JP2023074944A - 連接処理容器及び基板処理方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】連接される処理容器について、安定した支持が可能であり且つ熱膨張による基板の搬送位置のずれを抑制すること。【解決手段】間隙が形成されるように横方向に並んで設けられ、真空処理を行うために基板を各々格納する第１の処理容器及び第２の処理容器と、第１の処理容器に固定された第１のブロック部と、第２の処理容器に固定されると共に、前記第１のブロック部に対して前記横方向に並んで配置された第２のブロック部と、第１のブロック部と前記第２のブロック部とが摺動可能に接続され、前記第１の処理容器と前記第２の処理容器とに跨るように設けられたレール部と、を備えるように連接処理容器を構成する。【選択図】図２

Description

本開示は、連接処理容器及び基板処理方法に関する。

半導体デバイスの製造工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と記載する）が処理容器に格納され、加熱を伴う成膜処理やエッチング処理などが行われる。特許文献１には、ウエハを搬送するロボットを備える真空搬送室と、当該真空搬送室に接続されると共に、加熱と処理ガスの供給とによりウエハを処理する多数のチャンバと、を備える基板処理装置について記載されている。多数のチャンバは、そのうちの２つずつが互いに側壁が共有されるように連接されており、ロボットはそのように側壁が共有される２つのチャンバに対して、一括してウエハを受け渡すように構成されている。

特開２０１７－６９３１４号公報

本開示は、連接される処理容器について、安定した支持が可能であり、且つ熱膨張による基板の搬送位置のずれを抑制することができる技術を提供する。

本開示は、間隙が形成されるように横方向に並んで設けられ、真空処理を行うために基板を各々格納する第１の処理容器及び第２の処理容器と、
前記第１の処理容器に固定された第１のブロック部と、
前記第２の処理容器に固定されると共に、前記第１のブロック部に対して前記横方向に並んで配置された第２のブロック部と、
前記第１のブロック部と前記第２のブロック部とが摺動可能に接続され、前記第１の処理容器と前記第２の処理容器とに跨るように設けられたレール部と、を備える連接処理容器に関するものである。

本開示によれば、連接される処理容器について、安定した支持が可能であり、且つ熱膨張による基板の搬送位置のずれを抑制することができる。

本開示の実施形態に係る基板処理システムの一例を示す平面図である。 基板処理システムに設けられる連接処理容器をなす第１の処理容器と第２の処理容器の一例を示す縦断側面図である。 連接処理容器の一例を示す背面側斜視図である。 第１の処理容器及び第２の処理容器を示す底面図である。 第１の処理容器の底部を示す概略側面図である。 第１の処理容器と第２の処理容器の一部を示す側面図である。 第１のブロック部とレール部とを示す縦断側面図である。 第１の処理容器と第２の処理容器との間隙が変化する様子を示す縦断面視の説明図である。 第１の処理容器と第２の処理容器との間隙が変化する様子を示す平面視の説明図である。

本開示の実施形態に係る連接処理容器５を備えた基板処理システム１について、図１の平面図を参照しながら説明する。先ず、基板処理システム１の概要を述べる。当該基板処理システム１は、搬入出ポート１１、搬入出モジュール１２、真空搬送モジュール１３、１４、接続モジュール１５及び成膜モジュール３を備え、この成膜モジュール３に連接処理容器５が設けられている。

連接処理容器５は、基板であるウエハＷを各々格納する第１の処理容器３１Ａ及び第２の処理容器３１Ｂを備えている。これら処理容器３１Ａ、３１Ｂは、間隙３０が形成されるように並んで設けられると共に、互いに接続されている。基板処理システム１では、搬送機構により、連接処理容器５を構成する処理容器３１Ａ、３１Ｂ内に、一括してウエハＷを搬送し、処理容器３１Ａ、３１Ｂ内の２枚のウエハＷに対して、同じ処理条件で一括した成膜処理が行われる。

以下、基板処理システム１の各部について、図１を参照して説明する。図１では、Ｘ方向を前後方向、Ｘ方向と直交するＹ方向を横方向として説明する。搬入出モジュール１２には４つの搬入出ポート１１が各々接続されており、搬入出ポート１１にはウエハＷを収容する搬送容器１０が載置されている。Ｘ方向に沿って、搬入出ポート１１、搬入出モジュール１２、真空搬送モジュール１３、接続モジュール１５、真空搬送モジュール１４が、この順に設けられている。そして、前方側の真空搬送モジュール１３をＹ方向において挟むように、成膜モジュール３が２つ接続されている。また、後方側の真空搬送モジュール１４をＹ方向において挟むように、２つの成膜モジュール３が接続されている。

搬入出モジュール１２は、常圧搬送室１２Ａと、ロードロック室１２Ｂと、を備えている。常圧搬送室１２Ａは大気雰囲気とされており、搬送容器１０とロードロック室１２Ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行うために、昇降可能な多関節アームである搬送機構２１を備えている。ロードロック室１２Ｂは、ウエハＷが置かれる雰囲気を大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替え可能に構成されると共に、Ｙ方向に並ぶ２つの載置部２２を備える。常圧搬送室１２Ａの搬送機構２１は２つの載置部２２と搬送容器１０との間におけるウエハＷの搬送を行い、２つの載置部２２に対しては一枚ずつウエハＷを受け渡すように構成されている。

真空搬送モジュール１３、１４は、互いに同様に構成されている。これら真空搬送モジュール１３、１４は真空雰囲気が形成される真空搬送室２３を備え、当該真空搬送室２３には搬送機構２４が設けられている。搬送機構２４は昇降可能な多関節アームにより構成されており、当該多関節アームの先端部をなすエンドエフェクタ２５は、互いに離れて形成された２つの保持部２６を備える。各保持部２６にウエハＷが一枚ずつ保持されることで、搬送機構２４は２枚のウエハＷを所定の間隔を空けて一括して搬送することができる。なお、エンドエフェクタ２５は例えば上下に離れて２つ設けられ、一方のエンドエフェクタ２５でモジュールからのウエハＷの受け取り、他方のエンドエフェクタ２５でモジュールへのウエハＷの送出が夫々可能となっている。

接続モジュール１５は、真空搬送モジュール１３、１４間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを載置するモジュールであり、内部は真空雰囲気とされる。当該接続モジュール１５には、ロードロック室１２Ｂと同様にＹ方向に並ぶ２つの載置部２２が設けられている。なお、ロードロック室１２Ｂ、接続モジュール１５の各々における２つの載置部２２の間隔は、搬送機構２４によって一括した受け渡しができるように当該搬送機構２４の保持部２６の間隔に対応している。搬送機構２１、２４の昇降動作によってウエハＷの受け渡しを行うように、載置部２２は、例えばウエハＷの中心部から外れ、且つウエハＷの周方向に離れた複数の位置を支持するピンなどの基板支持部を備える構成とされる。

常圧搬送室１２Ａとロードロック室１２Ｂとの間、ロードロック室１２Ｂと真空搬送モジュール１３との間、成膜モジュール３を構成する処理容器３１Ａ、３１Ｂと真空搬送モジュール１３、１４との間には、各々ゲートバルブＧが介在する。ゲートバルブＧにより、各モジュールに設けられるウエハＷの搬送口が開閉され、各モジュールにおける雰囲気が既述した雰囲気に保たれる。

このような基板処理システム１には制御部１００が設けられている。制御部１００はコンピュータにより構成され、プログラムを備えている。このプログラムは、基板処理システム１の各部に制御信号を出力することで、当該各部の動作が制御されて、後述のウエハＷの搬送及び成膜処理が行われるようにステップ（命令）群が組まれている。プログラムは、コンピュータの記憶部、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、不揮発性メモリなどに格納され、この記憶部から読み出されて制御部１００にインストールされる。

以上に述べた基板処理システム１において、ウエハＷは、搬送容器１０から真空搬送モジュール１３または真空搬送モジュール１４に接続される成膜モジュール３へと搬送されて処理された後、搬送容器１０に戻される。従って一の搬送経路は、ウエハＷが搬送容器１０→常圧搬送室１２Ａ→ロードロック室１２Ｂ→真空搬送モジュール１３→成膜モジュール３→真空搬送モジュール１３→ロードロック室１２Ｂ→常圧搬送室１２Ａ→搬送容器１０の順で搬送される経路である。そして、他の搬送経路は、ウエハＷが搬送容器１０→常圧搬送室１２Ａ→ロードロック室１２Ｂ→真空搬送モジュール１３→接続モジュール１５→真空搬送モジュール１４→成膜モジュール３の順で搬送される。その後に成膜モジュール３から、真空搬送モジュール１４→接続モジュール１５→真空搬送モジュール１３→ロードロック室１２Ｂ→常圧搬送室１２Ａ→搬送容器１０の順で搬送される、という経路である。

上記の各搬送経路について、搬送機構２４による搬送が行われる区間については２枚のウエハＷが一括で搬送される。従って、処理容器３１Ａ、３１Ｂを備える成膜モジュール３と、真空搬送モジュール１３、１４との間において、２枚のウエハＷが一括で搬送される。その他に、ロードロック室１２Ｂと真空搬送モジュール１３との間、真空搬送モジュール１３と接続モジュール１５との間、接続モジュール１５と真空搬送モジュール１４との間においても２枚のウエハＷが一括で搬送される。

続いて、本開示の連接処理容器５を備えた成膜モジュール３について説明する。成膜モジュール３は、処理容器３１Ａ、３１Ｂを含む連接処理容器５、ガス供給源３９、排気機構４０及びガス供給機器４２を含み、例えばウエハＷに窒化チタン膜（ＴｉＮ膜）の成膜処理を行うように構成されている。連接処理容器５において、第１の処理容器３１Ａ及び第２の処理容器３１Ｂは、間隙３０が形成されるように横方向に並んで設けられる。以下、処理容器について説明するが、これら第１及び第２の処理容器３１Ａ、３１Ｂは互いに同様に構成されているため、代表して第１の処理容器３１Ａについて図２の概略図を用いて説明する。処理容器３１Ａは、ステージ３２、側壁ヒーター３３、昇降ピン３４、昇降機構３５及びシャワーヘッド４１を備えている。図２等における連接処理容器５を示す図では、図１中に併記した副座標を用い、Ｘ’方向を横方向、Ｙ’方向を前後方向、Ｚ’方向を上下方向として説明する。

上記の側壁ヒーター３３は、第１の処理容器３１Ａを加熱する加熱部を構成するものであり、当該処理容器３１Ａの側壁に埋設されている。また、上記のステージ３２は平面視円形であり、その横方向における位置は処理容器３１Ａ内において固定されている。当該ステージ３２には、ウエハＷを加熱して処理するためのステージヒーター３６が埋設されている。そして、昇降機構３５によってステージ３２の上面にて突没するように、昇降ピン３４が３本（図では２本のみ表示）設けられている。この昇降ピン３４の昇降動作により、ステージ３２と、処理容器３１Ａ内における予め決められた搬送位置に移動した既述の搬送機構２４との間で、ウエハＷが受け渡される。図中のＰはステージ３２の中心を示しており、ウエハＷの中心が当該中心Ｐに揃うように、当該ウエハＷはステージ３２に載置される。

シャワーヘッド４１は処理容器３１Ａの天井部に設けられ、例えば処理容器３１Ａ、３１Ｂで共通のガス供給源３９から、バルブなどを含むガス供給機器４２を介して、当該シャワーヘッド４１に成膜ガスが供給される。また、処理容器３１Ａには排気管３８の一端が接続され、排気管３８の他端は、処理容器３１Ａ、３１Ｂで共通の排気機構４０に接続されている。排気機構４０は例えば真空ポンプなどを含む。

続いて、連接処理容器５の全体構成について説明する。上記のように連接処理容器５は、第１の処理容器３１Ａ及び第２の処理容器３１Ｂを備えている。これら処理容器３１Ａ、３１Ｂ以外には、処理容器３１Ａ、３１Ｂを支持する支持部５０及び処理容器３１Ａ、３１Ｂを互いに接続するための接続部６を含む。この連接処理容器５の説明にあたり、図２、図３及び図４を参照すると共に、ゲートバルブＧが設けられる方向を前方側と呼ぶものとする。図３はゲートバルブＧを真空搬送モジュール１３に向けて連接処理容器５を見た背面側斜視図であり、図４は連接処理容器５の底面図である。また、図３の記載に対応させて、以降の説明における左側、右側とは後方から前方に向けて見たときの左側、右側とし、左側に処理容器３１Ａ、右側に処理容器３１Ｂが夫々位置する。なお、図４等におけるＰ１は、処理容器３１Ａ、３１Ｂのステージ３２の中心Ｐ間の距離（ステージ３２間のピッチ）を示している。

第１の処理容器３１Ａ及び第２の処理容器３１Ｂは角型に形成されており、互いの側壁は共有されずに分離されている。そして、これら処理容器３１Ａ、３１Ｂは互いに同じ高さ位置に配置され、処理容器３１Ａの右側壁と処理容器３１Ｂの左側壁とが間隙３０を介して対向する。処理容器３１Ａ、３１Ｂの各前面はゲートバルブＧを介して、真空搬送モジュール１３あるいは１４に固定されている。間隙３０の寸法（横方向（Ｘ’方向）の幅）は、処理容器３１Ａ、３１Ｂが室温（２０℃～２５℃）であるときに、例えば２ｍｍ～６ｍｍ、さらに具体的には４ｍｍであり、図２～図４では、間隙３０を誇張して大きく描いている。

支持部５０は、基板処理システム１が設置される床に設けられ、処理容器３１Ａ、３１Ｂを当該床の上方に支持するものであり、フレーム５１を備えている。フレーム５１は、底部５２と、水平な上板５３と、底部５２と上板５３とを接続する垂直な４本の支柱部５４（５４１～５４４）と、を備えている。底部５２は床の直上に設けられ、上板５３は処理容器３１Ａ、３１Ｂの上方に設けられる。４本の支柱部５４のうちの２本の支柱部５４１、５４２は、処理容器３１Ａに対して左側に互いに前後に離れて設けられ、他の２本の支柱部５４３、５４４は、処理容器３１Ｂに対して右側に互いに前後に離れて設けられている。従って、処理容器３１Ａ、３１Ｂを一つの処理容器の組とすると、この組を囲むように支柱部５４（５４１～５４４）が設けられている。各支柱部５４は、処理容器３１Ａ、３１Ｂの各側壁から離間して配置されている。

支柱部５４１、５４２の間には、第１の処理容器３１Ａを支持する基部５５Ａが設けられると共に、支柱部５４３、５４４の間には、第２の処理容器３１Ｂを支持する基部５５Ｂが設けられている。これら基部５５Ａ、５５Ｂは、処理容器３１Ａ、３１Ｂの下方側にて前後方向（Ｙ’方向）に沿って伸びる棒状の水平部材により構成される。この例における基部５５Ａ、５５Ｂは、細長い板部材の短辺を略Ｌ字状に屈曲して形成され、水平部材と下方に伸びる垂直部材とを備えている。そして、例えば垂直部材の前端側と後端側とが、夫々支柱部５４（５４１、５４２）、（５４３、５４３）に取り付けられている。

これら基部５５Ａ、５５Ｂと処理容器３１Ａ、３１Ｂとの間には、夫々ボールキャスター７Ａ、７Ｂが介在している。ボールキャスター７Ａ、７Ｂは、図５にボールキャスター７Ａを例に示すように、ボール受け部が設けられた本体７１と、この本体７１から一部が上方に露出すると共に、本体７１により回転自在に保持されるボール部７２とを備えている。そして、本体７１がネジ７３とナット７４により基部５５Ａ、５５Ｂに取り付けられている。

ボールキャスター７Ａ、７Ｂは、夫々のボール部７２が処理容器３１Ａ、３１Ｂの底部に接触した状態で、これらの処理容器３１Ａ、３１Ｂを支持する。例えば処理容器３１Ａ、３１Ｂには、前方側及び後方側に夫々１つずつボールキャスター７Ａ、７Ｂが配置され、１つの処理容器３１Ａ（３１Ｂ）が２つのボールキャスター７Ａ（７Ｂ）により支えられる。こうして、処理容器３１Ａ、３１Ｂは、各々処理容器３１Ａ、３１Ｂから見て間隙３０とは反対側の横方向の端部位置にて、基部５５Ａ、５５Ｂ及びボールキャスター７Ａ、７Ｂを介してフレーム５１に支持される。

このように、第１の処理容器３１Ａについては左端部のみ、第２の処理容器３１Ｂについては右端部のみが支持されている。このため、ボールキャスター７Ａ、７Ｂに接する部分を除いて処理容器３１Ａ、３１Ｂの底部は宙に浮いており、処理容器３１Ａ、３１Ｂの底部とフレーム５１の底部５２との間には大きなスペースが形成されている。このスペースには、例えばガス供給源３９から供給される成膜ガスを処理容器３１Ａ、３１Ｂに分配する、ガス供給機器４２を含む設備（ガスボックス）や、各成膜モジュール３を稼働させるための電装品などが収納される。なお、これらのガスボックスや電装品に対しても荷重がかからないように、処理容器３１Ａ、３１Ｂの底部は浮いている。

続いて、間隙３０を介して第１の処理容器３１Ａ及び第２の処理容器３１Ｂを互いに接続する接続部６について、図６及び図７も参照して説明する。図６は、接続部６を示す側面図であり、図７は、図６におけるＡ―Ａ’位置にて矢視した縦断面図である。
接続部６は、第１の処理容器３１Ａに固定された第１のブロック部６Ａと、第２の処理容器３１Ｂに固定された第２のブロック部６Ｂと、第１のブロック部６Ａ及び第２のブロック部６Ｂが摺動可能に接続されたレール部６３とを備えている。

第１のブロック部６Ａは、第１の処理容器３１Ａの右側壁近傍の底部に設けられ、第２のブロック部６Ｂは、第２の処理容器３１Ｂの左側壁近傍の底部に設けられている。これら第１のブロック部６Ａと第２のブロック部６Ｂとは間隙３０を挟んで横方向（Ｘ’方向）に並んで配置されている。
図２、図４及び図６に示すように、レール部６３は、処理容器３１Ａと処理容器３１Ｂとに跨り、これら処理容器３１Ａ、３１Ｂの下方に横方向に伸びるように設けられる。これら第１のブロック部６Ａと第２のブロック部６Ｂとレール部６３のセットにより接続部６が構成され、図４に示すように、前記セットが、処理容器３１Ａ、３１Ｂの前方側と後方側の２箇所の位置に設けられている。

第１のブロック部６Ａ及び第２のブロック部６Ｂは、例えば上面が平面状に形成されると共に、図７に第１のブロック部６Ａを例にして示すように、その底部には縦断面が略矩形状の凹部６１が形成されている。一方、レール部６３は、前記凹部６１に対応した形状の凸部６３１を備えており、凹部６１に凸部６３１が嵌め込まれるように構成されている。
レール部６３の凸部６３１とブロック部６Ａ、６Ｂの凹部６１との接触部分には、例えばローラやボールよりなる転がり部材６２が設けられている。この例では、レール部６３の凸部６３１は縦断面が略矩形状に構成され、転がり部材６２は、レール部６３とブロック部６Ａ、６Ｂとが接する凸部６３１の４辺の角部に夫々設けられている。

この例の転がり部材６２は、例えば鉛直軸に対して傾斜する回転軸を備えた多数のローラを、ブロック部６Ａ、６Ｂの長さ方向（Ｘ’方向）に環状に配列し、ブロック部６Ａ、６Ｂがレール部６３に対して摺動するときには、ローラが回転するように構成されている。こうして、ブロック部６Ａ、６Ｂとレール部６３との間で転がり部材６２が回転することにより、ブロック部６Ａ、６Ｂとレール部６３の摩擦係数が低下して、摺動移動がスムーズに行われる。
このような第１のブロック部６Ａ、第２のブロック部６Ｂ及びレール部６３のセットである接続部６は、「リニアガイド」などの名称の部品として市販されている。

これら第１のブロック部６Ａ及び第２のブロック部６Ｂは、各々冷却部をなす冷却プレート８Ａ、８Ｂを介して第１の処理容器３１Ａ及び第２の処理容器３１Ｂに固定されている。図２、図４及び図６に示すように、冷却プレート８Ａ、８Ｂは、その内部に冷却媒体の流路８１Ａ、８１Ｂが形成された、例えばステンレス製の板状体よりなる。この例において冷却プレート８Ａ、８Ｂには、各処理容器３１Ａ、３１Ｂと、ブロック部６Ａ、６Ｂとの間に挟まれた領域８２Ａ、８２Ｂが形成されている。これらの領域８２Ａ、８２Ｂは、平面的に見てブロック部６Ａ、６Ｂの上面よりも大きく、当該上面を覆うことが可能な形状に構成されている。また、図４に示すように、冷却プレート８Ａ、８Ｂは、前後方向（Ｙ’方向）に沿って延在するように設けられた領域８３Ａ、８３Ｂを備えている。これらの領域８３Ａ、８３Ｂは、前方のブロック部６Ａ、６Ｂに対応する領域８２Ａ、８２Ｂと、後方のブロック部６Ａ、６Ｂに対応する領域８２Ａ、８２Ｂと、を接続する役割を果たしている。

図７に第１の処理容器３１Ａを例にして示すように、冷却プレート８Ａ、８Ｂは、ブロック部６Ａ、６Ｂと処理容器３１Ａ、３１Ｂの底部との間に挟み込まれるように設けられ、ネジ８４により固定されている。一方、レール部６３は処理容器３１Ａ、３１Ｂに対して固定されておらず、処理容器３１Ａ、３１Ｂ側から見るとブロック部６Ａ、６Ｂから吊り下げられた状態で支持されている。このため、ブロック部６Ａ、６Ｂの下端は内側へ伸び出して、レール部６３の凸部の下面側へ回り込み、レール部６３の落下を防止するように構成されている。

レール部６３における、第１のブロック部６Ａ及び第２のブロック部６Ｂが摺動する面とは反対側の面である下面には、当該下面に沿ってリブ６４が設けられている。このリブ６４は例えばステンレスにより構成されており、例えばレール部６３に対して不図示のネジにより固定されている。また図６に示すように、リブ６４は、その長さ方向（Ｘ’方向）の中央部側６４１の厚さが、両端部側６４２よりも厚く形成されている。中央部側６４１とは、間隙３０が形成されている領域と対向する部分を含む領域である。

さらに、接続部６は、レール部６３が第１のブロック部６Ａと第２のブロック部６Ｂから抜けることを避けるための止め部材６５を備えている。この例の止め部材６５は、例えばリブ６４の前面及び後面の中央部側６４１に取り付けられている。

さらにまた、第１の処理容器３１Ａ及び第２の処理容器３１Ｂは、基部５５Ａ、５５Ｂからの高さ位置を調節するための高さ調節部材７５Ａ、７５Ｂを備えている。図３及び図５に示すように、この高さ調節部材７５Ａ、７５Ｂは、例えば第１及び第２の処理容器３１Ａ、３１Ｂに対して各々２つ設けられている。例えば各高さ調節部材７５Ａ、７５Ｂは、各々２つずつ配置されたボールキャスター７Ａ、７ＢのＹ’方向の内側に夫々配置されている。なお、図５には、第１の処理容器３１Ａ側のボールキャスター７Ａ及び高さ調節部材７５Ａの配置関係を示してある。

高さ調節部材７５Ａ、７５Ｂは、上下方向に伸び、位置決め用のナットにより高さ位置を調節可能な送りネジが形成された棒状の部材である。その下方側（基部側）の端部は、基部５５Ａ、５５Ｂに設けられた貫通孔５６を貫通する一方、上方側の端部は処理容器３１Ａ、３１Ｂの底部に挿入されている。貫通孔５６は、高さ調節部材７５Ａ、７５Ｂの径よりも大きな開口径を有しており、上側から下側に向けて位置決め用のナット７６１、７６２、７６３が順に設けられている。

処理容器３１Ａ、３１Ｂの高さ位置の調節は、ナット７６１上に処理容器３１を支持した状態にて実施する。そして、処理容器３１Ａ、３１Ｂの下面の位置を高さ調節部材７５のナット７６２、７６３で調整することにより、処理容器３１Ａ、３１Ｂの高さ位置が調節される。
高さ位置の調節が終了した後は、ボールキャスター７Ａ、７Ｂの高さ位置を調節し、これらボールキャスター７Ａ、７Ｂによって処理容器３１Ａ、３１Ｂを支持してからナット７６２、７６３を緩める。高さ調節部材７５は、その上端部が処理容器３１Ａ、３１Ｂに挿入されたまま、ウエハＷの処理中、処理容器３１Ａ、３１Ｂの下面から吊り下げ支持された状態となっている。

以上に説明した連接処理容器５を備えた成膜モジュール３では、真空搬送モジュール１３、１４側の搬送機構２４により、第１の処理容器３１Ａ及び第２の処理容器３１Ｂに一括してウエハＷを搬送することができる。しかる後、これらの処理容器３１Ａ、３１Ｂに格納されたウエハＷに対して真空処理が実施される。成膜モジュール３では、基板処理システム１の稼働中、排気機構４０により処理容器３１Ａ、３１Ｂ内が予め設定された圧力の真空雰囲気に調整されると共に、載置されたウエハＷを任意の処理温度で処理するために、ステージヒーター３６によってステージ３２が当該処理温度になるように加熱される。

また、処理容器３１Ａ内に供給される成膜ガスの反応性が担保されるように、処理容器３１Ａの側壁が側壁ヒーター３３により、その処理温度に応じた温度に加熱される。例えばＴｉＮ膜の成膜における側壁の温度の一例を挙げると、１７０℃である。そのような真空雰囲気の形成と各ヒーターによる加熱が行われた状態で、ステージ３２に載置されたウエハＷに対してシャワーヘッド４１から成膜ガスが供給されて、真空処理であるＴｉＮ膜の成膜処理が実施される。
そして、後述するように、第１の処理容器３１Ａ及び第２の処理容器３１Ｂの各々の熱膨張および／または熱収縮が生じた際に、レール部６３に対し、第１のブロック部６Ａ及び第２のブロック部６Ｂの少なくとも一方を横方向に摺動させる。

続いて、連接処理容器５の作用について説明するが、先ず、処理容器３１Ａ、３１Ｂの側壁間に間隙３０を設ける理由について述べる。上記したようにウエハＷを処理する際に処理容器３１Ａ、３１Ｂは、ウエハＷの処理温度に応じた温度に側壁ヒーター３３により加熱される。例えば当該側壁の温度は、ウエハＷの処理温度に応じて５０℃～１７０℃の範囲内の温度に加熱される。そして当該側壁は、その温度に応じて熱膨張する。

仮に、処理容器３１Ａ、３１Ｂ間に間隙３０が設けられず、処理容器３１Ａ、３１Ｂの側壁同士が結合した構成、言い換えれば特許文献１に記載されるように処理容器間で側壁が共有された構成であるとする。このように、処理容器３１Ａ、３１Ｂの側壁が結合されているとすると、処理容器３１Ａ、３１Ｂの熱膨張量に応じてステージ３２の中心間の間隔であるピッチＰ１が変動してしまう。そして、処理容器３１Ａ、３１Ｂの壁部の温度が高くなるほど、ピッチＰ１が大きくなってしまう。つまり、処理容器３１Ａ、３１Ｂの側壁が互いに結合していることで熱膨張によってこれらの側壁が互いに押し合い、処理容器３１Ａの左右の中心が左側、処理容器３１Ｂの左右の中心が右側へと夫々ずれることになり、ピッチＰ１が大きくなる。

その一方で真空搬送モジュール１３、１４は室温に保たれ、搬送機構２４の２つの保持部２６間の距離は一定であり、搬送機構２４により２枚のウエハＷは、常に一定の間隔を空けて処理容器３１Ａ、３１Ｂに搬送される。このため、処理容器３１Ａ、３１Ｂの側壁の温度変更によって、２つのステージ３２の中心ＰのピッチＰ１が大きくなると、ウエハＷの中心がステージ３２の中心Ｐから外れた位置に搬送されることになってしまう。また、処理容器３１Ａ、３１Ｂの前方側は真空搬送モジュール１３に対してゲートバルブＧを介して固定されている。このため、互いの側壁が結合している場合には、熱膨張量が大きいと、当該処理容器３１Ａ、３１Ｂに大きなストレスが加わる。その結果として、処理容器３１Ａ、３１Ｂに歪みが生じてしまうおそれが有る。なお、既述した特許文献１については、処理容器の熱膨張についての問題についての記載は無く、当該問題を解決できるものでは無い。

そこで、連接処理容器５においては、既述したように処理容器３１Ａ、３１Ｂの互いの側壁を分離し、間隙３０を設けた構成としている。それにより、処理容器３１Ａ、３１Ｂの熱膨張量が変動しても処理容器３１Ａ、３１Ｂの互いに対向する各側壁について、その左右の位置を変移させることができる。つまり処理容器３１Ａ、３１Ｂの熱膨張量が大きくても、各側壁は間隙３０側において、その位置が変移するために側壁同士が干渉しない。従って、熱膨張によるピッチＰ１の変動が抑制される。
そして、間隙３０を介して処理容器３１Ａ、３１Ｂを接続する接続部６を設け、処理容器３１Ａ、３１Ｂの熱膨張および／または熱収縮に伴う伸縮を吸収しつつ、後述するように、処理容器３１Ａ、３１Ｂの間隙３０部分における傾きの発生を抑制している。

続いて、図８の縦断側面図、図９の平面図を用いて、側壁ヒーター３３の出力が変更されて、処理容器３１Ａ、３１Ｂの熱膨張量が変化するときの様子と共に、接続部６の作用について具体的に説明する。
図８、図９は、（ａ）が処理容器３１Ａ、３１Ｂの温度が低い状態、（ｂ）が処理容器３１Ａ、３１Ｂの温度が高い状態を夫々示している。また説明の便宜上、図８、図９では、第１の処理容器３１Ａはボールキャスター７Ａにて支持している位置、第２の処理容器３１Ｂは高さ調節部材７５Ｂが設けられた位置を夫々示している。以下では、処理容器３１Ａ、３１Ｂの温度が上昇して各々の熱膨張量が大きくなる、つまり各図の（ａ）に示す状態から（ｂ）に示す状態に変化する様子を説明する。

処理容器３１Ａ、３１Ｂは、上述したように、その前方側がゲートバルブＧを介して真空搬送モジュール１３、１４に固定されているため、処理容器３１Ａ、３１ＢはゲートバルブＧに接続される前方側を基点にして熱膨張する。即ち、処理容器３１Ａ、３１Ｂは、ゲートバルブＧに接続される前端の位置は変わらず、横方向及び後方に熱膨張し、処理容器３１Ａ、３１Ｂの側壁の左端及び右端の位置、後端の位置が夫々外方に変化する。

第１の処理容器３１Ａと第２の処理容器３１Ｂは、第１のブロック部６Ａ、第２のブロック部６Ｂ及びレール部６３を備えた接続部６により接続されている。従って、熱膨張に伴い、第１の処理容器３１Ａの間隙３０側の側壁（右側壁）では、第１のブロック部６Ａがレール部６３を横方向（右方向）に摺動することにより、第２の処理容器３１Ｂ側に移動する。一方、第２の処理容器３１Ｂの間隙３０側の側壁（左側壁）では、第２のブロック部６Ｂがレール部６３を横方向（左方向）に摺動することにより、第１の処理容器３１Ａ側に移動する。

図８（ｂ）、図９（ｂ）では、図８（ａ）、図９（ａ）に比べて、処理容器３１Ａの右側壁と第２の処理容器３１Ｂの左側壁とが接近して、間隙３０の寸法が小さくなった状態を示している。これに伴い第１のブロック部６Ａが右側に、第２のブロック部６Ｂが左側に夫々移動している。
この際、第１及び第２のブロック部６Ａ、６Ｂは、レール部６３によりガイドされるように移動する。また、上述したように、ブロック部６Ａ、６Ｂは転がり部材６２によりレール部６３に対する摩擦係数が軽減した状態で摺動する。このため、熱膨張に応じて処理容器３１Ａ、３１Ｂの側壁の位置の移動がスムーズに行われる。この結果、処理容器３１Ａ、３１Ｂの熱膨張は、間隙３０における側壁位置の移動によって吸収され、２つのステージ３２の中心ＰのピッチＰ１の変動がより確実に抑制される。

一方、第１の処理容器３１Ａ及び第２の処理容器３１Ｂの間隙３０とは反対側の底部、つまり第１の処理容器３１Ａの左端部及び第２の処理容器３１Ｂの右端部はボールキャスター７Ａ、７Ｂにより夫々支持されている。従って、処理容器３１Ａ、３１Ｂの熱膨張に伴い側壁が移動しても、処理容器３１Ａ、３１Ｂの底部にてボール部７２が回転し、側壁の移動を規制しない。つまり、図８（ａ）、（ｂ）の左手側に示すように、ボールキャスター７Ａ（７Ｂ）により支持されている処理容器３１Ａ（３１Ｂ）の下面の位置が移動する。

こうして、図９（ａ）、（ｂ）にも示すように、処理容器３１Ａの左端部は左側に移動し、処理容器３１Ｂの右端部は右側に移動する。従って、熱膨張によって、処理容器３１Ａ、３１Ｂの支柱部５４側の端部の位置も変化するが、これに対応してボールキャスター７Ａ、７Ｂによる処理容器３１Ａ、３１Ｂの支持位置が速やかに変化することにより吸収されるので、この点からもピッチＰ１の変動が抑制される。

また、高さ調節機構７５Ａ、７５Ｂにおいては、基部５５Ａ、５５Ｂに形成された貫通孔５６が、高さ調節部材７５Ａ、７５Ｂの径よりも大きな開口径を有している。従って、図８（ａ）、（ｂ）の右手側に示すように、処理容器３１Ａ、３１Ｂの熱膨張に伴い、高さ調節部材７５Ｂは貫通孔５６内を右側へ移動する。また図示していない高さ調節部材７５Ａは、貫通孔５６内を左側へ移動する。
以上に説明したように、第１のブロック部６Ａ、第２のブロック部６Ｂがレール部６３に対して摺動し、ボールキャスター７Ａ、７Ｂ、高さ調節部材７５Ａ、７５Ｂの各部が移動する。これらの作用により、熱膨張に伴う処理容器３１Ａ、３１Ｂの側壁の位置の変移を吸収し、ステージ３２のピッチＰ１の変動が抑制される。

仮に処理容器３１Ａの左端部、処理容器３１Ｂの右端部がフレーム５１に固定されているとすると、処理容器３１Ａは左端部を基点にして右側に膨張し、処理容器３１Ｂは右端部を基点にして左側へと膨張してしまう。そうなるとピッチＰ１が小さくなってしまうが、本構成では上記のように処理容器３１Ａの左端部、処理容器３１Ｂの右端部の左右の位置がフレーム５１に固定されていないため、そのようなピッチＰ１の縮小化が防止される。

また、処理容器３１Ａ、３１Ｂの熱膨張に伴ってステージ３２の中心Ｐの前後移動は発生するが、搬送機構２４の搬送先の位置は前後に調整可能である。従って、当該搬送先の位置を適正に設定することで、ステージ３２に搬送されるウエハＷの中心と当該ステージ３２の中心Ｐとについて、前後の位置を揃えることができる。こうして、搬送機構２４については未加熱の場合と比較してゲートバルブＧからの各処理容器３１Ａ、３１Ｂへの進入量が大きくなるように設定した上で、基板処理システム１におけるウエハＷの搬送を行う。

この際、例えば搬送機構２４の前後の位置を揃えるために、所望の処理レシピでウエハＷに処理を行う前に搬送機構２４のティーチングを行い、当該処理レシピで処理を行う際の搬送位置を決定しておくようにしてもよい。また、制御部１００を構成するメモリに搬送機構２４による搬送位置と側壁ヒーター３３の出力との対応関係のデータを記憶させておき、処理レシピが変更されて側壁ヒーター３３の出力についても変更されるたび、そのデータに基づいて搬送位置が決定されるようにしてもよい。

ここで、処理容器３１Ａ、３１Ｂの熱膨張量が小さくなる（処理容器３１Ａ、３１Ｂが熱収縮する）場合についても簡単に述べておく。熱収縮時には、第１のブロック部６Ａ、第２のブロック部６Ｂ、ボールキャスター７Ａ、７Ｂや高さ調節部材７５Ａ、７５Ｂ等の各部は熱膨張量が大きくなる場合と逆方向に移動するので、この場合にもステージ３２のピッチＰ１は変化しない。一方、各ステージ３２の中心Ｐは、熱膨張量の変化前に比べて前方寄りに移動する。このため、搬送機構２４についてはゲートバルブＧからの各処理容器３１Ａ、３１Ｂへの進入量が小さくなるよう搬送先の位置を設定した上で、基板処理システム１におけるウエハＷの搬送を行う。

このように、間隙３０と接続部６とを設けることにより、熱膨張や熱収縮によるピッチＰ１の変動を抑制できる。さらに、接続部６を用いて処理容器３１Ａ、３１Ｂを支えることにより、間隙３０部分が撓んで下がるように傾くことが抑制される。

処理容器３１Ａは左端部のみ、処理容器３１Ｂは右端部のみが各々支持部５０に片持ち支持されている。このため、接続部６を設けない構成では、間隙３０によって、処理容器３１Ａの右側、処理容器３１Ｂの左側が夫々下がるように処理容器３１Ａ、３１Ｂが傾いてしまうおそれがある。処理容器３１Ａ、３１Ｂが傾くと、搬送機構２４とステージ３２との間でウエハＷの搬送位置がずれる懸念があり、処理容器３１Ａ、３１Ｂの傾きを抑制することもウエハＷの搬送位置のずれの抑制に繋がる。

この場合に、本開示の構成では、片持ち支持された処理容器３１Ａ、処理容器３１Ｂの他端側の下面を第１、第２のブロック部６Ａ、６Ｂを介して、レール部６３により支持した構成となっている。これにより、処理容器３１Ａ、３１Ｂの間隙３０部分の傾きが抑えられ、処理容器３１Ａ、３１Ｂが安定して支持される。

さらにこの例では、レール部６３の下面に沿ってリブ６４を設けている。このため、レール部６３の剛性が向上し、処理容器３１Ａ、３１Ｂの傾きをより一層抑制することができる。さらに、リブ６４におけるレール部６３の中央部側６４１は、両端部側６４２よりも厚く形成されているので、リブ６４の軽量化を図りつつ、中央部側６４１の剛性を両端部側６４２よりも大きくすることができる。従って、大きな応力がかかるレール部６３の中央部側の剛性がより高められ、処理容器３１Ａ、３１Ｂの間隙部３０における傾きを抑制して、これら処理容器３１Ａ、３１Ｂをより一層安定して支持することができる。

さらにまた、この例では、第１のブロック部６Ａ及び第２のブロック部６Ｂは冷却プレート８Ａ、８Ｂを介して処理容器３１Ａ、３１Ｂに夫々接続されている。このため、処理容器３１Ａ、３１Ｂが側壁ヒーター３３により加熱される場合においても、これらブロック部６Ａ、６Ｂの温度をその耐熱温度（例えば８０℃）以下の温度に維持することができる。さらに、冷却プレート８Ａ、８Ｂは、処理容器３１Ａ、３１Ｂにおけるブロック部６Ａ、６Ｂの設置面の強度の向上を図る役割も果たしている。

以上に述べたように連接処理容器５によれば、ステージ３２のピッチＰ１の変化を抑制し、このピッチＰ１と搬送機構２４の２つの保持部２６に保持されるウエハＷの中心間の距離とが揃った状態に維持することができる。従って、搬送機構２４を用いて搬送された各ウエハＷの中心と、ステージ３２の中心の位置とを揃った状態で成膜処理を行うことができる。この結果、ウエハＷとステージ３２との位置ずれに起因するＴｉＮ膜の膜質や膜厚に関する不具合の発生が防止される。

また、連接処理容器５の２つの処理容器３１Ａ、３１Ｂは、構成が簡素であり、比較的入手が容易なリニアガイド（第１のブロック部６Ａと第２のブロック部６Ｂとレール部６３）により接続されている。これらは第１及び第２の処理容器３１Ａ、３１Ｂの下面側に、第１及び第２のブロック部６Ａ、６Ｂを固定した後、レール部６３を取り付ければよいので、特別な構成の処理容器３１Ａ、３１Ｂを必要とせずに、接続部６を取り付けられる。このため、接続部６を備えた処理容器３１Ａ、３１Ｂの製造が容易となる。

また、連接処理容器５においては、処理容器３１Ａの右側及び処理容器３１Ｂの左側が支持されず、処理容器３１Ａの左側及び処理容器３１Ｂの右側のみが、下方から支持部本体５５によって支持されている。従って上記したように、処理容器３１Ａ、処理容器３１Ｂの下方に大きなスペースを形成して、成膜モジュール３を構成する各設備を当該スペースに設置することができる。そのため、成膜モジュール３ひいては基板処理システム１が大型化することを防止することができる。

そして、基板処理システム１においては２枚一括でウエハＷを処理するが、各ステージ３２の中心ＰにウエハＷの中心が揃うように当該ウエハＷが載置されると共に、互いに分離した処理容器３１Ａ、３１Ｂで処理が行われる。従って、１枚ずつウエハＷに成膜処理を行う枚葉型の成膜装置で用いる処理レシピ（処理容器３１内の圧力、ガス流量、各ヒーターの温度などの処理条件）を適用して処理を行うことができる。そのため、基板処理システム１用の処理レシピを新たに作成したり変更したりする手間について、削減ないしは低減することができるため、有利である。

以上において、本開示は、第１のブロック部及び第２のブロック部を第１及び第２の処理容器の各々上面側に設け、第１及び第２のブロック部の上側に設けられたレール部に対して、第１及び第２のブロック部を摺動可能に接続する構成としてもよい。
また、第１及び第２の処理容器における間隙側の側壁に夫々凹部を形成し、この凹部に第１及び第２のブロック部を夫々の処理容器に固定して設けてもよい。この場合には、２つの凹部内に跨るようにレール部を設け、レール部に対して第１及び第２のブロック部が摺動可能に接続されることになる。

また、上述の例では、第１の処理容器及び第２の処理容器が共に熱膨張又は熱収縮する場合について説明した。何らかの原因により一方の処理容器のみが熱膨張又は熱収縮する場合においては、当該一方の処理容器に設けられたブロック部がレール部に対して横方向に摺動する。この場合においても、２つの処理容器のステージの中心Ｐは移動しないので、ピッチＰ１の変動を抑制できる。

さらに、第１の処理容器及び第２の処理容器にて実施される真空処理の温度が第１及び第２のブロック部やレール部の耐熱温度以下の温度である場合には、必ずしも冷却部は設ける必要はない。また、レール部の剛性が確保されている場合には、必ずしもリブを設ける必要はない。
さらにまた、ボールキャスターは、基部側に移動スペースが確保されている場合には、当該基部側にボールが接触するように設けるようにしてもよい。また、ボールキャスターを備えず、基部に設けられた高さ調節部材にて、夫々第１及び第２の処理容器を支持する構成としてもよい。

さらにまた、既述の各例ではボールキャスター７Ａ、７Ｂにより、処理容器３１Ａの左端部、処理容器３１Ｂの右端部を夫々支持しているが、これらの端部よりも処理容器３１Ａ、３１Ｂの内側寄りの位置にて支持されるようにしてもよい。ただし、各処理容器３１Ａ、３１Ｂの下方に十分な大きさのスペースを確保するために、間隙３０が設けられる側とは反対側が支持されるようにすることが好ましい。間隙３０が設けられる側とは、例えば横方向においてステージ３２の中心Ｐの位置よりも内側の位置（連接処理容器５の中心寄りの位置）であり、間隙３０が設けられる側の反対側とは、例えば横方向においてステージ３２の中心Ｐの位置よりも外側である。つまり処理容器３１Ａについては当該中心Ｐの位置よりも左側をボールキャスター７Ａによって支持し、処理容器３１Ｂについては当該中心Ｐの位置よりも右側をボールキャスター７Ｂによって支持することが好ましい。

ところで、連接処理容器５は、成膜モジュールに適用されることに限られない。例えばエッチングガスを供給してウエハＷにエッチングを行うエッチングモジュールや、窒素ガスなどの不活性ガスを供給しつつウエハＷを加熱するアニールモジュールなどのウエハＷに対して真空処理を行うモジュールに適用することができる。また、例示した成膜モジュール３はプラズマ処理を行わないモジュールであるが、プラズマ処理を行う処理モジュールに連接処理容器５が適用されてもよい。なお、プラズマを形成して処理を行う場合には、例えばそのプラズマについて、ウエハＷの面内における分布を調整するなどして、ステージ３２とウエハＷとの位置ずれが補償されるように処理を行うことが考えられる。しかしプラズマを形成しない場合は、そのようなプラズマによる調整を行うことができないので、成膜モジュール３のようにプラズマ処理が行われないモジュールにおいては、連接処理容器５が有するウエハＷの位置ずれを抑えるという効果が特に有効である。

また、基板処理システム１の外部に他の基板処理装置が設けられ、当該基板処理装置を熱源として、処理容器３１Ａ、３１Ｂが加熱され、熱膨張することが考えられる。その場合にも、連接処理容器５によればステージ３２におけるウエハＷの搬送位置のずれを防ぐことができる。つまり、仮に処理容器３１Ａ、３１Ｂに加熱部が設けられない構成であっても既述した効果を得ることができるため、処理容器３１Ａ、３１Ｂは加熱部が設けられず、常温にてウエハＷを真空処理するものであってもよい。さらに、連接処理容器を構成する処理容器の数としては２つに限られず、３つ以上の処理容器が互いに接続されていてもよい。

今回開示された実施形態については、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更または組み合わせが行われてもよい。

３０ 間隙
３１Ａ 第１の処理容器
３１Ｂ 第２の処理容器
５ 連接処理容器
６Ａ 第１のブロック部
６Ｂ 第２のブロック部
６３ レール部

Claims (11)

1. 間隙が形成されるように横方向に並んで設けられ、真空処理を行うために基板を各々格納する第１の処理容器及び第２の処理容器と、
   前記第１の処理容器に固定された第１のブロック部と、
   前記第２の処理容器に固定されると共に、前記第１のブロック部に対して前記横方向に並んで配置された第２のブロック部と、
   前記第１のブロック部と前記第２のブロック部とが摺動可能に接続され、前記第１の処理容器と前記第２の処理容器とに跨るように設けられたレール部と、を備える連接処理容器。
2. 前記第１のブロック部及び前記第２のブロック部は、前記第１の処理容器または前記第２の処理容器の各々下面側、又は各々上面側に設けられている、請求項１に記載の連設処理容器。
3. 前記レール部には、前記第１のブロック部及び前記第２のブロック部が摺動する面とは反対側の面に沿って、リブが設けられている、請求項１または２に記載の連設処理容器。
4. 前記リブは、前記間隙が形成されている領域に対応する前記レール部の中央部側の方が、前記レール部の両端部側よりも厚く形成されている、請求項３に記載の連設処理容器。
5. 前記第１の処理容器および前記第２の処理容器は、各々、加熱部により加熱され、前記第１のブロック部及び前記第２のブロック部は、各々、冷却部を介して前記第１の処理容器または前記第２の処理容器に固定されている、請求項１ないし４のいずれか一つに記載の連設処理容器。
6. 前記第１のブロック部と前記第２のブロック部と前記レール部とのセットを、複数セット備えた、請求項１ないし５のいずれか一つに記載の連設処理容器。
7. 前記第１の処理容器及び前記２の処理容器を各々支持する基部を備え、前記基部と前記第１の処理容器との間、および、前記基部と前記第２の処理容器との間には、各々、ボールキャスターが介在する、請求項１ないし６のいずれか一つに記載の連設処理容器。
8. 前記基部が前記ボールキャスターを介して前記第１の処理容器を支持する位置、及び前記基部が前記ボールキャスターを介して前記第２の処理容器を支持する位置は、前記第１の処理容器または前記第２の処理容器から見て、各々、前記間隙とは反対側の端部位置である、請求項７に記載の連設処理容器。
9. 前記第１の処理容器及び前記２の処理容器には、前記基部からの高さ位置を調節するための棒状の高さ調節部材が設けられ、
   前記高さ調節部材の前記基部側の端部は、前記基部に設けられた前記高さ調節部材の径よりも大きな開口径を有する貫通孔を貫通すると共に、位置決め用のナットにより高さ位置を調節可能な送りネジが形成されている、請求項７または８に記載の連接処理容器。
10. 前記連設処理容器を囲んで配置されると共に、前記第１の処理容器を支持する前記基部、または前記第２の処理容器を支持する前記基部に接続された複数の支柱部を備える、請求項７ないし９のいずれか一つに記載の連接処理容器。
11. 間隙が形成されるように横方向に並んで設けられる第１の処理容器及び第２の処理容器に一括して基板を搬送して格納し、当該各基板を真空処理する基板処理方法であって、
    前記第１の処理容器に固定された第１のブロック部と、前記第２の処理容器に固定されると共に、前記第１のブロック部に対して前記横方向に並んで配置された第２のブロック部と、前記第１のブロック部と前記第２のブロック部とが摺動可能に接続され、前記第１の処理容器と前記第２の処理容器とに跨るように設けられたレール部とを用い、前記第１の処理容器及び前記第２の処理容器の各々の熱膨張が生じた際に、前記レール部に対し、前記第１のブロック部及び前記第２のブロック部の少なくとも一方を前記横方向に摺動させる、基板処理方法。

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