JP5406067B2 - トレイ及び真空処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、薄膜形成、表面改質、ドライエッチングのような真空中で処理を行うためのトレイ及びトレイ支持部材並びに該トレイとトレイ支持部を搭載した真空処理装置に関する。特に、トレイに保持した状態で被処理物（基板）の温度制御を行うことができる機能を備えたトレイ及びトレイ支持部並びに該トレイとトレイ支持部を搭載した真空処理装置に関する。

従来、被処理物（基板）の搬送に使用されるトレイを備え、このトレイに保持された基板の裏側の空間に温度伝達用ガス（昇温ガス）を導入して、基板を所定温度に制御することができる真空処理装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。

特許文献１の真空処理装置は、昇温ガスを用いて基板の温度制御を行う装置であり、昇温ガスを基板との間の空間に導入するための閉空間用凹部を備えたトレイを備えている。基板は、被処理面とは反対側の面をトレイに形成された閉空間用凹部に対向させた状態で、押し付け具を用いてトレイに固定される。

この状態で、閉空間用凹部に昇温ガスを導入すると、密閉された昇温ガスを介して効率よく基板を加熱することができる。すなわち、真空容器内を熱伝導効率が低下する真空状態にしても、基板とトレイの間に形成された閉空間にのみガスを導入することで、基板の温度制御の精度や効率を飛躍的に向上させることができる。

特開２００２−４３４０４号公報

一方、真空処理装置においては、多数の基板を搭載可能な大型トレイを用いることで、生産性を向上させることができることが知られている。しかしながら、特許文献１の真空処理装置に多数の基板を搭載可能な大型トレイを用いた場合には、温度変化によるトレイの変形が無視出来なくなる。すなわち、トレイが反ることによりトレイのセット位置などが変化し、トレイの搬送エラー、基板位置が変化することによる温度分布の不均一化、若しくは、昇温ガスの抜けといった不都合を誘発するおそれがある。このため、トレイの大型化には限界があった。

本発明の目的は、大型のトレイを用いた場合にも、反りによるトレイや基板の位置ズレが生じない、高い生産性を有するトレイ及びトレイ支持部並びに該トレイとトレイ支持部を搭載した真空処理装置を提供することにある。

上記の目的を達成する本発明にかかる真空処理装置は、
基板を保持可能なトレイと、
前記トレイを支持可能なアーム部を有するトレイ支持部材と、
前記トレイ支持部材が取り付けられたホルダと、を備え、
前記アーム部は、前記トレイの下部に当接する支持部と、前記トレイの縁部下に該トレイとは当接しないように凹状に形成されたザグリ部と、を有し、
前記トレイが前記トレイ支持部材に支持された状態にあるとき、前記トレイの外周側面の縁部は、前記ザグリ部の上方にあり、かつ該トレイ支持部と接触しないように配置可能であり、
前記トレイ支持部材は、前記トレイを前記ホルダ側に押圧しながら支持可能に構成され、前記トレイは前記基板を保持した状態で前記ホルダに押圧されると、前記ホルダと前記トレイとの間に空間が形成されるように構成され、
前記トレイは、前記ホルダに当接可能な略リング状の凸部を該ホルダ側に有し、
前記トレイは、前記トレイ支持部材に保持されるアウタトレイと、該アウタトレイに保持されるインナトレイとからなり、
前記アウタトレイを前記ホルダ側に押圧された際に、前記インナトレイだけが前記ホルダ側と当接可能に構成されることを特徴とする。

本発明によれば、トレイの反りを防ぐことで、チャックからのトレイ位置変化などを抑え、それに伴う不都合を防ぐことができるトレイ及びトレイ支持部並びに該トレイとトレイ支持部を搭載した真空処理装置を提供することができる。

また、より多数の基板を搭載可能な大型のトレイを用いた生産性が高く、且つ、高精度な温度制御が可能なトレイ及びトレイ支持部並びに該トレイとトレイ支持部を搭載した真空処理装置を提供することができる。

第１の実施形態に係る真空処理装置の断面概略図である。 第１の実施形態に係るホルダ部分を拡大した断面概略図である。 第１の実施形態に係るトレイ及びチャックの正視図である。 第１の実施形態に係るトレイがチャックで支持された状態の正視図である。 第１の実施形態に係る図４中のＡ−Ａ断面図である。 第２の実施形態に係るインナトレイ、アウタトレイ及びチャックの正視図である。 第２の実施形態に係るインナトレイがアウタトレイ及びチャックで支持された状態の正視図である。 第２の実施形態に係る図７中のＢ−Ｂ断面図である。

以下に、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下に説明する部材、配置等は発明を具体化した一例であって本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変することができることは勿論である。
（第1の実施形態）
図１〜図５は本発明の第１の実施形態に係る真空処理装置について説明した図であり、図１は真空処理装置の断面概略図、図２はホルダ部分を拡大した断面概略図、図３はトレイ及びチャックの正視図、図４はトレイがチャックで支持された状態の正視図、図５は図４中のＡ−Ａ断面図である。なお、図面の煩雑化を防ぐため一部を除いて省略している。

本発明に係る真空処理装置は、スパッタリング成膜装置、電子ビームなどを使用した薄膜形成（ＰＶＤ装置）、若しくは、表面改質、ドライエッチングのような真空中での処理に幅広く適用可能なものであるが、本実施形態においてはスパッタリング成膜装置に適用した例（真空処理装置１）について説明する。

以下、真空処理装置１について説明する。図１に示すように、本実施形態の真空処理装置１は、真空容器１１と、スパッタ手段２０と、シャッタ機構３０と、基板ホルダ（ホルダ）４０と、を主要な構成要素としている。また、ホルダ４０にはトレイ５０が取り付け可能に構成されている。なお、スパッタリング装置１は、ホルダ４０を上側、スパッタ手段２０を下側に配置しているが、ホルダ４０とスパッタ手段２０の上下位置関係を入れ替えた配置としても本発明が適用可能であることはもちろんである。

真空容器１１は、公知のスパッタリング装置で通常用いられるようなステンレス製若しくはアルミニウム合金製で、ほぼ直方体形状をした気密な中空体である。真空容器１１の側面には、基板２（トレイ５０）の出し入れを行うためのロードロック室（不図示）がゲートバルブ（不図示）を介して接続されている。

また、真空容器１１の底面付近には排気口（不図示）が形成されている。排気口には、ドライポンプやクライオポンプ、若しくはターボ分子ポンプなどの真空ポンプが接続され、処理容器１１内を１０^−５〜１０^−７Ｐａ程度まで排気可能に構成されている。

スパッタ手段２０は、真空容器１１の底面の所定位置に設置されたスパッタリングカソードとスパッタ成膜に使用される物質を有するターゲット（いずれも不図示）とを主要な構成要素として備えている。シャッタ機構３０は、スパッタ手段２０から発生した蒸着物質の基板側への移動を遮るシャッタ板とシャッタ板の駆動制御機構とを有して構成されている。

スパッタ手段２０及びシャッタ機構３０はいずれも公知のものを用いることができ詳細は省略する。

ホルダ４０は、図２に示すように、スパッタ手段２０側にトレイ５０に支持された状態で基板２を保持することができる台状の部材であり、基板２を加熱するための温度制御手段である昇温機構６０と、トレイ５０を保持するためのトレイ支持部材（チャック）４２と、を備えている。ホルダ４０は、真空容器１１の上部に上下動及び回転制御可能に気密を保ちつつ支持された基板回転軸４４に取り付けられている。基板回転軸４４の上下の高さ調節機構及び回転制御機構は公知のものを用いることができ詳細は省略する。

図２においては、Ｃ線の左右側（Ｌ側とＲ側）でチャック４２の位置が異なる状態を示している。すなわち、図２中、Ｌ側には、チャック４２が下降位置でトレイ５０を支持した状態、Ｒ側には、チャック４２が上昇位置でトレイ５０を支持した状態が示されている。チャック４２が上昇位置でトレイ５０を支持した状態では、チャック４２の付勢力によってトレイ５０がホルダ４０側に押圧される。トレイ５０の外周側の縁部分がホルダ側に所定圧力で当接した状態になる。

昇温機構６０は、昇温ガス導入路６２と、昇温装置（ヒーター６４）を備える温度調節器と、を有して構成されている。昇温ガス導入路６２はホルダ４０の中心部分に形成されたガス誘導管である。不図示のガス供給機構から供給された昇温ガスは昇温ガス導入路６２に導かれてホルダの下側（基板の被処理面と逆側）に供給される。

なお、昇温ガスとしては、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスが用いられる。図２においては、昇温ガス導入路６２は、ホルダ中心部の１つのみとされているが、実際には多数の昇温ガス導入路６２が形成されており、ガスの分布に差異が生じないように構成されている。

温度調節器は、ホルダ４０と一体として構成されており、本実施形態では、略リング状のヒーター６４からなる昇温装置と温度センサーと制御装置とを有して構成されている。ヒーター６４の出力を調整してホルダ４０側の温度を制御することで、昇温ガスを介して基板２に熱を伝え、基板２の温度を調節することができる。

チャック４２は、トレイ５０を両側から支持できるようにホルダ４０に一対備えられている。それぞれのチャック４２は、上下動可能なフレーム部４６と、フレーム部４６に固着され、トレイ５０側に向かって張り出したアーム部４７と、を有して構成されている。フレーム部４６は、基板２の厚さ方向（上下方向）に軸線を平行に配設された棒状の部材であり、公知の機構により上下方向にスライド制御可能にホルダ４０に取り付けられている。

アーム部４７は、図２に示すように、トレイ５０の外側の縁部を下方側から支持できるように、フレーム部４６からホルダ４０の中心方向に張り出して形成されている。同時に、図３（ａ）に示すように、トレイ５０の外周の形状に沿ってある程度の長さを有して形成されている。

後述するように、トレイ５０は略円形であるため、アーム部４７もトレイ５０の形状に合わせて略円弧状に湾曲した形状を有している。このため、アーム部４７は幅広い範囲でトレイ５０と当接することが可能になり、一対のアーム部４７によってトレイ５０を左右側から確実に支持することができる。

なお、本実施形態においては、２本のフレーム部４６、４６で１つのアーム部４７を支持する構成となっており、一対のアーム部４７は、ホルダ４０の中心線を挟んで対称位置に配設される。しかし、この配置に限定されるものではなく、例えば、略Ｕ字、Ｃ字、若しくは、矩形枠状の１つのアーム部を１本のフレーム部で支持してチャックを構成することもできる。

トレイ５０は、図３（ｂ）に示すように、略円板状の部材であり、基板２の被処理面を下方に露出した状態で基板２を搭載可能な基板取り付け部５２が多数形成されている。また、トレイ５０はステンレス又は銅若しくは銅合金から構成されている。トレイ５０の外周の縁部には、直線状に形成された直線部分５４が２箇所あり、この直線部分５４をアーム部４７の形状と一致させることでトレイ５０の回転方向への位置ずれを防いでいる。

基板取り付け部５２は、基板２の外周の縁部を係止して取り付けることができるように、基板２よりも僅かに小さな開口部として形成されている。

図４に示すように、トレイ５０がチャック４２で支持された状態では、トレイ５０とチャック４２とは一体として円板状に組み合わせることができる。このため、トレイ５０がホルダ４０に取り付けられたときに、トレイ５０の位置による熱容量の偏りがなくなり、トレイ５０に装着された多数の基板２を均一な温度にすることができる。

図４中のＡ−Ａ断面図を図５に示す。上述のように、基板２は、トレイ５０に形成された基板取り付け部５２に装着されており、トレイ５０は、チャック４２のアーム４７に支持されている。アーム４７には、支持部４７ａとザグリ部（凹部）４７ｂが形成されている。支持部４７ａは、トレイ５０の被処理面側（スパッタ手段２０側）に直接当接して、トレイ５０を支持する部分である。

ザグリ部４７ｂは、支持部４７ａのフレーム部４６側に形成された凹状に形成された部分である。このザグリ部４７ｂによって、支持部４７ａのフレーム部４６側が支持部４７ａよりも低く形成される。このため、トレイ５０の被処理面側外縁部（エッジ部５８）がアーム部４７側に接触することを防いでいる。本実施形態においては、支持部４７ａとザグリ部４７ｂは断面矩形状に形成されているが、台形状や半円状として形成することもできる。

トレイ５０をチャック４２により支持する際、トレイ５０がアーム部４７やフレーム部４６に接触しないように、トレイ５０の外縁部の側面に隙間Ｇ１（所定距離）を有して配設されている。この隙間Ｇ１によって、所定距離離間してトレイ５０とチャック４２が配設されるため、トレイ５０の左右方向の寸法変化（膨張）を吸収することができる。

すなわち、トレイ５０が熱膨張してもチャック４２側に接触しないため、トレイ５０がチャック４２側から押圧されることによる湾曲（反り）の発生を防ぐことができる。また、トレイ５０の膨張による応力でチャック４２部分の破壊を防ぐことができる。隙間Ｇ１は、任意の寸法とすることができるが、トレイ５０の熱膨張率を考慮して決定される。

また、トレイ５０の外周部のホルダ４０側には、凸部５６が略リング状に形成されている。チャック４２によってトレイ５０がホルダ４０側に押圧された際に、この凸部５６がホルダ４０側と接触することで、基板２のホルダ４０側面（被処理面の逆側面）とホルダ４０との間に隙間を形成することができる。

さらに、凸部５６はトレイ５０の外周に沿ってリング状に形成されているため、この凸部５６と、ホルダ４０の基板２側面と、トレイ５０のホルダ４０側面と、基板２のホルダ４０側面と、に囲まれた空間（閉空間）を形成することができる。この空間に昇温ガスを導入し封止することによって、効率よく基板２の温度制御を行うことができる。本実施形態においては、凸部５６は断面矩形状に形成されているが、台形状や半円状として形成することもできる。

次に、上述した構成の作用及び効果について考察する。

トレイ５０に基板２を装着して温度制御（昇温）すると、トレイ５０に反りが発生する。トレイ５０がホルダ４０側に凸になる場合は、トレイ５０は支持部４７ａの外側（フレーム４６側）で当接する。ザグリ部４７ｂによって、トレイ５０の外縁部の下側（エッジ部５８）はアーム部４７に接触しないためである。

したがって、トレイ５０の反った部分をザグリ部４７ｂに逃がすことができる。一方、トレイの自重で、トレイ５０がスパッタ手段２０側に凸になる場合は、トレイ５０は支持部４７ａの内側で当接する。

ザグリ部４７ｂが形成されたことによって、トレイ５０がホルダ４０側に凸に反った際に、反りによる湾曲の中程の位置でトレイ５０を支持することになる。そのため、トレイ５０の反り量の一部は基板２の位置に影響することがない。また、支持部４７ａによってトレイ５０が支持された部分を支点として反るため、トレイ５０全体としての反り量は軽減される。このため、支持部４７ａは、なるべくトレイ５０の中心側に当接するように配置されることが好ましい。

トレイ５０の反りを防ぐことで、チャック４２からのトレイ５０の位置変化を抑えることができる。そのため、大型のトレイを用いた場合でも、位置ズレによるトレイ５０の回収時の搬送エラーを防ぐことができる。また、トレイ５０の反りに伴う基板２の位置ズレのために、昇温ガスが抜けるなどの原因で温度分布が不均一になるおそれも防ぐことができる。もちろん、基板２の位置変化による成膜精度の低下も抑えることができる。

なお、本実施形態に係るトレイ５０は、アーム部４７側に形成された支持部４７ａによって下部側から支持されるように構成されているが、支持部４７ａの代わりに、トレイ５０側にアーム部４７側と当接する凸部（当接部）を形成しても、本実施形態のトレイ５０と同様の効果を得ることができる。すなわち、トレイ５０の下部側に下方側に向けて凸状に隆起した部分（当接部）を形成し、この当接部がアーム側と当接する構成とすることができる。

なお、この当接部は、図５の支持部４７ａが配置されている位置に配置されると好適である。当接部がトレイの外縁よりも少し内側に形成されることで、図５のトレイ５０と同様に、当接部よりも外側には、アーム部４７（トレイ支持部材）側と接触しないように外側に張り出した部分（張り出し部）を有することになる。このとき、アーム部４７側には支持部４７ａを有さない構成としてもよいし、支持部４７ａの高さを低く形成してもよい。
（第２の実施形態）
図６、図７、および図８は本発明の第２の実施形態に係る真空処理装置について説明した図であり、図６はトレイ及びチャックの正視図、図７はトレイがチャックで支持された状態の正視図、図８は図７（ｂ）中のＢ−Ｂ断面図である。なお、図面の煩雑化を防ぐため一部を除いて省略している。

なお、以下の実施形態において、第１の実施形態と同様部材、配置等には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。

本実施形態に係る真空処理装置は、第１の実施形態と比べてトレイの構造に違いがある。

本実施形態におけるトレイ７０は、インナトレイ７１とアウタトレイ７２とを組み合わせて構成されている。

図６（ｂ）に示すように、インナトレイ７１は、多数の基板取り付け部５２が形成された円板状部材であり、ステンレス、銅、銅合金、若しくは、アルミニウム合金から構成されている。

図６（ｃ）に示すように、アウタトレイ７２は、枠状部材であり、ステンレス、若しくは、銅合金から構成されている。アウタトレイ７２の内側には、全周に亘って第２のアーム部７４が形成されている。

図７（ａ）に示すように、この第２のアーム部７４にインナトレイ７１を乗せることで、アウタトレイ７２の内側にインナトレイ７１を支持することができる。

図６、図７および図８に示すように、基板２は、インナトレイ７１に形成された基板取り付け部５２に装着されており、インナトレイ７１は、アウタトレイ７２の内側に支持されている。そして、アウタトレイ７２は、その外周側でチャック４２のアーム４７に支持されている。

アウタトレイ７２の内側にインナトレイ７１を支持する構造は、第１の実施形態におけるチャック４２でトレイ５０を支持する構造とほぼ同様のものである。第２のアーム部７４には、インナ支持部７４ａと、第２のザグリ部７４ｂが形成されている。インナ支持部７４ａは支持部４７ａと、第２のザグリ部７４ｂはザグリ部４７ｂと、それぞれ同様の作用効果を有している。

もちろん、インナトレイ７１をアウタトレイ７２により支持する際、インナトレイ７１がアウタトレイ７２側に接触しないように、隙間Ｇ２を有して配設される。なお、インナトレイ７１の上側に形成された凸部７６は、第１の実施形態における凸部５６と同様な機能を有している。凸部７６と、ホルダ４０の基板２側面と、インナトレイ７１のホルダ４０側面と、基板２のホルダ４０側面と、に囲まれて、空間（閉空間）を形成することができる。

上述した第２の実施形態における構成の作用及び効果について考察する。

チャック４２でアウタトレイ７２を支持する作用は、第１の実施形態におけるチャック４２でトレイ５０を支持した効果と同様である。また、アウタトレイ７２の内側にインナトレイ７１を支持した効果は、第１の実施形態におけるチャック４２でトレイ５０を支持する構造と同様である。

すなわち、トレイの反りを２箇所において軽減することができるため、第１の実施形態でのトレイ５０よりも大きな効果が期待できる。そのため、さらに多数の基板２を搭載可能な、より大型のトレイに適用することで、生産性の向上、製造コストの低減を図ることができる。

第２の実施形態においては、アウタトレイ７２がリング状に形成される。そのため、アウタトレイ７２がホルダ４０側に凸に反った際に、支持部４７ａによってアウタトレイ７２の反りが支持される支点をアウタトレイ７２の幅の中間位置とすることができる。このように、アウタトレイ７２の幅の中間位置で支持部４７ａと当接する構造とすることで、アウタトレイ７２全体としての反り量を最小とすることができる。

また、トレイをインナトレイ７１とアウタトレイ７２の２つに分割したことで、インナトレイ７１は強度を低く、つまり、厚さを薄く形成できる。そのため、ステンレス合金よりも熱伝導に優れた銅、銅合金、若しくは、アルミニウム合金から構成することができる。インナトレイを、ステンレス合金よりも熱伝導に優れたアルミニウム合金製又は銅製若しくは銅合金製とすることで、従来よりもさらに高い精度で温度を制御することができる。

なお、本実施形態に係るアウタトレイ７２は、アーム部４７側に形成された支持部４７ａによって下部側から支持されるように構成されているが、支持部４７ａの代わりに、アウタトレイ７２にアーム部４７側と当接する凸部（当接部）を形成しても、本実施形態のアウタトレイ７２と同様の効果を得ることができる。すなわち、アウタトレイ７２の下部側に下方側に向けて凸状に隆起した部分（当接部）を形成し、この当接部がアーム側と当接する構成とすることができる。

なお、この当接部は、図８の支持部４７ａが配置されている位置に配置されると好適である。当接部がアウタトレイ７２の外縁よりも少し内側に形成されることで、図８のアウタトレイ７２と同様に、当接部よりも外側には、アーム部４７（トレイ支持部材）側と接触しないように外側に張り出した部分（張り出し部）を有することになる。このとき、アーム部４７側には支持部４７ａを有さない構成としてもよいし、支持部４７ａの高さを低く形成してもよい。

同様に、本実施形態に係るインナトレイ７１は、アウタトレイ７２に形成されたインナ支持部７４ａによって下部側から支持されるように構成されているが、インナ支持部７４ａの代わりに、インナトレイ７１にアウタトレイ７２側と当接する凸部（第２の当接部）を形成しても、本実施形態のインナトレイ７１と同様の効果を得ることができる。すなわち、インナトレイ７１の下部側に下方側に向けて凸状に隆起した部分（第２の当接部）を形成し、この当接部がアウタトレイ７２側と当接する構成とすることができる。

第２の当接部は、図８のインナ支持部７４ａが配置されている位置に配置されると好適である。第２の当接部がインナトレイ７１の外縁よりも少し内側に形成されることで、図８のインナトレイ７１と同様に、第２の当接部よりも外側には、アウタトレイ７２側と接触しないように外側に張り出した部分（第２の張り出し部）を有することになる。このとき、アウタトレイ７２側には支持部７４ａを有さない構成としてもよいし、支持部７４ａの高さを低く形成してもよい。

Claims (9)

1. 基板を保持可能なトレイと、
   前記トレイを支持可能なアーム部を有するトレイ支持部材と、
   前記トレイ支持部材が取り付けられたホルダと、を備え、
   前記アーム部は、前記トレイの下部に当接する支持部と、前記トレイの縁部下に該トレイとは当接しないように凹状に形成されたザグリ部と、を有し、
   前記トレイが前記トレイ支持部材に支持された状態にあるとき、前記トレイの外周側面の縁部は、前記ザグリ部の上方にあり、かつ該トレイ支持部と接触しないように配置可能であり、
   前記トレイ支持部材は、前記トレイを前記ホルダ側に押圧しながら支持可能に構成され、前記トレイは前記基板を保持した状態で前記ホルダに押圧されると、前記ホルダと前記トレイとの間に空間が形成されるように構成され、
   前記トレイは、前記ホルダに当接可能な略リング状の凸部を該ホルダ側に有し、
   前記トレイは、前記トレイ支持部材に保持されるアウタトレイと、該アウタトレイに保持されるインナトレイとからなり、
   前記アウタトレイを前記ホルダ側に押圧された際に、前記インナトレイだけが前記ホルダ側と当接可能に構成されることを特徴とする真空処理装置。
2. 前記アウタトレイは、前記インナトレイを支持可能な第２のアーム部を備え、
   前記第２のアーム部は、前記インナトレイの下部に当接するインナ支持部と、前記インナトレイの縁部下に該インナトレイとは当接しないように凹状に形成された第２のザグリ部と、を有し、
   前記インナトレイが前記アウタトレイに支持された状態にあるとき、前記インナトレイの外周側面の縁部は、前記第２のザグリ部の上方にあり、かつ該アウタトレイと接触しないように配置可能であることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
3. 前記略リング状の凸部は、前記インナトレイ上に設けられることを特徴とする請求項２に記載の真空処理装置。
4. 前記インナトレイは、アルミニウム合金製又は銅製若しくは銅合金製であることを特徴とする請求項２に記載の真空処理装置。
5. 上部側に配置されたホルダに取り付けられたトレイ支持部材によって下部側から支持される、基板を保持可能なトレイであって、
   前記トレイは、前記トレイ支持部材に当接する当接部と、前記当接部の外周側に前記トレイ支持部材側と接触しないように張り出すように形成された張り出し部とを有し、
   前記トレイは、前記トレイ支持部材に保持されるアウタトレイと、該アウタトレイに保持されるインナトレイとからなり、
   前記アウタトレイを前記ホルダ側に押圧された際に、前記インナトレイだけが前記ホルダ側と当接可能に構成されることを特徴とするトレイ。
6. 前記ホルダに当接可能な略リング状の凸部を該ホルダ側に有することを特徴とする請求項５に記載のトレイ。
7. 前記アウタトレイは、前記インナトレイを支持可能な第２のアーム部を備え、
   前記第２のアーム部は、前記インナトレイの下部に当接するインナ支持部と、前記インナトレイの縁部下に該インナトレイとは当接しないように凹状に形成された第２のザグリ部と、を有し、
   前記インナトレイが前記アウタトレイに支持された状態にあるとき、前記インナトレイの外周側面の縁部は、前記第２のザグリ部の上方にあり、かつ該アウタトレイと接触しないように配置可能であることを特徴とする請求項５に記載のトレイ。
8. 前記アウタトレイは、前記インナトレイを支持可能な第２のアーム部を備え、
   前記インナトレイは、前記トレイ支持部材に当接する第２の当接部と、前記第２の当接部の外周側に前記トレイ支持部材側と接触しないように張り出すように形成された第２の張り出し部とを有していることを特徴とする請求項５に記載のトレイ。
9. 略リング状の凸部は、前記インナトレイ上に設けられていることを特徴とする請求項７に記載のトレイ。

Images