KR20240060443A - 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

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KR20240060443A
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Abstract

본 발명은, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 측정하는 것이다. 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법은, 처리 용기의 내부에 회전 가능한 기판 적재대가 마련된 기판 처리 장치에서의 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법이다. 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법은, 제1 공정과, 제2 공정과, 제3 공정과, 제4 공정과, 제5 공정과, 제6 공정을 포함한다. 제1 공정은, 기판을 반송하는 암에 의해 반송되는 기판의 초기 위치를 검출한다. 제2 공정은, 기판 적재대에 기판을 적재한다. 제3 공정은, 기판 적재대의 회전에 의해 기판을 미리 결정된 회전 각도만큼 회전시킨다. 제4 공정은, 회전 후의 기판을 기판 적재대로부터 암에 전달한다. 제5 공정은, 암에 의해 반송되는 회전 후의 기판의 위치를 검출한다. 제6 공정은, 기판의 초기 위치와, 회전 후의 기판의 위치와, 회전 각도에 기초하여, 기판의 초기 위치에 대한 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출한다.

Description

기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법 및 기판 처리 장치{METHOD OF MEASURING POSITIONAL DEVIATION OF SUBSTRATE STAGE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시는, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1은, 기판 검출 센서의 검출 데이터에 기초하여 기판 보유 지지부에 보유 지지된 기판의 실제 위치를 연산하고, 설정된 논리 위치에 대한 보정값을 산출하여, 그 보정값에 기초해서 기판의 반송 위치를 수정하는 것을 개시한다. 특허문헌 2는, 센서는, 인접하는 처리 공간의 사이에 위치하여, 회전 암의 회전 동작 시에, 회전 암에 보유 지지된 웨이퍼의 위치를 검지 가능한 것을 개시한다.
일본 특허 공개 제2022-107898호 공보 일본 특허 공개 제2022-106560호 공보
본 개시는, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 따르면, 처리 용기의 내부에 회전 가능한 기판 적재대가 마련된 기판 처리 장치에서의 상기 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법은, 기판을 반송하는 암에 의해 반송되는 상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정과, 상기 기판 적재대에 상기 기판을 적재하는 공정과, 상기 기판 적재대의 회전에 의해 상기 기판을 미리 결정된 회전 각도만큼 회전시키는 공정과, 회전 후의 상기 기판을 상기 기판 적재대로부터 상기 암에 전달하는 공정과, 상기 암에 의해 반송되는 회전 후의 상기 기판의 위치를 검출하는 공정과, 상기 기판의 초기 위치와, 회전 후의 상기 기판의 위치와, 상기 회전 각도에 기초하여, 상기 기판의 초기 위치에 대한 상기 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출하는 공정을 포함한다.
본 개시에 의하면, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다는 효과를 발휘한다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 일례를 도시하는 개략 평면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 분해 사시도이다.
도 3은 대기 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 4는 웨이퍼의 보유 지지 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치 내의 웨이퍼의 이동 경로의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 배기 경로의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 8은 본 실시 형태에 관한 적재대의 위치 어긋남 측정 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 9는 본 실시 형태에 관한 웨이퍼의 중심의 초기 위치에 대한 적재대의 중심 위치의 어긋남양의 일례를 도시하는 도면이다.
도 10은 본 실시 형태에 관한 적재대의 위치 어긋남 측정 처리의 다른 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 11은 변형예에 관한 적재대의 위치 어긋남 측정 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다.
이하, 도면을 참조하여 본원이 개시하는 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법 및 기판 처리 장치의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태에 의해 개시 기술이 한정되는 것은 아니다.
기판 처리 장치에서는, 처리 용기의 내부에 마련된 기판 적재대의 설치 위치의 오차나 처리 용기의 열팽창에 기인하여, 기판 적재대와 기판 적재대에 반송되는 기판의 상대 위치에 어긋남이 생기는 경우가 있다. 기판 적재대와 기판의 상대 위치에 어긋남이 존재하는 경우, 처리 후의 기판의 특성이 악화될 가능성이 있다. 이에 대해, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 육안으로 확인하는 일이 정기적으로 행해진다. 그러나, 육안에 의한 확인으로는, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 고정밀도로 측정하는 것이 곤란하다. 또한, 예를 들어 복수의 기판을 동시에 1개의 처리 용기 내에서 처리하는 형태의 기판 처리 장치에서는, 기판을 적재하는 기판 적재대도 복수 마련되기 때문에, 모든 기판 적재대에 대한 육안 확인에 수반되는 작업 시간도 길어진다. 그래서, 간결하면서 또한 신속하게 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 측정하는 것이 기대되고 있다.
(실시 형태)
[기판 처리 시스템의 구성]
도 1은 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 일례를 도시하는 개략 평면도이다. 도 1에 도시하는 기판 처리 시스템(1)은, 반출입 포트(11)와, 반출입 모듈(12)과, 진공 반송 모듈(13a, 13b)과, 기판 처리 장치(2, 2a, 2b)를 갖는다. 도 1에서, X 방향을 좌우 방향, Y 방향을 전후 방향, Z 방향을 상하 방향(높이 방향), 반출입 포트(11)를 전후 방향의 전방측으로 해서 설명한다. 반출입 모듈(12)의 전방측에는 반출입 포트(11), 반출입 모듈(12)의 안쪽에는 진공 반송 모듈(13a)이, 각각 서로 전후 방향을 향해서 접속되어 있다.
반출입 포트(11)에는, 처리 대상의 기판을 수용한 반송 용기인 캐리어가 적재된다. 기판은, 직경이 예를 들어 300mm의 원형 기판인 웨이퍼(W)이다. 반출입 모듈(12)은, 캐리어와 진공 반송 모듈(13a)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반출입을 행하기 위한 모듈이다. 반출입 모듈(12)은, 반송 암(120)에 의해, 상압 분위기 중에서 캐리어와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 상압 반송실(121)과, 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기를 상압 분위기와 진공 분위기의 사이에서 전환하는 로드 로크실(122)을 갖는다.
진공 반송 모듈(13a, 13b)은, 진공 분위기가 형성된 진공 반송실(14a, 14b)을 각각 갖는다. 진공 반송실(14a, 14b)의 내부에는, 반송 암(15a, 15b)이 각각 배치되어 있다. 진공 반송 모듈(13a)과 진공 반송 모듈(13b)의 사이는, 진공 반송 모듈(13a, 13b)간에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 패스(16)가 배치되어 있다. 진공 반송실(14a, 14b)은 각각, 예를 들어 평면으로 보아 직사각형으로 형성된다. 진공 반송실(14a)의 4개의 측벽 중, 좌우 방향으로 서로 대향하는 변에는, 기판 처리 장치(2, 2b)가 각각 접속되어 있다. 진공 반송실(14b)의 4개의 측벽 중, 좌우 방향으로 서로 대향하는 변에는, 기판 처리 장치(2a, 2b)가 각각 접속되어 있다.
또한, 진공 반송실(14a)의 4개의 측벽 중, 전방측의 변에는 반출입 모듈(12) 내에 설치된 로드 로크실(122)이 접속되어 있다. 상압 반송실(121)과 로드 로크실(122)의 사이, 로드 로크실(122)과 진공 반송 모듈(13a)의 사이, 진공 반송 모듈(13a, 13b)과 기판 처리 장치(2, 2a, 2b)의 사이에는, 게이트 밸브(G)가 배치되어 있다. 게이트 밸브(G)는, 서로 접속되는 모듈에 각각 마련되는 웨이퍼(W)의 반입출구를 개폐한다.
반송 암(15a)은, 진공 분위기 중에서 반출입 모듈(12)과, 기판 처리 장치(2, 2b)와, 패스(16)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 또한, 반송 암(15b)은, 진공 분위기 중에서 패스(16)와 기판 처리 장치(2a, 2b)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 반송 암(15a, 15b)은, 다관절 암으로 이루어지며, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 기판 보유 지지부를 갖는다. 기판 처리 장치(2, 2a, 2b)는, 진공 분위기 중에서 복수매(예를 들어 2매 또는 4매)의 웨이퍼(W)에 대하여 일괄적으로 처리 가스를 사용한 기판 처리를 행한다. 이 때문에, 기판 처리 장치(2, 2a, 2b)에 일괄해서 2매의 웨이퍼(W)를 전달하도록, 반송 암(15a, 15b)의 기판 보유 지지부는 예를 들어 2매의 웨이퍼(W)를 동시에 보유 지지할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 기판 처리 장치(2, 2a)는, 내부에 마련한 회전 암에 의해, 진공 반송 모듈(13a, 13b)측의 적재대에서 수취한 웨이퍼(W)를 안쪽의 적재대에 반송할 수 있다.
또한, 진공 반송실(14a, 14b)은, 복수의 센서(17)를 갖는다. 센서(17)는, 예를 들어 2개로 1개의 조를 구성하는 광학 센서이며, 1개의 조가 기판 처리 장치(2, 2a, 2b)에서의 각 반입출구에 대응지어서 배치된다. 센서(17)는, 반송 암(15a, 15b)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)의 위치를 검출한다. 예를 들어, 센서(17)는, 웨이퍼(W)의 주연 위치의 정보를 기초로 웨이퍼(W)의 중심 위치를 검출할 수 있다. 센서(17)는, 웨이퍼(W)의 위치를 나타내는 검출 결과를 후술하는 제어부(8)에 출력한다.
또한, 기판 처리 장치(2, 2a, 2b)는, 적재대의 Y 방향 피치(행 간격)가 피치(Py)로 공통이므로, 진공 반송 모듈(13a, 13b)의 좌우 방향으로 서로 대향하는 변의 어느 장소에든 접속 가능하다. 도 1의 예에서는, 진공 반송 모듈(13a)에 기판 처리 장치(2)와 기판 처리 장치(2b)를 접속하고, 진공 반송 모듈(13b)에 기판 처리 장치(2a)와 기판 처리 장치(2b)를 접속하고 있다. 또한, 기판 처리 장치(2)와, 기판 처리 장치(2a)는, 프로세스 애플리케이션에 따른, 1개의 적재대에 대응하는 처리 공간을 포함하는 리액터의 직경이 다르고, 적재대의 X 방향 피치(열 간격)인 피치(Px1, Px2)가 다른 기판 처리 장치이다. 또한, 기판 처리 장치(2a)는, 피치(Px2)가 피치(Py)와 동일한 값이다. 즉, 피치(Py)는, 가장 큰 리액터의 사이즈에 대응하고 있다. 즉, 기판 처리 장치(2)는, 기판 처리 장치(2a)보다도 리액터의 사이즈가 작으므로, 피치(Px1)를 피치(Px2)보다도 작게 할 수 있다.
기판 처리 장치(2a)의 내부 구성은, 피치(Px2)가 피치(Px1)와 다른 것에 관한 점을 제외하고, 기판 처리 장치(2)와 기본적으로 마찬가지이며, 그 설명을 생략한다. 또한, 기판 처리 장치(2b)는, 적재대를 2개 갖는 타입의 기판 처리 장치이며, 기판 처리 장치(2b) 내에서 웨이퍼의 반송은 행하지 않고, 2매의 웨이퍼를 동시에 반입해서 처리를 행하고, 동시에 반출하는 타입의 기판 처리 장치이다.
기판 처리 시스템(1)은, 제어부(8)를 갖는다. 제어부(8)는, 예를 들어 프로세서, 기억부, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이다. 제어부(8)는, 기판 처리 시스템(1)의 각 부를 제어한다. 제어부(8)는, 입력 장치를 사용하여, 오퍼레이터가 기판 처리 시스템(1)을 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행할 수 있다. 또한, 제어부(8)에서는, 표시 장치에 의해, 기판 처리 시스템(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시할 수 있다. 또한, 제어부(8)의 기억부에는, 기판 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종 처리를 프로세서에 의해 제어하기 위한 제어 프로그램, 및 레시피 데이터 등이 저장되어 있다. 제어부(8)의 프로세서가 제어 프로그램을 실행하여, 레시피 데이터에 따라서 기판 처리 시스템(1)의 각 부를 제어함으로써, 원하는 기판 처리가 기판 처리 시스템(1)에서 실행된다.
[기판 처리 장치의 구성]
이어서, 도 2 내지 도 7을 사용하여, 기판 처리 장치(2)를, 예를 들어 웨이퍼(W)에 플라스마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리를 행하는 성막 장치에 적용한 예에 대해서 설명한다. 도 2는, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 분해 사시도이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(2)는, 평면으로 보아 직사각형의 처리 용기(진공 용기)(20)를 구비하고 있다. 처리 용기(20)는, 내부를 진공 분위기로 유지 가능하게 구성된다. 처리 용기(20)는, 후술하는 가스 공급부(4) 및 매니폴드(36)로 상면의 개방부를 폐색해서 구성된다. 또한, 도 2에서는, 처리 공간(S1 내지 S4)과, 회전 암(3)의 관계를 알기 쉽도록, 내부의 격벽 등을 생략하고 있다. 처리 용기(20)는, 진공 반송실(14a 또는 14b)에 접속되는 측의 측면에는, Y 방향으로 배열되도록 2개의 반입출구(21)가 형성되어 있다. 반입출구(21)는, 게이트 밸브(G)(도 1 참조)에 의해 개폐된다.
처리 용기(20)의 내부에는, 복수의 처리 공간(S1 내지 S4)이 마련되어 있다. 처리 공간(S1 내지 S4)에는, 각각 적재대(기판 적재대의 일례)(22)가 배치되어 있다. 적재대(22)는 상하 방향으로 이동 가능하여, 웨이퍼(W)의 처리 시에는 상부로 이동하고, 웨이퍼(W)의 반송 시에는 하부로 이동한다. 처리 공간(S1 내지 S4)의 하부에는, 처리 공간(S1 내지 S4)을 접속하고, 회전 암(3)에 의해 웨이퍼(W)의 반송이 행해지는 반송 공간(T)이 마련되어 있다. 또한, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 반송 공간(T)은, 각 반입출구(21)와 접속되어, 반송 암(15a, 15b)(도 1 참조)에 의해 진공 반송실(14a, 14b)(도 1 참조)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반출입이 행해진다.
처리 공간(S1 내지 S4)의 각 적재대(22)는, 상면측에서 보았을 때, 2행 2열로 레이아웃되어 있다. 당해 레이아웃은, 행 간격과 열 간격이 다른 치수로 되어 있다. 즉, 적재대(22)의 Y 방향 피치(행 간격)의 피치(Py)와, X 방향 피치(열 간격)의 피치(Px1)를 비교하면, 피치(Py)>피치(Px1)로 되어 있다.
도 3은, 대기 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 도 4는, 웨이퍼의 보유 지지 위치에서의 처리 공간과 회전 암의 위치 관계의 일례를 도시하는 도면이다. 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이, 회전 암(3)은, 적재대(22) 각각에 적재하는 웨이퍼(W)를 보유 지지 가능한 4개의 엔드 이펙터(32)와, 2행 2열의 레이아웃의 중심 위치에 회전축이 위치하는 베이스 부재(33)를 갖는다. 4개의 엔드 이펙터(32)는, X 형상이 되도록 베이스 부재(33)에 접속된다. 회전 암(3)에서의 X 형상은, 도 4에 도시하는 웨이퍼(W)의 보유 지지 위치에서, X 형상의 행 간격에 대응하는 Y 방향의 치수와, 상기 열 간격에 대응하는 X 방향의 치수가 다른 구성으로 되어 있다.
회전 암(3)은, 도 3에 도시하는 대기 위치에서, 처리 공간(S1 내지 S4) 각각의 사이에 위치함으로써, 각 적재대(22)의 상하 방향의 이동을 방해하지 않는다. 도 3에서는, 각 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재된 상태이다. 이 상태에서 예를 들어 1열째와 2열째의 웨이퍼(W)를 교체하도록 반송하는 경우, 즉, 처리 공간(S1, S2)의 웨이퍼(W)를 처리 공간(S3, S4)에 반송하고, 처리 공간(S3, S4)의 웨이퍼(W)를 처리 공간(S1, S2)에 반송하는 경우의 회전 암(3)의 움직임에 대해서 설명한다.
먼저, 각 적재대(22)를 하측의 반송 공간(T)의 전달 위치까지 이동시키고, 각 적재대(22)에 마련된 후술하는 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 들어 올린다. 이어서, 회전 암(3)을 시계 방향으로 약 30° 회전시켜서, 도 4에 도시하는 바와 같이 각 엔드 이펙터(32)를 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 사이에 삽입한다. 계속해서, 리프트 핀(26)을 하강시켜서 각 엔드 이펙터(32)에 웨이퍼(W)를 적재한다. 이어서, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜, 각 적재대(22) 상의 보유 지지 위치에 웨이퍼(W)를 반송한다. 각 적재대(22)가 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 수취하면, 회전 암(3)을 반시계 방향으로 약 30° 회전시켜서, 대기 위치로 이동한다. 이와 같이, 회전 암(3)에 의해, 1열째와 2열째의 웨이퍼(W)를 교체하도록 반송할 수 있다. 이에 의해, 예를 들어 처리 공간(S1, S2)과, 처리 공간(S3, S4)에서 다른 처리를 반복하는 경우(예를 들어, 성막 처리와 어닐 처리를 반복하는 경우)에 있어서, 웨이퍼(W)의 반송에 관한 시간을 단축할 수 있다.
도 5는, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치 내의 웨이퍼의 이동 경로의 일례를 도시하는 도면이다. 도 5에서는, 진공 반송실(14a)로부터 기판 처리 장치(2)의 내부에 웨이퍼(W)를 반입하는 경우의 이동 경로를 설명한다. 먼저, 진공 반송실(14a)의 반송 암(15a)에 의해, 경로(F1)로 나타내는 바와 같이, 동일한 열의 적재대(22)에 대응하는 처리 공간(S1, S2)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에서, 각 적재대(22)에 2매 동시에 웨이퍼(W)가 반입된다. 처리 공간(S1, S2)의 각 적재대(22)가 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 수취한다.
이어서, 회전 암(3)을 대기 위치로부터 시계 방향으로 약 30° 회전시켜서, 엔드 이펙터(32)를 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 사이에 삽입하고, 리프트 핀(26)을 하강시켜서 각 엔드 이펙터(32)에 웨이퍼(W)를 적재한다. 웨이퍼(W)를 적재하면, 경로(F2)로 나타내는 바와 같이, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜, 처리 공간(S3, S4)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 있는 적재대(22) 상(회전 암(3)의 보유 지지 위치)에 웨이퍼(W)를 반송한다. 처리 공간(S3, S4)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)가, 리프트 핀(26)을 상승시켜서 웨이퍼(W)를 수취하면, 회전 암(3)을 반시계 방향으로 약 30° 회전시켜서, 대기 위치로 이동한다. 이 상태에서, 처리 공간(S1, S2)의 적재대(22)에는 웨이퍼(W)가 적재되어 있지 않고, 처리 공간(S3, S4)의 적재대(22)에는 웨이퍼(W)가 적재되어 있다. 계속해서, 진공 반송실(14a)의 반송 암(15a)에 의해, 경로(F1)로 나타내는 바와 같이, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에서, 각 적재대(22)에 2매 동시에 웨이퍼(W)가 반입된다. 그리고, 처리 공간(S1, S2)의 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재됨으로써, 처리 공간(S1 내지 S4)의 모든 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재된다.
반출 시도 마찬가지로, 먼저, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)를, 반송 암(15a)에 의해 진공 반송실(14a)에 먼저 반출한다. 이어서, 처리 공간(S3, S4)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)를, 회전 암(3)에 의해 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 반송한다. 계속해서, 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)를, 반송 암(15a)에 의해 진공 반송실(14a)에 반출한다. 이와 같이, 2매 동시에 웨이퍼(W)를 반출입 가능한 반송 암(15a)과, 회전 암(3)을 사용함으로써, 처리 공간(S1 내지 S4)에 대하여 웨이퍼(W)를 반출입할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치(2)는, 회전 암(3)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 회전 궤적 상의 위치이며, 행 간격 내 또는 열 간격 내의 회전 대칭의 위치 각각에, 웨이퍼(W)의 위치를 검출하는 위치 검출 센서를 갖고 있어도 된다. 도 5의 예에서는, 기판 처리 장치(2)는, 행 간격 내인, 처리 공간(S1과 S2)의 사이, 및 처리 공간(S3과 S4)의 사이에, 각각 위치 검출 센서인 센서(31a, 31b)를 갖는다.
센서(31a, 31b)는 각각, 예를 들어 2개의 광학 센서의 조이며, 기판 처리 장치(2)의 중심, 즉 2행 2열의 레이아웃의 중심 위치를 통과하는 X 방향의 직선 상에 배치된다. 이것은, 처리 용기(20)의 열팽창에 의한 팽창 방향을 2개의 센서에서 동일한 방향으로 함으로써, 오차를 적게 하기 위해서이다. 또한, 센서(31a, 31b)의 배치 위치는, 기판 처리 장치(2)의 중심을 통과하는 직선 상이라면, X 방향에 한정되지 않는다. 기판 처리 장치(2)는, 센서(31a, 31b)에서 검출된 웨이퍼(W)의 전후의 에지와, 회전 암(3)에 마련된 도시하지 않은 인코더의 출력 결과를 비교함으로써, 웨이퍼(W)의 위치를 검출한다.
도 5의 예에서는, 포지션(P24)이, 처리 공간 S2에서 S4로의 반송 시에 웨이퍼(W)의 후방측 에지가 센서(31b)를 통과한 상태를 나타내고, 포지션(P42)이, 처리 공간 S4에서 S2로의 반송 시에 웨이퍼(W)의 후방측 에지가 센서(31a)를 통과한 상태를 나타내고 있다. 센서(31a, 31b)는, 예를 들어 통과한 웨이퍼(W)의 중심 위치를 검출할 수 있다. 센서(31a, 31b)는, 웨이퍼(W)의 위치를 나타내는 검출 결과를 제어부(8)에 출력한다.
도 6은, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 배기 경로의 일례를 도시하는 도면이다. 도 6에서는, 후술하는 가스 공급부(4)를 제거한 상태에서 처리 용기(20)를 상면에서 본 경우를 도시하고 있다. 도 6에 도시하는 바와 같이, 기판 처리 장치(2)의 중심에는, 매니폴드(36)가 배치된다. 매니폴드(36)는, 처리 공간(S1 내지 S4)에 접속되는 복수의 배기로(361)를 갖는다. 각 배기로(361)는, 매니폴드(36)의 중심 하부에서, 후술하는 스러스트 너트(35)의 구멍(351)에 접속된다. 각 배기로(361)는, 처리 공간(S1 내지 S4)의 상부에 마련된 각 가이드 부재(362) 내의 환상의 유로(363)에 접속된다. 즉, 처리 공간(S1 내지 S4) 내의 가스는, 유로(363), 배기로(361), 구멍(351)을 경유하여, 후술하는 합류 배기구(205)로 배기된다.
도 7은, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 도 7의 단면은, 도 6에 도시하는 기판 처리 장치(2)의 A-A선에서의 단면에 상당한다. 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)은 서로 마찬가지로 구성되며, 각각, 웨이퍼(W)가 적재되는 적재대(22)와, 적재대(22)와 대향해서 배치된 가스 공급부(4)의 사이에 형성된다. 바꾸어 말하면, 처리 용기(20) 내에는, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4) 각각에 대해서, 적재대(22) 및 가스 공급부(4)가 마련되어 있다. 도 7에는, 처리 공간(S1과 S3)을 도시하고 있다. 이하, 처리 공간(S1)을 예로서 설명한다.
적재대(22)는, 하부 전극을 겸용하는 것이며, 예를 들어 금속, 혹은 금속 메쉬 전극을 매립한 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 편평한 원주상으로 형성된다. 적재대(22)는, 지지 부재(23)에 의해 하방으로부터 지지되어 있다. 지지 부재(23)는, 원통상으로 형성되고, 연직 하방으로 연신되어, 처리 용기(20)의 저부(27)를 관통하고 있다. 지지 부재(23)의 하단부는, 처리 용기(20)의 외부에 위치하고, 회전 구동 기구(600)에 접속되어 있다. 지지 부재(23)는, 회전 구동 기구(600)에 의해 회전된다. 적재대(22)는, 지지 부재(23)의 회전에 따라 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 지지 부재(23)의 하단부에는, 적재대(22)의 위치 및 기울기를 조정하는 조정 기구(700)가 마련되어 있다.
적재대(22)는, 조정 기구(700)에 의해 지지 부재(23)를 통해서 처리 위치와 전달 위치의 사이에서 승강 가능하게 구성되어 있다. 도 7에는, 실선으로 전달 위치에 있는 적재대(22)를 그리고, 파선으로 처리 위치에 있는 적재대(22)를 각각 나타내고 있다. 또한, 전달 위치에서는, 회전 암(3)의 엔드 이펙터(32)를 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 사이에 삽입하고, 리프트 핀(26)으로부터 웨이퍼(W)를 수취하는 상태를 나타내고 있다. 또한, 처리 위치란, 기판 처리(예를 들어, 성막 처리)를 실행할 때의 위치이며, 전달 위치란, 반송 암(15a) 또는 회전 암(3)(엔드 이펙터(32))과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치이다.
적재대(22)에는, 히터(24)가 매설되어 있다. 히터(24)는, 적재대(22)에 적재된 각 웨이퍼(W)를 예를 들어 60℃ 내지 600℃ 정도로 가열한다. 또한, 적재대(22)는, 접지 전위에 접속되어 있다.
또한, 적재대(22)에는, 복수(예를 들어 3개)의 핀용 관통 구멍(26a)이 마련되어 있고, 이들 핀용 관통 구멍(26a)의 내부에는, 각각 리프트 핀(26)이 배치되어 있다. 핀용 관통 구멍(26a)은, 적재대(22)의 적재면(상면)부터 적재면에 대한 이면(하면)까지 관통하도록 마련되어 있다. 리프트 핀(26)은, 핀용 관통 구멍(26a)에 슬라이드 가능하게 삽입되어 있다. 리프트 핀(26)의 상단은, 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측에 현수되어 있다. 즉, 리프트 핀(26)의 상단은, 핀용 관통 구멍(26a)보다도 큰 직경을 갖고 있고, 핀용 관통 구멍(26a)의 상단에는, 리프트 핀(26)의 상단보다도 직경 및 두께가 크고 또한 리프트 핀(26)의 상단을 수용 가능한 오목부가 형성되어 있다. 이에 의해, 리프트 핀(26)의 상단은, 적재대(22)에 걸림 고정되어 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측에 현수된다. 또한, 리프트 핀(26)의 하단은, 적재대(22)의 이면으로부터 처리 용기(20)의 저부(27)측으로 돌출되어 있어, 도시하지 않은 승강 기구에 맞닿음 가능하게 마련되어 있다.
적재대(22)를 처리 위치까지 상승시킨 상태에서는, 리프트 핀(26)의 상단이 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측의 오목부에 수납된다. 이 상태에서 적재대(22)를 전달 위치로 하강시킴과 함께, 리프트 핀(26)을 도시하지 않은 승강 기구에 의해 상승시키면, 도 7에 도시하는 바와 같이, 리프트 핀(26)의 상단이 적재대(22)의 적재면으로부터 돌출된다.
가스 공급부(4)는, 처리 용기(20)의 천장부에서의, 적재대(22)의 상방에, 절연 부재로 이루어지는 가이드 부재(362)를 개재해서 마련되어 있다. 가스 공급부(4)는, 상부 전극으로서의 기능을 갖는다. 가스 공급부(4)는, 덮개(42)와, 적재대(22)의 적재면과 대향하도록 마련된 대향면을 이루는 샤워 플레이트(43)와, 덮개(42)와 샤워 플레이트(43)의 사이에 형성된 가스의 통류실(44)을 갖는다. 덮개(42)에는, 가스 공급관(51)이 접속됨과 함께, 샤워 플레이트(43)에는, 두께 방향으로 관통하는 가스 토출 구멍(45)이 예를 들어 종횡으로 배열되어, 가스가 샤워 형상으로 적재대(22)를 향해서 토출된다.
각 가스 공급부(4)는, 가스 공급관(51)을 통해서 가스 공급계(50)에 접속되어 있다. 가스 공급계(50)는, 예를 들어 처리 가스인 반응 가스(성막 가스)나, 퍼지 가스, 클리닝 가스의 공급원이나, 배관, 밸브(V), 유량 조정부(M) 등을 구비하고 있다. 가스 공급계(50)는, 예를 들어 클리닝 가스 공급원(53)과, 반응 가스 공급원(54)과, 퍼지 가스 공급원(55)과, 각각의 공급원의 배관에 마련된 밸브(V1 내지 V3), 및 유량 조정부(M1 내지 M3)를 갖는다.
클리닝 가스 공급원(53)은, 유량 조정부(M1), 밸브(V1), 리모트 플라스마 유닛(RPU: Remote Plasma Unit)(531)을 통해서, 클리닝 가스 공급로(532)에 접속된다. 클리닝 가스 공급로(532)는, RPU(531)의 하류측에서 4계통으로 분기되어, 각각 가스 공급관(51)에 접속되어 있다. RPU(531)의 하류측에는 분기된 분기관마다 밸브(V11 내지 V14)가 마련되고, 클리닝 시는 대응하는 밸브(V11 내지 V14)를 개방한다. 또한, 도 7에서는, 편의상 밸브(V11, V14)만이 도시되어 있다.
반응 가스 공급원(54) 및 퍼지 가스 공급원(55)은, 각각 유량 조정부(M2, M3), 및 밸브(V2, V3)를 통해서 가스 공급로(52)에 접속된다. 가스 공급로(52)는, 가스 공급관(510)을 통해서 가스 공급관(51)에 접속된다. 또한, 도 7 중, 가스 공급로(52) 및 가스 공급관(510)은, 각 가스 공급부(4)에 대응하는 각 공급로 및 각 공급관을 통합해서 나타낸 것이다.
샤워 플레이트(43)에는, 정합기(40)를 통해서 고주파 전원(41)이 접속되어 있다. 샤워 플레이트(43)는, 적재대(22)에 대향하는 상부 전극으로서의 기능을 갖는다. 상부 전극인 샤워 플레이트(43)와 하부 전극인 적재대(22)의 사이에 고주파 전력을 인가하면, 용량 결합에 의해, 샤워 플레이트(43)로부터 처리 공간(S1)에 공급된 가스(본 예에서는 반응 가스)를 플라스마화할 수 있다.
계속해서, 처리 공간(S1 내지 S4)으로부터 합류 배기구(205)로의 배기 경로에 대해서 설명한다. 도 6 및 도 7에 도시하는 바와 같이, 배기 경로는, 처리 공간(S1 내지 S4)의 상부에 마련된 각 가이드 부재(362) 내의 환상의 유로(363)로부터 각 배기로(361)를 통과해서, 매니폴드(36)의 중심 하부의 합류부, 구멍(351)을 경유하여, 합류 배기구(205)를 향한다. 또한 배기로(361)는, 단면이, 예를 들어 원 형상으로 형성되어 있다.
각 처리 공간(S1 내지 S4)의 주위에는, 각 처리 공간(S1 내지 S4)을 각각 둘러싸도록 배기용 가이드 부재(362)가 마련되어 있다. 가이드 부재(362)는, 예를 들어 처리 위치에 있는 적재대(22)의 주위 영역을, 당해 적재대(22)에 대하여 간격을 두고 둘러싸도록 마련된 환상체이다. 가이드 부재(362)는, 내부에 예를 들어 종단면이 직사각 형상이며, 평면으로 보아, 환상의 유로(363)를 형성하도록 구성되어 있다. 도 6에서는, 처리 공간(S1 내지 S4), 가이드 부재(362), 배기로(361) 및 매니폴드(36)를 개략적으로 도시하고 있다.
가이드 부재(362)는, 처리 공간(S1 내지 S4)을 향해서 개구되는 슬릿상의 슬릿 배기구(364)를 형성한다. 이와 같이 하여, 각각의 처리 공간(S1 내지 S4)의 측 주위부에 슬릿 배기구(364)가 둘레 방향을 따라 형성되게 된다. 유로(363)에는 배기로(361)가 접속되어, 슬릿 배기구(364)로부터 배기된 처리 가스를 매니폴드(36)의 중심 하부의 합류부, 구멍(351)을 향해서 통류시킨다.
처리 공간(S1-S2, S3-S4)의 조는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 상면측에서 보았을 때, 매니폴드(36)를 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 배치되어 있다. 이에 의해, 각 처리 공간(S1 내지 S4)으로부터 슬릿 배기구(364), 가이드 부재(362)의 유로(363), 배기로(361)를 통해서 구멍(351)에 이르는 처리 가스의 통류로는, 구멍(351)을 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 형성되어 있게 된다.
구멍(351)은, 처리 용기(20)의 중심부에 배치된 2축 진공 시일(34)의 스러스트 배관(341)의 내측인 합류 배기구(205)를 통해서 배기관(61)에 접속되어 있다. 배기관(61)은, 밸브 기구(7)를 통해서 진공 배기 기구를 이루는 진공 펌프(62)에 접속되어 있다. 진공 펌프(62)는, 예를 들어 하나의 처리 용기(20)에 하나 마련되어 있고, 각 진공 펌프(62)의 하류측의 배기관은 합류하여, 예를 들어 공장 배기계에 접속된다.
밸브 기구(7)는, 배기관(61) 내에 형성된 처리 가스의 통류로를 개폐하는 것이며, 예를 들어 케이싱(71)과, 개폐부(72)를 갖는다. 케이싱(71)의 상면에는, 상류측의 배기관(61)과 접속되는 제1 개구부(73), 케이싱(71)의 측면에는 하류측의 배기관과 접속되는 제2 개구부(74)가 각각 형성되어 있다.
개폐부(72)는, 예를 들어 제1 개구부(73)를 막는 크기로 형성된 개폐 밸브(721)와, 케이싱(71)의 외부에 마련되고, 개폐 밸브(721)를 케이싱(71) 내에서 승강시키는 승강 기구(722)를 갖는다. 개폐 밸브(721)는, 도 7에 일점쇄선으로 나타내는 제1 개구부(73)를 막는 폐지 위치와, 도 7에 실선으로 나타내는 제1 및 제2 개구부(73, 74)보다도 하방측으로 퇴피하는 개방 위치의 사이에서 승강 가능하게 구성된다. 개폐 밸브(721)가 폐지 위치에 있을 때는, 합류 배기구(205)의 하류단이 폐쇄되어, 처리 용기(20) 내의 배기가 정지된다. 또한, 개폐 밸브(721)가 개방 위치에 있을 때는, 합류 배기구(205)의 하류단이 개방되어, 처리 용기(20) 내가 배기된다.
계속해서, 2축 진공 시일(34) 및 스러스트 너트(35)에 대해서 설명한다. 2축 진공 시일(34)은, 스러스트 배관(341)과, 베어링(342, 344)과, 로터(343)와, 본체부(345)와, 자성 유체 시일(346, 347)과, 다이렉트 드라이브 모터(348)를 갖는다.
스러스트 배관(341)은, 회전하지 않는 중심축이며, 스러스트 너트(35)를 통해서, 기판 처리 장치(2)의 중심 상부에 걸리는 스러스트 하중을 받아 들인다. 즉, 스러스트 배관(341)은, 처리 공간(S1 내지 S4)을 진공 분위기로 했을 때, 기판 처리 장치(2)의 중심부에 걸리는 진공 하중을 받아 들임으로써, 기판 처리 장치(2)의 상부의 변형을 억제한다. 또한, 스러스트 배관(341)은, 중공 구조이며, 그 내부는 합류 배기구(205)로 되어 있다. 스러스트 배관(341)의 상면은, 스러스트 너트(35)의 하면과 맞닿아진다. 또한, 스러스트 배관(341)의 상부의 내면과, 스러스트 너트(35)의 내주측의 볼록부의 외면의 사이는, 도시하지 않은 O링에 의해 밀봉되어 있다.
스러스트 너트(35)의 외주측 면은, 나사 구조로 되어 있어, 스러스트 너트(35)는 처리 용기(20)의 중심부의 격벽에 나사 결합되어 있다. 처리 용기(20)의 중심부는, 그 상부에 매니폴드(36)가 마련되어 있다. 스러스트 하중은, 매니폴드(36), 처리 용기(20)의 중심부의 격벽, 스러스트 너트(35) 및 스러스트 배관(341)에서 받아 들이게 된다.
베어링(342)은, 로터(343)를 스러스트 배관(341)측에서 보유 지지하는 레이디얼 베어링이다. 베어링(344)은, 로터(343)를 본체부(345)측에서 보유 지지하는 레이디얼 베어링이다. 로터(343)는, 스러스트 배관(341)과 동심원에 배치되고, 회전 암(3)의 중심에서의 회전축이다. 또한, 로터(343)에는, 베이스 부재(33)가 접속되어 있다. 로터(343)가 회전함으로써, 회전 암(3), 즉 엔드 이펙터(32) 및 베이스 부재(33)가 회전한다.
본체부(345)는, 그 내부에 베어링(342, 344)과, 로터(343)와, 자성 유체 시일(346, 347)과, 다이렉트 드라이브 모터(348)를 격납한다. 자성 유체 시일(346, 347)은, 로터(343)의 내주측 및 외주측에 배치되어, 처리 공간(S1 내지 S4)을 외부에 대하여 밀봉한다. 다이렉트 드라이브 모터(348)는, 로터(343)와 접속되어, 로터(343)를 구동함으로써 회전 암(3)을 회전시킨다.
이와 같이, 2축 진공 시일(34)은, 1축째의 회전하지 않는 중심축인 스러스트 배관(341)이 처리 용기(20)의 상부의 하중을 지지하면서, 가스 배기 배관의 역할을 담당하고, 2축째의 로터(343)가 회전 암(3)을 회전시키는 역할을 담당한다.
[적재대의 위치 어긋남 측정 방법]
이어서, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(2)에서의 적재대(22)의 위치 어긋남 측정 방법에 대해서 설명한다. 도 8은, 본 실시 형태에 관한 적재대(22)의 위치 어긋남 측정 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 도 8에서는, 진공 반송실(14a)에 대하여 전방측에 위치하는 처리 공간(S1, S2)의 각 적재대(22)(이하, 적절히 「전방측 적재대(22)」라고 칭함)에 대하여, 어긋남양을 측정하는 경우를 설명한다. 또한, 도 8에서는, 측정한 어긋남양에 기초하는 적재대(22)의 위치 조정을 포함하는 일련의 처리에 대해서 설명한다. 또한, 도 8에 나타내는 각종 처리는, 제어부(8)에 의한 제어에 기초하여 실행된다.
제어부(8)는, 반송 암(15a)에 의해 진공 반송실(14a)로부터 처리 용기(20)에 웨이퍼(W)를 반입한다(스텝 S101).
제어부(8)는, 진공 반송실(14a)로부터 반입출구(21)를 통해서 처리 용기(20)에 웨이퍼(W)가 반입될 때, 센서(17)를 사용하여, 반송 암(15a)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)의 초기 위치를 검출한다(스텝 S102). 스텝 S102에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치를 검출한다.
제어부(8)는, 반입된 웨이퍼(W)가 전방측 적재대(22)에 대응하는 처리 공간(S1, S2)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 도달하면, 리프트 핀(26)을 동작시켜서 전방측 적재대(22)에 웨이퍼(W)를 적재한다(스텝 S103). 제어부(8)는, 전방측 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재되면, 적재대(22)의 회전에 의해 웨이퍼(W)를 미리 결정된 회전 각도(α)만큼 회전시킨다(스텝 S104).
제어부(8)는, 웨이퍼(W)의 회전이 종료되면, 리프트 핀(26)을 동작시켜서 회전 후의 웨이퍼(W)를 적재대(22)로부터 반송 암(15a)에 전달한다(스텝 S105). 제어부(8)는, 반송 암(15a)에 의해 처리 용기(20)로부터 진공 반송실(14a)에 회전 후의 웨이퍼(W)를 반출한다(스텝 S106).
제어부(8)는, 처리 용기(20)로부터 반입출구(21)를 통해서 진공 반송실(14a)에 회전 후의 웨이퍼(W)가 반출될 때, 센서(17)를 사용하여, 반송 암(15a)에 의해 반송되는 회전 후의 웨이퍼(W)의 위치를 검출한다(스텝 S107). 스텝 S107에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 회전 후의 웨이퍼(W)의 중심 위치를 검출한다.
제어부(8)는, 스텝 S102에서 검출한 웨이퍼(W)의 초기 위치와, 스텝 S107에서 검출한 회전 후의 웨이퍼(W)의 위치와, 회전 각도(α)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 위치의 어긋남양을 산출한다(스텝 S108). 스텝 S108에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치와, 회전 후의 웨이퍼(W)의 중심 위치와, 회전 각도(α)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 중심 위치의 어긋남양을 산출한다.
도 9는, 본 실시 형태에 관한 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 중심 위치의 어긋남양의 일례를 도시하는 도면이다. 도 9에서는, 적재대(22)에서의 초기 위치에 위치하는 회전 전의 웨이퍼(W)가 파선에 의해 나타내지고, 적재대(22)의 회전에 의해 회전 각도(α)만큼 회전한 회전 후의 웨이퍼(W)가 실선에 의해 나타내져 있다. 회전 전의 웨이퍼(W)의 중심을 기준 위치 (0, 0)으로서 나타내고, 회전 후의 웨이퍼(W)의 중심의 좌표를 (x, y)로서 나타내면, 적재대(22)의 중심 좌표 (X, Y)는, 이하의 식 (1), (2)로부터 구할 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 중심 위치의 어긋남양은, 좌표 (X, Y)로서 산출된다.
또한, 제어부(8)에 의한 어긋남양의 산출 방법은 도 9에 도시하는 방법에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제어부(8)는, 웨이퍼(W)의 에지의 초기 위치와, 회전 후의 웨이퍼(W)의 에지 위치와, 회전 각도(α)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 에지의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 에지 위치의 어긋남양을 산출해도 된다.
도 8의 설명으로 돌아간다. 제어부(8)는, 산출된 어긋남양, 즉 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 중심 위치의 어긋남양에 기초하여, 적재대(22)의 위치를 조정한다(스텝 S109). 스텝 S109에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 어긋남양이 캔슬되도록, 조정 기구(700)를 제어해서 전방측 적재대(22)를 이동시킨다.
또한, 도 8의 예에서는, 제어부(8)가, 산출된 어긋남양에 기초하여 적재대(22)의 위치를 조정하는 것으로 했지만, 이것에 한정되지 않는다. 제어부(8)는, 산출된 어긋남양에 기초하여, 반송 암(15a)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 위치를 조정해도 된다. 이러한 경우, 제어부(8)는, 어긋남양이 캔슬되도록, 반송 암(15a)의 기판 보유 지지부를 이동시킨다.
도 10은, 본 실시 형태에 관한 적재대(22)의 위치 어긋남 측정 처리의 다른 일례를 나타내는 흐름도이다. 도 10에서는, 진공 반송실(14a)에 대하여 안쪽에 위치하는 처리 공간(S3, S4)의 각 적재대(22)(이하, 적절히 「안쪽 적재대(22)」라고 칭함)에 대하여, 어긋남양을 측정하는 경우를 설명한다. 또한, 도 10에서는, 측정한 어긋남양에 기초하는 적재대(22)의 위치 조정을 포함하는 일련의 처리에 대해서 설명한다. 또한, 도 10에 나타내는 각종 처리는, 제어부(8)에 의한 제어에 기초하여 실행된다.
제어부(8)는, 반송 암(15a)에 의해 진공 반송실(14a)로부터 처리 용기(20)에 웨이퍼(W)를 반입한다(스텝 S111).
제어부(8)는, 진공 반송실(14a)로부터 반입출구(21)를 통해서 처리 용기(20)에 웨이퍼(W)가 반입될 때, 센서(17)를 사용하여, 반송 암(15a)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)의 초기 위치를 검출한다(스텝 S112). 스텝 S112에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치를 검출한다.
제어부(8)는, 반입된 웨이퍼(W)가 전방측 적재대(22)에 대응하는 처리 공간(S1, S2)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 도달하면, 웨이퍼(W)를 회전 암(3)에 적재한다(스텝 S113). 스텝 S113에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 전방측 적재대(22)로부터 리프트 핀(26)을 상승시켜서 리프트 핀(26)에 의해 웨이퍼(W)를 수취한다. 그리고, 제어부(8)는, 회전 암(3)을 대기 위치로부터 시계 방향으로 약 30° 회전시켜서, 엔드 이펙터(32)를 처리 공간(S1, S2)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 사이에 삽입한다. 그리고, 제어부(8)는, 리프트 핀(26)을 하강시켜서 엔드 이펙터(32)에 웨이퍼(W)를 적재한다.
제어부(8)는, 회전 암(3)에 웨이퍼(W)가 적재되면, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜, 처리 공간(S3, S4)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 있는 안쪽 적재대(22)에 웨이퍼(W)를 반송한다(스텝 S114).
제어부(8)는, 회전 암(3)에 적재된 웨이퍼(W)가 안쪽 적재대(22)에 대응하는 처리 공간(S3, S4)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 도달하면, 리프트 핀(26)을 동작시켜서 안쪽 적재대(22)에 웨이퍼(W)를 적재한다(스텝 S115). 제어부(8)는, 안쪽 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재되면, 적재대(22)의 회전에 의해 웨이퍼(W)를 미리 결정된 회전 각도(α)만큼 회전시킨다(스텝 S116).
제어부(8)는, 웨이퍼(W)의 회전이 종료되면, 리프트 핀(26)을 동작시켜서 회전 후의 웨이퍼(W)를 적재대(22)로부터 회전 암(3)에 전달한다(스텝 S117).
제어부(8)는, 회전 암(3)에 회전 후의 웨이퍼(W)가 전달되면, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜, 처리 공간(S1, S2)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 있는 전방측 적재대(22)에 회전 후의 웨이퍼(W)를 반송한다(스텝 S118).
제어부(8)는, 회전 후의 웨이퍼(W)가 전방측 적재대(22)에 대응하는 처리 공간(S1, S2)의 하부에서의 반송 공간(T)의 전달 위치에 도달하면, 리프트 핀(26)을 동작시켜서 회전 후의 웨이퍼(W)를 회전 암(3)으로부터 반송 암(15a)에 전달한다. 제어부(8)는, 반송 암(15a)에 의해 처리 용기(20)로부터 진공 반송실(14a)에 회전 후의 웨이퍼(W)를 반출한다(스텝 S119).
제어부(8)는, 처리 용기(20)로부터 반입출구(21)를 통해서 진공 반송실(14a)에 회전 후의 웨이퍼(W)가 반출될 때, 센서(17)를 사용하여, 반송 암(15a)에 의해 반송되는 회전 후의 웨이퍼(W)의 위치를 검출한다(스텝 S120). 스텝 S120에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 회전 후의 웨이퍼(W)의 중심 위치를 검출한다.
제어부(8)는, 스텝 S112에서 검출한 웨이퍼(W)의 초기 위치와, 스텝 S120에서 검출한 회전 후의 웨이퍼(W)의 위치와, 회전 각도(α)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 위치의 어긋남양을 산출한다(스텝 S121). 스텝 S121에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치와, 회전 후의 웨이퍼(W)의 중심 위치와, 회전 각도(α)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 중심 위치의 어긋남양을 산출한다. 스텝 S121에서의 어긋남양의 산출 방법은, 도 9에 도시하는 방법과 기본적으로는 마찬가지이다. 단, 안쪽 적재대(22)와 전방측 적재대(22)가 180°의 회전 대칭성을 갖기 때문에, 회전 후의 웨이퍼(W)의 중심 좌표 (x, y)의 정부가 반전된다.
제어부(8)는, 산출된 어긋남양, 즉 웨이퍼(W)의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 위치의 어긋남양에 기초하여, 적재대(22)의 위치를 조정한다(스텝 S122). 스텝 S122에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 어긋남양이 캔슬되도록, 조정 기구(700)를 제어해서 전방측 적재대(22)를 이동시킨다.
이와 같이, 기판 처리 장치(2)에서는, 회전 전의 웨이퍼(W)의 초기 위치, 회전 후의 웨이퍼(W)의 위치 및 회전 각도에 기초하여, 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다. 즉, 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 상대 위치의 어긋남양을 육안으로 확인하는 작업을 실시하지 않고, 간결하면서 또한 신속하게 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(2)에서는, 처리 용기(20)를 대기 개방하지 않고 적재대(22)의 위치를 조정할 수 있다.
[변형예]
상기 실시 형태에서는, 진공 반송실(14a)이 갖는 센서(17)를 사용해서 웨이퍼(W)의 초기 위치 및 회전 후의 웨이퍼(W)의 위치를 검출하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 기판 처리 장치(2)가 갖는 센서(31a, 31b)를 사용해도 된다. 센서(31a, 31b)를 사용해서 웨이퍼(W)의 초기 위치 및 회전 후의 웨이퍼(W)의 위치를 검출하는 경우를 변형예로서 설명한다.
도 11은, 변형예에 관한 적재대(22)의 위치 어긋남 측정 처리의 일례를 나타내는 흐름도이다. 도 11에서는, 처리 공간(S1 내지 S4)의 모든 적재대(22)에 대해서, 어긋남양을 일괄적으로 측정하는 경우를 설명한다. 또한, 도 11에서는, 측정한 어긋남양에 기초하는 적재대(22)의 위치 조정을 포함하는 일련의 처리에 대해서 설명한다. 또한, 도 11에 나타내는 각종 처리는, 제어부(8)에 의한 제어에 기초하여 실행된다. 또한, 도 11에 나타내는 각종 처리는, 처리 공간(S1 내지 S4)의 모든 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재된 후에 개시된다.
제어부(8)는, 웨이퍼(W)를 회전 암에 적재한다(스텝 S131). 스텝 S131에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 적재대(22)로부터 리프트 핀(26)을 상승시켜서 리프트 핀(26)에 의해 웨이퍼(W)를 수취한다. 그리고, 제어부(8)는, 회전 암(3)을 대기 위치로부터 시계 방향으로 약 30° 회전시켜서, 엔드 이펙터(32)를 처리 공간(S1 내지 S4)의 하부의 전달 위치에 있는 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 사이에 삽입한다. 그리고, 제어부(8)는, 리프트 핀(26)을 하강시켜서 엔드 이펙터(32)에 웨이퍼(W)를 적재한다.
제어부(8)는, 회전 암(3)에 웨이퍼(W)가 적재되면, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜, 회전 암(3) 상의 웨이퍼(W)가 센서(31a, 31b)를 통과하도록 웨이퍼(W)를 반송한다(스텝 S132).
제어부(8)는, 회전 암(3)의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 반송될 때, 센서(31a, 31b)를 사용하여, 웨이퍼(W)의 초기 위치를 검출한다(스텝 S133). 스텝 S133에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치를 검출한다. 제어부(8)는, 회전 암(3)의 회전에 의한 웨이퍼(W)의 반송이 종료되면, 회전 암(3)을 또한 시계 방향으로 180° 회전시켜, 회전 암(3)에 웨이퍼(W)가 적재된 시점의 원래 위치로 돌아가도록 웨이퍼(W)를 반송한다.
제어부(8)는, 회전 암(3)에 웨이퍼(W)가 적재된 시점의 원래 위치로 웨이퍼(W)가 돌아가면, 리프트 핀(26)을 동작시켜서 적재대(22)에 웨이퍼(W)를 적재한다(스텝 S134). 제어부(8)는, 적재대(22)에 웨이퍼(W)가 적재되면, 적재대(22)의 회전에 의해 웨이퍼(W)를 미리 결정된 회전 각도(α)만큼 회전시킨다(스텝 S135).
제어부(8)는, 웨이퍼(W)의 회전이 종료되면, 리프트 핀(26)을 동작시켜서 회전 후의 웨이퍼(W)를 적재대(22)로부터 회전 암(3)에 전달한다(스텝 S136).
제어부(8)는, 회전 암(3)에 회전 후의 웨이퍼(W)가 전달되면, 회전 암(3)을 시계 방향으로 180° 회전시켜, 회전 암(3) 상의 회전 후의 웨이퍼(W)가 센서(31a, 31b)를 통과하도록 웨이퍼(W)를 반송한다(스텝 S137).
제어부(8)는, 회전 암(3)의 회전에 의해 회전 후의 웨이퍼(W)가 반송될 때, 센서(31a, 31b)를 사용하여, 회전 후의 웨이퍼(W)의 위치를 검출한다(스텝 S138). 스텝 S138에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 회전 후의 웨이퍼(W)의 중심 위치를 검출한다. 제어부(8)는, 회전 암(3)의 회전에 의한 회전 후의 웨이퍼(W)의 반송이 종료되면, 회전 암(3)을 또한 시계 방향으로 180° 회전시켜, 회전 암(3)에 회전 후의 웨이퍼(W)가 전달된 시점의 원래 위치로 돌아가도록 회전 후의 웨이퍼(W)를 반송한다. 원래 위치로 돌아간 회전 후의 웨이퍼(W)는, 반송 암(15a)에 의해 처리 용기(20)로부터 진공 반송실(14a)에 반출되어도 된다.
제어부(8)는, 스텝 S133에서 검출한 웨이퍼(W)의 초기 위치와, 스텝 S138에서 검출한 회전 후의 웨이퍼(W)의 위치와, 회전 각도(α)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 위치의 어긋남양을 산출한다(스텝 S139). 스텝 S139에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치와, 회전 후의 웨이퍼(W)의 중심 위치와, 회전 각도(α)에 기초하여, 웨이퍼(W)의 중심의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 중심 위치의 어긋남양을 산출한다. 스텝 S139에서의 어긋남양의 산출 방법은 도 9에 도시하는 방법과 마찬가지이다.
제어부(8)는, 산출된 어긋남양, 즉 웨이퍼(W)의 초기 위치에 대한 적재대(22)의 위치의 어긋남양에 기초하여, 적재대(22)의 위치를 조정한다(스텝 S140). 스텝 S140에서는, 예를 들어 제어부(8)는, 어긋남양이 캔슬되도록, 조정 기구(700)를 제어해서 전방측 적재대(22)를 이동시킨다.
이와 같이, 변형예의 기판 처리 장치(2)에서는, 실시 형태의 기판 처리 장치(2)와 마찬가지로, 회전 전의 웨이퍼(W)의 초기 위치, 회전 후의 웨이퍼(W)의 위치 및 회전 각도에 기초하여, 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다. 즉, 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 상대 위치의 어긋남양을 육안으로 확인하는 작업을 실시하지 않고, 간결하면서 또한 신속하게 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(2)에서는, 처리 용기(20)를 대기 개방하지 않고 적재대(22)의 위치를 조정할 수 있다.
[기타 변형예]
상기 실시 형태에서는, 산출된 어긋남양에 기초하여, 적재대(22)의 위치를 조정하는 것으로 했지만, 이것에 한정되지 않는다. 제어부(8)는, 산출된 어긋남양에 기초하여, 반송 암(15a)에 의한 웨이퍼(W)의 반송 위치를 조정해도 된다. 예를 들어, 제어부(8)는, 어긋남양이 캔슬되도록, 반송 암(15a)의 기판 보유 지지부를 이동시켜도 된다.
또한, 상기 실시 형태 및 변형예에 있어서, 적재대(22)의 위치 어긋남 측정 처리는, 처리 용기(20) 및 적재대(22)가 가열된 상태에서 실행해도 된다. 즉, 도 8의 스텝 S101 내지 S109, 도 10의 스텝 S111 내지 S122 및 도 11의 스텝 S131 내지 S140은, 처리 용기(20) 및 적재대(22)가 가열된 상태에서 실행해도 된다. 이 경우, 기판 처리 장치(2)는, 처리 용기(20) 및 적재대(22)의 열팽창에 기인한, 적재대(22)와 웨이퍼(W)의 상대 위치의 어긋남양을 측정해서 보정할 수 있다.
이상과 같이, 실시 형태에 관한 기판 처리 장치(예를 들어, 기판 처리 장치(2))는, 처리 용기(예를 들어, 처리 용기(20))와, 처리 용기의 내부에 마련된 회전 가능한 기판 적재대(예를 들어, 적재대(22))와, 제어부(예를 들어, 제어부(8))를 구비한다. 제어부는, 제1 공정과, 제2 공정과, 제3 공정과, 제4 공정과, 제5 공정과, 제6 공정을 실행하도록 처리 용기 및 기판 적재대를 제어하게 구성된다. 제1 공정은, 기판(예를 들어, 웨이퍼(W))을 반송하는 암(예를 들어, 반송 암(15a), 회전 암(3))에 의해 반송되는 기판의 초기 위치를 검출한다. 제2 공정은, 기판 적재대에 기판을 적재한다. 제3 공정은, 기판 적재대의 회전에 의해 기판을 미리 결정된 회전 각도(예를 들어, 회전 각도(α))만큼 회전시킨다. 제4 공정은, 회전 후의 기판을 기판 적재대로부터 암에 전달한다. 제5 공정은, 암에 의해 반송되는 회전 후의 기판의 위치를 검출한다. 제6 공정은, 기판의 초기 위치와, 회전 후의 기판의 위치와, 회전 각도에 기초하여, 기판의 초기 위치에 대한 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출한다. 그 결과, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치는, 기판을 반송하는 반송 암(예를 들어, 반송 암(15a))을 내부에 갖는 진공 반송실(예를 들어, 진공 반송실(14a))에 접속되어 있어도 된다. 암은, 반송 암이어도 된다. 그 결과, 진공 반송실에 기판 처리 장치가 접속된 기판 처리 시스템(예를 들어, 기판 처리 시스템(1))에 있어서, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다.
또한, 진공 반송실은, 반송 암에 의해 반송되는 기판의 위치를 검출하는 검출부(예를 들어, 센서(17))를 가져도 된다. 제1 공정은, 진공 반송실로부터 처리 용기에 기판이 반입될 때, 검출부를 사용하여, 기판의 초기 위치를 검출해도 된다. 제5 공정은, 처리 용기로부터 진공 반송실에 회전 후의 기판이 반출될 때, 검출부를 사용하여, 회전 후의 기판의 위치를 검출해도 된다. 그 결과, 진공 반송실의 검출부에 의한 검출 결과로부터, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다.
또한, 처리 용기는, 각각에 기판 적재대가 마련된 복수의 처리 공간(예를 들어, 처리 공간(S1 내지 S4))을 내부에 가져도 된다. 기판 처리 장치는, 각 처리 공간의 기판 적재대에 적재되는 기판을 보유 지지 가능한 복수의 엔드 이펙터(예를 들어, 엔드 이펙터(32))를 갖는 회전 암(예를 들어, 회전 암(3))을 가져도 된다. 암은, 회전 암이어도 된다. 그 결과, 복수의 기판을 동시에 1개의 처리 용기 내에서 처리하는 형태의 기판 처리 장치에 있어서, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치는, 회전 암에 보유 지지된 기판의 회전 궤적 상의 위치에, 기판의 위치를 검출하는 검출부(예를 들어, 센서(31a, 31b))를 가져도 된다. 제1 공정은, 회전 암의 회전에 의해 기판이 반송될 때, 검출부를 사용하여, 기판의 초기 위치를 검출해도 된다. 제5 공정은, 회전 암의 회전에 의해 회전 후의 기판이 반송될 때, 검출부를 사용하여, 회전 후의 기판의 위치를 검출한다. 그 결과, 기판 처리 장치의 검출부에 의한 검출 결과로부터, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다.
또한, 제1 공정은, 기판의 중심의 초기 위치를 검출해도 된다. 제5 공정은, 회전 후의 기판의 중심 위치를 검출해도 된다. 제6 공정은, 기판의 중심의 초기 위치와, 회전 후의 기판의 중심 위치와, 회전 각도에 기초하여, 기판의 중심의 초기 위치에 대한 기판 적재대의 중심 위치의 어긋남양을 산출해도 된다. 그 결과, 기판 적재대의 중심과 기판의 중심의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다.
또한, 제어부는, 처리 용기 및 기판 적재대가 가열된 상태에서, 제1 공정부터 제6 공정까지의 처리를 실행해도 된다. 그 결과, 처리 용기 및 기판 적재대의 열팽창에 기인한, 기판 적재대와 기판의 상대 위치의 어긋남양을 측정할 수 있다.
또한, 제어부는, 제7 공정을 더 실행하도록 각 부를 제어하게 구성되어도 된다. 제7 공정은, 산출된 어긋남양에 기초하여, 기판 적재대의 위치를 조정해도 된다. 그 결과, 간결하면서 또한 고정밀도로 기판 적재대의 위치 조정을 행할 수 있다.
또한, 제어부는, 제8 공정을 더 실행하도록 각 부를 제어하게 구성되어도 된다. 제8 공정은, 산출된 어긋남양에 기초하여, 암(예를 들어, 반송 암(15a))에 의한 기판의 반송 위치를 조정해도 된다. 그 결과, 간결하면서 또한 고정밀도로 암의 위치 조정을 행할 수 있다.
이와 같이, 제어부는, 제7 공정 또는 제8 공정을 실행하도록 각 부를 제어하게 구성되어도 된다. 이에 의해, 처리 용기의 내부에 마련된 기판 적재대의 설치 위치의 오차나, 처리 용기의 열팽창에 기인한 기판 반송 위치의 오차를 캔슬하기 위한 보정을, 처리 용기를 개방하지 않고 또한 사람 손을 거치지 않고 제어부의 제어 하에서 완전 자동으로 실시하는 것이 가능하게 된다.
또한, 금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 실시 형태는, 첨부의 특허 청구 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
또한, 이상의 실시 형태에 관하여, 또한 이하의 부기를 개시한다.
(부기 1) 처리 용기의 내부에 회전 가능한 기판 적재대가 마련된 기판 처리 장치에서의 상기 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법이며,
기판을 반송하는 암에 의해 반송되는 상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정과,
상기 기판 적재대에 상기 기판을 적재하는 공정과,
상기 기판 적재대의 회전에 의해 상기 기판을 미리 결정된 회전 각도만큼 회전시키는 공정과,
회전 후의 상기 기판을 상기 기판 적재대로부터 상기 암에 전달하는 공정과,
상기 암에 의해 반송되는 회전 후의 상기 기판의 위치를 검출하는 공정과,
상기 기판의 초기 위치와, 회전 후의 상기 기판의 위치와, 상기 회전 각도에 기초하여, 상기 기판의 초기 위치에 대한 상기 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출하는 공정
을 포함하는, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
(부기 2) 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판을 반송하는 반송 암을 내부에 갖는 진공 반송실에 접속되어 있고,
상기 암은, 상기 반송 암인, 부기 1에 기재된 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
(부기 3) 상기 진공 반송실은, 상기 반송 암에 의해 반송되는 기판의 위치를 검출하는 검출부를 갖고,
상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정은, 상기 진공 반송실로부터 상기 처리 용기에 상기 기판이 반입될 때, 상기 검출부를 사용하여 상기 기판의 초기 위치를 검출하고,
상기 회전 후의 기판의 위치를 검출하는 공정은, 상기 처리 용기로부터 상기 진공 반송실에 회전 후의 상기 기판이 반출될 때, 상기 검출부를 사용하여 회전 후의 상기 기판의 위치를 검출하는, 부기 2에 기재된 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
(부기 4) 상기 처리 용기는, 각각에 상기 기판 적재대가 마련된 복수의 처리 공간을 내부에 갖고, 상기 기판 처리 장치는, 각 상기 처리 공간의 상기 기판 적재대에 적재되는 상기 기판을 보유 지지 가능한 복수의 엔드 이펙터를 갖는 회전 암을 갖고,
상기 암은, 상기 회전 암인, 부기 1에 기재된 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
(부기 5) 상기 기판 처리 장치는, 상기 회전 암에 보유 지지된 상기 기판의 회전 궤적 상의 위치에, 상기 기판의 위치를 검출하는 검출부를 갖고,
상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정은, 상기 회전 암의 회전에 의해 상기 기판이 반송될 때, 상기 검출부를 사용하여 상기 기판의 초기 위치를 검출하고,
상기 회전 후의 기판의 위치를 검출하는 공정은, 상기 회전 암의 회전에 의해 회전 후의 상기 기판이 반송될 때, 상기 검출부를 사용하여 회전 후의 상기 기판의 위치를 검출하는, 부기 4에 기재된 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
(부기 6) 상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정은, 상기 기판의 중심의 초기 위치를 검출하고,
상기 회전 후의 기판의 위치를 검출하는 공정은, 회전 후의 상기 기판의 중심 위치를 검출하고,
상기 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출하는 공정은, 상기 기판의 중심의 초기 위치와, 회전 후의 상기 기판의 중심 위치와, 상기 회전 각도에 기초하여, 상기 기판의 중심의 초기 위치에 대한 상기 기판 적재대의 중심 위치의 어긋남양을 산출하는, 부기 1 내지 5의 어느 하나에 기재된 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
(부기 7) 상기 처리 용기 및 상기 기판 적재대가 가열된 상태에서, 상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정부터 상기 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출하는 공정까지의 처리를 실행하는, 부기 1 내지 6의 어느 하나에 기재된 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
(부기 8) 산출된 상기 어긋남양에 기초하여, 상기 기판 적재대의 위치를 조정하는 공정을 더 포함하는, 부기 1 내지 7의 어느 하나에 기재된 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
(부기 9) 산출된 상기 어긋남양에 기초하여, 상기 암에 의한 기판의 반송 위치를 조정하는 공정을 더 포함하는, 부기 1 내지 8의 어느 하나에 기재된 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
(부기 10) 처리 용기와,
상기 처리 용기의 내부에 마련된 회전 가능한 기판 적재대와,
제어부
를 구비하고,
상기 제어부는,
기판을 반송하는 암에 의해 반송되는 상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정과,
상기 기판 적재대에 상기 기판을 적재하는 공정과,
상기 기판 적재대의 회전에 의해 상기 기판을 미리 결정된 회전 각도만큼 회전시키는 공정과,
회전 후의 상기 기판을 상기 기판 적재대로부터 상기 암에 전달하는 공정과,
상기 암에 의해 반송되는 회전 후의 상기 기판의 위치를 검출하는 공정과,
상기 기판의 초기 위치와, 회전 후의 상기 기판의 위치와, 상기 회전 각도에 기초하여, 상기 기판의 초기 위치에 대한 상기 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출하는 공정
을 실행하도록 상기 처리 용기 및 상기 기판 적재대를 제어하게 구성되는, 기판 처리 장치.

Claims (10)

  1. 처리 용기의 내부에 회전 가능한 기판 적재대가 마련된 기판 처리 장치에서의 상기 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법이며,
    기판을 반송하는 암에 의해 반송되는 상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정과,
    상기 기판 적재대에 상기 기판을 적재하는 공정과,
    상기 기판 적재대의 회전에 의해 상기 기판을 미리 결정된 회전 각도만큼 회전시키는 공정과,
    회전 후의 상기 기판을 상기 기판 적재대로부터 상기 암에 전달하는 공정과,
    상기 암에 의해 반송되는 회전 후의 상기 기판의 위치를 검출하는 공정과,
    상기 기판의 초기 위치와, 회전 후의 상기 기판의 위치와, 상기 회전 각도에 기초하여, 상기 기판의 초기 위치에 대한 상기 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출하는 공정
    을 포함하는, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판을 반송하는 반송 암을 내부에 포함하는 진공 반송실에 접속되어 있고,
    상기 암은, 상기 반송 암인, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 진공 반송실은, 상기 반송 암에 의해 반송되는 기판의 위치를 검출하는 검출부를 포함하고,
    상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정은, 상기 진공 반송실로부터 상기 처리 용기에 상기 기판이 반입될 때, 상기 검출부를 사용하여 상기 기판의 초기 위치를 검출하고,
    상기 회전 후의 기판의 위치를 검출하는 공정은, 상기 처리 용기로부터 상기 진공 반송실에 회전 후의 상기 기판이 반출될 때, 상기 검출부를 사용하여 회전 후의 상기 기판의 위치를 검출하는, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 처리 용기는, 각각에 상기 기판 적재대가 마련된 복수의 처리 공간을 내부에 포함하고,
    상기 기판 처리 장치는, 각 상기 처리 공간의 상기 기판 적재대에 적재되는 상기 기판을 보유 지지 가능한 복수의 엔드 이펙터를 갖는 회전 암을 포함하고,
    상기 암은, 상기 회전 암인, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 회전 암에 보유 지지된 상기 기판의 회전 궤적 상의 위치에, 상기 기판의 위치를 검출하는 검출부를 포함하고,
    상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정은, 상기 회전 암의 회전에 의해 상기 기판이 반송될 때, 상기 검출부를 사용하여 상기 기판의 초기 위치를 검출하고,
    상기 회전 후의 기판의 위치를 검출하는 공정은, 상기 회전 암의 회전에 의해 회전 후의 상기 기판이 반송될 때, 상기 검출부를 사용하여 회전 후의 상기 기판의 위치를 검출하는, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정은, 상기 기판의 중심의 초기 위치를 검출하고,
    상기 회전 후의 기판의 위치를 검출하는 공정은, 회전 후의 상기 기판의 중심 위치를 검출하고,
    상기 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출하는 공정은, 상기 기판의 중심의 초기 위치와, 회전 후의 상기 기판의 중심 위치와, 상기 회전 각도에 기초하여, 상기 기판의 중심의 초기 위치에 대한 상기 기판 적재대의 중심 위치의 어긋남양을 산출하는, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 처리 용기 및 상기 기판 적재대가 가열된 상태에서, 상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정부터 상기 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출하는 공정까지의 처리를 실행하는, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
  8. 제1항에 있어서, 산출된 상기 어긋남양에 기초하여, 상기 기판 적재대의 위치를 조정하는 공정을 더 포함하는, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
  9. 제1항에 있어서, 산출된 상기 어긋남양에 기초하여, 상기 암에 의한 기판의 반송 위치를 조정하는 공정을 더 포함하는, 기판 적재대의 위치 어긋남 측정 방법.
  10. 처리 용기와,
    상기 처리 용기의 내부에 마련된 회전 가능한 기판 적재대와,
    제어부
    를 포함하고,
    상기 제어부는,
    기판을 반송하는 암에 의해 반송되는 상기 기판의 초기 위치를 검출하는 공정과,
    상기 기판 적재대에 상기 기판을 적재하는 공정과,
    상기 기판 적재대의 회전에 의해 상기 기판을 미리 결정된 회전 각도만큼 회전시키는 공정과,
    회전 후의 상기 기판을 상기 기판 적재대로부터 상기 암에 전달하는 공정과,
    상기 암에 의해 반송되는 회전 후의 상기 기판의 위치를 검출하는 공정과,
    상기 기판의 초기 위치와, 회전 후의 상기 기판의 위치와, 상기 회전 각도에 기초하여, 상기 기판의 초기 위치에 대한 상기 기판 적재대의 위치의 어긋남양을 산출하는 공정
    을 실행하도록 상기 처리 용기 및 상기 기판 적재대를 제어하게 구성되는, 기판 처리 장치.
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