KR20210143942A - 쿼드 스테이션 프로세스 모듈을 위한 포어라인 어셈블리 (foreline assembly for quad station process module) - Google Patents

쿼드 스테이션 프로세스 모듈을 위한 포어라인 어셈블리 (foreline assembly for quad station process module) Download PDF

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미겔 벤자민 바스케스
에밀 드레퍼
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램 리써치 코포레이션
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Abstract

쿼드 스테이션 프로세스 모듈 (quad station process module; QSM) 용 포어라인 어셈블리가 제공된다. 일부 예들에서, 포어라인 어셈블리는 QSM의 프로세스 모듈의 챔버 포트에 각각 연결가능한 4 개의 유입구들 및 진공 소스에 직접 또는 간접적으로 연결가능한 유출구를 포함한다. 제 1 포어라인 분기점은 포어라인 어셈블리의 유출구에 근접하게 배치된다. 2 개의 제 2 분기점들은 제 1 포어라인 분기점과 유입구들 각각의 쌍 사이에 각각 배치된다. 제 1 분기점 및 제 2 분기점은 포어라인 어셈블리를 3 개의 섹션들로 분할한다. 섹션 각각의 포어라인의 각각의 직경은 포어라인의 유입구들 중 적어도 하나로부터 유출구로의 가스 플로우의 방향으로 각각의 분기점에서 단계적으로 증가하고 포어라인 어셈블리의 각각의 섹션 내에서 일정하다.

Description

쿼드 스테이션 프로세스 모듈을 위한 포어라인 어셈블리 (foreline assembly for quad station process module)
본 개시는 포어라인 어셈블리 (foreline assembly) 및 구성에 관한 것으로, 보다 구체적으로 반도체 제작 적용 예들에서 QSM (quad station process module) 을 위해 구성된 포어라인 어셈블리에 관한 것이다.
포어라인 어셈블리는 통상적으로 프로세싱 챔버 또는 모듈 밑의 진공 소스에 연결되고 웨이퍼 프로세싱 동안 챔버로부터 배기 가스들을 배출한다. 종래의 포어라인 어셈블리들의 구성들은 하부 챔버 하드웨어를 서비스하는 것을 매우 어렵게 할 수 있다. 일부 모듈들의 하부 부분들은 매우 복잡해서 새 하드웨어를 추가하기가 어렵다. 특히, 일부 하부 챔버 하드웨어는 포어라인 기하 구조 및 위치에 의해 결정되는 페데스탈 리프트 배향 (pedestal lift orientation) 으로 인해 특히 작업하기가 어렵다.
본 명세서에 제공된 배경기술의 기술은 일반적으로 본 개시의 맥락을 제시하기 위한 것이다. 본 배경기술 섹션에 기술된 범위까지, 현재 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원시 종래 기술로서 달리 인정되지 않을 수도 있는 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로 또는 묵시적으로 인정되지 않는다.
우선권 주장
본 출원은 2019년 4월 19일에 출원된, 미국 특허 가출원 제 62/836,501 호의 우선권의 이익을 주장하며, 그 전체가 본 명세서에서 참조로서 인용된다.
본 개시는 일반적으로 쿼드 스테이션 프로세스 모듈 (quad station process module; QSM) 용 포어라인 어셈블리에 관한 것이다. 일부 실시 예들에서, 포어라인 어셈블리는 QSM의 프로세스 모듈의 챔버 포트에 각각 연결가능한 4 개의 유입구들; 진공 소스에 직접 또는 간접적으로 연결가능한 유출구; 포어라인 어셈블리의 유출구에 근접하게 배치된 제 1 포어라인 분기점; 제 1 포어라인 분기점과 각각의 한 쌍의 유입구들 사이에 각각 배치된 2 개의 제 2 분기점들을 포함하고, 제 1 분기점 및 제 2 분기점은 포어라인 어셈블리를 3 개의 섹션들: 유입구들로부터 2 개의 제 2 분기점들로 연장하는 제 1 섹션, 2 개의 제 2 분기점들로부터 제 1 분기점으로 연장하는 제 2 섹션, 및 제 1 분기점으로부터 포어라인 어셈블리의 유출구로 연장하는 제 3 섹션으로 분할하고, 섹션 각각의 포어라인의 각각의 직경은 포어라인 어셈블리의 유입구들 중 적어도 하나로부터 포어라인 어셈블리의 유출구로 가스 플로우의 방향으로 각각의 분기점에서 단계적으로 증가하고, 포어라인 어셈블리의 각각의 섹션 내에서 일정하다.
일부 예들에서, 제 1 섹션의 포어라인의 직경은 38.1 mm (대략 1.5 인치) 내지 63.5 mm (대략 2.5 인치) 범위이고, 제 2 섹션의 포어라인의 직경은 63.5 mm (대략 2.5 인치) 내지 88.9 mm (대략 3.5 인치) 범위이며, 제 3 섹션의 포어라인의 직경은 88.9 mm (대략 3.5 인치) 내지 114.3 mm (대략 4.5 인치) 의 범위이다.
일부 예들에서, 제 1 섹션의 포어라인의 직경은 50.8 mm (대략 2 인치) 이고, 제 2 섹션의 포어라인의 직경은 76.2 mm (대략 3 인치) 이며, 제 3 섹션의 포어라인의 직경은 101.6 mm (대략 4 인치) 이다.
일부 예들에서, 제 2 분기점들 각각에서 제공되는 T-피스 커넥터 (T-piece connector) 를 더 포함한다. 일부 예들에서, T-피스 커넥터는 제 1 섹션에서의 포어라인의 직경에서 제 2 섹션에서의 포어라인의 직경으로 전이하는 (transition) 외측으로 수렴하는 원추형 섹션들을 포함한다. 일부 예들에서, T-피스 커넥터와 QSM의 밑면 사이의 이격 거리는 T-피스 커넥터와 QSM의 밑면 사이에 컴포넌트를 수용하도록 구성된다.
일부 예들에서, 포어라인 어셈블리의 제 1 섹션은 각각 포어라인들을 따라 간격을 두고 배치된 3 개의 실질적으로 직각인 엘보우들을 포함하는 4 개의 포어라인들을 포함한다. 일부 예들에서, 엘보우 각각은 각각의 유입구와 각각의 제 2 분기점 사이에 제공된다. 일부 예들에서, 제 1 섹션에서의 포어라인들은 일반적으로 연속적이며 분리 가능한 조인트들 (joints) 또는 유니온들 (unions) 이 없다.
일부 예들에서, 포어라인 어셈블리의 제 2 섹션은 각각 제 1 분기점과 각각의 제 2 분기점 사이에 배치된 하나의 실질적으로 직각인 엘보우를 포함하는 2 개의 포어라인들을 포함한다. 일부 예들에서, 포어라인 어셈블리는 직각 엘보우의 각각의 상부 단부에 또는 직각 엘보우의 각각의 상부 단부를 향하여 제공된 분리 가능한 유니온을 더 포함한다. 일부 예들에서, 유니온 각각은 2 개의 대향하는 (opposed) 플랜지들을 포함한다. 일부 예들에서, 대향하는 플랜지들 각각은 QSM에 피팅될 (fitted) 때 수평면에 놓여진다.
일부 예들에서, 포어라인 어셈블리의 제 3 섹션은 플레넘 챔버 (plenum chamber) 를 포함하고, 플레넘 챔버는 제 1 분기점에 제공된다.
일부 예들에서, 포어라인 어셈블리는 스풀 피스 (spool piece) 를 더 포함하고, 스풀 피스는 슬로우-펌프 유입구 (slow-pump inlet), 테트라에틸 오소실리케이트 또는 테트라에톡시실란 (TEOS) 전환기 (divert), 가스 박스 전환기, 전구체 또는 다른 전환기, 헤이스팅스 (Hastings) 게이지 포트, 및 벨로우즈 (bellows) 중 하나 이상을 포함한다.
일부 실시 예들은 첨부 도면의 관점들로 제한되지 않고 예로서 예시된다.
도 1 내지 도 4는 본 개시의 예시적인 포어라인 어셈블리들이 전개될 (deployed) 수도 있는 기판 프로세싱 툴들의 개략도들을 도시한다.
도 5는 본 개시의 예시적인 포어라인 어셈블리들이 전개될 수도 있는 쿼드 스테이션 프로세스 모듈을 포함하는 예시적인 기판 프로세싱 툴의 개략도이다.
도 6 내지 도 8은 예시적인 실시 예들에 따른 QSM에 피팅된 (fitted) 포어라인 어셈블리 및 관련 부품의 예시적인 구성들을 도시한다.
도 9 및 도 10은 예시적인 실시 예들에 따른 포어라인 어셈블리의 화도들 (pictorial views) (명확성을 위해 QSM에 피팅되지 않음) 을 도시한다.
도 11은 일 예시적인 실시 예에 따른 스풀 피스 (spool piece) 의 화도를 도시한다.
도 12는 일 예시적인 실시 예에 따른 일 방법의 동작들을 도시하는 플로우 차트이다.
후술할 기술은 본 개시의 예시적인 실시 예들을 구현하는 시스템들, 방법들, 기술들, 명령 시퀀스들, 및 컴퓨팅 머신 프로그램 제품들을 포함한다. 후술할 기술에서, 설명의 목적들을 위해, 예시적인 실시 예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 다수의 특정 상세들이 제시된다. 그러나, 이러한 특정 상세들 없이 본 개시가 실시될 수도 있다는 것이 당업자에게 자명할 것이다.
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기판 프로세싱 시스템은 반도체 웨이퍼들과 같은 기판들의 증착, 에칭 및/또는 다른 처리를 수행하도록 사용될 수도 있다. 프로세싱 동안, 기판은 기판 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버 내의 기판 지지부 상에 배치된다. 에칭 또는 증착 동안, 각각 하나 이상의 에칭 가스들 또는 가스 전구체들을 포함하는 가스 혼합물들이 프로세싱 챔버 내로 도입되고 플라즈마가 화학 반응들을 활성화시키도록 스트라이킹될 (struck) 수도 있다.
기판 프로세싱 시스템은 제조실 내에 배치된 복수의 기판 프로세싱 툴들을 포함할 수도 있다. 기판 프로세싱 툴들 각각은 복수의 프로세스 모듈들을 포함할 수도 있다. 통상적으로, 기판 프로세싱 툴은 최대 6 개의 프로세스 모듈들을 포함한다.
이제 도 1을 참조하면, 예시적인 기판 프로세싱 툴 (100) 의 평면도가 도시된다. 기판 프로세싱 툴 (100) 은 복수의 프로세스 모듈들 (104) 를 포함한다. 일부 예들에서, 프로세스 모듈들 (104) 각각은 기판 상에서 하나 이상의 각각의 프로세스들을 수행하도록 구성될 수도 있다. 프로세싱될 기판들은 EFEM (equipment front end module) 의 로딩 스테이션의 포트들을 통해 기판 프로세싱 툴 (100) 내로 로딩되고, 이어서 프로세스 모듈들 (104) 중 하나 이상으로 이송된다. 예를 들어, 기판은 잇달아서 프로세스 모듈들 (104) 각각에 로딩될 수도 있다. 이제 도 2를 참조하면, 복수의 기판 프로세싱 툴들 (208) 을 포함하는 제조실 (204) 의 예시적인 배치 (200) 가 도시된다.
도 3은 제 1 기판 프로세싱 툴 (304) 및 제 2 기판 프로세싱 툴 (308) 을 포함하는 제 1 예시적인 구성 (300) 을 도시한다. 제 1 기판 프로세싱 툴 (304) 및 제 2 기판 프로세싱 툴 (308) 이 순차적으로 배치되고 진공 하의 이송 스테이지 (312) 에 의해 연결된다. 도시된 바와 같이, 이송 스테이지 (312) 는 제 1 기판 프로세싱 툴 (304) 의 VTM (vacuum transfer module) (316) 과 제 2 기판 프로세싱 툴 (308) 의 VTM (320) 사이에서 기판들을 이송하도록 구성된 피봇 이송 메커니즘을 포함한다. 그러나, 다른 예들에서, 이송 스테이지 (312) 는 선형 이송 메커니즘과 같은 다른 적합한 이송 메커니즘들을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, VTM (316) 의 제 1 로봇 (미도시) 은 제 1 포지션에 배치된 지지부 (324) 상에 기판을 배치할 수도 있고, 지지부 (324) 는 제 2 포지션으로 피봇되며, VTM (320) 의 제 2 로봇 (미도시) 은 제 2 포지션의 지지부 (324) 로부터 기판을 회수한다. 일부 예들에서, 제 2 기판 프로세싱 툴 (308) 은 프로세싱 스테이지들 사이에 하나 이상의 기판들을 저장하도록 구성된 스토리지 버퍼 (328) 을 포함할 수도 있다.
이송 메커니즘은 또한 기판 프로세싱 툴들 (308 및 304) 사이에 2 개 이상의 이송 시스템들을 제공하도록 스택될 (stacked) 수도 있다. 이송 스테이지 (312) 는 또한 한번에 복수의 기판들을 이송하거나 버퍼링하기 위한 복수의 슬롯들을 가질 수도 있다.
구성 (300) 에서, 제 1 기판 프로세싱 툴 (304) 및 제 2 기판 프로세싱 툴 (308) 은 단일 EFEM (332) 을 공유하도록 구성된다.
도 4는 순차적으로 배치되고 이송 스테이지 (412) 에 의해 연결된 제 1 기판 프로세싱 툴 (404) 및 제 2 기판 프로세싱 툴 (408) 을 포함하는 제 2 예시적인 구성 (400) 을 도시한다. 구성 (400) 은 구성 (400) 에서 EFEM (332) 이 제거된 것을 제외하고는 도 3의 구성 (300) 과 유사하다. 따라서, 기판들은 에어록 (airlock) 로딩 스테이션들 (416) 을 통해 (예를 들어, 진공 웨이퍼 캐리어, 프론트 개구 통합 포드 (FOUP), 대기 (ATM) 로봇, 등과 같은 저장 또는 운송 캐리어 또는 다른 적절한 메커니즘들을 사용하여) 직접 제 1 기판 프로세싱 툴 (404) 내로 로딩될 수도 있다.
본 개시의 포어라인 어셈블리는 QSMs (quad station process modules) 에 전개될 (deployed) 수도 있다. 일부 예들에서, 도 5에 도시된 바와 같이, 쿼드 스테이션 프로세스 모듈이 제공된다. 기판 프로세싱 툴 (500) 은 기판 프로세싱 툴 (500) 의 각각 코너 스테이션들에 배치된 4 개의 프로세스 모듈들 (또는 프로세스 챔버들) (508) 을 포함한다. 프로세스 모듈들 (508) 의 다른 배치들이 가능하다. 기판 프로세싱 툴 (500) 은 집합적으로 이송 로봇들 (502/504) 로 지칭되는 이송 로봇들 (502 및 504) 을 포함한다. 프로세싱 툴 (500) 은 예시 목적들을 위해 기계적 인덱서들 (indexers) 없이 도시된다. 다른 예들에서, 툴 (500) 의 각각의 프로세스 모듈들 (508) 은 기계적 인덱서들을 포함할 수도 있다.
VTM (516) 및 EFEM (510) 은 이송 로봇들 (502/504) 중 하나를 각각 포함할 수도 있다. 이송 로봇들 (502/504) 은 같거나 상이한 구성들을 가질 수도 있다. 일부 예들에서, 이송 로봇 (502) 은 각각 2개의 수직으로 스택된 엔드 이펙터들을 갖는 2 개의 암들 (arms) 을 갖는 것으로 도시된다. VTM (516) 의 로봇 (502) 은 EFEM (510) 으로 그리고 EFEM (510) 으로부터 그리고 프로세스 모듈들 (508) 사이에서 기판들을 선택적으로 이송한다. EFEM (510) 의 로봇 (504) 은 EFEM (510) 안팎으로 기판들을 이송한다. 일부 예들에서, 로봇 (504) 은 2 개의 암들을 가질 수도 있고, 암 각각은 단일 엔드 이펙터 또는 2 개의 수직으로 스택된 엔드 이펙터들을 갖는다. 시스템 제어기 (506) 는 로봇들 (502/504) 의 동작, 및 프로세스 모듈들 (508) 의 각각의 인덱서들의 회전, 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는, 예시된 기판 프로세싱 툴 (500) 및 이의 컴포넌트들의 다양한 동작들을 제어할 수도 있다.
툴 (500) 은 예를 들면, 4 개의 프로세스 모듈들 (508) 각각과 인터페이싱하도록 구성된다. 프로세스 모듈 (508) 각각은 각각의 슬롯 (512) 을 통해 접근 가능한 단일 로드 스테이션을 가질 수도 있다. 이 예에서, VTM (516) 의 측면들 (514) 은 각을 이루지 않는다 (즉, 측면들 (514) 은 실질적으로 직선이거나 평면이다). 다른 배치들도 가능하다. 예시된 방법에서, 각각 단일 로드 스테이션을 갖는 2 개의 프로세스 모듈들 (508) 은 VTM (516) 의 측면들 (514) 각각에 커플링된다 (coupled). 따라서, EFEM (510) 은 2 개의 프로세스 모듈들 (508) 사이에 적어도 부분적으로 배치될 수도 있다.
프로세스 모듈 (508) 에서 기판 프로세싱 동안, 프로세싱 가스들은 예를 들면, 플라즈마 생성을 보조하도록 모듈에 들어간다. 이어서 가스들은 프로세스 모듈 (508) 을 빠져나간다. 배기 가스들의 배출은 본 명세서에서 포어라인으로 또한 지칭되는 진공 또는 배기 라인에 의해 수행될 수도 있다. 포어라인 어셈블리에서 하나 이상의 포어라인들은 프로세싱 모듈 (508) 각각 밑에 놓여 있을 수도 있고 프로세스 모듈 (508) 로부터 가스들을 배출하도록 진공 소스에 연결될 수도 있다.
도 6 내지 도 8은 일반적으로 QSM (600) 의 밑면에 피팅된 (fitted) 포어라인 어셈블리 (606) 및 관련 부품의 예시적인 구성을 도시한다. 예시적인 QSM (600) 은 도 6에 화도로 (pictorially) 도시된다. 일부 QSM (600) 부품들이 명확성을 위해 생략되었다. QSM (600) 은 QSM (600) 의 각각의 코너 스테이션들에 일반적으로 정사각형 모양의 구성으로 배치된 4 개의 프로세스 모듈들 (또는 프로세스 챔버들, 또는 프로세스 스테이션들) (608) 을 포함한다. 프로세스 모듈들 (608) 의 다른 배치들도 가능하다. QSM (600) 에서 프로세스 모듈 (608) 각각은 프로세싱 동안 기판 또는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지부 (610) 를 포함한다. 일부 예들에서, 웨이퍼 지지부 (610) 는 페데스탈 (pedestal) 또는 척 (chuck) 을 포함한다. 다른 타입들의 웨이퍼 지지부 또는 컴포넌트들은 웨이퍼들에 상이한 타입들의 프로세스들을 수행하기 위해 프로세스 모듈 (608) 에서 웨이퍼들을 지지하도록 사용될 수도 있다.
프로세스 모듈 (608) 각각은 리프트 핀들을 상향 이동시킬 수 있고 웨이퍼 이송 동안 웨이퍼를 언시트할 (unseat) 수 있는 각각의 리프트 핀 액추에이터 어셈블리 (612) 를 포함한다. 리프트 핀 액추에이터 어셈블리 (612) 는 eDSC를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, eDSC는 일반적으로 프로세스 챔버 외부 및 스테이션 (608) 각각의 아래에 포지셔닝되고 페데스탈 (610) 및 그 지지 메커니즘과 상호작용한다.
기판 프로세싱 툴 (600) 은 일 웨이퍼 지지부 (610) 로부터 다른 웨이퍼 지지부 (610) 로 웨이퍼들을 이송할 수 있는 스핀들 (spindle) (602) 을 포함한다. 스핀들 (602) 은 도 7에서 보다 명확하게 볼 수 있는 스핀들 모터 (704) 에 의해 구동될 수도 있다. 명확성을 위해, 스핀들 (602) 이 작동할 수 있는 이송 플레이트이 도면에 도시되지 않았다. 이송 플레이트는 웨이퍼 이송 페이즈 동안 회전될 수도 있고 이 페이즈 동안 웨이퍼의 운동은 다른 웨이퍼 이송 메커니즘들, 예를 들어 도 5 의 이송 로봇들 (502/504) 에 의해 부여된 웨이퍼 운동들과 조정될 수도 있다.
포어라인 어셈블리 (606) 의 일 섹션은 도 6에서 QSM (600) 아래에서 볼 수 있다. 이 섹션은 포어라인 어셈블리의 “제 3 섹션” 이며 아래에 보다 상세히 기술된다. 포어라인 어셈블리 (606) 는 진공 소스 (604) 및 콤비네이션 (combination) 제어 밸브 (614) 와 같은 다른 다운스트림 (downstream) 컴포넌트들에 직접 또는 간접적으로 연결 가능한 하부 유출구 (616) 를 포함한다. 웨이퍼 프로세싱 동안, 포어라인 어셈블리 (606) 는 웨이퍼 또는 기판 프로세싱 동안 프로세스 모듈들 (608) (프로세스 챔버들) 각각 및 전체로서 QSM 으로부터 배기 가스들을 배출한다.
도 7은 QSM (600) 의 밑면 및 관련 컴포넌트들의 개략도이다. 포어라인 어셈블리 (606) 및 리프트 핀 액추에이터 어셈블리들 (612) 의 밑면도들이 보여질 수도 있다. RF 필터 박스 (611) 가 리프트 핀 액추에이터 어셈블리 (612) 각각에 부착된다. 아래에 보다 상세히 기술된 바와 같이, 포어라인 어셈블리 (606) 의 (상부) 유입구 (712) 각각이 각각의 챔버 포트에서 각각의 프로세스 모듈 (챔버) (608) 에 연결된다.
포어라인 어셈블리 (606) 의 예시된 구성은 스핀들 (602) (또는 스핀들 모터 (704)) 의 축에 대한 리프트 핀 액추에이터 어셈블리들 (612) 의 배향을 위한 공간이 동일하게 유지되게 한다―즉, 리프트 핀 액추에이터 어셈블리들이 동일한 방향으로 스핀들 (602) 주위의 가상의 동심원 링을 따른다―는 점이 주목될 수도 있다. 포어라인 어셈블리 (606) 의 (하부) 유출구 (616) 는 진공 소스 (604) 및 제어 밸브 (614) 에 직접 또는 간접적으로 연결 가능하다. QSM (600) 은 도시된 바와 같이 QSM (600) 에 공급하기 위한 다양한 컴포넌트들 및 공급 라인들 (702), 커넥터들 (706), 제어 배선 (708), 및 다른 모듈들 (710) 을 포함할 수도 있다. 다른 부품 및 QSM 배치들도 가능하다.
도 8은 QSM (600) 의 밑면에 피팅된 예시적인 포어라인 어셈블리 (606) 의 추가 화도 (pictorial view) 를 도시한다. 포어라인 어셈블리 (606), 스핀들 모터 (704), 및 리프트 핀 액추에이터 어셈블리들 (612) 은 도면에서 다시 볼 수 있다. 포어라인 어셈블리 (606) 의 예시된 구성은 QSM (600) 아래에 포지셔닝된 스핀들 모터 (704) 및 다른 프로세스 지지부 컴포넌트들 주위에 상당한 여유 공간을 허용한다는 점이 주목될 수도 있다. 위에서 논의된 리프트 핀 액추에이터 어셈블리들 (612) 의 일관된 배향 및 이러한 여유 공간은 QSM (600) 의 유지 보수 동안 또는 웨이퍼 프로세싱 사이클들 사이에 오퍼레이터들에게 QSM (600) 에의 접근 용이성 및 대체 부품 균일성을 가능하게 할 수도 있다.
도 9 및 도 10은 QSM에 피팅되지 않은 포어라인 어셈블리 (606) 의 화도들을 도시한다. 예시된 포어라인 어셈블리 (606) 는 이 예에서 챔버 포트들 (712) 을 포함하는 4 개의 유입구들을 포함한다. 다른 유입구 수들 또는 구성들이 프로세스 요건들에 따라 가능하다. 예를 들면, 2-인치 유입구 (712) 는 인시츄 (in-situ) 프로세스 모듈 (챔버) (608) 의 기존 포트들에 포어라인 어셈블리 (606) 의 수정되지 않은 피팅을 용이하게 할 수 있도록 4-인치 챔버 포트를 포함할 수도 있다. 포어라인 어셈블리 (606) 의 유출구 (616) 는 진공 소스 (604) 에 직접 또는 간접적으로 연결 가능하다. 포어라인 어셈블리 (606) 를 통한 진공 압력 및 배기 가스 플로우는 콤비네이션 제어 밸브 (614) 와 같은 제어 밸브에 의해 조절될 수 있다.
일부 예들에서, 포어라인 어셈블리 (606) 의 포어라인들은 3 개의 분기점들 (bifurcations) 을 포함한다. 예를 들면, 제 1 또는 주 분기점 (902) 은 유출구 (616) 에 근접하게 제공된다. 제 1 분기점 (902) 에서, 상대적으로 큰 직경 파이프 섹션은 도 9의 예로 예시된 바와 같이, 2 개의 상대적으로 보다 작은 파이프 섹션들 (908) 에 결합한다 (joins). 예를 들어 도면에 도시된 바와 같이, 프로세스 모듈들 (608) 에 보다 가까운 2 개의 (현재 분기된) 포어라인들 (908) 의 각각의 직경들은 대략 동일할 수도 있다. 일부 예들에서, 각각의 파이프 직경들은 프로세싱 플로우 또는 압력 요건들에 따라 상이할 수도 있다. 제 1 분기점 (902) 은 분기된 포어라인들 (908) 로의 보다 균일한 분배를 위해 진공 압력을 균등화하기 위한 (equalize) 플레넘 챔버 (922) 를 포함할 수도 있다. 프로세스 모듈들 (608) 로부터 외주 아래로의 배기 가스 플로우의 방향의 대안적인 관점으로부터, 제 1 분기점 (902) 의 업스트림의 2 개의 포어라인들 (908) 은 하나의 라인으로 병합되고 배기 가스들은 하나의 가스 스트림을 형성한다.
도시된 바와 같이, 포어라인 어셈블리의 2 개의 제 2 분기점들 (904) 은 제 1 분기점 (902) 과 유입구들 (712) 의 각각의 쌍들 사이에 배치된다. 2 개의 제 2 분기점들 (904) 중 하나만이 도 9의 도면에 완전히 보인다. 일부 예들에서, 제 1 분기점 (902) 및 제 2 분기점 (904) 은 포어라인 어셈블리 (606) 의 포어라인들을 섹션들: 유입구들 (712) 로부터 2 개의 제 2 분기점들 (904) 로 연장하는 제 1 섹션 (906), 제 2 분기점들 (904) 로부터 제 1 분기점 (902) 으로 연장하는 제 2 섹션 (908), 및 제 1 분기점 (902) 으로부터 포어라인 어셈블리 (606) 의 유출구 (616) 로 연장하는 제 3 섹션 (910) 으로 분할한다.
제 1 섹션 (906) 의 포어라인의 직경은 38.1 mm (대략 1.5 인치) 내지 63.5 mm (대략 2.5 인치) 범위일 수도 있다. 제 2 섹션 (908) 의 포어라인의 직경은 63.5 mm (대략 2.5 인치) 내지 88.9 mm (대략 3.5 인치) 의 범위일 수도 있다. 제 3 섹션 (910) 의 포어라인의 직경은 88.9 mm (대략 3.5 인치) 내지 114.3 mm (대략 4.5 인치) 의 범위일 수도 있다. 예시된 예에서, 2-3-4 포어라인 어셈블리 (606) 가 도시되고, 이는 포어라인 어셈블리 (606) 의 제 1 섹션 (906) 에서 2-인치 라인, 제 2 섹션 (908) 에서 3-인치 라인, 및 제 3 섹션 (910) 에서 4-인치 라인의 이용을 나타낸다. 다른 라인 구성들도 가능하다. 일부 예들에서, 유입구 (712) 또는 커넥터 사이의 섹션 각각 (906, 908 및 910) 의 라인 각각의 직경은 전반적으로 실질적으로 균일하다.
일부 예들에서, T-피스 커넥터 (912) 가 제 2 분기점 (904) 각각에 제공된다. 예시적인 T-피스 커넥터 (912) 는 도시된 바와 같이, 3-인치 포어라인의 직경을 2-인치 포어라인의 직경으로 (또는 그 반대로 배기 가스 플로우의 방향으로) 전이하는 (transition) 2 개의 외측으로 수렴하는 원추형 섹션들을 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, T-피스 커넥터 (912) 와 QSM (600) 의 밑면 사이의 이격 거리 또는 위치는 다른 컴포넌트들, 예를 들어 리프트 핀 액추에이터 어셈블리 (612), RF 필터 박스 (611), 스핀들 모터 (704), mDSC 모터, 또는 eDSC 모터를 수용하도록 선택될 수도 있다.
제 1 섹션 (906) 에서, 포어라인 어셈블리 (606) 는 포어라인들을 따라 간격을 두고 배치된 3 개의 실질적으로 직각 엘보우들 (914) 을 각각 포함하는 4 개의 포어라인들을 포함한다. 엘보우들은 유입구 (712) 각각과 각각의 제 2 분기점 (904) 사이에 제공된다. 일부 예들에서, 제 1 섹션 (906) 의 포어라인들은 일반적으로 연속적이며 분리 가능한 조인트들 (joints) 또는 유니온들 (unions) 은 제공되지 않는다. 다른 배치들도 가능하다.
제 2 섹션 (908) 에서, 포어라인 어셈블리 (606) 는 제 1 분기점 (902) 과 제 2 분기점 (904) 사이에 배치된 하나의 실질적으로 직각 엘보우 (916) 를 각각 포함하는 2 개의 포어라인들을 포함한다. 일부 예들에서, 분리 가능한 유니온 (918) 은 엘보우 (916) 각각의 상부 단부에 또는 엘보우 (916) 각각의 상부 단부를 향하여 제공된다. 유니온 (918) 각각은 도시된 바와 같이, 엘보우 (916) 각각을 T-피스 커넥터 (912) 의 출구 포트에 결합하도록 함께 볼트로 결합될 수 있는 2 개의 대향 플랜지들 (920) 을 포함할 수도 있다. 플랜지들 (920) 은 수평면들에 놓이고 엘보우 (916) 위의 플랜지들의 포지셔닝은 제 2 섹션 (908) 에서의 상이한 “우원 (right-handed)”또는 “좌원 (left-handed)”엘리먼트들이 방지된다는 점에서 제 2 섹션 (908) 의 양쪽 절반들에 대해 대칭을 만든다. 너트들 또는 볼트들이 QSM (600) 바로 밑에서부터 접근될 수 있기 때문에, 그렇게 하기 위해 측면 공간을 필요로 하지 않고, 플랜지들 (920) 의 수평 배향은 또한 오퍼레이터 (operator) 로 하여금 유니온 (918) 을 고정하기 위해 플랜지들 (920) 을 수직으로 통과하는 너트들 또는 볼트들에 쉽게 접근하게 한다. 이러한 유니온 (918) 및 플랜지들 (920) 의 수평 배향은 전술한 바와 같이 스핀들 모터 (704) 주위의 개선된 간격과 함께 QSM (600) 의 오퍼레이터 유지 보수의 용이성에 더 도움이 된다.
포어라인 어셈블리 (606) 의 제 3 섹션 (910) 은 상기 참조된 플레넘 챔버 (922) 및 플레넘 챔버 (922) 로부터 포어라인 어셈블리 (606) 의 유출구 (616) 로 연장하는 상대적으로 짧은 길이의 큰 직경 포어라인을 포함할 수도 있다.
도 11을 참조하면, 일부 예들에서 포어라인 어셈블리 (606) 는 스풀 피스 (spool piece) (1104) 를 포함하거나 이에 연결 가능하다. 스풀 피스 (1104) 는 진공 소스 (604) 와 포어라인 어셈블리 (606) 의 유출구 (616) 사이에 개재될 수도 있다. 편의상, 예시적인 스풀 피스 (1104) 는 진공 소스 (604) 의 방향을 가리키는 지표 (indicator) (1102) 를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 스풀 피스 (1104) 는 슬로우-펌프 유입구 (1106), TEOS 전환기 (1108), 및 가스 박스 전환기 (1110) 를 포함한다. 일부 예들에서, 스풀 피스 (1104) 는 스풀피스 (1104) 의 오퍼레이터 서비스 가능성 (serviceability) 및 조정 용이성을 가능하게 하도록 프리커서 또는 다른 전환기 (1112), 헤이스팅스 게이지 포트 (1114), 및 벨로우즈 (1116) 를 포함한다.
일부 실시 예들은 방법들을 포함한다. 도 12를 참조하면, QSM을 위한 포어라인 어셈블리를 제조하는 방법 (1200) 은 동작 1202에서, 포어라인 어셈블리에 4 개의 유입구들을 제공하고, 유입구 각각은 QSM의 프로세스 모듈의 챔버 포트에 연결 가능함; 동작 1204에서, 포어라인 어셈블리에 유출구를 제공하고, 유출구는 진공 소스에 직접 또는 간접적으로 연결 가능함; 동작 1206에서, 포어라인 어셈블리에 제 1 포어라인 분기점을 제공하고, 제 1 포어라인 분기점은 포어라인 어셈블리의 유출구에 근접하게 배치됨; 동작 1208에서, 포어라인 어셈블리에 2 개의 제 2 분기점들을 제공하고, 제 2 분기점 각각은 제 1 포어라인 분기점과 유입구들의 각각의 한 쌍 사이에 배치됨; 동작 1210에서, 제 1 분기점 및 제 2 분기점은 포어라인 어셈블리를 3 개의 섹션들: 유입구들로부터 제 2 분기점들로 연장하는 제 1 섹션, 제 2 분기점들로부터 제 1 분기점로 연장하는 제 2 섹션, 제 1 분기점으로부터 포어라인 어셈블리의 유출구로 연장하는 제 3 섹션으로 분할함; 및 동작 1212에서, 섹션 각각의 포어라인의 각각의 직경은 포어라인 어셈블리의 유입구들 중 적어도 하나로부터 유출구로의 가스 플로우의 방향에서의 각각의 분기점에서 단계적으로 증가하고, 포어라인 어셈블리의 각각의 섹션 내에서 일정한 단계를 포함한다.
일부 예들에서, 방법 (1200) 은 38.1 mm (대략 1.5 인치) 내지 63.5 mm (대략 2.5 인치) 의 범위인 제 1 섹션에서의 포어라인의 직경을 제공하는 단계; 63.5 mm (대략 2.5 인치) 내지 88.9 mm (대략 3.5 인치) 의 범위인 제 2 섹션에서의 포어라인 직경을 제공하는 단계; 및 88.9 mm (대략 3.5 인치) 내지 114.3 mm (대략 4.5 인치) 의 범위인 제 3 섹션에서의 포어라인 직경을 제공하는 단계를 더 포함한다.
일부 예들에서, 방법 (1200) 은 50.8 mm (약 2 인치) 인 제 1 섹션에서의 포어라인의 직경을 제공하는 단계; 76.2 mm (약 3 인치) 인 제 2 섹션에서의 포어라인의 직경을 제공하는 단계; 및 101.6 mm (약 4 인치) 인 제 3 섹션에서의 포어라인의 직경을 제공하는 단계를 더 포함한다.
일부 예들에서, 방법 (1200) 은 제 2 분기점들의 각각에 T-피스 커넥터를 제공하는 단계를 더 포함한다.
일부 예들에서, 방법 (1200) 은 제 1 섹션에서의 포어라인의 직경에서 제 2 섹션에서의 포어라인의 직경으로 전이하는 적어도 하나의 외향으로 수렴하는 원추형 섹션을 T-피스 커넥터에 포함하는 단계를 더 포함한다.
실시 예들이 특정 예시적인 실시 예들 또는 방법들을 참조하여 기술되었지만, 실시 예들의 보다 넓은 범위를 벗어나지 않고 이러한 실시 예들에 다양한 수정들 및 변경들이 이루어질 수 있음이 명백할 것이다. 따라서, 명세서 및 도면들은 제한적인 의미가 아니라 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 본 명세서의 일부를 형성하는 첨부된 도면들은 제한이 아니라 예시로서 주제가 실시될 수도 있는 특정 실시 예들을 도시한다. 예시된 실시 예들은 당업자로 하여금 본 명세서에 개시된 교시들을 실시할 수 있게 하도록 충분히 상세하게 기술된다. 다른 실시 예들은 본 개시의 범위를 벗어나지 않으면서 구조적 및 논리적 대체들 및 변경들이 이루어질 수도 있도록 활용 및 파생될 수도 있다. 따라서, 이 상세한 기술은 제한적인 의미로 받아들여져서는 안 되며, 다양한 실시 예들의 범위는 그러한 청구 범위들에 의해 자격이 부여되는 등가물들의 전체 범위와 함께 첨부된 청구 범위들에 의해서만 규정된다.
본 발명의 주제의 이러한 실시 예들은 2 이상이 실제로 개시되면 본 출원의 범위를 임의의 단일 발명 또는 발명의 개념으로 자의적으로 제한하려는 의도 없이 단지 편의를 위해 “발명”이라는 용어에 의해 개별적으로 및/또는 집합적으로 참조될 수도 있다. 따라서, 특정 실시 예들이 본 명세서에 예시되고 기술되었지만, 동일한 목적을 달성하도록 계산된 임의의 배치가 도시된 특정 실시 예들을 대체할 수도 있음이 이해되어야 한다. 본 개시는 다양한 실시 예들의 임의의 및 모든 적응들 또는 변형들을 포함하도록 의도된다. 상기 실시 예들의 조합들, 및 본 명세서에 구체적으로 개시되지 않은 다른 실시 예들은 상기 기술을 검토할 때 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (20)

  1. 쿼드 스테이션 프로세스 모듈 (quad station process module; QSM) 을 위한 포어라인 어셈블리 (foreline assembly) 에 있어서,
    각각의 QSM의 프로세스 모듈의 챔버 포트에 연결가능한 4 개의 유입구들;
    진공 소스에 직접 또는 간접적으로 연결가능한 유출구;
    포어라인 어셈블리의 상기 유출구에 근접하게 배치된 제 1 포어라인 분기점 (bifurcation);
    2 개의 제 2 분기점들로서, 각각 상기 제 1 포어라인 분기점과 각각의 한 쌍의 상기 유입구들 사이에 배치된, 상기 2 개의 제 2 분기점들을 포함하고,
    상기 제 1 분기점 및 상기 제 2 분기점은 상기 포어라인 어셈블리를 3 개의 섹션들: 상기 유입구들로부터 상기 2 개의 제 2 분기점들로 연장하는 제 1 섹션, 상기 2 개의 제 2 분기점들로부터 상기 제 1 분기점으로 연장하는 제 2 섹션, 및 상기 제 1 분기점으로부터 상기 포어라인 어셈블리의 상기 유출구로 연장하는 제 3 섹션으로 분할하고,
    섹션 각각의 포어라인의 각각의 직경은,
    상기 포어라인 어셈블리의 상기 유입구들 중 적어도 하나로부터 상기 포어라인 어셈블리의 상기 유출구로 가스 플로우의 방향으로 각각의 분기점에서 단계적으로 증가하고, 그리고
    상기 포어라인 어셈블리의 각각의 섹션 내에서 일정한, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 섹션에서 포어라인의 직경은 38.1 mm (대략 1.5 인치) 내지 63.5 mm (대략 2.5 인치) 의 범위이고, 상기 제 2 섹션에서 포어라인의 직경은 63.5 mm (대략 2.5 인치) 내지 88.9 mm (대략 3.5 인치) 의 범위이고, 그리고 상기 제 3 섹션에서 포어라인의 직경은 88.9 mm (대략 3.5 인치) 내지 114.3 mm (대략 4.5 인치) 의 범위인, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 섹션에서 상기 포어라인의 상기 직경은 50.8 mm (대략 2 인치) 이고, 상기 제 2 섹션에서 상기 포어라인의 상기 직경은 76.2 mm (대략 3 인치) 이며, 그리고 상기 제 3 섹션에서 상기 포어라인의 상기 직경은 101.6 mm (대략 4 인치) 인, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 분기점들의 각각에 제공된 T-피스 커넥터 (T-piece connector) 를 더 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 T-피스 커넥터는 상기 제 1 섹션에서의 상기 포어라인의 상기 직경에서 상기 제 2 섹션에서의 상기 포어라인의 상기 직경으로 전이하는 (transition) 외측으로 수렴하는 원추형 섹션들을 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 T-피스 커넥터와 상기 QSM의 밑면 사이의 이격 거리는 상기 T-피스 커넥터와 상기 QSM의 밑면 사이에 컴포넌트를 수용하도록 구성되는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 포어라인 어셈블리의 상기 제 1 섹션은 각각 상기 포어라인들을 따라 간격을 두고 배치된 3 개의 실질적으로 직각인 엘보우들을 포함하는 4 개의 포어라인들을 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  8. 제 7 항에 있어서,
    엘보우 각각은 각각의 유입구와 각각의 제 2 분기점 사이에 제공되는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 섹션에서의 상기 포어라인들은 일반적으로 연속적이며 분리 가능한 조인트들 (joints) 또는 유니온들 (unions) 이 없는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 포어라인 어셈블리의 상기 제 2 섹션은 각각 상기 제 1 분기점과 각각의 제 2 분기점 사이에 배치된 하나의 실질적으로 직각인 엘보우를 포함하는 2 개의 포어라인들을 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  11. 제 10 항에 있어서,
    직각 엘보우의 각각의 상부 단부에 또는 직각 엘보우의 각각의 상부 단부를 향하여 제공되는 분리 가능한 유니온을 더 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  12. 제 11 항에 있어서,
    유니온 각각은 2 개의 대향하는 (opposed) 플랜지들을 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 대향하는 플랜지들 각각은 상기 QSM에 피팅될 (fitted) 때 수평면에 놓이는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 포어라인 어셈블리의 상기 제 3 섹션은 플레넘 챔버 (plenum chamber) 를 포함하고, 상기 플레넘 챔버는 상기 제 1 분기점에 제공되는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  15. 제 1 항에 있어서,
    스풀 피스를 더 포함하고, 상기 스풀 피스는 슬로우-펌프 유입구 (slow-pump inlet), 테트라에틸 오소실리케이트 또는 테트라에톡시실란 (TEOS) 전환기 (divert), 가스 박스 전환기, 전구체 또는 다른 전환기, 헤이스팅스 (Hastings) 게이지 포트, 및 벨로우즈 중 하나 이상을 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리.
  16. QSM을 위한 포어라인 어셈블리를 제조하는 방법에 있어서,
    QSM을 위한 포어라인 어셈블리에 4 개의 유입구들을 제공하는 단계로서, 유입구 각각은 상기 QSM의 프로세스 모듈의 챔버 포트에 연결 가능한, 상기 유입구 제공 단계;
    상기 포어라인 어셈블리에 유출구를 제공하는 단계로서, 상기 유출구는 직접적 또는 간접적으로 진공 소스에 연결 가능한, 상기 유출구 제공 단계;
    상기 포어라인 어셈블리에 제 1 포어라인 분기점을 제공하는 단계로서, 상기 제 1 포어라인 분기점은 상기 포어라인 어셈블리의 상기 유출구에 근접하게 배치된, 상기 제 1 포어라인 분기점 제공 단계;
    상기 포어라인 어셈블리에 2 개의 제 2 분기점들을 제공하는 단계로서, 제 2 분기점 각각은 상기 제 1 포어라인 분기점과 상기 유입구들 각각의 쌍 사이에 배치된, 상기 2 개의 제 2 분기점들을 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 분기점 및 상기 제 2 분기점은 상기 포어라인 어셈블리를 3 개의 섹션들: 상기 유입구들로부터 2 개의 상기 제 2 분기점들로 연장하는 제 1 섹션, 2 개의 상기 제 2 분기점들로부터 상기 제 1 분기점으로 연장하는 제 2 섹션, 그리고 상기 제 1 분기점으로부터 상기 포어라인 어셈블리의 상기 유출구로 연장하는 제 3 섹션으로 분할하고,
    섹션 각각의 포어라인의 각각의 직경은,
    상기 포어라인 어셈블리의 유입구들 중 적어도 하나로부터 상기 유출구로의 가스 플로우의 방향으로 각각의 분기점에서 단계적으로 증가하고, 그리고
    상기 포어라인 어셈블리의 각각의 섹션 내에서 일정한, QSM을 위한 포어라인 어셈블리 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    38.1 mm (대략 1.5 인치) 내지 63.5 mm (대략 2.5 인치) 범위의 상기 제 1 섹션의 포어라인의 직경을 제공하는 단계, 63.5 mm (대략 2.5 인치) 내지 88.9 mm (대략 3.5 인치) 범위의 상기 제 2 섹션의 포어라인의 직경을 제공하는 단계, 및 88.9 mm (대략 3.5 인치) 내지 114.3 mm (대략 4.5 인치) 범위의 상기 제 3 섹션의 포어라인의 직경을 제공하는 단계를 더 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    50.8 mm (대략 2 인치) 의 상기 제 1 섹션의 상기 포어라인의 상기 직경을 제공하는 단계, 76.2 mm (대략 3 인치) 의 상기 제 2 섹션의 상기 포어라인의 상기 직경을 제공하는 단계, 및 101.6 mm (대략 4인치) 의 상기 제 3 섹션의 상기 포어라인의 상기 직경을 제공하는 단계를 더 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리 제조 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 2 분기점들 각각에서 T-피스 커넥터를 제공하는 단계를 더 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리 제조 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 섹션에서의 상기 포어라인의 상기 직경에서 상기 제 2 섹션에서의 상기 포어라인의 상기 직경으로 전이하는 적어도 하나의 외측으로 수렴하는 원추형 섹션을 상기 T-피스 커넥터에 포함하는 단계를 더 포함하는, QSM을 위한 포어라인 어셈블리 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021046344A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 株式会社Sumco 半導体結晶製造装置
US20220170151A1 (en) * 2020-12-01 2022-06-02 Applied Materials, Inc. Actively cooled foreline trap to reduce throttle valve drift
JP2022149962A (ja) * 2021-03-25 2022-10-07 東京エレクトロン株式会社 配管構造及び処理装置
WO2023107463A1 (en) * 2021-12-10 2023-06-15 Lam Research Corporation Manifold for supplying coolant to components of substrate processing systems

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6228773B1 (en) * 1998-04-14 2001-05-08 Matrix Integrated Systems, Inc. Synchronous multiplexed near zero overhead architecture for vacuum processes
US9226407B2 (en) * 2002-07-01 2015-12-29 Semigear Inc Reflow treating unit and substrate treating apparatus
US8623141B2 (en) * 2009-05-18 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Piping system and control for semiconductor processing
KR101836915B1 (ko) * 2011-01-19 2018-03-13 주성엔지니어링(주) 완충챔버를 가지는 로드락 챔버 및 이를 포함한 기판처리장치
US10128116B2 (en) * 2016-10-17 2018-11-13 Lam Research Corporation Integrated direct dielectric and metal deposition

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