JP2022104056A - 搬送装置 - Google Patents

搬送装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2022104056A
JP2022104056A JP2020219040A JP2020219040A JP2022104056A JP 2022104056 A JP2022104056 A JP 2022104056A JP 2020219040 A JP2020219040 A JP 2020219040A JP 2020219040 A JP2020219040 A JP 2020219040A JP 2022104056 A JP2022104056 A JP 2022104056A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
module
transfer
ring
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020219040A
Other languages
English (en)
Inventor
公宏 堂込
Masahiro Dogome
正知 北
Masatomo Kita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020219040A priority Critical patent/JP2022104056A/ja
Priority to TW110146675A priority patent/TW202234470A/zh
Priority to CN202111544923.XA priority patent/CN114695218A/zh
Priority to KR1020210184886A priority patent/KR20220094158A/ko
Priority to US17/563,850 priority patent/US11948816B2/en
Publication of JP2022104056A publication Critical patent/JP2022104056A/ja
Priority to US18/600,829 priority patent/US20240213057A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting substrates others than wafers, e.g. chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Figure 2022104056000001
【課題】真空搬送モジュールを連結することで真空搬送系において処理モジュールの最大搭載数を増やす場合に、真空搬送モジュールの連結に伴うフットプリントの増大化を抑え、且つ、搬送時に基板のノッチ方向を合わせる。
【解決手段】第１の真空搬送モジュールと、第１の搬送ロボットと、第２の真空搬送モジュールと、第２の搬送ロボットと、筒状連結モジュールと、前記筒状連結モジュールに回転可能に取り付けられ、前記ウェハを支持するように構成されるウェハ支持部と、前記ウェハ支持部から外方に向かって延在し、前記少なくとも１つのリングを支持するように構成される少なくとも３つのリング支持部材と、を備える。
【選択図】図１

Description

本開示は、搬送装置に関する。
特許文献１には、基板を処理する基板処理装置や処理方法が開示されている。装置構成の一例として、プロセスモジュールが搭載された２つのトランスファモジュールを連結させて基板処理を行う構成が開示されている。また、特許文献１では、ローテーションモジュール（回転機構）を設け、必要に応じて基板を回転させる技術が開示されている。
米国特許第１０４３１４８０号明細書
本開示にかかる技術は、真空搬送モジュールを連結することで真空搬送系において処理モジュールの最大搭載数を増やす場合に、真空搬送モジュールの連結に伴うフットプリントの増大化を抑え、且つ、搬送時に基板のノッチ方向を合わせることが可能な搬送装置を提供する。
本開示の一態様は、第１の真空搬送モジュールと、前記第１の真空搬送モジュール内に配置され、ウェハ及び少なくとも１つのリングを同時に又は別々に搬送するように構成された第１の搬送ロボットであり、前記少なくとも１つのリングは、前記ウェハの直径よりも大きい内径を有する、第１の搬送ロボットと、第２の真空搬送モジュールと、前記第２の真空搬送モジュール内に配置され、前記ウェハ及び前記少なくとも１つのリングを同時に又は別々に搬送するように構成された第２の搬送ロボットと、前記第１の真空搬送モジュールと前記第２の真空搬送モジュールとの間に配置される筒状連結モジュールであり、前記第１の真空搬送モジュール、前記第２の真空搬送モジュール及び前記筒状連結モジュールは、第１の方向に沿って配列され、前記筒状連結モジュールは、前記第１の方向において第１の長さを有し、前記第１の長さは、前記ウェハの直径よりも小さい、筒状連結モジュールと、前記筒状連結モジュールに回転可能に取り付けられ、前記ウェハを支持するように構成されるウェハ支持部と、前記ウェハ支持部から外方に向かって延在し、前記少なくとも１つのリングを支持するように構成される少なくとも３つのリング支持部材と、を備える。
本開示によれば、真空搬送モジュールを連結することで真空搬送系において処理モジュールの最大搭載数を増やす場合に、真空搬送モジュールの連結に伴うフットプリントの増大化を抑え、且つ、搬送時に基板のノッチ方向を合わせることができる。
本実施形態に係るウェハ処理装置の構成の概略を示す平面図である。 本実施形態に係るモジュールの構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 本実施形態に係るパスモジュールの構成の概略を模式的に示す斜視図である。 回転機構の構成の一例を示す概略説明図である。 回転機構において、エッジリング支持面に径の異なる２種類のエッジリングを載せた状態を示す概略説明図である。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）を収容した処理モジュールの内部を減圧（真空）状態にし、当該ウェハに対して様々な処理工程が行われている。これら処理工程は、複数の処理モジュールを備えた基板処理装置（以下、ウェハ処理装置とも記載）において行われる。
このウェハ処理装置は、例えば、大気雰囲気下でウェハに所望の処理を施す大気モジュールを備えた大気部と、減圧（真空）雰囲気下でウェハを処理する減圧（真空）モジュールを備えた減圧部（真空部）と、を有している。大気部と減圧部（真空部）は、内部を大気雰囲気と減圧（真空）雰囲気とに切り替え可能に構成されたロードロックモジュールを介して一体に接続される。
ところで、ウェハ処理装置の設計に際しては、特許文献１に開示されているように、使用者のニーズやウェハ処理の効率化といった観点から、より多くの処理モジュールを搭載することが求められる場合がある。
しかしながら、ウェハ処理装置のフットプリント削減や、搬送アーム長さの制限、ウェハ処理装置におけるスループット向上等の各種課題に鑑み、処理モジュールを増やした場合の好適な装置設計については更なる検討の余地がある。例えば、真空搬送系に対しより多くの処理モジュールを搭載する場合に、既存の真空搬送モジュールを連結させるためのパスモジュールを設けることが一案であるが、その際のパスモジュール搭載に伴うフットプリントの増加や、パスモジュールでのウェハの受け渡しに伴うノッチ方向のずれ等が課題となる。
本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、フットプリントの増大化を抑え、且つ、搬送時にウェハのノッチ方向を合わせることが可能なパスモジュールを備えた構成の搬送装置を提供する。以下、本実施形態にかかる搬送装置としてのウェハ処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
＜ウェハ処理装置の構成＞
先ず、本実施形態にかかるウェハ処理装置について説明する。図１は、本実施形態にかかるウェハ処理装置１の構成の概略を示す平面図である。本実施形態においては、ウェハ処理装置１が、基板としてのウェハＷにエッチング処理、成膜処理又は拡散処理等のプラズマ処理を行うための処理モジュールを備える場合について説明する。なお、本開示のウェハ処理装置１のモジュール構成はこれに限られず、ウェハ処理の目的に応じて任意に選択され得る。
図１に示すようにウェハ処理装置１は、大気部１０と減圧部（真空部）１１がロードロックモジュール２０を介して一体に接続された構成を有している。大気部１０は、大気雰囲気下においてウェハＷを処理及び搬送する大気モジュールを備える。減圧部（真空部）１１は、減圧（真空）雰囲気下においてウェハＷを処理及び搬送する減圧モジュール（真空モジュール）を備える。
ロードロックモジュール２０は、後述のローダモジュール３０及び後述のフィッティングモジュール６０の幅方向（Ｘ軸方向）に沿って複数、本実施形態においては例えば３つのウェハ搬送室２１ａ、２１ｂ、２１ｃを有している。
基板搬送室としてのウェハ搬送室２１ａ、２１ｂ、２１ｃ（以下、これらを併せて単に「ウェハ搬送室２１」という場合がある。）は、ウェハ搬送口２２、２３を介して、大気部１０の後述するローダモジュール３０の内部空間と、減圧部１１の後述する第１のトランスファモジュール５０ａの内部空間を連通するように設けられている。なお、ウェハ搬送口２２、２３は、それぞれゲートバルブ２４、２５により開閉自在に構成されている。
ウェハ搬送室２１は、ウェハＷを一時的に保持するように構成されている。また、ウェハ搬送室２１は、内部を大気雰囲気と減圧雰囲気（真空状態）とに切り替えられるように構成されている。すなわちロードロックモジュール２０は、大気雰囲気の大気部１０と、減圧雰囲気の減圧部１１との間で、適切にウェハＷの受け渡しができるように構成されている。
大気部１０は、後述するウェハ搬送機構４０を備えたローダモジュール３０と、複数のウェハＷを保管可能なフープ３１を載置するロードポート３２とを有している。なお、ローダモジュール３０には、ウェハＷの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール（図示せず）や複数のウェハＷを格納する格納モジュール（図示せず）などが隣接して設けられていてもよい。
ローダモジュール３０は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気雰囲気に維持されている。ローダモジュール３０のＹ軸負方向側の長辺を構成する一側面には、複数、例えば５つのロードポート３２が並べて配置されている。ローダモジュール３０のＹ軸正方向側の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール２０のウェハ搬送室２１ａ、２１ｂ、２１ｃが並べて配置されている。
ローダモジュール３０の内部には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構４０が設けられている。ウェハ搬送機構４０は、ウェハＷを保持して移動する搬送アーム４１と、搬送アーム４１を回転可能に支持する回転台４２と、回転台４２を搭載した回転載置台４３とを有している。また、ローダモジュール３０の内部には、ローダモジュール３０の長手方向（Ｘ軸方向）に延伸するガイドレール４４が設けられている。回転載置台４３はガイドレール４４上に設けられ、ウェハ搬送機構４０はガイドレール４４に沿って移動可能に構成されている。
減圧部１１は、ウェハＷを内部で搬送する２つのトランスファモジュール（真空搬送モジュール）５０ａ、５０ｂ（以下、第１のトランスファモジュール（第１の真空搬送モジュール）５０ａ及び第２のトランスファモジュール（第２の真空搬送モジュール）５０ｂとも記載する）と、２つのトランスファモジュール５０ａ、５０ｂ同士を相互に接続するパスモジュール（筒状連結モジュール）５５と、ロードロックモジュール２０と第１のトランスファモジュール５０ａとを相互に接続するフィッティングモジュール６０と、トランスファモジュール５０ａ、５０ｂから搬送されたウェハＷを処理する処理モジュール７０を有している。トランスファモジュール５０ａ、５０ｂ、フィッティングモジュール６０及び処理モジュール７０の内部は、それぞれ減圧（真空）雰囲気に維持可能に構成される。なお本実施形態においては、１つのトランスファモジュール５０ａ（あるいは５０ｂ）に対して、複数、例えば６つの処理モジュール７０が接続されている。なお、処理モジュール７０の数や配置は本実施形態に限定されず、任意に設定することができる。
真空搬送モジュールとしての第１のトランスファモジュール５０ａは、上述したようにフィッティングモジュール６０を介してロードロックモジュール２０に接続されている。第１のトランスファモジュール５０ａ及び第２のトランスファモジュール５０ｂは、例えばロードロックモジュール２０のウェハ搬送室２１ａに搬入されたウェハＷを１又は複数の処理モジュール７０に搬送して処理した後、ロードロックモジュール２０のウェハ搬送室２１ｃを介して大気部１０に搬送する。
第１のトランスファモジュール５０ａの内部には、ウェハＷを搬送する第１の搬送機構としての第１のウェハ搬送機構（第１の搬送ロボット）８０ａが設けられている。第１のウェハ搬送機構８０ａは、ウェハＷを保持して移動する搬送アーム８１ａと、搬送アーム８１ａを回転可能に支持する回転台８２ａと、回転台８２ａを搭載した回転載置台８３ａとを有している。回転載置台８３ａは第１のトランスファモジュール５０ａの中央部分に固定されている。一実施形態において、第１の搬送ロボット８０ａは、第１の真空搬送モジュール５０ａ内に配置され、ウェハＷ及び少なくとも１つのリングＥＲ１を同時に又は別々に搬送するように構成される。リングＥＲ１は、ウェハＷの直径よりも大きい内径を有する。一実施形態において、少なくとも１つのリングは、複数のリングＥＲ１，ＥＲ２を有してもよい。各リングＥＲ１，ＥＲ２は、ウェハＷの直径よりも大きい内径を有する。この場合、第１の搬送ロボット８０ａは、複数のリングＥＲ１，ＥＲ２を同時に搬送してもよく、別々に搬送してもよい。一実施形態において、複数のリングＥＲ１，ＥＲ２は、プラズマ処理モジュール７０内で一緒に使用されるエッジリングである。複数のエッジリングＥＲ１，ＥＲ２は、プラズマ処理モジュール７０内でウェハＷを囲むように配置される。一実施形態において、複数のエッジリングＥＲ１，ＥＲ２は、第１エッジリングＥＲ１及び第２エッジリングＥＲ２を有し、第２エッジリングＥＲ２の外径は、第１エッジリングＥＲ１の外径よりも大きい。一実施形態において、第１エッジリングＥＲ１は、Ｓｉ材料又はＳｉＣ材料で作製され、第２エッジリングＥＲ２は、石英で作製される。なお、第１エッジリングＥＲ１及び第２エッジリングＥＲ２が、同一の材料で作製されてもよい。例えば、第１エッジリングＥＲ１及び第２エッジリングＥＲ２が石英で作製されてもよい。
第２のトランスファモジュール５０ｂの内部にはウェハＷを搬送する第２の搬送機構としての第２のウェハ搬送機構（第２の搬送ロボット）８０ｂが設けられている。第２のウェハ搬送機構８０ｂは上記第１のウェハ搬送機構８０ａと同様の機能構成を有しており、搬送アーム８１ｂ、回転台８２ｂ、回転載置台８３ｂといった機構が設けられている。一実施形態において、第２の搬送ロボット８０ｂは、第２の真空搬送モジュール５０ｂ内に配置され、ウェハＷ及び少なくとも１つのリングＥＲ１を同時に又は別々に搬送するように構成される。少なくとも１つのリングが複数のリングＥＲ１，ＥＲ２を有する場合、第２の搬送ロボット８０ｂは、複数のリングＥＲ１，ＥＲ２を同時に搬送してもよく、別々に搬送してもよい。
処理モジュール７０は、ウェハＷに対して、例えばエッチング処理、成膜処理又は拡散処理等のプラズマ処理を行う。処理モジュール７０には、ウェハ処理の目的に応じた処理を行うモジュールを任意に選択することができる。また処理モジュール７０は、各トランスファモジュール５０ａ、５０ｂの側壁面に形成されたウェハ搬送口５１を介して各トランスファモジュール５０ａ、５０ｂと連通しており、ウェハ搬送口５１はゲートバルブ７１を用いて開閉自在に構成されている。
以上のウェハ処理装置１には、図１に示すように制御部９０が設けられている。制御部９０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置１におけるウェハＷの搬送や処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部９０にインストールされたものであってもよい。
＜各モジュールの構成＞
本実施形態にかかるウェハ処理装置１は以上のように構成されている。次に、各モジュールの詳細な構成について説明する。図２は、ロードロックモジュール２０、フィッティングモジュール６０、第１のトランスファモジュール５０ａ、第２のトランスファモジュール５０ｂ、パスモジュール５５の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。
ロードロックモジュール２０は、フィッティングモジュール６０の幅方向（Ｘ軸方向）に沿って並べて配置された、３つのウェハ搬送室２１ａ、２１ｂ、２１ｃを有している。３つのウェハ搬送室２１のそれぞれには、ローダモジュール３０との間でウェハＷの受渡しを行うウェハ搬送口２２と、第１のトランスファモジュール５０ａとの間でウェハＷの受渡しを行うウェハ搬送口２３とが形成されている。換言すれば、ロードロックモジュール２０のＹ軸負方向側及び正方向側の側壁には、それぞれウェハ搬送口２２、２３がそれぞれ３つずつ形成されている。
ロードロックモジュール２０のウェハ搬送室２１は、ゲートバルブ２４、ゲートバルブ２５を介してローダモジュール３０及び第１のトランスファモジュール５０ａに接続されている。このゲートバルブ２４、２５により、ウェハ搬送室２１とローダモジュール３０、又はトランスファモジュール５０ａ、５０ｂの間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
ウェハ搬送室２１には、図２に示すように、ローダモジュール３０とトランスファモジュール５０ａ、５０ｂとの間で搬送されるウェハＷを一時的に保持するストッカ２６が設けられている。
またロードロックモジュール２０には、図２に示すように、ウェハ搬送室２１の内部にガスを供給する給気部２７と、ガスを排出する排気部２８が接続されている。ロードロックモジュール２０は、これら給気部２７と排気部２８によって、ウェハ搬送室２１の内部が大気雰囲気と減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。
第１のトランスファモジュール５０ａにおけるフィッティングモジュール６０が接続されるＹ軸負方向側の一端部には、フィッティングモジュール６０との間でウェハＷの搬送が行われる開口部５２が形成されている。また、第１のトランスファモジュール５０ａのＹ軸正方向側の他端部には、パスモジュール５５を介して第２のトランスファモジュール５０ｂが接続される。換言すると、第２のトランスファモジュール５０ｂのＹ軸負方向側の一端部にはパスモジュール５５を介して第１のトランスファモジュール５０ａが接続され、第２のトランスファモジュール５０ｂのＹ軸正方向側の他端部は、板状部材としてのエンドプレート５３により閉塞されている。
このように、トランスファモジュール５０ａ、５０ｂ、パスモジュール５５、フィッティングモジュール６０との間には、図示のように板状部材やゲートバルブが設けられていない。すなわちトランスファモジュール５０ａ、５０ｂ、パスモジュール５５、フィッティングモジュール６０は、内部空間が連通され、第１のウェハ搬送機構８０ａや第２のウェハ搬送機構８０ｂによりウェハＷが搬送される一体の搬送空間Ｓを画成する。
トランスファモジュール５０ａ、５０ｂの長辺を構成するＸ軸負方向側及び正方向側の側面には、上述したように、処理モジュール７０と連通する複数のウェハ搬送口５１が形成されている。ウェハ搬送口５１は、ゲートバルブ７１を用いて開閉自在に構成されている。
また、ウェハ搬送口５１の上方におけるトランスファモジュール５０ａ、５０ｂの天井面には、搬送空間Ｓに不活性ガス（例えばＮ２ガス）を供給するためのガス供給部５４が接続されている。このガス供給部５４は、ウェハ搬送口５１を遮断するように、いわばエアカーテンを形成するように、搬送空間Ｓに対して不活性ガスを供給し、ゲートバルブ７１の開放時において処理モジュール７０からトランスファモジュール５０ａ、５０ｂに対してパーティクル等が飛散することを抑制する。
またガス供給部５４は、搬送空間Ｓの内部における気流の滞留部分を無くし、フィッティングモジュール６０に接続される排気機構（図示せず）により適切に搬送空間Ｓの内部を排気できるように、搬送空間Ｓの内部に不活性ガスを供給する。
＜パスモジュールの構成＞
上述したように、パスモジュール５５は第１のトランスファモジュール５０ａと第２のトランスファモジュール５０ｂとを相互に接続するものである。パスモジュール５５の内部と第１のトランスファモジュール５０ａ及び第２のトランスファモジュール５０ｂの内部とは空間的に連通しており、ウェハＷ搬送時には減圧雰囲気下にある。図３は、パスモジュール５５の構成の概略を模式的に示す斜視図である。なお、図３では、ウェハ搬送機構８０ａ（搬送アーム８１ａ）によってウェハＷがパスモジュール５５内に搬送された状態を図示している。
図１、２に示すように、ロードロックモジュール２０、フィッティングモジュール６０、第１のトランスファモジュール５０ａ、パスモジュール５５、第２のトランスファモジュール５０ｂは、Ｙ軸負方向側からこの順に並べて接続されている。
また、図３に示すように、パスモジュール５５は、第１のトランスファモジュール５０ａと接続される（Ｙ軸負方向側）一側面に形成された第１開口５５ａと、第２のトランスファモジュール５０ｂと接続される（Ｙ軸正方向側）他側面に形成された第２開口５５ｂと、を有する筒型形状で構成される。
本実施形態にかかるパスモジュール５５においては、第１開口５５ａと第２開口５５ｂはいずれもパスモジュール５５と各トランスファモジュール５０ａ、５０ｂとの間でウェハＷの搬送を適切に行うことができる大きさを有している。
また、パスモジュール５５のＹ軸方向における奥行寸法Ｈ１は、ウェハＷの直径（基板寸法）よりも小さくなるように設計される。但し、パスモジュール５５の奥行寸法Ｈ１は、後述する受け渡し部５６を構成する回転機構５６ａ、５６ｂを設置可能な程度の寸法に設計される。また、このパスモジュール５５の奥行寸法Ｈ１は、パスモジュール５５の近傍において互いに隣接する処理モジュール７０同士のクリアランス（間隔）に基づき設計されても良い。例えば、装置全体のフットプリントの観点から、隣接する処理モジュール７０同士の間隔は１０ｍｍ程度とされ、パスモジュール５５の奥行寸法Ｈ１はその数値に基づき設計される。従って、筒状連結モジュール５５は、第１の真空搬送モジュール５０ａと第２の真空搬送モジュール５０ｂとの間に配置される。第１の真空搬送モジュール５０ａ、第２の真空搬送モジュール５０ｂ及び筒状連結モジュール５５は、第１の方向Ｙに沿って配列される。筒状連結モジュール５５は、第１の方向Ｙにおいて第１の長さＨ１を有する。第１の長さＨ１は、ウェハＷの直径よりも小さい。
図１に示すように、パスモジュール５５には、第１のトランスファモジュール５０ａと第２のトランスファモジュール５０ｂとの間でウェハＷの受け渡しを行うための受け渡し部５６が設けられている。図１のように、本実施形態に係る受け渡し部５６は２つの回転機構（ウェハ支持部）５６ａ、５６ｂを備え、これら回転機構５６ａ、５６ｂはパスモジュール５５の幅方向（Ｘ軸方向）に並んで配置されている。
図４は回転機構５６ａ、５６ｂの構成の一例を示す概略説明図である。ここでは回転機構５６ａを例として挙げ図示しているが、回転機構５６ｂも同様の構成を有している。図４に示すように、回転機構５６ａは駆動軸を内包する軸部材１００と、軸部材１００の上端に基板支持面（ウェハ支持面）１０５ａを有する基板支持部（ウェハステージ）１０５と、基板支持部１０５の外周において外方に伸びる少なくとも３以上の棒状の保持部材（リング支持部材）１０７を有するエッジリング支持部１０８からなる。図４の構成では３本の保持部材１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃが基板支持部１０５の外周において１２０°間隔にて設けられている。
基板支持部１０５は、軸部材１００に内包された駆動軸（図示せず）にそれぞれ接続されており、駆動軸の駆動に伴い回転自在に構成される。基板支持部１０５はパスモジュール５５内に収まるように設計されることが好ましい。また、エッジリング支持部１０８は回転しない構成でも良く、あるいは、基板支持部１０５と同様に駆動軸に接続され回転自在に構成されても良い。構成の一例として、これら基板支持部１０５とエッジリング支持部１０８は一体的に回転しても良く、あるいは、互いに独立して回転しても良い。なお、これら基板支持部１０５やエッジリング支持部１０８は軸部材１００に対し取り外し自在に構成されても良い。基板支持部１０５やエッジリング支持部１０８を取り外すことで装置の運搬や梱包の際の効率化が図られる。
基板支持部１０５の基板支持面１０５ａには例えばＯリング等の係止部材によりウェハＷを固定させて載置することが可能である。この基板支持面１０５ａは、径がウェハＷよりも小さな円板状の部材でも良く、その寸法は搬送アーム８１ａや８１ｂとの間でウェハＷの受け渡しを行うことに鑑み、搬送アーム８１ａ、８１ｂのフォーク幅よりも小さく設計されることが好ましい。従って、ウェハ支持部５６ａ、５６ｂは、筒状連結モジュール５５に回転可能に取り付けられ、ウェハＷを支持するように構成されている。ウェハ支持部５６ａは、ウェハステージ１０５及び軸部材１００を含む。ウェハステージ１０５は、ウェハ支持面１０５ａを有する。ウェハ支持面１０５ａは、第１の長さＨ１よりも小さい直径を有する。軸部材１００は、ウェハステージ１０５から下方に延在している。ウェハ支持部５６ｂも、ウェハ支持部５６ａと同様の構成を有する。
保持部材１０７の外方先端には、上方に向かって突出した形状を有する、エッジリング支持面１０９が形成されても良い。基板支持面１０５ａとエッジリング支持面１０９は同じ高さレベルでも良く、異なる高さレベルでも良い。従って、少なくとも３つのリング支持部材１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃは、ウェハ支持部５６ａから外方に向かって延在し、少なくとも１つのリングＥＲ１を一緒に支持するように構成される。少なくとも１つのリングが複数のリングＥＲ１，ＥＲ２を有する場合は、少なくとも３つのリング支持部材１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃは、複数のリングＥＲ１，ＥＲ２を一緒に支持するように構成される。少なくとも３つのリング支持部材１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃは、第１のリング支持部材１０７ａ及び第２のリング支持部材１０７ｂを有する。一実施形態において、第１のリング支持部材１０７ａは、第１の真空搬送モジュール５０ａの内部まで延在しており、第２のリング支持部材１０７ｂは、第２の真空搬送モジュール５０ｂの内部まで延在している。少なくとも３つのリング支持部材１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃは、回転可能であってもよい。一実施形態において、各リング支持部材１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃは、棒状部分及び突出部分を含む。棒状部分は、一端部において軸部材１００に取り付けられる。突出部分は、棒状部分の他端部から上方に突出し、上端部にリング支持面１０９を有する。また、エッジリング支持面１０９は回転機構５６ａの径方向にある程度の幅を有していることが好ましい。これは、エッジリングＥＲとして径の異なる２種類のリング（例えば、フォーカスリングＦＲとカバーリングＣＲ）をエッジリング支持面１０９において支持し回転させるためである。
図５は、回転機構５６ａ、５６ｂにおいて、エッジリング支持面１０９に径の異なる２種類のエッジリングＥＲ１、ＥＲ２を載せた状態を示す概略説明図である。本実施形態に係る構成によれば、図５のように径の異なる２種類のエッジリングＥＲ１、ＥＲ２をエッジリング支持面１０９において同時に支持し、保持や回転をさせることができる。
なお、フォーカスリングＦＲとはウェハＷの周囲において位置合わせを行う例えばシリコン製の部材であり、カバーリングＣＲとはフォーカスリングＦＲの外側を覆う例えば石英製の部材である。エッジリングＥＲとは、ウェハＷに対しプラズマ処理を行う場合に、当該ウェハＷの周囲を囲むようにして配置される環状部材であり、ここでは、上記フォーカスリングＦＲとカバーリングＣＲの総称である。
上述したように、基板支持部１０５の寸法はパスモジュール５５の奥行寸法Ｈ１よりも小さく設計されることが好ましい。一方で、エッジリング支持部１０８の保持部材１０７（１０７ａ～１０７ｃ）を含んだ全体の寸法はパスモジュール５５の奥行寸法Ｈ１よりも大きく設計されても良く、その場合、保持部材１０７の先端は各トランスファモジュール５０ａ、５０ｂの内部まで延在しても良い。
＜ウェハの受け渡し方法＞
次に、本実施形態に係るウェハ処理装置１において、パスモジュール５５を介したウェハＷの受け渡し方法の一例について説明する。例えば、同一のウェハＷに対し、第１のトランスファモジュール５０ａの側面に設けられた処理モジュール７０において第１の基板処理を行った後、第２のトランスファモジュール５０ｂの側面に設けられた別の処理モジュール７０において第２の基板処理を行う場合に、当該ウェハＷを第１のトランスファモジュール５０ａから第２のトランスファモジュール５０に受け渡す必要がある。
先ず、第１のトランスファモジュール５０ａの側面に設けられた処理モジュール７０において第１の基板処理が行われた後、第１のウェハ搬送機構８０ａ（搬送アーム８１ａ）によってウェハＷが処理モジュール７０から取り出され、パスモジュール５５内の回転機構５６ａ、５６ｂのいずれかの基板支持部１０５にウェハＷが載置される。
そして、基板支持部１０５にウェハＷが載置された状態で軸部材１００に内包された駆動軸の駆動により基板支持部１０５とウェハＷが一体的に所定の角度だけ回転させられる。回転終了後、第２のウェハ搬送機構８０ｂ（搬送アーム８１ｂ）によって基板支持部１０５からウェハＷが取り出される。ウェハＷは、そのまま第２のウェハ搬送機構８０ｂによって第２のトランスファモジュール５０ｂの側面に設けられた処理モジュール７０内に搬送される。そして、第２のトランスファモジュール５０ｂの側面に設けられた処理モジュール７０において第２の基板処理が行われる。従って、制御部９０は、ウェハＷをウェハ支持部５６ａ上に載置するように第１の搬送ロボット８０ａを制御する。次に、制御部９０は、ウェハ支持部５６ａ上のウェハＷを所定の角度だけ回転させるようにウェハ支持部５６ａを制御する。その後、ウェハ支持部５６ａ上のウェハＷを第２の真空搬送モジュール５０ｂ内に搬送するように第２の搬送ロボット８０ｂを制御する。
半導体デバイスの製造プロセスで複数枚のウェハＷを搬送する場合に、プロセス特性や量産性の観点から、処理モジュール７０内でウェハＷの向きが一律同じ方向を向くように搬送を行うことが望まれる。そのため、第１のウェハ搬送機構８０ａ（搬送アーム８１ａ）での搬送時、及び、第２のウェハ搬送機構８０ｂ（搬送アーム８１ｂ）での搬送時のいずれにおいても、搬送先の処理モジュール７０においてウェハＷが一律に同じ方向を向くように搬送が制御されることが望ましい。
このような観点からウェハＷには所定の箇所にノッチ（切り込み）が形成されており、基板処理時にウェハＷを処理モジュール７０に搬送する際に、ウェハＷのノッチ方向を合わせることで、処理モジュール７０内でウェハＷが一律に同じ方向を向くような制御を行うことが求められる。本実施形態に係るウェハ処理装置１は、第１のトランスファモジュール５０ａと第２のトランスファモジュール５０ｂがパスモジュール５５を介して接続された構成を有している。ウェハＷに対する基板処理の内容によっては同一のウェハＷを複数の処理モジュール７０に対し搬送する必要があり、その際にはパスモジュール５５を経由させて搬送することが求められる。
本実施形態に係る構成によれば、ウェハＷ搬送時に経由するパスモジュール５５に回転機構５６ａ、５６ｂを設けたことで、第１のウェハ搬送機構８０ａから第２のウェハ搬送機構８０ｂにウェハＷを受け渡す際にウェハＷを所定の角度だけ回転させて受け渡すことが可能となる。これにより、搬送先の処理モジュール７０内でウェハＷのノッチ方向が一律に同じ方向を向くようにウェハＷを搬送することができ、基板処理の均一化やスループットの向上が図られる。
なお、ここではウェハＷの受け渡し方法について説明したが、本開示の適用範囲はこれに限定されない。即ち、本実施形態に係るウェハ処理装置１のように、処理モジュール７０においてウェハＷに対してプラズマ処理が行われる場合にあっては、真空搬送部においてエッジリングＥＲが搬送可能に構成されても良い。上述したように、回転機構５６ａ、５６ｂはエッジリングＥＲを支持するためのエッジリング支持部１０８を備えている。そのため、ウェハＷ搬送時と同様に、エッジリングＥＲの搬送時においても当該エッジリングＥＲを回転させ所望の向きにて処理モジュール７０に搬送することが可能である。従って、制御部９０は、少なくとも１つのリングＥＲ１，ＥＲ２を少なくとも３つのリング支持部材１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ上に載置するように第１の搬送ロボット８０ａを制御する。その後、制御部９０は、少なくとも３つのリング支持部材１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ上の少なくとも１つのリングＥＲ１，ＥＲ２を第２の真空搬送モジュール５０ｂ内に搬送するように第２の搬送ロボット８０ｂを制御する。
本実施形態に係るウェハ処理装置１によれば、種々の要求に応じて１つの真空搬送系に対しより多くの処理モジュール７０を搭載する場合に、既存の真空搬送モジュール（トランスファモジュール５０ａ、５０ｂ）を連結させるのに奥行寸法の極めて小さい（具体的にはウェハＷの直径以下）パスモジュール５５を用いている。これにより、処理モジュール７０の最大搭載数を増やす際にフットプリントの増大化が抑えられる。
また、本実施形態に係るウェハ処理装置１によれば、処理モジュール７０の最大搭載数を増やすために第１のトランスファモジュール５０ａと第２のトランスファモジュール５０ｂとをパスモジュール５５を介して接続した構成において、ウェハＷの受け渡しを行うパスモジュール５５に回転機構５６ａ、５６ｂを設けている。これにより、例えば同一のウェハＷを第１のウェハ搬送機構８０ａから第２のウェハ搬送機構８０ｂに受け渡す際に、ウェハＷを所望の角度だけ回転させて受け渡しを行うことが可能となる。即ち、搬送先の処理モジュール７０内でウェハＷのノッチ方向が一律に同じ方向を向くようにウェハＷを搬送することができ、スループット向上等が図られる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
例えば、上記実施形態に係るウェハ処理装置１としては、２つのトランスファモジュール５０ａ、５０ｂとそれらを接続するパスモジュール５５を擁する構成を例示して図示説明したが、装置構成はこれに限定されるものではない。即ち、３以上のトランスファモジュール５０同士を複数のパスモジュール５５にて接続し、その終端部をエンドプレート５３により閉塞するといった構成を採っても良い。
１ ウェハ処理装置
５０ トランスファモジュール
５５ パスモジュール
５６ａ、５６ｂ 回転機構
８０ａ 第１の搬送機構
８０ｂ 第２の搬送機構
１０５ 基板支持部
１０８ エッジリング支持部
Ｗ ウェハ

Claims (10)

  1. 第１の真空搬送モジュールと、
    前記第１の真空搬送モジュール内に配置され、ウェハ及び少なくとも１つのリングを同時に又は別々に搬送するように構成された第１の搬送ロボットであり、前記少なくとも１つのリングは、前記ウェハの直径よりも大きい内径を有する、第１の搬送ロボットと、
    第２の真空搬送モジュールと、前記第２の真空搬送モジュール内に配置され、前記ウェハ及び前記少なくとも１つのリングを同時に又は別々に搬送するように構成された第２の搬送ロボットと、
    前記第１の真空搬送モジュールと前記第２の真空搬送モジュールとの間に配置される筒状連結モジュールであり、前記第１の真空搬送モジュール、前記第２の真空搬送モジュール及び前記筒状連結モジュールは、第１の方向に沿って配列され、前記筒状連結モジュールは、前記第１の方向において第１の長さを有し、前記第１の長さは、前記ウェハの直径よりも小さい、筒状連結モジュールと、
    前記筒状連結モジュールに回転可能に取り付けられ、前記ウェハを支持するように構成されるウェハ支持部と、
    前記ウェハ支持部から外方に向かって延在し、前記少なくとも１つのリングを支持するように構成される少なくとも３つのリング支持部材と、
    を備える、搬送装置。
  2. 前記ウェハ支持部は、ウェハ支持面を有するウェハステージを含み、前記ウェハ支持面は、前記第１の長さよりも小さい直径を有する、請求項１に記載の搬送装置。
  3. 前記少なくとも３つのリング支持部材は、第１のリング支持部材及び第２のリング支持部材を有し、前記第１のリング支持部材は、前記第１の真空搬送モジュールの内部まで延在し、前記第２のリング支持部材は、前記第２の真空搬送モジュールの内部まで延在する、請求項１又は２に記載の搬送装置。
  4. 前記少なくとも３つのリング支持部材は、回転可能である、請求項１～３のいずれか一項に記載の搬送装置。
  5. 前記ウェハ支持部は、前記ウェハステージから下方に延在する軸部材をさらに含み、
    前記リング支持部材は、棒状部分及び突出部分を含み、前記棒状部分は、一端部において前記軸部材に取り付けられ、前記突出部分は、前記棒状部分の他端部から上方に突出し、上端部にリング支持面を有する、請求項２に記載の搬送装置。
  6. 前記リング支持面は、前記ウェハ支持面と同じ高さに位置する、請求項５に記載の搬送装置。
  7. 前記リング支持面は、前記ウェハ支持面と異なる高さに位置する、請求項５に記載の搬送装置。
  8. 前記少なくとも３つのリング支持部材は、前記軸部材を中心に１２０°間隔で配置される３つのリング支持部材を有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の搬送装置。
  9. 前記ウェハを前記ウェハ支持部上に載置するように前記第１の搬送ロボットを制御し、
    前記ウェハ支持部上の前記ウェハを所定の角度だけ回転させるように前記ウェハ支持部を制御し、
    前記ウェハ支持部上の前記ウェハを前記第２の真空搬送モジュール内に搬送するように前記第２の搬送ロボットを制御するように構成された制御部をさらに有する、請求項１～８のいずれか一項に記載の搬送装置。
  10. 前記制御部は、
    前記少なくとも１つのリングを前記少なくとも３つのリング支持部材上に載置するように前記第１の搬送ロボットを制御し、
    前記少なくとも３つのリング支持部材上の前記少なくとも１つのリングを前記第２の真空搬送モジュール内に搬送するように前記第２の搬送ロボットを制御するように構成される、請求項９に記載の搬送装置。
JP2020219040A 2020-12-28 2020-12-28 搬送装置 Pending JP2022104056A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020219040A JP2022104056A (ja) 2020-12-28 2020-12-28 搬送装置
TW110146675A TW202234470A (zh) 2020-12-28 2021-12-14 搬運裝置
CN202111544923.XA CN114695218A (zh) 2020-12-28 2021-12-16 输送装置
KR1020210184886A KR20220094158A (ko) 2020-12-28 2021-12-22 반송 장치
US17/563,850 US11948816B2 (en) 2020-12-28 2021-12-28 Transfer apparatus
US18/600,829 US20240213057A1 (en) 2020-12-28 2024-03-11 Transfer apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020219040A JP2022104056A (ja) 2020-12-28 2020-12-28 搬送装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022104056A true JP2022104056A (ja) 2022-07-08

Family

ID=82119908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020219040A Pending JP2022104056A (ja) 2020-12-28 2020-12-28 搬送装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11948816B2 (ja)
JP (1) JP2022104056A (ja)
KR (1) KR20220094158A (ja)
CN (1) CN114695218A (ja)
TW (1) TW202234470A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI677046B (zh) * 2015-04-23 2019-11-11 美商應用材料股份有限公司 半導體處理系統中的外部基板材旋轉
JP2022104056A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 搬送装置
JP2022104042A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20220344190A1 (en) * 2021-04-22 2022-10-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Air curtain for defect reduction

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3831043B2 (ja) * 1997-01-24 2006-10-11 東京エレクトロン株式会社 回転処理装置
US6068441A (en) * 1997-11-21 2000-05-30 Asm America, Inc. Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
US6168427B1 (en) * 1999-10-05 2001-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus for guiding the removal of a processing tube from a semiconductor furnace
US20030053904A1 (en) * 2001-09-14 2003-03-20 Naofumi Kirihata Wafer aligner
JP2003303876A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Seiko Instruments Inc 試料ステージにおける半導体ウエハ保持機構
EP1691940A2 (en) * 2003-04-03 2006-08-23 SC Fluid Technologies, Inc. Method and apparatus for rotation of a workpiece in supercritical fluid solutions for removing photo resist, residues and particles therefrom
US20070264106A1 (en) * 2003-11-10 2007-11-15 Van Der Meulen Peter Robotic components for semiconductor manufacturing
US20070286710A1 (en) * 2003-11-10 2007-12-13 Van Der Meulen Peter Semiconductor manufacturing process modules
US20070269297A1 (en) * 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
JP4459831B2 (ja) * 2005-02-01 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
DE102006045866B4 (de) * 2006-09-28 2010-08-12 Nanophotonics Ag Halte- und Drehvorrichtung für berührungsempfindliche ebene Objekte
IL183692A0 (en) * 2007-06-05 2007-09-20 Nova Measuring Instr Ltd Apparatus and method for substrates handling
JP5883232B2 (ja) * 2011-03-26 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6341083B2 (ja) * 2014-12-25 2018-06-13 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
TWI677046B (zh) 2015-04-23 2019-11-11 美商應用材料股份有限公司 半導體處理系統中的外部基板材旋轉
JP6618334B2 (ja) * 2015-06-03 2019-12-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法
JP6706935B2 (ja) * 2016-03-09 2020-06-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6779636B2 (ja) * 2016-03-11 2020-11-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6649157B2 (ja) * 2016-03-30 2020-02-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10522381B2 (en) * 2017-04-07 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Aligner apparatus and methods
US11721564B2 (en) * 2019-04-08 2023-08-08 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate transfer apparatus and method
JP7418241B2 (ja) * 2020-02-27 2024-01-19 東京エレクトロン株式会社 位置決め装置、処理システム及び位置決め方法
DE102021115349A1 (de) * 2020-07-14 2022-01-20 Infineon Technologies Ag Substrat-prozesskammer und prozessgasströmungsablenker zur verwendung in der prozesskammer
US20220059384A1 (en) * 2020-08-18 2022-02-24 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Allignment and transport of substrate and focus ring
JP2022104056A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 搬送装置
JP2022104042A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2022105931A (ja) * 2021-01-05 2022-07-15 東京エレクトロン株式会社 プロセスモジュール、基板処理システムおよび処理方法
JP2022106560A (ja) * 2021-01-07 2022-07-20 東京エレクトロン株式会社 処理モジュールおよび処理方法
TW202238803A (zh) * 2021-02-26 2022-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 搬運系統、搬運裝置及搬運方法
JP2023074944A (ja) * 2021-11-18 2023-05-30 東京エレクトロン株式会社 連接処理容器及び基板処理方法。

Also Published As

Publication number Publication date
TW202234470A (zh) 2022-09-01
CN114695218A (zh) 2022-07-01
KR20220094158A (ko) 2022-07-05
US11948816B2 (en) 2024-04-02
US20240213057A1 (en) 2024-06-27
US20220208574A1 (en) 2022-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022104056A (ja) 搬送装置
JP4012190B2 (ja) 密閉容器の蓋開閉システム及び開閉方法
JP2004289036A (ja) 真空処理装置
US20190385873A1 (en) Vacuum Processing Apparatus, Vacuum Processing System and Vacuum Processing Method
JPH0555148A (ja) マルチチヤンバ型枚葉処理方法およびその装置
JP2005079409A (ja) 基板処理装置
JP5093078B2 (ja) 成膜装置
JP2011124565A (ja) 半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法
KR20190036476A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
WO2015151676A1 (ja) 基板処理システム
US11430679B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
KR20210143942A (ko) 쿼드 스테이션 프로세스 모듈을 위한 포어라인 어셈블리 (foreline assembly for quad station process module)
TW202230584A (zh) 基板處理裝置
JP2010034505A (ja) 積層ロードロックチャンバおよびそれを備えた基板処理装置
US20220213594A1 (en) Process module, substrate processing system, and processing method
JP6176732B2 (ja) ガス供給部、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2015154083A (ja) 基板搬送ロボット及びそれを用いた基板処理装置
JPH07122618A (ja) 真空処理装置
WO2020196179A1 (ja) 成膜装置、成膜方法、および成膜システム
JP2008028035A (ja) 半導体製造装置
JP4383636B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP3121022B2 (ja) 減圧処理装置
JP5031960B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2004339566A (ja) 基板処理装置
JP7454714B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230623

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240311

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240402

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240524

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240618