のウェーハ支持板の平面模式図であり、（ｂ）はウェーハを載置した状態のウェーハ支持板の平面模式図である。 図１に示したウェーハ支持板の変形例の概略構成を示す平面模式図である。 図１に示したウェーハ支持板の他の変形例の概略構成を示す平面模式図である。 図１に示したウェーハ支持板の他の変形例の概略構成を示す平面模式図である。 （ａ）は第２実施形態に係るウェーハ支持板の概略構成を示す平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）で示したウェーハ支持板についてＸ－Ｘ線で切った断面模式図である。 （ａ）は図６に示したウェーハ支持板の変形例の概略構成を示す平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）とは異なる他の変形例の概略構成を示す平面模式図である。 （ａ）は図６に示したウェーハ支持板の他の変形例の概略構成を示す平面模式図であり、（ｂ）は図６に示したウェーハ支持板の他の変形例の概略構成を示す平面模式図であり、（ｃ）は図６に示したウェーハ支持板の他の変形例の概略構成を示す平面模式図である。 第１実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面模式図であり、（ａ）は成膜時の配置を示すものであり、（ｂ）はウェーハＷの冷却時の配置を示すものである。 （ａ）はウェーハ支持体をヒーター台の上に載置する前のそれぞれの平面模式図であり、（ｂ）はウェーハ支持体をヒーター台の上に載置した状態の平面模式図である。 （ａ）は図１０に示したヒーター台の他の変形例の概略構成を示す平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）とは異なる他の変形例の概略構成を示す平面模式図であり、（ｃ）は（ａ）とは異なるさらに他の変形例の概略構成を示す平面模式図である。 第２実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面模式図であり、（ａ）は成膜時の配置を示すものであり、（ｂ）はウェーハＷの冷却時の配置を示すものである。 （ａ）はウェーハ支持体をヒーター台の上に載置する前のそれぞれの平面模式図であり、（ｂ）はウェーハ支持体をヒーター台の上に載置した状態の平面模式図である。 （ａ）は図１３に示したヒーター台の他の変形例の概略構成を示す平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）とは異なる他の変形例の概略構成を示す平面模式図であり、（ｃ）は（ａ）とは異なるさらに他の変形例の概略構成を示す平面模式図である。 第３実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面模式図であり、（ａ）は成膜時の配置を示すものであり、（ｂ）はウェーハＷの冷却時の配置を示すものである。 第３実施形態に係る半導体製造装置の他の例の概略構成を示す断面模式図であり、（ａ）は成膜時の配置を示すものであり、（ｂ）はウェーハＷの冷却時の配置を示すものである。 （ａ）は図１５に示す半導体製造装置における支持ピン及びリフトピンとフォークとの配置関係を示す平面模式図であり、（ｂ）図１６に示す半導体製造装置における支持ピン及びリフトピンとフォークとの配置関係を示す平面模式図である。
以下、本発明について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲で適宜変更して実施することが可能である。
以下、特に説明しない場合でも、一つの実施形態で説明した構成を、他の実施形態に適用してもよい。
〔ウェーハ支持板〕
（第１実施形態）
図１（ａ）に、第１実施形態に係るウェーハ支持板の概略構成を示す平面模式図を示し、（ｂ）に、（ａ）で示したウェーハ支持板についてＸ－Ｘ線で切った断面模式図を示す。図２（ａ）に、ウェーハ及びウェーハを載置する前のウェーハ支持板の平面模式図を示し、（ｂ）に、ウェーハを載置した状態のウェーハ支持板の平面模式図を示す。
図１に示すウェーハ支持板１０は、ウェーハＷを支持する平坦部１と、平坦部１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部２とを備え、平坦部１は、穴開き支持部１Ａと、穴開き支持部１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外周端部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなる。
本発明に係るウェーハ支持板は、ウェーハを加熱するヒーター台を有する半導体製造装置内で用いる部材である。本発明に係るウェーハ支持板は、成膜時にウェーハをヒーター台上に載置後にヒーター台の載置面に形成された溝内にその一部が収容されて、ウェーハＷから離間できるように構成されている。本発明に係るウェーハ支持板は、成膜後のウェーハＷの冷却の際に、成膜時のチャンバの内壁とウェーハＷとともに、冷却用ガスを内部に保持できる閉鎖空間を作れるように構成されている。
＜平坦部＞
平坦部１は、ウェーハＷの内側部Ｗｉが載置される穴開き支持部１Ａと、内側部Ｗｉの外周に配置する外周端部Ｗｏが載置される環状支持部１Ｂとからなる。平坦部１は平面視にてウェーハＷと同様な形状を有しており、円状のウェーハＷの場合は円状である。穴開き支持部１Ａも円状であり、環状支持部１Ｂは円環状である。
平坦部１は、ウェーハＷを支持する支持機能、成膜時にはヒーター台の載置面に形成された溝内に一部が収容される収容機能、及び、成膜後のウェーハＷの処理（例えば、冷却、加熱など）に際してチャンバの内壁、外周凸部及びウェーハＷとともに閉鎖空間を形成する閉鎖機能を有する。
平坦部１の支持機能は穴開き支持部１Ａ及び環状支持部１Ｂが担い、収容機能は穴開き支持部１Ａが担い、閉鎖機能は主に環状支持部１Ｂが担う。
成膜後のウェーハＷの温度調整処理としては例えば、高温成膜後の冷却が挙げられる。これ以外にも、低温成膜後の加熱処理や極低温におけるプロセス処理後の常温復帰などを例示できる。したがって、ウェーハＷの温度調整処理は、高温成膜後の冷却に限定されない。
以下では、成膜後のウェーハＷの温度調整処理として、主に高温成膜後の冷却を例に挙げて説明する。
平坦部１の厚みは例えば、３ｍｍ以上３０ｍｍ以下とすることができる。
穴開き支持部は穴が開いている部分を有する部材であり、ヒーター台のウェーハの載置面に形成された溝のパターン（溝パターン）の溝内に収容される部分を有する部材である。穴開き支持部１Ａはヒーター台の載置面の溝パターンの溝内に収容される部分を有することによって上記収容機能を有する。従って、穴開き支持部１Ａの溝内に収容される部分のパターンは、使用されるヒーター台のウェーハ載置面の溝パターンに応じて決定される。
図１に示す穴開き支持部１Ａは線状の部分だけからなる線状支持部である。上記の収容機能を満たす限りは、穴開き支持部１Ａは線状の部分ではない部分（非線状部分）を有してもよい。穴開き支持部１Ａが線状の部分だけからなる線状支持部である場合、平坦部の中心Ｏに対して対称な線状パターンを有することが好ましい。
以下では、穴開き支持部１Ａが線状支持部である場合について図を用いて説明する。なお、本明細書において、線状の部分と線状の部分とが交わる部分（例えば、図４の点状部２１ＡＡ、図５の点状部３１ＡＡ）は非線状部分に含めない。従って、図４に示す穴開き支持部２１Ａ、及び、図５に示す穴開き支持部３１Ａは線状支持部である。
穴開き支持部１Ａは、平坦部１の中心Ｏを円中心とするリング状部１ＡＡと、リング状部１ＡＡから環状支持部１Ｂへと放射状に線状に延伸する８本の放射線状部１Ａａ、１Ａｂ、１Ａｃ、１Ａｄ、１Ａｅ、１Ａｆ、１Ａｇ及び１Ａｈを有する構成である。図１（ａ）に示す穴開き支持部１Ａは放射線状部が８本の構成であるが、８本は例示であり、７本以下や９本以上であってもよい。
また、８本の放射線状部は、円中心Ｏに対して直径上に対称な位置に配置する２本の放射線状部の組が４組（放射線状部１Ａａ及び１Ａｅ、放射線状部１Ａｂ及び１Ａｆ、放射線状部１Ａｃ及び１Ａｇ、放射線状部１Ａｄ及び１Ａｈ）からなる構成である。穴開き支持部１Ａでは放射線状部の配置が対称性を有するが、対称性を有する構成に限定されない。
ここで、本明細書において“放射線状”とは、１点を中心にして複数の線が周囲に直線状に伸びている様を意味し、それら複数の線がその中心を出発点として伸びている場合と、その中心から離間したそれぞれの箇所を出発点として伸びている場合のいずれも含む。８本の放射線状部１Ａａ、１Ａｂ、１Ａｃ、１Ａｄ、１Ａｅ、１Ａｆ、１Ａｇ及び１Ａｈは平坦部１の中心Ｏを中心にして、中心Ｏから離間したリング状部１ＡＡ上のそれぞれの箇所を出発点として直線状に伸びている。８本の放射線状部はいずれも、平坦部１の中心Ｏから周囲に伸びた直線上に配置しており、“放射線状”に伸びている。
穴開き支持部１Ａの幅は例えば、３ｍｍ以上３０ｍｍ以下とすることができる。
環状支持部１Ｂは連続的に周回状に形成されている。「連続的に」とは、断続箇所あるいは間欠箇所を有さず、途切れずに続いていることを意味する。閉鎖機能を発揮するためである。
環状支持部１Ｂの厚みは一定であることが好ましい。閉鎖機能を確実に発揮するためであり、厚みが一定ではない部分を有する場合よりも使用期間の長期化を図れるからである。
環状支持部１Ｂの幅は例えば、２ｍｍ以上１００ｍｍ以下とすることができる。
環状支持部１Ｂの幅ｗ１は図１（ａ）に示すように一定であることが好ましい。幅が一定ではない部分を有する場合よりも使用期間の長期化を図れるからである。
環状支持部１Ｂの外径Ｒ１及び内径Ｒ２はウェーハＷの直径Ｒｗとの間で、Ｒ２＜Ｒｗ＜Ｒ１との関係を有するように設定される。チャンバの内壁、外周凸部及びウェーハＷとともに閉鎖空間を形成するためには、ウェーハＷが平坦部１に載置されたときにウェーハＷと平坦部１とが重なる方向（Ｚ方向）から視て穴開き支持部１Ａが見えないようなサイズの関係であることが必要である。穴開き支持部１Ａが見える場合は重なる方向から視て隙間を有することになり、閉鎖空間を形成できない。
また、仮にウェーハＷがずれたときにも隙間ができないために、環状支持部１Ｂの外径Ｒ１及び内径Ｒ２がウェーハＷの直径Ｒｗとの間で、下記式（１）の関係を有することが好ましい。
＜外周凸部＞
図１（ｂ）では、ウェーハＷがウェーハ支持板１０上に載置された状態を示している。また、後述する半導体製造装置において、成膜後のウェーハＷの冷却の際にウェーハ支持板１０とチャンバ５０の内壁５０Ａとで閉鎖空間Ｋを形成することを示すために、チャンバ５０を点線で示してウェーハ支持板１０とチャンバ５０との配置構成を示した。
外周凸部２は、ウェーハＷの冷却に際してチャンバの内壁及びウェーハＷとともに閉鎖空間を形成する閉鎖機能を有する。具体的には、外周凸部２は、ウェーハＷの冷却に際してその上面２Ａがチャンバ５０の内壁５０Ａと接触する状態とすることによって、ウェーハＷを内部に収容された状態で閉鎖空間Ｋを形成することができる。
この機能を発揮するため、外周凸部２は連続的に周回状に形成されている。
また、外周凸部２は、ウェーハＷの冷却に際してその上面２Ａがチャンバ５０の内壁５０Ａと接触する状態としたときに、ウェーハＷがチャンバ５０の内壁５０Ａに接触することがないように、ウェーハＷを閉鎖空間Ｋ内に収容する収容空間確保機能を有する。そのために、その厚みｔ２がウェーハＷの厚みｔｗよりも厚く形成されている。
ウェーハＷの厚みｔｗは通常、０．８ｍｍ以下であるから、外周凸部２の厚みｔ２は２ｍｍ以上である。外周凸部２の厚みｔ２は、５～６０ｍｍであることが好ましい。
外周凸部２の幅は例えば、５ｍｍ以上１００ｍｍ以下とすることができる。
外周凸部２の上面２Ａに、チャンバ５０の内壁５０Ａとの間の気密性を向上するために、例えば、溝を形成してＯリング等の気密性を高める公知の部材を設置する構成としてもよい。
後述するように、閉鎖空間Ｋに冷却用ガスを導入することによって閉鎖空間Ｋ内に配置するウェーハＷを冷却することができる。また、閉鎖空間Ｋが形成された内壁５０Ａ近傍のチャンバ５０の外壁５０Ｂを冷媒（例えば、冷却水）で冷やす冷却部を設けることによって、冷却効率を高めることができる。また冷却だけに限らず、処理後のウェーハが低温である場合には、用途に応じて加熱体によって加熱する、あるいは常温に戻すといったことも必要な部材を採用することで対応することもできる。
ウェーハ支持板１０は、半導体製造装置内で金属膜の成膜時に使用可能とするために耐熱性を有することが好ましい。ウェーハ支持板１０は例えば、融点が５００℃以上の耐熱材料からなることが好ましい。かかる耐熱材料としてはＳＵＳ、Ｔｉ合金、Ｎｉ合金、Ｃｏ合金、Ｔａ合金及びＭｏ合金からなる群から選択された材料を用いることができる。また、耐熱材料として例示した材料を組み合わせて用いることもできる。
ウェーハ支持板１０は、平坦部１と外周凸部２とが別体のもので公知の方法で接合されて構成されたものでもよいし、鋳造、鍛造あるいは切削加工等によって一体で成形されたものでもよい。
（変形例１）
図３は、図１に示したウェーハ支持板の変形例の概略構成を示す平面模式図である。
図３に示すウェーハ支持板は、平坦部の構成が図１に示したウェーハ支持板と異なっている。
以下、図１に示したウェーハ支持板と共通する構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。また、図１に示したウェーハ支持板の平坦部と共通する特徴は説明を省略する。
図３に示すウェーハ支持板１０Ａは、ウェーハＷを支持する平坦部１１と、平坦部１１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部２とを備え、平坦部１１は、穴開き支持部１１Ａと、穴開き支持部１１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外周端部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなる点は図１に示したウェーハ支持板１０と共通する。また、穴開き支持部１１Ａが平坦部１１の中心Ｏを円中心とするリング状部１１ＡＡと、リング状部１１ＡＡから環状支持部１Ｂへと放射状に線状に延伸する放射線状部を有する点も図１に示したウェーハ支持板１０と共通する。
一方、穴開き支持部１１Ａがリング状部１１ＡＡから環状支持部１Ｂへと非放射状に線状に延伸する非放射線状部を有する点が、図１に示したウェーハ支持板１０と異なる。すなわち、８本の放射線状部１１Ａａｂ、１１Ａｂ、１１Ａｃｂ、１１Ａｄ、１１Ａｅｂ、１１Ａｆ、１１Ａｇｂ及び１１Ａｈは、平坦部１１の中心Ｏを中心にして放射状に伸びた線上に配置するのに対して、８本の非放射線状部１１Ａａａ、１１Ａａｃ、１１Ａｃａ、１１Ａｃｃ、１１Ａｅａ、１１Ａｅｃ、１１Ａｇａ及び１１Ａｇｃは、平坦部１１の中心Ｏを中心にして放射状に伸びた線上に配置していない。非放射線状部１１Ａａａ及び１１Ａａｃは放射線状部１１Ａａｂに平行に延伸し、非放射線状部１１Ａｃａ及び１１Ａｃｃは放射線状部１１Ａｃｂに平行に延伸し、非放射線状部１１Ａｅａ及び１１Ａｅｃは放射線状部１１Ａｅｂに平行に延伸し、非放射線状部１１Ａｇａ及び１１Ａｇｃは放射線状部１１Ａｇｂに平行に延伸する。
８本の放射線状部は、円中心Ｏに対して直径上に対称な位置に配置する２本の放射線状部の組が４組（放射線状部１１Ａａｂ及び１１Ａｅｂ、放射線状部１１Ａｂ及び１１Ａｆ、放射線状部１１Ａｃｂ及び１１Ａｇｂ、放射線状部１１Ａｄ及び１１Ａｈ）からなる構成である。これに対して、８本の非放射線状部は、円中心Ｏを通らない直線上に配置する２本の放射線状部の組が４組（非放射線状部１１Ａａａ及び１１Ａｅｃ、非放射線状部１１Ａａｃ及び１１Ａｅａ、非放射線状部１１Ａｃａ及び１１Ａｇｃ、非放射線状部１１Ａｃｃ及び１１Ａｇａ）からなる構成である。
図３に示す穴開き支持部１１Ａは放射線状部及び非放射線状部がいずれも８本の構成であるが、８本は例示であり、７本以下や９本以上であってもよく、また、放射線状部及び非放射線状部の数が異なっていてもよい。
（変形例２）
図４は、図１に示したウェーハ支持板の他の変形例の概略構成を示す平面模式図である。
図４に示すウェーハ支持板は、平坦部の構成が図１に示したウェーハ支持板と異なっている。
以下、図１に示したウェーハ支持板と共通する構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。また、図１に示したウェーハ支持板の平坦部と共通する特徴は説明を省略する。
図４に示すウェーハ支持板１０Ｂは、ウェーハＷを支持する平坦部２１と、平坦部２１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部２とを備え、平坦部２１は、穴開き支持部２１Ａと、穴開き支持部２１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外周端部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなる点は図１に示したウェーハ支持板１０と共通する。
一方、穴開き支持部２１Ａはリング状部を有さず、その代わりに平坦部２１の中心Ｏに点状部２１ＡＡと、点状部２１ＡＡから環状支持部１Ｂへと放射状に線状に延伸する放射線状部を有する。すなわち、放射線状部２１Ａａ、２１Ａｂ、２１Ａｃ、２１Ａｄ、２１Ａｅ、２１Ａｆ、２１Ａｇ及び２１Ａｈは、平坦部２１の中心Ｏを中心にして放射状に伸びた線上に配置する。８本の放射線状部は、円中心Ｏに対して直径上に対称な位置に配置する２本の放射線状部の組が４組（放射線状部２１Ａａ及び２１Ａｅ、放射線状部２１Ａｂ及び２１Ａｆ、放射線状部２１Ａｃ及び２１Ａｇ、放射線状部２１Ａｄ及び２１Ａｈ）からなる構成である。
図４に示す穴開き支持部２１Ａは放射線状部が８本の構成であるが、８本は例示であり、７本以下や９本以上であってもよい。
（変形例３）
図５は、図１に示したウェーハ支持板の変形例の概略構成を示す平面模式図である。
図５に示すウェーハ支持板は、平坦部の構成が図１に示したウェーハ支持板と異なっている。
以下、図１に示したウェーハ支持板と共通する構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。また、図１に示したウェーハ支持板の平坦部と共通する特徴は説明を省略する。
図５に示すウェーハ支持板１０Ｃは、ウェーハＷを支持する平坦部３１と、平坦部３１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部２とを備え、平坦部３１は、穴開き支持部３１Ａと、穴開き支持部３１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外周端部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなる点は図１に示したウェーハ支持板１０と共通する。
一方、穴開き支持部３１Ａは平坦部３１の中心Ｏに点状部３１ＡＡと、中心Ｏを同心円の中心として同心円状に配置するリング状部３１ＡＢ、３１ＡＣと、点状部３１ＡＡから環状支持部１Ｂへと放射状に線状に延伸する放射線状部とを有する。
放射線状部３１Ａａ、３１Ａｂ、３１Ａｃ、３１Ａｄ、３１Ａｅ、３１Ａｆ、３１Ａｇ及び３１Ａｈは、平坦部３１の中心Ｏを中心にして放射状に伸びた線上に配置する。８本の放射線状部は、円中心Ｏに対して直径上に対称な位置に配置する２本の放射線状部の組が４組（放射線状部３１Ａａ及び３１Ａｅ、放射線状部３１Ａｂ及び３１Ａｆ、放射線状部３１Ａｃ及び３１Ａｇ、放射線状部３１Ａｄ及び３１Ａｈ）からなる構成である。
図５に示す穴開き支持部３１Ａは放射線状部が８本の構成であるが、８本は例示であり、７本以下や９本以上であってもよい。
また、図５に示す穴開き支持部３１Ａはリング状部が２本の構成であるが、２本は例示であり、１本や３本以上の複数本であってもよい。
（第２実施形態）
図６（ａ）は、第２実施形態に係るウェーハ支持板の概略構成を示す平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）で示したウェーハ支持板についてＸ－Ｘ線で切った断面模式図である。
第２実施形態に係るウェーハ支持板は、外周凸部がガス導入管を備える点が、第１実施形態に係るウェーハ支持板との主な差異である。
以下、第１実施形態に係るウェーハ支持板と共通する構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。
第２実施形態に係るウェーハ支持板は、外周凸部がガス導入管を備える構成であるため、チャンバの内壁、ウェーハＷとともに閉鎖空間を形成した後に、チャンバの外壁に設けられたガス供給管から外周凸部のガス導入管を介して冷却用ガスを閉鎖空間内に導入してウェーハＷを冷却できる。
図６に示すウェーハ支持板２０は、ウェーハＷを支持する平坦部１と、平坦部１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部１２とを備え、平坦部１は、穴開き支持部１Ａと、穴開き支持部１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外側部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなり、外周凸部１２は、上面１２Ａに設けられたガス導入孔１２ａａと内周側壁１２Ｂに設けられたガス放出孔１２ａｂと、ガス導入孔１２ａａとガス放出孔１２ａｂを連通するガス流通経路１２ａｃとからなるガス導入管１２ａとを有する。
ガス流通経路は図６（ｂ）に示すように外周凸部を周回せずにガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよいし、図７（ａ）、（ｂ）に示すように外周凸部を周回してからガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよい。
図６に示したウェーハ支持板２０は、平坦部については図１に示したウェーハ支持板１０と同様の構成を備えているが、図３～図５のいずれかに示した平坦部を備える構成であってもよい。
（変形例１、２）
図７（ａ）、（ｂ）は、図６に示したウェーハ支持板の変形例の概略構成を示す平面模式図である。図７（ａ）、（ｂ）に示す変形例は、図６に示したウェーハ支持板２０に対して、ガス導入管の構成、具体的には、ガス流通経路の長さ及びガス放出孔の数が異なっている。
以下、図６に示したウェーハ支持板と共通する構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。また、図６に示したウェーハ支持板の平坦部と共通する特徴は説明を省略する。
図７（ａ）に示す変形例１としてのウェーハ支持板２０Ａは、ウェーハＷを支持する平坦部１と、平坦部１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部２２とを備え、平坦部１は、穴開き支持部１Ａと、穴開き支持部１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外周端部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなり、外周凸部２２は、上面２２Ａに設けられたガス導入孔２２ａａと内周側壁に設けられた４個のガス放出孔２２ａｂ１、２２ａｂ２、２２ａｂ３、２２ａｂ４と、ガス導入孔２２ａａとガス放出孔２２ａｂ１、２２ａｂ２、２２ａｂ３、２２ａｂ４を連通するガス流通経路２２ａｃとからなるガス導入管２２ａを有する。
なお、図においては、外周凸部２２の内部に配置するガス流通経路２２ａｃは実際には見えないが、配置構成を示すために点線にて図示している。
図７（ａ）に示すウェーハ支持板２０Ａにおいては、ガス流通経路２２ａｃは外周凸部２２の１周にわたり周回状に形成されており、等間隔で配置する４個のガス放出孔２２ａｂ１、２２ａｂ２、２２ａｂ３、２２ａｂ４からガスを導入することができる。
図７（ａ）に示すウェーハ支持板２０Ａにおいては、ガス放出孔を４個備えるが、４個は例示であり、３個以下や５個以上の複数個であってもよい。ガス放出孔をガス流通経路２２ａｃの任意の箇所に任意の数を等間隔又は非等間隔で配置してもよい。
図７（ｂ）に示す変形例２としてのウェーハ支持板２０Ｂは、ウェーハＷを支持する平坦部１と、平坦部１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部３２とを備え、平坦部１は、穴開き支持部１Ａと、穴開き支持部１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外周端部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなり、外周凸部３２は、上面３２Ａに設けられたガス導入孔３２ａａと内周側壁に設けられた３個のガス放出孔３２ａｂ１、３２ａｂ２、３２ａｂ３と、ガス導入孔３２ａａとガス放出孔３２ａｂ１、３２ａｂ２、３２ａｂ３を連通するガス流通経路３２ａｃとからなるガス導入管３２ａとを有する。
なお、外周凸部３２の内部に配置するガス流通経路３２ａｃは実際には見えないが、図においては配置構成を示すために点線にて図示している。
図７（ｂ）に示すウェーハ支持板２０Ｂにおいては、ガス流通経路３２ａｃは外周凸部３２の約３／４周に周回状に形成されており、３個のガス放出孔３２ａｂ１、３２ａｂ２、３２ａｂ３からガスを導入することができる。
ガス流通経路３２ａｃの延伸する長さは３／４周は例示であり、１周未満の任意の長さに形成することができる。
図７（ｂ）に示すウェーハ支持板２０Ｂにおいては、ガス放出孔はガス流通経路３２ａｃの先端部と終端部とその間の３箇所に備える（３個備える）が、３個は例示であり、２個以下や４個以上の複数個であってもよい。また、ガス放出孔をガス流通経路３２ａｃの任意の箇所に任意の数を等間隔又は非等間隔で配置してもよい。
（変形例３～５）
図８（ａ）～（ｃ）は、図６に示したウェーハ支持板の他の変形例の概略構成を示す平面模式図である。図８（ａ）～（ｃ）に示す変形例は、図６に示したウェーハ支持板２０に対して、平坦部の構成が異なっている。また、各変形例はさらに、ガス導入管の構成が異なっていてもよい。
以下、図６に示したウェーハ支持板と共通する構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。また、図６に示したウェーハ支持板の平坦部と共通する特徴は説明を省略する。
図８（ａ）に示す変形例３のウェーハ支持板２０Ｃは、ウェーハＷを支持する平坦部１１と、平坦部１１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部４２とを備え、平坦部１１は、穴開き支持部１１Ａと、穴開き支持部１１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外周端部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなる。穴開き支持部１１Ａは、平坦部１１の中心Ｏを円中心とするリング状部１１ＡＡと、リング状部１１ＡＡから環状支持部１Ｂへと放射状に線状に延伸する放射線状部１１Ａａｂ、１１Ａｂ、１１Ａｃｂ、１１Ａｄ、１１Ａｅｂ、１１Ａｆ、１１Ａｇｂ及び１１Ａｈと、リング状部１１ＡＡから環状支持部１Ｂへと非放射状に線状に延伸する非放射線状部１１Ａａａ、１１Ａａｃ、１１Ａｃａ、１１Ａｃｃ、１１Ａｅａ、１１Ａｅｃ、１１Ａｇａ及び１１Ａｇｃを有する。
図８（ａ）に示す穴開き支持部１１Ａは放射線状部及び非放射線状部がいずれも８本の構成であるが、８本は例示であり、７本以下や９本以上であってもよく、また、放射線状部及び非放射線状部の数が異なっていてもよい。
外周凸部４２は、上面４２Ａに設けられたガス導入孔４２ａａと内周側壁に設けられたガス放出孔（不図示）と、ガス導入孔４２ａａとガス放出孔（不図示）を連通するガス流通経路（不図示）とからなるガス導入管４２ａとを有する。ガス流通経路は図６（ｂ）に示すように外周凸部を周回せずにガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよいし、図７（ａ）、（ｂ）に示すように外周凸部を周回してからガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよい。
ガス導入管４２ａは、外周凸部４２の１周にわたり周回状に形成され、等間隔又は非等間隔で配置するガス放出孔からガスを導入する構成であってもよい（図７ａ参照）。
ガス導入管４２ａは、外周凸部４２の１周未満の任意の長さにわたり周回状に形成され、等間隔又は非等間隔で配置するガス放出孔からガスを導入する構成であってもよい（図７ｂ参照）。
図８（ｂ）に示す変形例４のウェーハ支持板２０Ｄは、ウェーハＷを支持する平坦部２１と、平坦部２１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部５２とを備え、平坦部２１は、穴開き支持部２１Ａと、穴開き支持部２１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外周端部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなる。穴開き支持部２１Ａはリング状部を有さず、その代わりに平坦部２１の中心Ｏに点状部２１ＡＡと、点状部２１ＡＡから環状支持部１Ｂへと放射状に線状に延伸する放射線状部２１Ａａ、２１Ａｂ、２１Ａｃ、２１Ａｄ、２１Ａｅ、２１Ａｆ、２１Ａｇ及び２１Ａｈを有する。
図８（ｂ）に示す穴開き支持部２１Ａは放射線状部が８本の構成であるが、８本は例示であり、７本以下や９本以上であってもよい。
外周凸部５２は、上面５２Ａに設けられたガス導入孔５２ａａと内周側壁に設けられたガス放出孔（不図示）と、ガス導入孔５２ａａとガス放出孔（不図示）を連通するガス流通経路（不図示）とからなるガス導入管５２ａとを有する。ガス流通経路は図６（ｂ）に示すように外周凸部を周回せずにガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよいし、図７（ａ）、（ｂ）に示すように外周凸部を周回してからガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよい。
ガス導入管５２ａは、外周凸部５２の１周にわたり周回状に形成され、等間隔又は非等間隔で配置するガス放出孔からガスを導入する構成であってもよい（図７ａ参照）。
ガス導入管５２ａは、外周凸部５２の１周未満の任意の長さにわたり周回状に形成され、等間隔又は非等間隔で配置するガス放出孔からガスを導入する構成であってもよい（図７ｂ参照）。
図８（ｃ）に示す変形例５のウェーハ支持板２０Ｅは、ウェーハＷを支持する平坦部３１と、平坦部３１の外周に周回状に配置し、ウェーハＷよりも厚く形成された外周凸部６２とを備え、平坦部３１は、穴開き支持部３１Ａと、穴開き支持部３１Ａの外側に配置し、ウェーハＷの外周端部Ｗｏを支持する環状支持部１Ｂとからなる。穴開き支持部３１Ａは平坦部３１の中心Ｏに点状部３１ＡＡと、中心Ｏを同心円の中心として同心円状に配置するリング状部３１ＡＢ、３１ＡＣと、点状部３１ＡＡから環状支持部１Ｂへと放射状に線状に延伸する放射線状部３１Ａａ、３１Ａｂ、３１Ａｃ、３１Ａｄ、３１Ａｅ、３１Ａｆ、３１Ａｇ及び３１Ａｈとを有する。
図８（ｃ）に示す穴開き支持部３１Ａは放射線状部が８本の構成であるが、８本は例示であり、７本以下や９本以上であってもよい。
また、図８（ｃ）に示す穴開き支持部３１Ａはリング状部が２本の構成であるが、２本は例示であり、１本や３本以上の複数本であってもよい。
外周凸部６２は、上面６２Ａに設けられたガス導入孔６２ａａと内周側壁に設けられたガス放出孔（不図示）と、ガス導入孔６２ａａとガス放出孔（不図示）を連通するガス流通経路（不図示）とからなるガス導入管６２ａとを有する。ガス流通経路は図６（ｂ）に示すように外周凸部を周回せずにガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよいし、図７（ａ）、（ｂ）に示すように外周凸部を周回してからガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよい。
ガス導入管６２ａは、外周凸部６２の１周にわたり周回状に形成され、等間隔又は非等間隔で配置するガス放出孔からガスを導入する構成であってもよい（図７ａ参照）。
ガス導入管６２ａは、外周凸部６２の１周未満の任意の長さにわたり周回状に形成され、等間隔又は非等間隔で配置するガス放出孔からガスを導入する構成であってもよい（図７ｂ参照）。
〔半導体製造装置〕
（第１実施形態）
図９は、第１実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面模式図であり、（ａ）は成膜時の配置を示すものであり、（ｂ）はウェーハＷの冷却時の配置を示すものである。図１０は、本発明に係るウェーハ支持体の構成とヒーター台の構成との関係を説明するための図であり、（ａ）はウェーハ支持体をヒーター台の上に載置する前のそれぞれの平面模式図であり、（ｂ）はウェーハ支持体をヒーター台の上に載置した状態の平面模式図である。
図９に示す半導体製造装置１００は、図１に示したウェーハ支持板１０と、ウェーハＷが載置される載置面４０Ａを有し、載置面４０Ａに溝パターン４０Ｇ（図１０（ａ）参照）が形成されているヒーター台４０と、ウェーハ支持板１０を上下方向に移動させる移動機構と、ウェーハ支持板１０及びヒーター台４０を収容するチャンバ５０と、チャンバ５０の外壁に設けられたガス供給管５１と、を備え、ウェーハ支持板１０は、穴開き支持部１Ａの一部が溝パターン４０Ｇ内に収容されている。
本明細書において“穴開き支持部の一部が溝内に収容されている”あるいは“穴開き支持部の一部が溝パターン内に収容されている”とは、穴開き支持部の上面がヒーター台の載置面よりも下方に位置するように、穴開き支持部の一部が溝内に収まっていること意味する。このように、溝パターン４０Ｇの深さＤと穴開き支持部１Ａの厚みｔ１とがＤ＞ｔ１を満たすように、ウェーハ支持板及びヒーター台が形成されている。従って、ウェーハがヒーター台の載置面に載置されたときに穴開き支持部はウェーハに接触しない状態となる。
半導体製造装置１００としては、ウェーハＷを加熱して成膜する手段を備える構成のものであれば公知のタイプの半導体製造装置例えば、スパッタリング法、化学気相堆積（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：以下ＣＶＤと略記する）法、蒸着法、など成膜するものを用いることができ、特に制限はない。或いは、ウェーハＷを過冷却して処理する手段を備える構成の物であれば公知のタイプの半導体製造装置例えば、プラズマエッチング法などウェーハ上の材料を除去するものを用いることができ、特に制限はない。以下、成膜するものとしてスパッタリング法を例として加熱されたウェーハを成膜後に冷却することについて説明を行うが、過冷却されたウェーハをエッチング処理後に常温に戻す（加熱する方向）ことも適宜部材を変更する等で半導体製造装置として構成することが可能であることは容易に理解されよう。
図９に示す半導体製造装置１００は、一例としてスパッタリング法によって金属膜を成膜できる半導体製造装置である。符号１０１はスパッタリングターゲットである。半導体製造装置１００は、スパッタリングターゲット１０１を冷却するためにチャンバ５０の外壁５０Ｂのスパッタリングターゲット１０１の近傍に冷却水ＣＷを流している。
チャンバ５０としては例えば、アルミニウム製あるいはＳＵＳ製などの金属製で略円筒体のものを用いることができるが、これに限定されない。
ヒーター台４０は、ウェーハを載置してウェーハを加熱するタイプのものを用いることができる。典型的なものとしては、抵抗加熱型のもの、誘導加熱型のものを挙げることができる。
ヒーター台４０はヒーターからの熱を効率よくウェーハに伝えるとともに、成膜用ガス、エッチング用ガス等に対して耐食性があることが要求されるため、ヒーター台４０の基材としては、絶縁性を維持するためにセラミック材料を用いる場合が多いが、これに限定されない。
ヒーター台４０の載置面４０Ａには溝パターン４０Ｇが設けられている。
図１０（ａ）に示すヒーター台４０では、溝パターン４０Ｇは、溝４０Ａａ、４０Ａｂ、４０Ａｃ、４０Ａｄ、４０Ａｅ、４０Ａｆ、４０Ａｇ、４０Ａｈ、４０Ａｂｂ、４０Ａｄｄ、４０Ａｆｆ、４０Ａｈｈ及び４０ＡＡからなる。載置面４０ＡはＺ方向からの平面視にて円形であり、溝パターン４０Ｇはその円の中心ＨＯに対して対称に形成されている。すなわち、溝パターン４０Ｇは、溝パターン４０Ｇの中心ＨＯを円中心とするリング状溝４０ＡＡと、リング状溝部４０ＡＡから放射状に線状に延伸する８本の放射線状溝４０Ａａ、４０Ａｂ、４０Ａｃ、４０Ａｄ、４０Ａｅ、４０Ａｆ、４０Ａｇ及び４０Ａｈと、放射線状溝４０Ａｂと４０Ａｆとを接続する直線状溝４０Ａｂｂ及び４０Ａｆｆと、放射線状溝４０Ａｄと４０Ａｈとを接続する直線状溝４０Ａｄｄ及び４０Ａｈｈとからなる。放射線状溝４０Ａｂ及び４０Ａｆと直線状溝４０Ａｂｂ及び４０Ａｆｆとは中心ＨＯを通り、直線状に連通する溝である。また、放射線状溝４０Ａｄ及び４０Ａｈと直線状溝４０Ａｄｄ及び４０Ａｈｈとは中心ＨＯを通り、直線状に連通する溝である。
ウェーハ支持体１０の穴開き支持部１Ａは、ヒーター台４０の載置面４０Ａの溝パターン４０Ｇの溝内に収容可能に形成されている。
穴開き支持部１Ａを構成するリング状部１ＡＡは溝４０ＡＡ内に収容され、穴開き支持部１Ａを構成する８本の放射線状部１Ａａ、１Ａｂ、１Ａｃ、１Ａｄ、１Ａｅ、１Ａｆ、１Ａｇ及び１Ａｈはそれぞれ、溝４０Ａａ、４０Ａｂ、４０Ａｃ、４０Ａｄ、４０Ａｅ、４０Ａｆ、４０Ａｇ、４０Ａｈの各溝内に収容される。また、図９（ａ）に示すように、穴開き支持部１Ａは、その厚みｔ１が溝パターン４０Ｇの深さＤよりも薄く形成されている。この構成によって、ウェーハ支持体１０をヒーター台４０の載置面４０Ａに載置したときに、穴開き支持部１Ａが溝パターン４０Ｇの溝内に収容された状態になる。
ウェーハＷがウェーハ支持体１０に載置されたヒーター台の載置面に載置されたときに線状部はウェーハに接触しない状態となる。
ヒーター台４０の載置面４０Ａの溝パターン４０Ｇは、ウェーハＷをヒーター台４０に配置して加熱する際にＡｒ等の不活性ガスを流す溝として用いられるものでもよい。この場合、溝は、ウェーハＷから離してウェーハ支持板１０を収容しておくための溝であり、かつ、Ａｒ等の不活性ガスを流すための溝として共用されるものとなる。
図９（ａ）に示す半導体製造装置１００はさらに、ウェーハ支持板１０の外周凸部２の下面を支持する支持ピン１１１、１１２を備え、移動機構（不図示）が支持ピン１１１、１１２を上下移動させることによってウェーハ支持板１０を上下方向に移動させることができる。図９（ａ）に示す半導体製造装置１００では、支持ピン１１１、１１２がウェーハ支持板１０の外周凸部２の下面２Ｃから外周凸部２を支持する構成であるが、これに限定されず、チャンバの上方からウェーハ支持板１０を吊り上げる吊り上げ機構を有する構成でもよい。吊り上げ機構については後で詳述する。
図９（ａ）に示す半導体製造装置１００はさらに、ウェーハＷの裏面から支持するリフトピン１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃを有する。リフトピン１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃはヒーター台４０の貫通孔に挿通されており、その下端部を昇降シャフト（不図示）に支持されている。昇降シャフトを昇降することによって、リフトピン１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃが昇降し、その上端部でウェーハＷの昇降を行うことができる。
図９（ａ）に示す半導体製造装置１００では、リフトピンを３本備えるが、３本は例示であり、４本以上であってもよい。また、リフトピンの配置箇所も例示であり、他の箇所に配置してもよい。
図９に示す半導体製造装置１００において、ウェーハＷへの成膜から成膜後のウェーハＷの冷却の流れの一例を説明する。
まず、ウェーハＷを載せたウェーハ支持体１０をヒーター台４０に載置する（図９（ａ）参照）。この際、ウェーハ支持体１０の穴開き支持部１Ａがヒーター台４０の載置面４０Ａの溝パターン４０Ｇの溝内に収容されるように、ウェーハ支持体１０をヒーター台４０に載置する。ウェーハ支持体１０の穴開き支持部１Ａがヒーター台４０の溝パターン４０Ｇの溝内に収容されると、穴開き支持部１Ａの上端が載置面４０Ａより深い位置に埋没して配置することになる。この際、ウェーハＷは載置面４０Ａに載置され、ウェーハＷの裏面は載置面４０Ａと面一に位置するので、ウェーハ支持体１０はウェーハＷから離間することになる。
次に、ウェーハＷをヒーター台４０で加熱しながら、例えば、金属膜をウェーハＷに成膜する。
次に、リフトピン１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１ＣによってウェーハＷをヒーター台４０の載置面４０Ａから離間させ、支持ピン１１１、１１２によってウェーハ支持体１０の外周凸部２を押し上げてウェーハＷをウェーハ支持体１０の穴開き支持部１Ａに載せ、ウェーハ支持体１０を上昇させる。この際、リフトピン１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃを用いなくても、ウェーハ支持体１０が上昇するとウェーハＷがウェーハ支持体１０の穴開き支持部１Ａに載り、ウェーハ支持体１０と共にウェーハＷが上方に移動できるので、支持ピン１１１、１１２だけでウェーハ支持体１０及びウェーハＷの上昇移動を行ってもよい。
ウェーハ支持体１０及びウェーハＷの上昇移動によって、ウェーハ支持体１０の外周凸部２の上面２Ａをチャンバ５０の内壁５０Ａに接触させる（図９（ｂ）参照）。このとき、チャンバ５０の内壁５０Ａ、ウェーハ支持体１０の外周凸部２、及び、ウェーハＷによって閉鎖空間Ｋが形成される。
次に、この閉鎖空間Ｋに、ガス供給管５１から冷却用ガス（例えば、Ａｒガス）を導入する。閉鎖空間Ｋ内に導入された冷却用ガスはチャンバ５０の外壁５０Ｂに流れる冷却水によって外壁５０Ｂが冷やされることで、内壁５０Ａから外壁５０Ｂへと熱伝導が行われて冷やされる。閉鎖空間Ｋ内は冷却用ガスで充満するので、冷却水によって冷却されたスパッタリングターゲット１０１とウェーハＷとの間でもガスを介した熱伝導が高まり、ウェーハＷの冷却効率が高まる。
スパッタリングターゲット１０１を有さない半導体製造装置を用いた場合は、冷却水によって冷却されたチャンバ５０の内壁５０ＡとウェーハＷとの間の熱伝導によってウェーハＷを冷却する。
閉鎖空間Ｋ以外は高真空雰囲気を維持することができるので、ヒーター台４０からウェーハＷへの熱伝導やチャンバ雰囲気への熱伝導を遮断して、ヒーター台４０の温度変化を抑制することができる。
ウェーハＷの冷却中において、冷却用ガスを導入した閉鎖空間Ｋの圧力を例えば、１～１０Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ～１３３３Ｐａ）、閉鎖空間Ｋ以外のチャンバ内の圧力は例えば、１０ｍＴｏｒｒ（１．３３Ｐａ）程度とすることができる。
以上のように、本発明に係る半導体製造装置においては、ヒーター台によりウェーハを加熱しながら金属膜を成膜し、成膜が完了したら、同一チャンバ内で、ヒーター台上からウェーハを離間させる移動・支持機構を用いてウェーハＷをスパッタリングターゲット近傍に移動させて、ウェーハを冷却することができる。
成膜を行ったチャンバと別のチャンバに搬送することなく、ウェーハを冷却できるため、成膜後から冷却開始までの時間を短縮することができ、金属膜の熱履歴を改善することが可能となる。ヒーター台からウェーハを離間させるため、ヒーター台の温度変化を最小化でき、続くウェーハＷの成膜への影響を最小とすることが可能となる。
（変形例１～３）
図１１（ａ）～（ｃ）は、図１０に示したヒーター台の他の変形例の概略構成を示す平面模式図である。図１１（ａ）～（ｃ）に示すヒーター台はそれぞれ、図４、図５、図６に示したウェーハ支持板１０Ａ、ウェーハ支持板１０Ｂ、ウェーハ支持板１０Ｃのそれぞれに対応するヒーター台である。ウェーハ支持板に対応するヒーター台とは、ウェーハ支持板の穴開き支持部がヒーター台の載置面の溝パターンの溝内に収容されるヒーター台であることを意味する。換言すると、ウェーハがヒーター台の載置面に載置されたときに、ウェーハ支持板の穴開き支持部がウェーハに接触しない状態でヒーター台に載置されることを意味する。
図１１（ａ）～（ｃ）においては、ウェーハ支持板１０Ａ、ウェーハ支持板１０Ｂ、ウェーハ支持板１０Ｃをそれぞれ、ヒーター台４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの上に載置した状態の平面模式図である。
（第２実施形態）
図１２は、第２実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面模式図であり、（ａ）は成膜時の配置を示すものであり、（ｂ）はウェーハＷの冷却時の配置を示すものである。図１３は、本発明に係るウェーハ支持体の構成とヒーター台の構成との関係を説明するための図であり、（ａ）はウェーハ支持体をヒーター台の上に載置する前のそれぞれの平面模式図であり、（ｂ）はウェーハ支持体をヒーター台の上に載置した状態の平面模式図である。
第２実施形態に係る半導体製造装置は、ウェーハ支持板の外周凸部がガス導入管を備える点が、第１実施形態に係る半導体製造装置との主な差異である。
以下、第１実施形態に係る半導体製造装置と共通する構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。
図１２に示す半導体製造装置２００は、図６に示したウェーハ支持板２０と、ウェーハＷが載置される載置面４０Ａを有し、載置面４０Ａに溝パターン４０Ｇ（図１０（ａ）参照）が形成されているヒーター台４０と、ウェーハ支持板２０を上下方向に移動させる移動機構と、ウェーハ支持板２０及びヒーター台４０を収容するチャンバ６０と、チャンバ６０の外壁に設けられたガス供給管６１と、を備え、ウェーハ支持板２０は、線状部１Ａが溝パターン４０Ｇ内に収容されている。
ガス供給管６１はガス排出管を兼ねていてもよい。また、ガス排出管は、ガス供給管６１とは別にチャンバの外壁に設けられてもよい。
図１２に示す半導体製造装置２００においては、ウェーハＷの冷却に際してウェーハ支持板２０を上昇移動し、ウェーハ支持体２０の外周凸部１２の上面１２Ａをチャンバ６０の内壁６１Ａに接触させる際、外周凸部１２の上面１２Ａに有するガス導入孔１２ａａをチャンバ６０の外壁に設けられたガス供給管６１に連通する。
図１２に示す半導体製造装置２００は、ウェーハ支持体２０の外周凸部１２の上面１２Ａに有するガス導入孔１２ａａを備えることによって、チャンバ６０の外壁に設けられたガス供給管６１からの冷却用ガスを外周凸部１２の上面１２Ａから取り入れることができるので、図９に示した半導体製造装置１００に比べて、ウェーハ支持体２０の径を小さくできる。その結果、チャンバ自体の径も図９に示した半導体製造装置１００に比べて小さくできる。
図１３（ａ）に示すヒーター台４０は、図１０（ａ）に示したヒーター台４０と同様の構成を有するものである。
一方、図１３（ａ）に示すウェーハ支持板２０は、図１０（ａ）に示したウェーハ支持板１０と、ウェーハ支持板の外周凸部にガス導入管１２ａを備える点が異なる。
（変形例１～３）
図１４（ａ）～（ｃ）は、図１３に示したヒーター台の他の変形例の概略構成を示す平面模式図である。図１４（ａ）～（ｃ）に示すヒーター台４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃはそれぞれ、図８（ａ）～（ｃ）に示したウェーハ支持板２０Ｃ、ウェーハ支持板２０Ｄ、ウェーハ支持板２０Ｅのそれぞれに対応するヒーター台である。図１４（ａ）～（ｃ）は、ウェーハ支持板２０Ｃ、ウェーハ支持板２０Ｄ、ウェーハ支持板２０Ｅをそれぞれ、ヒーター台４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの上に載置した状態の平面模式図である。
図１４（ａ）に示すウェーハ支持板２０Ｃは、上面４２Ａに設けられたガス導入孔４２ａａと内周側壁に設けられたガス放出孔（不図示）と、ガス導入孔４２ａａとガス放出孔（不図示）を連通するガス流通経路（不図示）とからなるガス導入管４２ａとを有する。ガス流通経路は図６（ｂ）に示すように外周凸部を周回せずにガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよいし、図７（ａ）、（ｂ）に示すように外周凸部を周回してからガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよい。
図１４（ａ）に示すヒーター台４０Ａは、ウェーハ支持板２０Ｃの穴開き支持部を収容可能な溝パターンを載置面に備える。
図１４（ｂ）に示すウェーハ支持板２０Ｄは、上面５２Ａに設けられたガス導入孔５２ａａと内周側壁に設けられたガス放出孔（不図示）と、ガス導入孔５２ａａとガス放出孔（不図示）を連通するガス流通経路（不図示）とからなるガス導入管５２ａとを有する。ガス流通経路は図６（ｂ）に示すように外周凸部を周回せずにガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよいし、図７（ａ）、（ｂ）に示すように外周凸部を周回してからガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよい。
図１４（ｂ）に示すヒーター台４０Ｂは、ウェーハ支持板２０Ｄの穴開き支持部を収容可能な溝パターンを載置面に備える。
図１４（ｃ）に示すウェーハ支持板２０Ｅは、上面６２Ａに設けられたガス導入孔６２ａａと内周側壁に設けられたガス放出孔（不図示）と、ガス導入孔６２ａａとガス放出孔（不図示）を連通するガス流通経路（不図示）とからなるガス導入管６２ａとを有する。ガス流通経路は図６（ｂ）に示すように外周凸部を周回せずにガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよいし、図７（ａ）、（ｂ）に示すように外周凸部を周回してからガス導入孔とガス放出孔とを繋ぐ構成でもよい。
図１４（ｃ）に示すヒーター台４０Ｃは、ウェーハ支持板２０Ｅの穴開き支持部を収容可能な溝パターンを載置面に備える。
（第３実施形態）
図１５は、第３実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面模式図であり、（ａ）は成膜時の配置を示すものであり、（ｂ）はウェーハＷの冷却時の配置を示すものである。
第３実施形態に係る半導体製造装置は、支持ピンがウェーハ支持板の外周凸部を上面から支持する構成（吊り上げ機構）である点が、第２実施形態に係る半導体製造装置との主な差異である。図１５に示す例は、第２実施形態に係る半導体製造装置において、支持ピンがウェーハ支持板の外周凸部の下面を支持する構成を、支持ピンがウェーハ支持板の外周凸部の上面から支持する構成（吊り上げ機構）に置き換えた例であるが、第１実施形態に係る半導体製造装置において、支持ピンがウェーハ支持板の外周凸部の下面を支持する構成を、支持ピンがウェーハ支持板の外周凸部の上面から支持する構成（吊り上げ機構）に置き換えてもよい。
以下、第２実施形態に係る半導体製造装置と共通する構成要素については同じ符号を付してその説明を省略する。
図１５（ａ）に示す半導体製造装置２００Ａは、図６に示したウェーハ支持板２０と、ウェーハＷが載置される載置面４０Ａを有し、載置面４０Ａに溝パターン４０Ｇ（図１０（ａ）参照）が形成されているヒーター台４０と、ウェーハ支持板２０を上下方向に移動させる移動機構と、ウェーハ支持板２０及びヒーター台４０を収容するチャンバ６０と、チャンバ６０の外壁に設けられたガス供給管６１と、を備え、ウェーハ支持板２０は、線状部１Ａが溝パターン４０Ｇ内に収容されている。
図１５（ａ）に示す半導体製造装置２００Ａはさらに、ウェーハ支持板２０の外周凸部１２の上面１２Ａを支持する支持ピン１１１Ａ、１１２Ａを備え、移動機構（不図示）が支持ピン１１１Ａ、１１２Ａを上下移動させることによってウェーハ支持板２０を上下方向に移動させることができる。支持ピン１１１Ａ、１１２Ａはチャンバ６０の上方の内壁６０Ａから外壁６０Ｂを貫通するが、これに限られない。例えば、支持ピン１１Ａ、１１２Ａを退避させる空間をチャンバ６０内に設けていても構わない。
図１５（ｂ）に示すように、半導体製造装置２００Ａにおいて、ウェーハＷの冷却に際して、ウェーハ支持板２０を上昇移動し、ウェーハ支持体２０の外周凸部１２の上面１２Ａをチャンバ６０の内壁６０Ａに接触させる際、外周凸部１２の上面１２Ａに有するガス導入孔１２ａａをチャンバ６０の外壁に設けられたガス供給管６１に連通する。
吊り上げ機構を採用するメリットとして、冷却位置に、ウェーハ支持板２０を移動するときに、チャンバ６０の内壁６０Ａに支持ピン１１１Ａ、１１２Ａ用のガイドホールを形成できるため、ウェーハ支持板２０の外周凸部２０とチャンバ６０の内壁６０Ａとの接触位置合わせを高精度化しやすい点がある。これによって、ガス供給管６１と外周凸部２０の上面１２Ａの孔との位置合わせの精度が向上される。すなわち、閉鎖空間Ｋにガスを流出入させる点で、位置ずれによる流出入を阻害する要因が減らせる。
また、ヒーター台４０の溝とウェーハ支持板２０の線状部との位置合わせは、成膜時に裏面ガスを流す点から、ヒーター台４０の溝の幅を線状部の幅よりも、やや大きくしているため、ガス供給管６１の位置合わせに対して、余裕度、所謂クリアランスが大きいので、ガス供給管６１側の位置合わせを優先しても問題が生じにくい。
図１６は、図１５に示した半導体製造装置２００Ａの変形例であり、（ａ）は成膜時の配置を示すものであり、（ｂ）はウェーハＷの冷却時の配置を示すものである。
図１６示す半導体製造装置２００Ｂは、支持ピンの構成が図１５に示した半導体製造装置２００Ａが備える構成と異なっている。
図１６示す半導体製造装置２００Ｂが備える支持ピン１１１Ｂ、１１２Ｂは、ウェーハ支持体２０の外周凸部１２の外周側面１２Ｄから突出する第１部分１１１Ｂａ、１１２Ｂａと、第１部分１１１Ｂａ、１１２Ｂａに接続され、上方に延伸する第２部分１１１Ｂｂ、１１２Ｂｂとを有する。なお、図１６において、第１部分は水平方向に突出し、第２部分は垂直方向に延伸するものを例示しているが、突出方向と延伸方向はこれに限られない。例えば、第１部分が外周側面１２Ｄから斜上方向に延伸し、第１部分が接続され、第１部分の斜上方向の角度とは異なる角度で別の斜上方向に延伸しつつ、途中から垂直方向に延伸する第２部分となっていても構わない。或いは例えば、第１部分が外周側面１２Ｄから１／４円状の円弧状に水平方向から垂直方向へと方向が変化するように突出し、第１部分が接続され、垂直方向に延伸する第２部分となっていても構わない。外周側面１２Ｄから突出する第１部分と、上方に延伸する第２部分とは、上記に例示した様な他の形状も含んでいる。
図１５及び図１６においては、外周凸部にガス導入管を有するウェーハ支持板を用いる場合を例に示したが、外周凸部にガス導入管を有さないウェーハ支持板を用いる場合に適用してもよい。
図１７（ａ）、（ｂ）にそれぞれ、図１５、図１６における支持ピンの位置の例を示す。支持ピンの位置はウェーハの搬送時に支障のないような位置に設ける必要がある。
図１７（ａ）に示すように、ウェーハＷを搬送させるためのフォークＦの形状の板をリフトピン１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃで持ち上がったウェーハＷの裏面とヒーター台４０との間に挿入し、ウェーハＷの裏面とフォークＦをリフトピン１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃを下げるか、フォークＦを上げるかによって接触させてウェーハＷをフォークＦの上に載置し、ウェーハＷを搬出入する。ここで、フォークＦの大きさと挿入の位置関係の一例は図示したようになる。フォークＦが、リフトピン１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃにも吊り上げ機構の支持ピン１１１Ａ、１１２Ａ、１１３Ａ、１１４Ａ、１１５Ａ、１１６Ａにも当たらないような配置関係とする必要がある。
同様に、図１７（ｂ）に示すように、フォークＦが、リフトピン１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃにも吊り上げ機構の支持ピン１１１Ｂａ、１１１Ｂｂ、１１２Ｂａ、１１２Ｂｂ、１１３Ｂａ、１１３Ｂｂ、１１４Ｂａ、１１４Ｂｂ、１１５Ｂａ、１１５Ｂｂ、１１６Ｂａ、１１６Ｂｂにも当たらないような配置関係とする必要がある。
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
ウェーハを支持する平坦部と、前記平坦部の外周に周回状に配置し、ウェーハよりも厚く形成された外周凸部とを備え、前記平坦部は、穴開き支持部と、前記穴開き支持部の外側に配置し、ウェーハの外周端部を支持する環状支持部とからなる、ウェーハ支持板。
（付記２）
前記外周凸部には上面から内周側壁に連通するガス導入管が形成されている、付記１に記載のウェーハ支持板。
（付記３）
前記穴開き支持部は線状の部分からなり、前記平坦部の中心に対して対称な線状パターンを有する、付記１又は付記２に記載のウェーハ支持板。
（付記４）
前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心を円中心とするリング状部と、前記リング状部から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部と、を有する、付記３に記載のウェーハ支持板。
（付記５）
前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部からなる、付記３に記載のウェーハ支持板。
（付記６）
前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部と、前記平坦部の中心を同心円の中心として同心円状に配置される複数のリング状部とを有する、付記３に記載のウェーハ支持板。
（付記７）
前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心を円中心とするリング状部と、前記リング状部から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部と、前記リング状部から前記環状支持部へと非放射状に線状で延伸する非放射線状部とを有する、付記３に記載のウェーハ支持板。
（付記８）
前記穴開き支持部が３ｍｍ以上３０ｍｍ以下の幅の線状部からなる、付記１から付記７のいずれか一つに記載のウェーハ支持板。
（付記９）
前記外周凸部は、前記上面に設けられたガス導入孔と、前記内周側壁に設けられたガス放出孔と、前記ガス導入孔と前記ガス放出孔を連通するガス流通経路とからなる前記ガス導入管を備える、付記２に記載のウェーハ支持板。
（付記１０）
前記ガス流通経路は、前記外周凸部内を周回状に配置される、付記９に記載のウェーハ支持板。
（付記１１）
前記ガス導入管は、離間して配置する前記ガス放出孔を複数有する、付記９又は付記１０に記載のウェーハ支持板。
（付記１２）
融点が５００℃以上の耐熱材料からなる、付記１から付記１１のいずれか一つに記載のウェーハ支持板。
（付記１３）
前記耐熱材料がＳＵＳ、Ｔｉ合金、Ｎｉ合金、Ｃｏ合金、Ｔａ合金又はＭｏ合金のいずれかを含むものからなる、若しくはそれらの組み合わせを含むものからなる、付記１２に記載のウェーハ支持板。
（付記１４）
付記１から付記１３のいずれか一つに記載のウェーハ支持板と、
ウェーハが載置される載置面を有し、前記載置面に溝パターンが形成されているヒーター台と、
前記ウェーハ支持板を上下方向に移動させる移動機構と、
前記ウェーハ支持板及び前記ヒーター台を収容するチャンバと、
前記チャンバの外壁に設けられたガス供給管と、を備え、
前記ウェーハ支持板は、前記穴開き支持部の一部が前記溝パターン内に収容されている、半導体製造装置。
（付記１５）
前記ガス供給管はガス排出管を兼ねる、付記１４に記載の半導体製造装置。
（付記１６）
前記チャンバの外壁に設けられたガス排出管をさらに備える、付記１４に記載の半導体製造装置。
（付記１７）
前記外周凸部を支持する支持ピンを備え、
前記移動機構が前記支持ピンを上下移動させることによってウェーハ支持板を上下方向に移動させる、付記１４から付記１６のいずれかに記載の半導体製造装置。
（付記１８）
前記支持ピンが前記外周凸部の下面から前記外周凸部を支持する、付記１７に記載の半導体製造装置。
（付記１９）
前記支持ピンが前記外周凸部の上面から前記外周凸部を支持する、付記１７に記載の半導体製造装置。
（付記２０）
前記支持ピンが前記外周凸部の外周側面から突出する第１部分と、前記第１部分に接続され、上方に延伸する第２部分とを有し、前記支持ピンが前記外周凸部を支持する、付記１７に記載の半導体製造装置。
１、１１、２１、３１ 平坦部
１Ａ、１１Ａ、２１Ａ、３１Ａ 穴開き支持部
１Ｂ 環状支持部
２、１２ 外周凸部
１２ａ、２２ａ、３２ａ ガス導入管
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ ウェーハ支持板
４０、４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ ヒーター台
５０、６０ チャンバ
５１、６１ ガス供給管
１００、２００ 半導体製造装置

Claims (10)

  1. ウェーハを支持する平坦部と、前記平坦部の外周に周回状に配置し、ウェーハよりも厚く形成された外周凸部とを備え、
    前記平坦部は、穴開き支持部と、前記穴開き支持部の外側に配置し、ウェーハの外周端部を支持する環状支持部とからなる、ウェーハ支持板。
  2. 前記外周凸部には上面から内周側壁に連通するガス導入管が形成されている、請求項１に記載のウェーハ支持板。
  3. 前記穴開き支持部は線状の部分からなり、前記平坦部の中心に対して対称な線状パターンを有する、請求項１又は２に記載のウェーハ支持板。
  4. 前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心を円中心とするリング状部と、前記リング状部から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部と、を有する、請求項３に記載のウェーハ支持板。
  5. 前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部からなる、請求項３に記載のウェーハ支持板。
  6. 前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部と、前記平坦部の中心を同心円の中心として同心円状に配置される複数のリング状部とを有する、請求項３に記載のウェーハ支持板。
  7. 前記穴開き支持部は、前記平坦部の中心を円中心とするリング状部と、前記リング状部から前記環状支持部へと放射状に線状で延伸する放射線状部と、前記リング状部から前記環状支持部へと非放射状に線状で延伸する非放射線状部とを有する、請求項３に記載のウェーハ支持板。
  8. 前記外周凸部は、前記上面に設けられたガス導入孔と、前記内周側壁に設けられたガス放出孔と、前記ガス導入孔と前記ガス放出孔を連通するガス流通経路とからなる前記ガス導入管を備える、請求項２に記載のウェーハ支持板。
  9. 請求項１又は２に記載のウェーハ支持板と、
    ウェーハが載置される載置面を有し、前記載置面に溝パターンが形成されているヒーター台と、
    前記ウェーハ支持板を上下方向に移動させる移動機構と、
    前記ウェーハ支持板及び前記ヒーター台を収容するチャンバと、
    前記チャンバの外壁に設けられたガス供給管と、を備え、
    前記ウェーハ支持板は、前記穴開き支持部の一部が前記溝パターン内に収容されている、半導体製造装置。
  10. 前記外周凸部を支持する支持ピンを備え、
    前記移動機構が前記支持ピンを上下移動させることによってウェーハ支持板を上下方向に移動させる、請求項９に記載の半導体製造装置。
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