KR20220099089A - 프로세스 모듈, 기판 처리 시스템 및 처리 방법 - Google Patents

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다카유키 야마기시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 풋프린트를 저감할 수 있는 프로세스 모듈, 기판 처리 시스템 및 처리 방법을 제공한다. 프로세스 모듈은, 프로세스 모듈의 내부에 2행 2열로 레이아웃된 4개의 적재대를 갖고, 레이아웃을 구성하는 행 간격과 열 간격이 다른 치수이다.

Description

프로세스 모듈, 기판 처리 시스템 및 처리 방법{PROCESS MODULE, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND PROCESSING METHOD}
본 개시는, 프로세스 모듈, 기판 처리 시스템 및 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리 시스템에서의 기판(이하, 웨이퍼라고도 함)에 대하여 처리를 행하는 프로세스 모듈로서, 4매의 웨이퍼를 동시에 1개의 챔버에서 처리하는 형태의 프로세스 모듈이 알려져 있다(특허문헌 1).
일본 특허 공개 제2019-087576호 공보
본 개시는, 풋프린트를 저감할 수 있는 프로세스 모듈, 기판 처리 시스템 및 처리 방법을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 프로세스 모듈은, 프로세스 모듈의 내부에 2행 2열로 레이아웃된 4개의 적재대를 갖고, 레이아웃을 구성하는 행 간격과 열 간격이 다른 치수이다.
본 개시에 의하면, 프로세스 모듈 및 기판 처리 시스템의 풋프린트를 저감할 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에서의 기판 처리 시스템의 구성의 일례를 도시하는 개략 평면도이다.
도 2는 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 분해 사시도이다.
도 3은 대기 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 웨이퍼의 보유 지지 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치 내의 웨이퍼의 이동 경로의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 배기 경로의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
이하에, 개시하는 프로세스 모듈, 기판 처리 시스템 및 처리 방법의 실시 형태에 대해서, 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태에 의해 개시 기술이 한정되는 것은 아니다.
4매의 웨이퍼를 동시에 1개의 챔버에서 처리하는 형태의 프로세스 모듈은, 4매의 웨이퍼를 각각 적재하는 적재대도 4개 있기 때문에, 풋프린트도 커진다. 이에 대해, 기판 처리 시스템이 설치되는 공장에서는, 스페이스 효율 향상을 위하여, 풋프린트의 저감이 요구되고 있다. 또한, 프로세스 모듈에 웨이퍼를 반입출하는 진공 반송실에는, 2매의 웨이퍼를 동시에 1개의 챔버에서 처리하는 형태의 프로세스 모듈이 접속되는 경우가 있다. 즉, 진공 반송실에는, 다른 사이즈의 프로세스 모듈이 접속되는 경우가 있다. 이러한 경우, 진공 반송실에 다른 사이즈의 프로세스 모듈 각각에 맞춘 웨이퍼 반송 기구를 마련하게 된다. 그래서, 프로세스 모듈의 풋프린트를 저감함과 함께, 웨이퍼 반송 기구의 공통화를 행하는 것이 기대되고 있다.
(실시 형태)
[기판 처리 시스템의 구성]
도 1은, 본 개시의 일 실시 형태에서의 기판 처리 시스템의 구성의 일례를 도시하는 개략 평면도이다. 도 1에 도시하는 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 포트(11)와, 반입출 모듈(12)과, 진공 반송 모듈(13a, 13b)과, 기판 처리 장치(2, 2a, 2b)를 갖는다. 도 1에서, X 방향을 좌우 방향, Y 방향을 전후 방향, Z 방향을 상하 방향(높이 방향), 반입출 포트(11)를 전후 방향의 앞쪽으로서 설명한다. 반입출 모듈(12)의 앞쪽에는 반입출 포트(11), 반입출 모듈(12)의 안쪽에는 진공 반송 모듈(13a)이 각각 서로 전후 방향을 향해서 접속되어 있다.
반입출 포트(11)에는, 처리 대상의 기판을 수용한 반송 용기인 캐리어가 적재된다. 기판은, 직경이 예를 들어 300mm의 원형 기판인 웨이퍼(W)이다. 반입출 모듈(12)은, 캐리어와 진공 반송 모듈(13a) 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출을 행하기 위한 모듈이다. 반입출 모듈(12)은, 반송 기구(120)에 의해, 상압 분위기 중에서 캐리어와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 상압 반송실(121)과, 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기를 상압 분위기와 진공 분위기 사이에서 전환하는 로드 로크실(122)을 갖는다.
진공 반송 모듈(13a, 13b)은, 진공 분위기가 형성된 진공 반송실(14a, 14b)을 각각 갖는다. 진공 반송실(14a, 14b)의 내부에는, 기판 반송 기구(15a, 15b)가 각각 배치되어 있다. 진공 반송 모듈(13a)과 진공 반송 모듈(13b) 사이는, 진공 반송 모듈(13a, 13b)간에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 패스(16)가 배치되어 있다. 진공 반송실(14a, 14b)은 각각, 예를 들어 평면으로 보아 직사각형으로 형성된다. 진공 반송실(14a)의 4개의 측벽 중, 좌우 방향으로 서로 대향하는 변에는, 기판 처리 장치(2, 2b)가 각각 접속되어 있다. 진공 반송실(14b)의 4개의 측벽 중, 좌우 방향으로 서로 대향하는 변에는, 기판 처리 장치(2a, 2b)가 각각 접속되어 있다.
또한, 진공 반송실(14a)의 4개의 측벽 중, 앞쪽의 변에는 반입출 모듈(12) 내에 설치된 로드 로크실(122)이 접속되어 있다. 상압 반송실(121)과 로드 로크실(122) 사이, 로드 로크실(122)과 진공 반송 모듈(13a) 사이, 진공 반송 모듈(13a, 13b)과 기판 처리 장치(2, 2a, 2b) 사이에는, 게이트 밸브(G)가 배치되어 있다. 게이트 밸브(G)는, 서로 접속되는 모듈에 각각 마련되는 웨이퍼(W)의 반입출구를 개폐한다.
기판 반송 기구(15a)는, 진공 분위기 중에서 반입출 모듈(12)과, 기판 처리 장치(2, 2b)와, 패스(16)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 또한, 기판 반송 기구(15b)는, 진공 분위기 중에서 패스(16)와 기판 처리 장치(2a, 2b) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 기판 반송 기구(15a, 15b)는 다관절 암으로 이루어지고, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 갖는다. 기판 처리 장치(2, 2a, 2b)는, 진공 분위기 중에서 복수매(예를 들어 2매 또는 4매)의 웨이퍼(W)에 대하여 일괄적으로 처리 가스를 사용한 기판 처리를 행한다. 이 때문에, 기판 처리 장치(2, 2a, 2b)에 일괄해서 2매의 웨이퍼(W)를 전달하도록, 기판 반송 기구(15a, 15b)의 기판 보유 지지부는 예를 들어 2매의 웨이퍼(W)를 동시에 보유 지지할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 기판 처리 장치(2, 2a)는, 내부에 마련한 회전 암에 의해, 진공 반송 모듈(13a, 13b)측의 적재대에서 수취한 웨이퍼(W)를 안쪽의 적재대에 반송할 수 있다. 또한, 기판 반송 기구(15a, 15b)는 웨이퍼 반송 기구의 일례이다.
또한, 기판 처리 장치(2, 2a, 2b)는, 적재대의 Y 방향 피치(행 간격)가 피치(Py)로 공통이므로, 진공 반송 모듈(13a, 13b)의 좌우 방향으로 서로 대향하는 변의 어느 장소에도 접속 가능하다. 도 1의 예에서는, 진공 반송 모듈(13a)에 기판 처리 장치(2)와 기판 처리 장치(2b)를 접속하고, 진공 반송 모듈(13b)에 기판 처리 장치(2a)와 기판 처리 장치(2b)를 접속하고 있다. 또한, 기판 처리 장치(2)와 기판 처리 장치(2a)는, 프로세스 애플리케이션에 따른, 1개의 적재대에 대응하는 처리 공간을 포함하는 리액터의 직경이 달라, 적재대의 X 방향 피치(열 간격)인 피치(Px1, Px2)가 다른 기판 처리 장치이다. 또한, 기판 처리 장치(2a)는, 피치(Px2)가 피치(Py)와 동일한 값이다. 즉, 피치(Py)는, 가장 큰 리액터의 사이즈에 대응하고 있다. 즉, 기판 처리 장치(2)는, 기판 처리 장치(2a)보다도 리액터의 사이즈가 작으므로, 피치(Px1)를 피치(Px2)보다도 작게 할 수 있다.
기판 처리 장치(2a)의 내부 구성은, 피치(Px2)가 피치(Px1)와 다른 것에 관한 점을 제외하고 기판 처리 장치(2)와 기본적으로 마찬가지이며, 그 설명을 생략한다. 또한, 기판 처리 장치(2b)는, 적재대를 2개 갖는 타입의 기판 처리 장치이며, 기판 처리 장치(2b) 내에서 웨이퍼의 반송은 행하지 않고, 2매의 웨이퍼를 동시에 반입해서 처리를 행하고, 동시에 반출하는 타입의 기판 처리 장치이다. 또한, 설명의 사정상, 도 1의 XYZ 좌표계에서의 X 방향 피치를 열 간격으로 하고, Y 방향 피치를 행 간격으로 해서 설명하고 있지만, 예를 들어 기판 처리 장치(2, 2a)가 진공 반송 모듈(13b)의 안쪽 변에 배치되는 경우도 있으므로, 이 경우에는 열 간격과 행 간격을 바꾸어서 생각할 필요가 있다. 즉, 어느 쪽이 행이고, 어느 쪽이 열인지는, 기판 처리 장치(2, 2a)가 진공 반송 모듈(13a, 13b)에 접하는 면을 기준으로 생각할 필요가 있다.
기판 처리 시스템(1)은 제어부(8)를 갖는다. 제어부(8)는, 예를 들어 프로세서, 기억부, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이다. 제어부(8)는, 기판 처리 시스템(1)의 각 부를 제어한다. 제어부(8)는, 입력 장치를 사용하여, 오퍼레이터가 기판 처리 시스템(1)을 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행할 수 있다. 또한, 제어부(8)에서는, 표시 장치에 의해, 기판 처리 시스템(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시할 수 있다. 또한, 제어부(8)의 기억부에는, 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종 처리를 프로세서에 의해 제어하기 위한 제어 프로그램, 및 레시피 데이터 등이 저장되어 있다. 제어부(8)의 프로세서가 제어 프로그램을 실행하고, 레시피 데이터에 따라서 기판 처리 시스템(1)의 각 부를 제어함으로써, 원하는 기판 처리가 기판 처리 시스템(1)에서 실행된다.
[기판 처리 장치의 구성]
이어서, 도 2 내지 도 7을 사용하여, 기판 처리 장치(2)를, 예를 들어 웨이퍼(W)에 플라스마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리를 행하는 성막 장치에 적용한 예에 대해서 설명한다. 또한, 기판 처리 장치(2)는 프로세스 모듈의 일례이다. 도 2는, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 분해 사시도이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(2)는, 평면으로 보아 직사각형의 처리 용기(진공 용기)(20)를 구비하고 있다. 처리 용기(20)는, 내부를 진공 분위기로 유지 가능하게 구성된다. 처리 용기(20)는, 후술하는 가스 공급부(4) 및 매니폴드(36)로 상면의 개방부를 폐색해서 구성된다. 또한, 도 2에서는, 처리 공간(S1 내지 S4)과, 회전 암(3)의 관계를 알기 쉽도록, 내부의 격벽 등을 생략하고 있다. 처리 용기(20)는, 진공 반송실(14a 또는 14b)에 접속되는 측의 측면에는, Y 방향으로 배열되도록 2개의 반입출구(21)가 형성되어 있다. 반입출구(21)는 게이트 밸브(G)에 의해 개폐된다.
처리 용기(20)의 내부에는, 복수의 처리 공간(S1 내지 S4)이 마련되어 있다. 처리 공간(S1 내지 S4)에는 각각 적재대(22)가 배치되어 있다. 적재대(22)는, 상하 방향으로 이동 가능하여, 웨이퍼(W)의 처리 시에는 상부로 이동하고, 웨이퍼(W)의 반송 시에는 하부로 이동한다. 처리 공간(S1 내지 S4)의 하부에는, 처리 공간(S1 내지 S4)을 접속하여, 회전 암(3)에 의해 웨이퍼(W)의 반송이 행하여지는 반송 공간(T)이 마련되어 있다. 또한, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 반송 공간(T)은, 각 반입출구(21)와 접속되어, 기판 반송 기구(15a, 15b)에 의해 진공 반송실(14a, 14b)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출이 행하여진다.
처리 공간(S1 내지 S4)의 각 적재대(22)는, 상면측에서 보았을 때, 2행 2열로 레이아웃되어 있다. 당해 레이아웃은, 행 간격과 열 간격이 다른 치수로 되어 있다. 즉, 적재대(22)의 Y 방향 피치(행 간격)의 피치(Py)와, X 방향 피치(열 간격)의 피치(Px1)를 비교하면, 피치(Py)>피치(Px1)로 되어 있다.
도 3은, 대기 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 도 4는, 웨이퍼의 보유 지지 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 회전 암(3)은, 적재대(22) 각각에 적재하는 웨이퍼(W)를 보유 지지 가능한 4개의 엔드 이펙터(32)와, 2행 2열의 레이아웃의 중심 위치에 회전축이 위치하는 베이스 부재(33)를 갖는다. 4개의 엔드 이펙터(32)는, X 형상으로 되도록 베이스 부재(33)에 접속된다. 회전 암(3)에서의 X 형상은, 도 4에 도시하는 웨이퍼(W)의 보유 지지 위치에 있어서, X 형상의 행 간격에 대응하는 Y 방향의 치수와, 상기 열 간격에 대응하는 X 방향의 치수가 다른 구성으로 되어 있다.
회전 암(3)은, 도 3에 도시하는 대기 위치에 있어서, 처리 공간(S1 내지 S4) 각각의 사이에 위치함으로써, 각 적재대(22)의 상하 방향의 이동을 방해하지 않는다. 도 3에서는, 각 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재된 상태이다. 이 상태에서 예를 들어 1열째와 2열째의 웨이퍼(W)를 교체하도록 반송하는 경우, 즉, 처리 공간(S1, S2)의 웨이퍼(W)를 처리 공간(S3, S4)에 반송하고, 처리 공간(S3, S4)의 웨이퍼(W)를 처리 공간(S1, S2)에 반송하는 경우의 회전 암(3)의 움직임에 대해서 설명한다.
먼저, 각 적재대(22)를 하측의 반송 공간(T)의 전달 위치까지 이동시키고, 각 적재대(22)에 마련된 후술하는 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 들어 올린다. 이어서, 회전 암(3)을 시계 방향으로 약 30° 회전시켜서, 도 4에 도시하는 바와 같이 각 엔드 이펙터(32)를 적재대(22)와 웨이퍼(W) 사이에 삽입한다. 계속해서, 리프트 핀(26)을 하강시켜서 각 엔드 이펙터(32)에 웨이퍼(W)를 적재한다. 이어서, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜서, 각 적재대(22) 상의 보유 지지 위치에 웨이퍼(W)를 반송한다. 각 적재대(22)가 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 수취하면, 회전 암(3)을 반시계 방향으로 약 30° 회전시켜서 대기 위치로 이동한다. 이와 같이, 회전 암(3)에 의해, 1열째와 2열째의 웨이퍼(W)를 교체하도록 반송할 수 있다. 이에 의해, 예를 들어 처리 공간(S1, S2)과, 처리 공간(S3, S4)에서 다른 처리를 반복하는 경우(예를 들어, 성막 처리와 어닐 처리를 반복하는 경우)에 있어서, 웨이퍼(W)의 반송에 관한 시간을 단축할 수 있다.
도 5는, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치 내의 웨이퍼의 이동 경로의 일례를 도시하는 도면이다. 도 5에서는, 진공 반송실(14a)로부터 기판 처리 장치(2)의 내부에 웨이퍼(W)를 반송하는 경우의 이동 경로를 설명한다. 먼저, 진공 반송실(14a)의 기판 반송 기구(15a)에 의해, 경로(F1)로 나타내는 바와 같이, 동일한 열의 적재대(22)에 대응하는 처리 공간(S1, S2)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 있어서, 각 적재대(22)에 2매 동시에 웨이퍼(W)가 반입된다. 처리 공간(S1, S2)의 각 적재대(22)가 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 수취한다.
이어서, 회전 암(3)을 대기 위치로부터 시계 방향으로 약 30° 회전시켜서, 엔드 이펙터(32)를 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)와 웨이퍼(W) 사이에 삽입하고, 리프트 핀(26)을 하강시켜서 각 엔드 이펙터(32)에 웨이퍼(W)를 적재한다. 웨이퍼(W)를 적재하면, 경로(F2)로 나타내는 바와 같이, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜서, 처리 공간(S3, S4)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 있는 적재대(22) 상(회전 암(3)의 보유 지지 위치)에 웨이퍼(W)를 반송한다. 처리 공간(S3, S4)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)가, 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 수취하면, 회전 암(3)을 반시계 방향으로 약 30° 회전시켜서 대기 위치로 이동한다. 이 상태에서, 처리 공간(S1, S2)의 적재대(22)에는 웨이퍼(W)가 적재되어 있지 않고, 처리 공간(S3, S4)의 적재대(22)에는 웨이퍼(W)가 적재되어 있다. 계속해서, 진공 반송실(14a)의 기판 반송 기구(15a)에 의해, 경로(F1)로 나타내는 바와 같이, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있어서, 각 적재대(22)에 2매 동시에 웨이퍼(W)가 반입되어, 처리 공간(S1, S2)의 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재됨으로써, 처리 공간(S1 내지 S4)의 모든 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재된다.
반출 시도 마찬가지로, 먼저, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)를, 기판 반송 기구(15a)에 의해 진공 반송실(14a)에 먼저 반출한다. 이어서, 처리 공간(S3, S4)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)를, 회전 암(3)에 의해 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 반송한다. 계속해서, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)를, 기판 반송 기구(15a)에 의해 진공 반송실(14a)에 반출한다. 이와 같이, 2매 동시에 웨이퍼(W)를 반입출 가능한 기판 반송 기구(15a)와, 회전 암(3)을 사용함으로써, 처리 공간(S1 내지 S4)에 대하여 웨이퍼(W)를 반입출할 수 있다.
또한, 회전 암(3)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 시에, 반송처의 적재대(22)에 대한 웨이퍼(W)의 어긋남을 검지하여, 적재대(22)를 XY 평면 내에서 미소하게 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 어긋남을 보정하도록 해도 된다. 이 경우, 기판 처리 장치(2)는, 회전 암(3)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 회전 궤적 상이며, 행 간격 내 또는 열 간격 내의 회전 대칭의 위치 각각에, 웨이퍼(W)의 어긋남을 검지하는 어긋남 검지 센서를 갖는다. 도 5의 예에서는, 행 간격 내인, 처리 공간(S1과 S2)의 사이, 및 처리 공간(S3과 S4)의 사이에 각각 센서(31a, 31b)를 갖는다.
센서(31a, 31b)는 각각, 예를 들어 2개의 광학 센서의 조이며, 기판 처리 장치(2)의 중심, 즉 2행 2열의 레이아웃의 중심 위치를 통과하는 X 방향의 직선 상에 배치된다. 이것은, 처리 용기(20)의 열팽창에 의한 팽창 방향을 2개의 센서에서 동일한 방향으로 함으로써, 오차를 적게 하기 위함이다. 또한, 센서(31a, 31b)의 배치 위치는, 기판 처리 장치(2)의 중심을 통과하는 직선 상이라면, X 방향에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치(2)는, 센서(31a, 31b)에서 검출된 웨이퍼(W)의 전후의 에지와, 회전 암(3)에 마련된 도시하지 않은 인코더의 출력 결과를 비교함으로써, 웨이퍼(W)의 어긋남양을 검지한다.
도 5의 예에서는, 포지션(P24)이, 처리 공간 S2로부터 S4에의 반송 시에 웨이퍼(W)의 후방측 에지가 센서(31b)를 통과한 상태를 나타내고, 포지션(P42)이, 처리 공간 S4로부터 S2로의 반송 시에 웨이퍼(W)의 후방측 에지가 센서(31a)를 통과한 상태를 나타내고 있다. 기판 처리 장치(2)는, 검지한 어긋남양에 따라서 적재대(22)를 XY 평면 내에서 미소하게 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 어긋남을 보정할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(2)는, 적재대(22)가 상승했을 때, 웨이퍼(W)가 처리 공간(S1 내지 S4)의 중심에 위치하도록 어긋남을 조정한다. 또한, 여기에서 말하는 미소란, 5mm 이내 정도이다.
도 6은, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 배기 경로의 일례를 도시하는 도면이다. 도 6에서는, 후술하는 가스 공급부(4)를 제거한 상태에서 처리 용기(20)를 상면에서 본 경우를 나타내고 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(2)의 중심에는 매니폴드(36)가 배치된다. 매니폴드(36)는, 처리 공간(S1 내지 S4)에 접속되는 복수의 배기로(361)를 갖는다. 각 배기로(361)는, 매니폴드(36)의 중심 하부에서, 후술하는 스러스트 너트(35)의 구멍(351)에 접속된다. 각 배기로(361)는, 처리 공간(S1 내지 S4)의 상부에 마련된 각 가이드 부재(362) 내의 환상의 유로(363)에 접속된다. 즉, 처리 공간(S1 내지 S4) 내의 가스는, 유로(363), 배기로(361), 구멍(351)을 경유하여, 후술하는 합류 배기구(205)로 배기된다.
도 7은, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 도 7의 단면은, 도 6에 도시하는 기판 처리 장치(2)의 A-A선에서의 단면에 상당한다. 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)은 서로 마찬가지로 구성되며, 각각 웨이퍼(W)가 적재되는 적재대(22)와, 적재대(22)와 대향해서 배치된 가스 공급부(4) 사이에 형성된다. 바꾸어 말하면, 처리 용기(20) 내에는, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4) 각각에 대해서, 적재대(22) 및 가스 공급부(4)가 마련되어 있다. 도 7에는 처리 공간(S1과 S3)을 도시하고 있다. 이하, 처리 공간(S1)을 예로 해서 설명한다.
적재대(22)는, 하부 전극을 겸용하는 것이며, 예를 들어 금속, 혹은 금속 메쉬 전극을 매립한 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 편평한 원주상으로 형성된다. 적재대(22)는, 지지 부재(23)에 의해 하방으로부터 지지되어 있다. 지지 부재(23)는 원통상으로 형성되고, 연직 하방으로 연신되어, 처리 용기(20)의 저부(27)를 관통하고 있다. 지지 부재(23)의 하단부는, 처리 용기(20)의 외부에 위치하고, 회전 구동 기구(600)에 접속되어 있다. 지지 부재(23)는, 회전 구동 기구(600)에 의해 회전된다. 적재대(22)는, 지지 부재(23)의 회전에 따라서 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 지지 부재(23)의 하단부에는, 적재대(22)의 위치 및 기울기를 조정하는 조정 기구(700)가 마련되어 있다. 적재대(22)는, 조정 기구(700)에 의해 지지 부재(23)를 통해서 처리 위치와 전달 위치의 사이에서 승강 가능하게 구성되어 있다. 도 7에는, 실선으로 전달 위치에 있는 적재대(22)를 도시하고, 파선으로 처리 위치에 있는 적재대(22)를 각각 나타내고 있다. 또한, 전달 위치에서는, 엔드 이펙터(32)를 적재대(22)와 웨이퍼(W) 사이에 삽입하여, 리프트 핀(26)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하는 상태를 나타내고 있다. 또한, 처리 위치란, 기판 처리(예를 들어, 성막 처리)를 실행할 때의 위치이며, 전달 위치란, 기판 반송 기구(15a) 또는 엔드 이펙터(32)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치이다.
적재대(22)에는 히터(24)가 매설되어 있다. 히터(24)는, 적재대(22)에 적재된 각 웨이퍼(W)를 예를 들어 60℃ 내지 600℃ 정도로 가열한다. 또한, 적재대(22)는 접지 전위에 접속되어 있다.
또한, 적재대(22)에는, 복수(예를 들어 3개)의 핀용 관통 구멍(26a)이 마련되어 있고, 이들 핀용 관통 구멍(26a)의 내부에는, 각각 리프트 핀(26)이 배치되어 있다. 핀용 관통 구멍(26a)은, 적재대(22)의 적재면(상면)으로부터 적재면에 대한 이면(하면)까지 관통하도록 마련되어 있다. 리프트 핀(26)은, 핀용 관통 구멍(26a)에 슬라이드 가능하게 삽입되어 있다. 리프트 핀(26)의 상단은, 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측에 현수되어 있다. 즉, 리프트 핀(26)의 상단은, 핀용 관통 구멍(26a)보다도 큰 직경을 갖고 있으며, 핀용 관통 구멍(26a)의 상단에는, 리프트 핀(26)의 상단보다도 직경 및 두께가 크고 또한 리프트 핀(26)의 상단을 수용 가능한 오목부가 형성되어 있다. 이에 의해, 리프트 핀(26)의 상단은, 적재대(22)에 걸려서 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측에 현수된다. 또한, 리프트 핀(26)의 하단은, 적재대(22)의 이면으로부터 처리 용기(20)의 저부(27)측으로 돌출되어 있다.
적재대(22)를 처리 위치까지 상승시킨 상태에서는, 리프트 핀(26)의 상단이 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측의 오목부에 수납된다. 이 상태에서 적재대(22)를 전달 위치로 하강시키면, 리프트 핀(26)의 하단이 처리 용기(20)의 저부(27)에 맞닿고, 리프트 핀(26)이 핀용 관통 구멍(26a) 내를 이동하여, 도 7에 도시하는 바와 같이, 리프트 핀(26)의 상단이 적재대(22)의 적재면으로부터 돌출된다. 또한, 이 경우, 리프트 핀(26)의 하단이 처리 용기(20)의 저부(27)가 아니라, 저부측에 위치하는 리프트 핀 맞닿음 부재와 같은 것에 맞닿도록 해도 된다.
가스 공급부(4)는, 처리 용기(20)의 천장부에서의, 적재대(22)의 상방에, 절연 부재로 이루어지는 가이드 부재(362)를 개재해서 마련되어 있다. 가스 공급부(4)는 상부 전극으로서의 기능을 갖는다. 가스 공급부(4)는, 덮개(42)와, 적재대(22)의 적재면과 대향하도록 마련된 대향면을 이루는 샤워 플레이트(43)와, 덮개(42)와 샤워 플레이트(43) 사이에 형성된 가스의 통류실(44)을 갖는다. 덮개(42)에는, 가스 공급관(51)이 접속됨과 함께, 샤워 플레이트(43)에는, 두께 방향으로 관통하는 가스 토출 구멍(45)이 예를 들어 종횡으로 배열되어, 가스가 샤워 형상으로 적재대(22)를 향해서 토출된다.
각 가스 공급부(4)는, 가스 공급관(51)을 통해서 가스 공급계(50)에 접속되어 있다. 가스 공급계(50)는, 예를 들어 처리 가스인 반응 가스(성막 가스)나, 퍼지 가스, 클리닝 가스의 공급원이나, 배관, 밸브(V), 유량 조정부(M) 등을 구비하고 있다. 가스 공급계(50)는, 예를 들어 클리닝 가스 공급원(53)과, 반응 가스 공급원(54)과, 퍼지 가스 공급원(55)과, 각각의 공급원의 배관에 마련된 밸브(V1 내지 V3), 및 유량 조정부(M1 내지 M3)를 갖는다.
클리닝 가스 공급원(53)은, 유량 조정부(M1), 밸브(V1), 리모트 플라스마 유닛(RPU: Remote Plasma Unit)(531)을 통해서, 클리닝 가스 공급로(532)에 접속된다. 클리닝 가스 공급로(532)는, RPU(531)의 하류측에서 4계통으로 분기하여, 각각 가스 공급관(51)에 접속되어 있다. RPU(531)의 하류측에는 분기된 분기관마다 밸브(V11 내지 V14)가 마련되어, 클리닝 시에는 대응하는 밸브(V11 내지 V14)를 개방한다. 또한, 도 7에서는, 편의상 밸브(V11, V14)만이 도시되어 있다.
반응 가스 공급원(54) 및 퍼지 가스 공급원(55)은, 각각 유량 조정부(M2, M3), 및 밸브(V2, V3)를 통해서 가스 공급로(52)에 접속된다. 가스 공급로(52)는, 가스 공급관(510)을 통해서 가스 공급관(51)에 접속된다. 또한, 도 7 중, 가스 공급로(52) 및 가스 공급관(510)은, 각 가스 공급부(4)에 대응하는 각 공급로 및 각 공급관을 통합해서 나타낸 것이다.
샤워 플레이트(43)에는, 정합기(40)를 통해서 고주파 전원(41)이 접속되어 있다. 샤워 플레이트(43)는, 적재대(22)에 대향하는 상부 전극으로서의 기능을 갖는다. 상부 전극인 샤워 플레이트(43)와 하부 전극인 적재대(22) 사이에 고주파 전력을 인가하면, 용량 결합에 의해, 샤워 플레이트(43)로부터 처리 공간(S1)에 공급된 가스(본 예에서는 반응 가스)를 플라스마화할 수 있다.
계속해서, 처리 공간(S1 내지 S4)으로부터 합류 배기구(205)로의 배기 경로에 대해서 설명한다. 도 6 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 배기 경로는, 처리 공간(S1 내지 S4)의 상부에 마련된 각 가이드 부재(362) 내의 환상의 유로(363)로부터 각 배기로(361)를 통하여, 매니폴드(36)의 중심 하부의 합류부, 구멍(351)을 경유해서 합류 배기구(205)를 향한다. 또한, 배기로(361)는, 단면이 예를 들어 원 형상으로 형성되어 있다.
각 처리 공간(S1 내지 S4)의 주위에는, 각 처리 공간(S1 내지 S4)을 각각 둘러싸도록 배기용 가이드 부재(362)가 마련되어 있다. 가이드 부재(362)는, 예를 들어 처리 위치에 있는 적재대(22)의 주위 영역을, 당해 적재대(22)에 대하여 간격을 두고 둘러싸도록 마련된 환상체이다. 가이드 부재(362)는, 내부에 예를 들어 종단면이 직사각 형상이며, 평면으로 보아 환상의 유로(363)를 형성하도록 구성되어 있다. 도 6에서는, 처리 공간(S1 내지 S4), 가이드 부재(362), 배기로(361) 및 매니폴드(36)를 개략적으로 도시하고 있다.
가이드 부재(362)는, 처리 공간(S1 내지 S4)을 향해서 개구되는 슬릿상의 슬릿 배기구(364)를 형성한다. 이와 같이 하여, 각각의 처리 공간(S1 내지 S4)의 측 주위부에 슬릿 배기구(364)가 둘레 방향을 따라 형성되게 된다. 유로(363)에는 배기로(361)가 접속되어, 슬릿 배기구(364)로부터 배기된 처리 가스를 매니폴드(36)의 중심 하부의 합류부, 구멍(351)을 향해서 통류시킨다.
처리 공간(S1-S2, S3-S4)의 조는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 상면측에서 보았을 때, 매니폴드(36)를 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 배치되어 있다. 이에 의해, 각 처리 공간(S1 내지 S4)으로부터 슬릿 배기구(364), 가이드 부재(362)의 유로(363), 배기로(361)를 통해서 구멍(351)에 이르는 처리 가스의 통류로는, 구멍(351)을 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 형성되어 있게 된다.
구멍(351)은, 처리 용기(20)의 중심부에 배치된 2축 진공 시일(34)의 스러스트 배관(341)의 내측인 합류 배기구(205)를 통해서 배기관(61)에 접속되어 있다. 배기관(61)은, 밸브 기구(7)를 통해서 진공 배기 기구를 이루는 진공 펌프(62)에 접속되어 있다. 진공 펌프(62)는, 예를 들어 하나의 처리 용기(20)에 하나 마련되어 있고, 각 진공 펌프(62)의 하류측의 배기관은 합류하여, 예를 들어 공장 배기계에 접속된다.
밸브 기구(7)는, 배기관(61) 내에 형성된 처리 가스의 통류로를 개폐하는 것이며, 예를 들어 케이싱(71)과, 개폐부(72)를 갖는다. 케이싱(71)의 상면에는, 상류측의 배기관(61)과 접속되는 제1 개구부(73), 케이싱(71)의 측면에는 하류측의 배기관과 접속되는 제2 개구부(74)가 각각 형성되어 있다.
개폐부(72)는, 예를 들어 제1 개구부(73)를 막는 크기로 형성된 개폐 밸브(721)와, 케이싱(71)의 외부에 마련되어, 개폐 밸브(721)를 케이싱(71) 내에서 승강시키는 승강 기구(722)를 갖는다. 개폐 밸브(721)는, 도 7에 일점쇄선으로 나타내는 제1 개구부(73)를 막는 폐지 위치와, 도 7에 실선으로 나타내는 제1 및 제2 개구부(73, 74)보다도 하방측으로 퇴피하는 개방 위치 사이에서 승강 가능하게 구성된다. 개폐 밸브(721)가 폐지 위치에 있을 때는, 합류 배기구(205)의 하류단이 폐쇄되어, 처리 용기(20) 내의 배기가 정지된다. 또한, 개폐 밸브(721)가 개방 위치에 있을 때는, 합류 배기구(205)의 하류단이 열려서, 처리 용기(20) 내가 배기된다.
계속해서, 2축 진공 시일(34) 및 스러스트 너트(35)에 대해서 설명한다. 2축 진공 시일(34)은, 스러스트 배관(341)과, 베어링(342, 344)과, 로터(343)와, 본체부(345)와, 자성 유체 시일(346, 347)과, 다이렉트 드라이브 모터(348)를 갖는다.
스러스트 배관(341)은, 회전하지 않는 중심축이며, 스러스트 너트(35)를 통해서, 기판 처리 장치(2)의 중심 상부에 걸리는 스러스트 하중을 받아 들인다. 즉, 스러스트 배관(341)은, 처리 공간(S1 내지 S4)을 진공 분위기로 했을 때, 기판 처리 장치(2)의 중심부에 걸리는 진공 하중을 받아 들임으로써, 기판 처리 장치(2)의 상부의 변형을 억제한다. 또한, 스러스트 배관(341)은 중공 구조이며, 그 내부는 합류 배기구(205)로 되어 있다. 스러스트 배관(341)의 상면은, 스러스트 너트(35)의 하면과 맞닿아진다. 또한, 스러스트 배관(341)의 상부의 내면과, 스러스트 너트(35)의 내주측의 볼록부의 외면 사이는, 도시하지 않은 O링에 의해 밀봉되어 있다.
스러스트 너트(35)의 외주측면은, 나사 구조로 되어 있어, 스러스트 너트(35)는, 처리 용기(20)의 중심부의 격벽에 나사 결합되어 있다. 처리 용기(20)의 중심부는, 그 상부에 매니폴드(36)가 마련되어 있다. 스러스트 하중은, 매니폴드(36), 처리 용기(20)의 중심부의 격벽, 스러스트 너트(35) 및 스러스트 배관(341)에서 받아 들이게 된다.
베어링(342)은, 로터(343)를 스러스트 배관(341)측에서 보유 지지하는 레이디얼 베어링이다. 베어링(344)은, 로터(343)를 본체부(345)측에서 보유 지지하는 레이디얼 베어링이다. 로터(343)는, 스러스트 배관(341)과 동심원에 배치되고, 회전 암(3)의 중심에서의 회전축이다. 또한, 로터(343)에는, 베이스 부재(33)가 접속되어 있다. 로터(343)가 회전함으로써, 회전 암(3), 즉 엔드 이펙터(32) 및 베이스 부재(33)가 회전한다.
본체부(345)는, 그 내부에 베어링(342, 344)과, 로터(343)와, 자성 유체 시일(346, 347)과, 다이렉트 드라이브 모터(348)를 격납한다. 자성 유체 시일(346, 347)은, 로터(343)의 내주측 및 외주측에 배치되어, 처리 공간(S1 내지 S4)을 외부에 대하여 밀봉한다. 다이렉트 드라이브 모터(348)는 로터(343)와 접속되어, 로터(343)를 구동함으로써 회전 암(3)을 회전시킨다.
이와 같이, 2축 진공 시일(34)은, 1축째의 회전하지 않는 중심축인 스러스트 배관(341)이 처리 용기(20)의 상부의 하중을 지지하면서, 가스 배기 배관의 역할을 담당하고, 2축째의 로터(343)가 회전 암(3)을 회전시키는 역할을 담당한다.
이상, 본 실시 형태에 따르면, 프로세스 모듈(기판 처리 장치(2))은, 프로세스 모듈의 내부에 2행 2열로 레이아웃된 4개의 적재대(22)를 갖고, 레이아웃을 구성하는 행 간격과 열 간격이 다른 치수이다. 그 결과, 프로세스 모듈의 풋프린트를 저감함과 함께, 웨이퍼 반송 기구의 공통화를 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 프로세스 모듈은 또한, 4개의 적재대(22) 각각에 적재하는 웨이퍼(W)를 보유 지지 가능한 4개의 엔드 이펙터(32)와, 레이아웃의 중심 위치에 회전축이 위치하는 베이스 부재(33)를 구비하고, 4개의 엔드 이펙터(32)가 X 형상으로 되도록 베이스 부재(33)에 접속되고, X 형상의 행 간격에 대응하는 Y 방향의 치수와, 열 간격에 대응하는 X 방향의 치수가 다른 회전 암(3)을 갖는다. 그 결과, 프로세스 모듈의 풋프린트를 저감함과 함께, 웨이퍼 반송 기구의 공통화를 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 프로세스 모듈은 또한, 회전 암(3)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 회전 궤적 상이며, 행 간격 내 또는 열 간격 내의 회전 대칭의 위치 각각에, 웨이퍼(W)의 어긋남을 검지하는 어긋남 검지 센서(센서(31a, 31b))를 갖는다. 그 결과, 회전 암(3)에 의한 반송 시의 웨이퍼(W)의 어긋남을 수정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 4개의 적재대(22) 각각은, 어긋남 검지 센서에서 검지한 웨이퍼(W)의 위치에 따라, 적어도 XY 평면 내에서 미소하게 이동 가능하다. 그 결과, 회전 암(3)에 의한 반송 등에 기인하는 웨이퍼(W)의 어긋남을 수정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 동일한 열의 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)는, 2매 동시에 반입 또는 반출 가능하다. 그 결과, 2매엽의 기판 처리 장치와 웨이퍼 반송 기구의 공통화를 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 기판 처리 시스템은, 복수의 프로세스 모듈(기판 처리 장치(2, 2a))이, 웨이퍼 반송 기구(기판 반송 기구(15a, 15b))를 갖는 진공 반송실(14a, 14b)에 접속되는 기판 처리 시스템(1)이며, 복수의 프로세스 모듈 각각은, 내부에 2행 2열로 레이아웃된 4개의 적재대를 갖는다. 복수의 프로세스 모듈 각각은, 진공 반송실(14a, 14b)측의 면을 따른 방향인, 레이아웃의 적재대간의 Y 방향 피치는, 복수의 프로세스 모듈 중, 1개의 프로세스 모듈과, 다른 프로세스 모듈에서 동일하고, 진공 반송실(14a, 14b)측의 면과 수직 방향인, 레이아웃의 적재대간의 X 방향 피치는, 1개의 프로세스 모듈과, 다른 프로세스 모듈에서 다르다. 그 결과, 풋프린트가 다른 프로세스 모듈을 혼재시킬 수 있음과 함께, 웨이퍼 반송 기구의 공통화를 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 프로세스 모듈(기판 처리 장치(2))에서의 처리 방법에 있어서, 프로세스 모듈은, 내부에 2행 2열로 레이아웃되고, 레이아웃을 구성하는 행 간격과 열 간격이 다른 치수인 4개의 적재대(22)와, 4개의 적재대(22) 각각에 적재하는 웨이퍼(W)를 보유 지지 가능한 4개의 엔드 이펙터(32)와, 레이아웃의 중심 위치에 회전축이 위치하는 베이스 부재(33)를 구비하고, 4개의 엔드 이펙터(32)가 X 형상으로 되도록 베이스 부재(33)에 접속되고, X 형상의 행 간격에 대응하는 Y 방향의 치수와, 열 간격에 대응하는 X 방향의 치수가 다른 회전 암(3)을 갖고, 처리 방법은, 회전 암(3)에 의해, 레이아웃의 1열째와 2열째의 웨이퍼(W)를 교체하도록 반송함으로써, 1열째와 2열째에서 다른 처리를 반복한다. 그 결과, 각각의 처리간에 있어서의, 웨이퍼(W)의 반송에 관한 시간을 단축할 수 있다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태에서 생략, 치환, 변경되어도 된다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(2)가 기판 처리로서 플라스마 CVD 처리를 행하는 장치인 예를 설명했지만, 플라스마 에칭 등의 다른 기판 처리를 행하는 임의의 장치에 개시 기술을 적용해도 된다.
또한, 상기한 실시 형태에서는, 2축 진공 시일(34)에서의 로터(343)의 구동 방법으로서 다이렉트 드라이브 모터(348)를 사용했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 로터(343)에 풀리를 마련하여, 2축 진공 시일(34)의 외부에 마련한 모터로부터 타이밍 벨트로 구동해도 된다.

Claims (7)

  1. 프로세스 모듈의 내부에 2행 2열로 레이아웃된 4개의 적재대를 포함하고,
    상기 레이아웃을 구성하는 행 간격과 열 간격이 다른 치수인,
    프로세스 모듈.
  2. 제1항에 있어서, 상기 4개의 적재대 각각에 적재하는 웨이퍼를 보유 지지 가능한 4개의 엔드 이펙터와, 상기 레이아웃의 중심 위치에 회전축이 위치하는 베이스 부재를 더 포함하고, 상기 4개의 엔드 이펙터가 X 형상으로 되도록 상기 베이스 부재에 접속되고, 상기 X 형상의 상기 행 간격에 대응하는 Y 방향의 치수와, 상기 열 간격에 대응하는 X 방향의 치수가 다른 회전 암을 포함하는, 프로세스 모듈.
  3. 제2항에 있어서, 상기 회전 암에 보유 지지된 상기 웨이퍼의 회전 궤적 상이며, 상기 행 간격 내 또는 상기 열 간격 내의 회전 대칭의 위치 각각에, 상기 웨이퍼의 어긋남을 검지하는 어긋남 검지 센서를 더 포함하는, 프로세스 모듈.
  4. 제3항에 있어서, 상기 4개의 적재대 각각은, 상기 어긋남 검지 센서에서 검지한 상기 웨이퍼의 위치에 따라, 적어도 XY 평면 내에서 미소하게 이동 가능한, 프로세스 모듈.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 4개의 적재대 중, 동일 열에 위치한 2개의 적재대에 적재된 상기 2개의 웨이퍼는, 동시에 상기 프로세스 모듈에 반입 또는 반출 가능한, 프로세스 모듈.
  6. 복수의 프로세스 모듈이, 웨이퍼 반송 기구를 포함하는 진공 반송실에 접속되는 기판 처리 시스템이며,
    상기 복수의 프로세스 모듈 각각은, 내부에 2행 2열로 레이아웃된 4개의 적재대를 포함하고,
    상기 진공 반송실측의 면을 따른 방향인, 상기 레이아웃의 상기 4개의 적재대 중의 2개의 적재대 간의 Y 방향 피치는, 상기 복수의 프로세스 모듈 중, 제1 프로세스 모듈과, 제2 프로세스 모듈에서 동일하고, 상기 진공 반송실측의 면과 수직 방향인, 상기 레이아웃의 상기 4개의 적재대 중의 2개의 적재대 간의 X 방향 피치는, 상기 제1 프로세스 모듈과, 상기 제2 프로세스 모듈에서 다른,
    기판 처리 시스템.
  7. 프로세스 모듈에서의 처리 방법이며,
    상기 프로세스 모듈은,
    내부에 2행 2열로 레이아웃되고, 상기 레이아웃을 구성하는 행 간격과 열 간격이 다른 치수인 4개의 적재대와,
    상기 4개의 적재대 각각에 적재하는 웨이퍼를 보유 지지 가능한 4개의 엔드 이펙터와, 상기 레이아웃의 중심 위치에 회전축이 위치하는 베이스 부재를 포함하고, 상기 4개의 엔드 이펙터가 X 형상으로 되도록 상기 베이스 부재에 접속되고, 상기 X 형상의 상기 행 간격에 대응하는 Y 방향의 치수와, 상기 열 간격에 대응하는 X 방향의 치수가 다른 회전 암을 포함하고,
    상기 회전 암에 의해, 상기 레이아웃의 1열째와 2열째의 상기 웨이퍼를 교체하도록 반송함으로써, 상기 1열째와 상기 2열째에서 다른 처리를 반복하는,
    처리 방법.
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