KR102559222B1 - 진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 제어 방법 - Google Patents

진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 제어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102559222B1
KR102559222B1 KR1020210083028A KR20210083028A KR102559222B1 KR 102559222 B1 KR102559222 B1 KR 102559222B1 KR 1020210083028 A KR1020210083028 A KR 1020210083028A KR 20210083028 A KR20210083028 A KR 20210083028A KR 102559222 B1 KR102559222 B1 KR 102559222B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing container
base member
loading table
vacuum
processing
Prior art date
Application number
KR1020210083028A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220005990A (ko
Inventor
기요시 모리
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20220005990A publication Critical patent/KR20220005990A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102559222B1 publication Critical patent/KR102559222B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J21/00—Chambers provided with manipulation devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은, 처리 용기의 변형에 기인한, 적재대의 위치 및 기울기의 어긋남을 개선한다. 진공 처리 장치는, 내부를 진공 분위기로 유지 가능한 처리 용기와, 처리 용기 내에 마련되어, 기판이 적재되는 적재대와, 처리 용기의 저부의 구멍을 관통해서 적재대를 하방으로부터 지지하는 지지 부재와, 처리 용기의 외부에 위치하는 지지 부재의 단부에 걸림 결합되어서 적재대와 일체적으로 이동 가능한 베이스 부재와, 처리 용기의 저부와 베이스 부재의 사이에 서로 병렬로 마련되어, 처리 용기의 저부에 대하여 베이스 부재를 상대적으로 이동시킴으로써, 적재대의 위치 및 기울기를 조정하는 복수의 액추에이터를 갖는다.

Description

진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 제어 방법{VACUUM PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING VACUUM PROCESSING APPARATUS}
본 개시는, 진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 제어 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 처리 용기의 저부의 하방에, 기판을 적재하는 적재대의 기울기를 조정하기 위한 조정판을 배치하고, 처리 용기의 저부와 조정판을 볼트로 체결하는 구조가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2001-230307호 공보
본 개시는, 처리 용기의 변형에 기인한, 적재대의 위치 및 기울기의 어긋남을 개선할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 진공 처리 장치는, 내부를 진공 분위기로 유지 가능한 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 마련되어, 기판이 적재되는 적재대와, 상기 처리 용기의 저부의 구멍을 관통해서 상기 적재대를 하방으로부터 지지하는 지지 부재와, 상기 처리 용기의 외부에 위치하는 상기 지지 부재의 단부에 걸림 결합되어 상기 적재대와 일체적으로 이동 가능한 베이스 부재와, 상기 처리 용기의 저부와 상기 베이스 부재의 사이에 서로 병렬로 마련되어, 상기 처리 용기의 저부에 대하여 상기 베이스 부재를 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 적재대의 위치 및 기울기를 조정하는 복수의 액추에이터를 갖는다.
본 개시에 의하면, 처리 용기의 변형에 기인한, 적재대의 위치 및 기울기의 어긋남을 개선할 수 있다는 효과를 발휘한다.
도 1은 실시 형태에 따른 진공 처리 시스템의 구성의 일례를 도시하는 개략 평면도이다.
도 2는 실시 형태에 따른 진공 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 분해 사시도이다.
도 3은 실시 형태에 따른 진공 처리 장치의 내부 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 4는 실시 형태에 따른 진공 처리 장치의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 5는 실시 형태에 따른 회전 구동 기구 및 조정 기구의 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 6은 도 5에 도시하는 흡수 기구의 구성의 일례를 도시하는 도면이다.
도 7은 실시 형태에 따른 진공 처리 장치의 제어 방법의 흐름의 예 1을 나타내는 흐름도이다.
도 8은 실시 형태에 따른 진공 처리 장치의 제어 방법의 흐름의 예 2를 나타내는 흐름도이다.
도 9는 실시 형태에 따른 진공 처리 장치의 제어 방법의 흐름의 예 3을 나타내는 흐름도이다.
도 10은 실시 형태에 따른 진공 처리 장치의 제어 방법의 흐름의 예 4를 나타내는 흐름도이다.
도 11은 실시 형태에 따른 진공 처리 장치의 제어 방법의 흐름의 예 5를 나타내는 흐름도이다.
이하, 도면을 참조하여 본원의 개시하는 진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 제어 방법의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태에 의해, 개시하는 진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 제어 방법이 한정되는 것은 아니다.
진공 처리 장치의 처리 용기는, 내부의 압력을 대기 상태에서 진공 상태로 전환했을 경우, 압력차에 의해 변형한다. 또한, 처리 용기는, 온도 변화에 의해서도 변형한다. 처리 용기가 변형하면, 처리 용기의 변형에 의한 응력이 적재대에 전해져서, 적재대의 위치 및 기울기가 원하는 위치 및 기울기로부터 어긋나는 경우가 있다. 예를 들어, 특허문헌 1과 같이, 처리 용기의 저부의 하방에 조정판을 배치하는 구조에서는, 볼트를 사용해서 조정판을 가동시킴으로써, 처리 용기의 변형에 의한 적재대의 기울기의 어긋남을 개선할 수 있지만, 적재대의 위치의 어긋남을 개선하는 것이 곤란하다. 그래서, 처리 용기의 변형에 기인한, 적재대의 위치 및 기울기의 어긋남을 개선하는 기술이 기대되고 있다.
(실시 형태)
[진공 처리 시스템의 구성]
도 1은, 실시 형태에 따른 진공 처리 시스템의 구성의 일례를 도시하는 개략 평면도이다. 진공 처리 시스템(1)은, 반출입 포트(11)와, 반출입 모듈(12)과, 진공 반송 모듈(13)과, 진공 처리 장치(2)를 갖는다. 도 1에서, X 방향을 좌우 방향, Y 방향을 전후 방향, Z 방향을 상하 방향(높이 방향), 반출입 포트(11)를 전후 방향의 전방측으로서 설명한다. 반출입 모듈(12)의 전방측에는 반출입 포트(11), 반출입 모듈(12)의 안쪽에는 진공 반송 모듈(13)이, 각각 서로 전후 방향을 향해서 접속되어 있다.
반출입 포트(11)에는, 처리 대상의 기판을 수용한 반송 용기인 캐리어(C)가 적재된다. 기판은, 직경이 예를 들어 300mm의 원형 기판인 웨이퍼(W)이다. 반출입 모듈(12)은, 캐리어(C)와 진공 반송 모듈(13)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반출입을 행하기 위한 모듈이다. 반출입 모듈(12)은, 반송 기구(120)에 의해, 상압 분위기 중에서 캐리어(C)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 상압 반송실(121)과, 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기를 상압 분위기와 진공 분위기의 사이에서 전환하는 로드 로크실(122)을 갖는다.
진공 반송 모듈(13)은 진공 분위기가 형성된 진공 반송실(14)을 갖는다. 진공 반송실(14)의 내부에는, 기판 반송 기구(15)가 배치되어 있다. 진공 반송실(14)은, 예를 들어 평면으로 보아, 전후 방향을 따른 방향으로 긴 변을 갖는 직사각형으로 형성된다. 진공 반송실(14)의 4개의 측벽 중, 직사각형의 서로 대향하는 긴 변에는, 각각 복수개(예를 들어 3개)의 진공 처리 장치(2)가 접속되어 있다. 또한, 진공 반송실(14)의 4개의 측벽 중, 전방측의 짧은 변에는 반출입 모듈(12) 내에 설치된 로드 로크실(122)이 접속되어 있다. 상압 반송실(121)과 로드 로크실(122)의 사이, 로드 로크실(122)과 진공 반송 모듈(13)의 사이, 진공 반송 모듈(13)과 진공 처리 장치(2)의 사이에는, 게이트 밸브(G)가 배치되어 있다. 게이트 밸브(G)는, 서로 접속되는 모듈에 각각 마련되는 웨이퍼(W)의 반입출구를 개폐한다.
기판 반송 기구(15)는, 진공 분위기 중에서 반출입 모듈(12)과 진공 처리 장치(2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 기판 반송 기구(15)는, 다관절 암으로 이루어지고, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 기판 보유 지지부(16)를 갖는다. 진공 처리 장치(2)는, 진공 분위기 중에서 복수매(예를 들어 4매)의 웨이퍼(W)에 대하여 일괄적으로 처리 가스를 사용한 기판 처리를 행한다. 이 때문에, 진공 처리 장치(2)에 일괄해서 4매의 웨이퍼(W)를 전달하도록, 기판 반송 기구(15)의 기판 보유 지지부(16)는, 예를 들어 4매의 웨이퍼(W)를 보유 지지할 수 있도록 구성되어 있다.
구체적으로는, 기판 반송 기구(15)는, 예를 들어 기대(151), 수평하게 신장되는 제1 암(152), 수평하게 신장되는 제2 암(153) 및 기판 보유 지지부(16)를 갖는다. 제1 암(152)은, 기부측이 기대(151) 상에 마련되고, 기대(151) 상의 수직인 선회 축 주위로 선회한다. 제2 암(153)은, 기부측이 제1 암(152)의 선단부 상에 마련되고, 제1 암(152)의 선단부 상의 수직인 선회 축 주위로 선회한다. 기판 보유 지지부(16)는, 제1 기판 보유 지지부(161), 제2 기판 보유 지지부(162) 및 접속부(163)를 갖는다. 제1 기판 보유 지지부(161) 및 제2 기판 보유 지지부(162)는, 서로 병행해서 수평하게 신장되는 2개의 가늘고 긴 스패출러 형상으로 구성되어 있다. 접속부(163)는, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 신장 방향에 대하여 직교하도록 수평 방향으로 신장되어, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 기단을 서로 접속한다. 접속부(163)의 길이 방향의 중앙부는 제2 암(153)의 선단부 상에 마련되고, 제2 암(153)의 선단부 상의 수직인 선회 축 주위로 선회한다. 제1 기판 보유 지지부(161), 제2 기판 보유 지지부(162)에 대해서는 후술한다.
진공 처리 시스템(1)은 제어부(8)를 갖는다. 제어부(8)는, 예를 들어 프로세서, 기억부, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이다. 제어부(8)는, 진공 처리 시스템(1)의 각 부를 제어한다. 제어부(8)는, 입력 장치를 사용하여, 오퍼레이터가 진공 처리 시스템(1)을 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행할 수 있다. 또한, 제어부(8)에서는, 표시 장치에 의해, 진공 처리 시스템(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시할 수 있다. 또한, 제어부(8)의 기억부에는, 진공 처리 시스템(1)에서 실행되는 각종 처리를 프로세서에 의해 제어하기 위한 제어 프로그램, 및 레시피 데이터 등이 저장되어 있다. 제어부(8)의 프로세서가 제어 프로그램을 실행하고, 레시피 데이터에 따라서 진공 처리 시스템(1)의 각 부를 제어함으로써, 원하는 기판 처리가 진공 처리 시스템(1)에서 실행된다.
[진공 처리 장치의 구성]
계속해서, 진공 처리 장치(2)를, 예를 들어 웨이퍼(W)에 플라스마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리를 행하는 성막 장치에 적용한 예에 대해서, 도 2 내지 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 2는, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 구성의 일례를 도시하는 분해 사시도이다. 도 3은, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 내부 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
6개의 진공 처리 장치(2)는 서로 마찬가지로 구성되며, 진공 처리 장치(2) 사이에서 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 처리를 행할 수 있다. 진공 처리 장치(2)는, 평면으로 보아 직사각형의 처리 용기(진공 용기)(20)를 구비하고 있다. 처리 용기(20)는, 내부를 진공 분위기로 유지 가능하게 구성된다. 처리 용기(20)는, 상면에 오목형의 개방부를 마련한 용기 본체(202)의 개방부를 천장 부재(201)로 폐색해서 구성된다. 처리 용기(20)는, 예를 들어 처리 용기(20)의 주위를 둘러싸는 측벽부(203)를 갖는다. 4개의 측벽부(203) 중, 진공 반송실(14)에 접속되는 측벽부(203)에는, 전후 방향(도 2 중, Y' 방향)으로 배열되도록 2개의 반입출구(21)가 형성되어 있다. 반입출구(21)는 게이트 밸브(G)에 의해 개폐된다.
도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 처리 용기(20)의 내부에는, 각 반입출구(21)로부터 수평 방향으로 연장되어, 웨이퍼(W)의 반송이 행하여지는 제1 반송 공간(T1) 및 제2 반송 공간(T2)이, 서로 인접하는 위치에 마련되어 있다. 또한, 처리 용기(20) 내에서의, 제1 반송 공간(T1) 및 제2 반송 공간(T2)의 사이에는, 연장 설치 방향(도 2 중, X' 방향)을 따라 중간벽부(3)가 마련되어 있다. 제1 반송 공간(T1)에는, 연장 설치 방향을 따라서 2개의 처리 공간(S1, S2)이 배치되고, 제2 반송 공간(T2)에는, 연장 설치 방향을 따라서 2개의 처리 공간(S3, S4)이 배치되어 있다. 따라서, 처리 용기(20) 내에는, 상면측에서 보았을 때, 2×2의 행렬상으로, 합계 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)이 배치되어 있다. 여기에서 말하는 수평 방향이란, 제조 시의 공차 등의 영향으로, 웨이퍼(W)의 반출입 동작에 있어서의 기기끼리의 접촉 등의 영향이 없는 범위에서, 연장 설치 방향으로 약간 기울어져 있는 경우도 포함하는 것이다.
도 4는, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 구성의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 도 4의 단면은, 도 3에 도시하는 진공 처리 장치(2)의 A-A선에서의 단면에 상당한다. 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)은 서로 마찬가지로 구성되며, 각각 웨이퍼(W)가 적재되는 적재대(22)와, 적재대(22)와 대향해서 배치된 가스 공급부(4)의 사이에 형성된다. 바꾸어 말하면, 처리 용기(20) 내에는, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4) 각각에 대해서, 적재대(22) 및 가스 공급부(4)가 마련되어 있다. 도 4에는, 제1 반송 공간(T1)의 처리 공간(S1)과, 제2 반송 공간(T2)의 처리 공간(S4)을 도시하고 있다. 이하, 처리 공간(S1)을 예로 들어 설명한다.
적재대(22)는, 하부 전극을 겸용하는 것이며, 예를 들어 금속, 혹은 금속 메쉬 전극을 매립한 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 편평한 원주상으로 형성된다. 적재대(22)는, 지지 부재(23)에 의해 하방으로부터 지지되어 있다. 지지 부재(23)는, 원통상으로 형성되고, 연직 하방으로 연신되어, 처리 용기(20)의 저부(27)를 관통하고 있다. 지지 부재(23)의 하단부는, 처리 용기(20)의 외부에 위치하고, 회전 구동 기구(600)에 접속되어 있다. 지지 부재(23)는 회전 구동 기구(600)에 의해 회전된다. 적재대(22)는, 지지 부재(23)의 회전에 따라서 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 지지 부재(23)의 하단부에는, 적재대(22)의 위치 및 기울기를 조정하는 조정 기구(700)가 마련되어 있다. 적재대(22)는, 조정 기구(700)에 의해 지지 부재(23)를 통해서 처리 위치와 전달 위치의 사이에서 승강 가능하게 구성되어 있다. 도 4에는, 실선으로 처리 위치에 있는 적재대(22)를 그리고, 파선으로 전달 위치에 있는 적재대(22)를 각각 나타내고 있다. 처리 위치란, 기판 처리(예를 들어, 성막 처리)를 실행할 때의 위치이며, 전달 위치란, 기판 반송 기구(15)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 위치이다. 회전 구동 기구(600) 및 조정 기구(700)에 대해서는 후술한다.
적재대(22)에는 히터(24)가 매설되어 있다. 히터(24)는, 적재대(22)에 적재된 각 웨이퍼(W)를 예를 들어 60℃ 내지 600℃ 정도로 가열한다. 또한, 적재대(22)는 접지 전위에 접속되어 있다.
또한, 적재대(22)에는, 복수(예를 들어 3개)의 핀용 관통 구멍(26a)이 마련되어 있고, 이들 핀용 관통 구멍(26a)의 내부에는, 각각 리프터 핀(26)이 배치되어 있다. 핀용 관통 구멍(26a)은, 적재대(22)의 적재면(상면)으로부터 적재면에 대한 이면(하면)까지 관통하도록 마련되어 있다. 리프터 핀(26)은, 핀용 관통 구멍(26a)에 슬라이드 가능하게 삽입되어 있다. 리프터 핀(26)의 상단은, 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측에 현수되어 있다. 즉, 리프터 핀(26)의 상단은, 핀용 관통 구멍(26a)보다도 큰 직경을 갖고 있으며, 핀용 관통 구멍(26a)의 상단에는, 리프터 핀(26)의 상단보다도 직경 및 두께가 크면서 또한 리프터 핀(26)의 상단을 수용 가능한 오목부가 형성되어 있다. 이에 의해, 리프터 핀(26)의 상단은, 적재대(22)에 걸려서 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측에 현수된다. 또한, 리프터 핀(26)의 하단은, 적재대(22)의 이면으로부터 처리 용기(20)의 저부(27)측으로 돌출되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 적재대(22)를 처리 위치까지 상승시킨 상태에서는, 리프터 핀(26)의 상단이 핀용 관통 구멍(26a)의 적재측의 오목부에 수납되어 있다. 이 상태에서 적재대(22)를 전달 위치로 하강시키면서 동시에, 리프터 핀(26)을 도시되지 않은 승강 기구에 의해 상승시키면, 리프터핀(26)의 상단이 적재대(22)의 적재면으로부터 돌출한다.
여기서, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)에 대해서 설명한다. 제1 기판 보유 지지부(161)는, 제1 반송 공간(T1)에 진입시켰을 때, 제1 반송 공간(T1) 내의 처리 공간(S1, S2)의 각 배치 위치에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)를 보유 지지하도록 구성된다. 제1 반송 공간(T1) 내의 처리 공간(S1, S2)의 각 배치 위치에 대응하는 위치란, 제1 반송 공간(T1)의 처리 공간(S1, S2)에 마련된 2개의 적재대(22)에 웨이퍼(W)를 전달하도록 설정된 위치이다. 또한, 제2 기판 보유 지지부(162)는, 제2 반송 공간(T2)에 진입시켰을 때, 제2 반송 공간(T2) 내의 처리 공간(S3, S4)의 각 배치 위치에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)를 보유 지지하도록 구성된다. 제2 반송 공간(T2) 내의 처리 공간(S3, S4)의 각 배치 위치에 대응하는 위치란, 제2 반송 공간(T2)의 처리 공간(S3, S4)에 마련된 2개의 적재대(22)에 웨이퍼(W)를 전달하도록 설정된 위치이다.
예를 들어, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)는, 각각의 폭이 웨이퍼(W)의 직경보다도 작게 형성되고, 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162) 각각에는, 선단측과 기단측에 서로 간격을 두고 웨이퍼(W)의 이면이 지지된다. 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 선단측에 지지되는 웨이퍼(W)는, 예를 들어 그 중앙부가 제1 및 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 선단에 지지된다.
이와 같이 하여, 기판 반송 기구(15)와, 리프터 핀(26)과, 적재대(22)의 협동 작용에 의해, 기판 반송 기구(15)와 각 적재대(22)의 사이에서, 예를 들어 4매의 웨이퍼(W)의 전달이 일괄해서 동시에 행하여지도록 구성되어 있다.
가스 공급부(4)는, 처리 용기(20)의 천장 부재(201)에서의, 적재대(22)의 상방에, 절연 부재로 이루어지는 가이드 부재(34)를 개재해서 마련되어 있다. 가스 공급부(4)는 상부 전극으로서의 기능을 갖는다. 가스 공급부(4)는, 덮개(42)와, 적재대(22)의 적재면과 대향하도록 마련된 대향면을 이루는 샤워 플레이트(43)와, 덮개(42)와 샤워 플레이트(43)의 사이에 형성된 가스의 통류실(44)을 갖는다. 덮개(42)에는 가스 공급관(51)이 접속됨과 함께, 샤워 플레이트(43)에는, 두께 방향으로 관통하는 가스 토출 구멍(45)이 예를 들어 종횡으로 배열되어, 가스가 샤워 형상으로 적재대(22)를 향해서 토출된다.
각 가스 공급부(4)는, 가스 공급관(51)을 통해서 가스 공급계(50)에 접속되어 있다. 가스 공급계(50)는, 예를 들어 처리 가스인 반응 가스(성막 가스)나, 퍼지 가스, 클리닝 가스의 공급원이나, 배관, 밸브(V), 유량 조정부(M) 등을 구비하고 있다.
샤워 플레이트(43)에는, 정합기(40)를 통해서 고주파 전원(41)이 접속되어 있다. 샤워 플레이트(43)는, 적재대(22)에 대향하는 상부 전극으로서의 기능을 갖는다. 상부 전극인 샤워 플레이트(43)와 하부 전극인 적재대(22)의 사이에 고주파 전력을 인가하면, 용량 결합에 의해, 샤워 플레이트(43)로부터 처리 공간(S1)에 공급된 가스를(본 예에서는 반응 가스)를 플라스마화할 수 있다.
계속해서, 중간벽부(3)에 형성되는 배기로 및 합류 배기로에 대해서 설명한다. 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 중간벽부(3)에는, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)에 대하여 각각 마련된 배기로(31)와, 이들 배기로(31)가 합류하는 합류 배기로(32)가 형성되어 있다. 합류 배기로(32)는, 중간벽부(3) 내에서 상하 방향으로 연장되어 있다. 중간벽부(3)는, 용기 본체(202)측에 마련된 벽부 본체(311)와, 천장 부재(201)측에 마련된 배기로 형성 부재(312)에 의해 구성되어 있다. 배기로 형성 부재(312)의 내부에는, 배기로(31)가 마련되어 있다.
또한, 각각 처리 공간(S1 내지 S4)의 외측에 위치하는 중간벽부(3)의 벽면에는, 처리 공간(S1 내지 S4)마다 배기구(33)가 형성되어 있다. 각 배기로(31)는, 배기구(33)와 합류 배기로(32)를 접속하도록 중간벽부(3)에 형성되어 있다. 각 배기로(31)는, 예를 들어 중간벽부(3) 내에서 수평 방향으로 연장된 후, 하측 방향으로 굴곡해서 상하 방향으로 연장되어, 합류 배기로(32)에 접속된다. 예를 들어, 배기로(31)는, 단면이 원 형상으로 형성되어(도 3 참조), 합류 배기로(32)의 상류단에 각 배기로(31)의 하류단이 접속되고, 각 배기로(31)의 상류측이 배기구(33)로서, 각 처리 공간(S1 내지 S4)의 외측에 개구되어 있다.
각 처리 공간(S1 내지 S4)의 주위에는, 각 처리 공간(S1 내지 S4)을 각각 둘러싸도록 배기용 가이드 부재(34)가 마련되어 있다. 가이드 부재(34)는, 예를 들어 처리 위치에 있는 적재대(22)의 주위의 영역을, 당해 적재대(22)에 대하여 간격을 두고 둘러싸도록 마련된 환상체이다. 가이드 부재(34)는, 내부에 예를 들어 종단면이 직사각 형상이며, 평면으로 보아, 환상의 통류로(35)를 형성하도록 구성되어 있다. 도 3에서는, 처리 공간(S1 내지 S4), 가이드 부재(34), 배기로(31) 및 합류 배기로(32)를 개략적으로 도시하고 있다.
가이드 부재(34)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 예를 들어 종단면 형상이 U자상으로 형성되고, U자의 개구 부분을 하방측을 향하게 해서 배치되어 있다. 가이드 부재(34)는, 용기 본체(202)의 중간벽부(3)나 측벽부(203)측에 형성된 오목부(204) 내에 감입되어, 이들 중간벽부(3) 및 측벽부(203)를 구성하는 부재와의 사이에 통류로(35)를 형성한다.
오목부(204) 내에 감입된 가이드 부재(34)는, 처리 공간(S1 내지 S4)을 향해서 개구되는 슬릿상의 슬릿 배기구(36)를 형성한다. 이와 같이 하여, 각각의 처리 공간(S1 내지 S4)의 측 주위부에 슬릿 배기구(36)가 둘레 방향을 따라 형성되게 된다. 통류로(35)에는 배기구(33)가 접속되어, 슬릿 배기구(36)로부터 배기된 처리 가스를 배기구(33)를 향해서 통류시킨다.
제1 반송 공간(T1)의 연장 설치 방향을 따라서 배치된 2개의 처리 공간(S1, S2)의 조와, 제2 반송 공간(T2)의 연장 설치 방향을 따라서 배치된 2개의 처리 공간(S3, S4)의 조에 주목한다. 처리 공간(S1-S2, S3-S4)의 조는, 도 3에 도시한 바와 같이, 상면측에서 보았을 때, 합류 배기로(32)를 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 배치되어 있다.
이에 의해, 각 처리 공간(S1 내지 S4)으로부터 슬릿 배기구(36), 가이드 부재(34)의 통류로(35), 배기구(33), 배기로(31)를 통해서 합류 배기로(32)에 이르는 처리 가스의 통류로는, 합류 배기로(32)를 둘러싸고 180° 회전 대칭으로 형성되어 있게 된다. 또한, 제1, 제2 반송 공간(T1, T2)이나 중간벽부(3)와의 위치 관계를 배제하고, 처리 가스의 통류로에만 주목하면, 상면측에서 보았을 때, 이들 통류로는, 합류 배기로(32)를 둘러싸고 90° 회전 대칭으로 형성되어 있다고도 할 수 있다.
합류 배기로(32)는, 처리 용기(20)의 저부(27)에 형성된 합류 배기구(205)를 통해서 배기관(61)에 접속되어 있다. 배기관(61)은, 밸브 기구(7)를 통해서 진공 배기 기구를 이루는 진공 펌프(62)에 접속되어 있다. 진공 펌프(62)는, 예를 들어 1개의 처리 용기(20)에 1개 마련되어 있고(도 1 참조), 각 진공 펌프(62)의 하류측의 배기관(61)은 합류하여, 예를 들어 공장 배기계에 접속된다.
밸브 기구(7)는, 배기관(61) 내에 형성된 처리 가스의 통류로를 개폐하는 것이며, 예를 들어 케이싱(71)과, 개폐부(72)를 갖는다. 케이싱(71)의 상면에는, 상류측의 배기관(61)과 접속되는 제1 개구부(73), 케이싱(71)의 측면에는 하류측의 배기관(61)과 접속되는 제2 개구부(74)가 각각 형성되어 있다.
개폐부(72)는, 예를 들어 제1 개구부(73)를 막는 크기로 형성된 개폐 밸브(721)와, 케이싱(71)의 외부에 마련되어, 개폐 밸브(721)를 케이싱(71) 내에서 승강시키는 승강 기구(722)를 갖는다. 개폐 밸브(721)는, 도 4에 일점쇄선으로 나타내는 제1 개구부(73)를 막는 폐지 위치와, 도 4에 실선으로 나타내는 제1 및 제2 개구부(73, 74)보다도 하방측에 퇴피하는 개방 위치의 사이에서 승강 가능하게 구성된다. 개폐 밸브(721)가 폐지 위치에 있을 때는, 합류 배기구(205)의 하류단이 폐쇄되어, 처리 용기(20) 내의 배기가 정지된다. 또한, 개폐 밸브(721)가 개방 위치에 있을 때는, 합류 배기구(205)의 하류단이 개방되어, 처리 용기(20) 내가 배기된다.
계속해서, 처리 가스의 공급계에 대해서, 도 2를 참조하여, 2종류의 반응 가스를 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다. 각 가스 공급부(4)의 상면의 거의 중앙에는 각각 가스 공급관(51)이 접속되어 있다. 가스 공급관(51)은, 제1 가스 공급관(511)에 의해, 제1 공통 가스 공급로(521)를 통해서 제1 반응 가스 공급원(541) 및 퍼지 가스 공급원(55)에 접속되어 있다. 또한, 가스 공급관(51)은, 제2 가스 공급관(512)에 의해, 제2 공통 가스 공급로(522)를 통해서 제2 반응 가스 공급원(542) 및 퍼지 가스 공급원(55)에 접속되어 있다. 또한, 도 4에서는 편의상, 제1 공통 가스 공급로(521) 및 제2 공통 가스 공급로(522)를 통합해서 가스 공급로(52)로서 도시하고 있다. 또한, 제1 반응 가스 공급원(541) 및 제2 반응 가스 공급원(542)을 통합해서 반응 가스 공급원(54)으로서 도시하고 있다. 또한, 제1 가스 공급관(511) 및 제2 가스 공급관(512)을 통합해서 가스 공급관(510)으로서 도시하고 있다. 밸브(V2), 유량 조정부(M2)는 반응 가스 공급용이며, 밸브(V3), 유량 조정부(M3)는 퍼지 가스 공급용의 것이다.
또한, 가스 공급관(51)은, 클리닝 가스 공급로(532)에 의해 리모트 플라스마 유닛(RPU: Remote Plasma Unit)(531)을 통해서, 클리닝 가스 공급원(53)에 접속되어 있다. 클리닝 가스 공급로(532)는, RPU(531)의 하류측에서 4계통으로 분기하여, 각각 가스 공급관(51)에 접속되어 있다. 클리닝 가스 공급로(532)에서의 RPU(531)의 상류측에는 밸브(V1) 및 유량 조정부(M1)가 마련된다. 또한, RPU(531)의 하류측에는 분기된 분기관마다 밸브(V11 내지 V14)가 마련되어, 클리닝 시에는 대응하는 밸브(V11 내지 V14)를 개방한다. 또한, 도 4에서는 편의상, 밸브(V11, V14)만이 도시되어 있다. CVD에 의해 절연 산화막(SiO2)을 성막하는 경우를 예로 들면, 반응 가스로서는, 예를 들어 테트라에톡시실란(TEOS)이나 산소(O2) 가스, 퍼지 가스로서는, 예를 들어 질소(N2) 가스 등의 불활성 가스가 각각 사용된다. 반응 가스로서 TEOS와 O2 가스를 사용하는 경우, 예를 들어 제1 반응 가스 공급원(541)으로부터 TEOS가 공급되고, 제2 반응 가스 공급원(542)으로부터 O2 가스가 공급된다. 또한, 클리닝 가스로서는, 예를 들어 삼불화질소(NF3) 가스가 사용된다.
공통의 가스 공급로(52)로부터 분배되는 처리 가스로 보았을 때, 각 가스 공급관(51)으로부터 가스 공급부(4)에 이르기까지의 각 처리 가스 경로는, 서로 컨덕턴스가 균일해지도록 형성되어 있다. 예를 들어 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 공통 가스 공급로(521)의 하류측은 2계통으로 분기함과 함께, 분기한 가스 공급로가 또한 2계통으로 분기해서 토너먼트 형상으로 제1 가스 공급관(511)이 형성되어 있다. 제1 가스 공급관(511)은, 클리닝 가스용 밸브(V11 내지 V14)의 하류측에서, 각각 가스 공급관(51)에 접속되어 있다. 또한, 제2 공통 가스 공급로(522)의 하류측은 2계통으로 분기함과 함께, 분기한 가스 공급로가 또한 2계통으로 분기해서 토너먼트 형상으로 제2 가스 공급관(512)이 형성되어 있다. 제2 가스 공급관(512)은, 클리닝 가스용 밸브(V11 내지 V14)의 하류측에서, 각각 가스 공급관(51)에 접속된다.
각 제1 가스 공급관(511)은, 상류단(제1 공통 가스 공급로(521)에 접속되는 단부)으로부터 하류단(가스 공급부(4) 또는 가스 공급관(51)에 접속되는 단부)까지의 길이 및 내경이, 제1 가스 공급관(511)끼리의 사이에서 균일해지도록 형성되어 있다. 또한, 각 제2 가스 공급관(512)은, 상류단(제2 공통 가스 공급로(522)에 접속되는 단부)으로부터 하류단까지의 길이 및 내경이, 제2 가스 공급관(512)끼리의 사이에서 균일해지도록 형성되어 있다. 이와 같이 하여, 제1 공통 가스 공급로(521)로부터 분배되는 처리 가스로 보았을 때, 제1 가스 공급관(511), 가스 공급부(4), 처리 공간(S1 내지 S4) 및 배기로(31)를 거쳐서 합류 배기로(32)에 이르기까지의 각 처리 가스 경로는, 서로 컨덕턴스가 균일해지도록 형성된다. 또한, 제2 공통 가스 공급로(522)로부터 분배되는 처리 가스로 보았을 때, 제2 가스 공급관(512), 가스 공급부(4), 처리 공간(S1 내지 S4) 및 배기로(31)를 거쳐서 합류 배기로(32)에 이르기까지의 각 처리 가스 경로는, 서로 컨덕턴스가 균일해지도록 형성된다.
진공 처리 장치(2)는 진공 처리 시스템(1)의 제어부(8)에 접속된다. 제어부(8)는 진공 처리 장치(2)의 각 부를 제어한다. 제어부(8)는, 입력 장치를 사용하여, 오퍼레이터가 진공 처리 장치(2)를 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행할 수 있다. 또한, 제어부(8)에서는, 표시 장치에 의해, 진공 처리 장치(2)의 가동 상황을 가시화해서 표시할 수 있다. 또한, 제어부(8)의 기억부에는, 진공 처리 장치(2)에서 실행되는 각종 처리를 프로세서에 의해 제어하기 위한 제어 프로그램, 및 레시피 데이터가 저장되어 있다. 제어부(8)의 프로세서가 제어 프로그램을 실행하고, 레시피 데이터에 따라서 진공 처리 장치(2)의 각 부를 제어함으로써, 원하는 처리가 진공 처리 장치(2)에서 실행된다. 예를 들어, 제어부(8)는, 진공 처리 장치(2)의 각 부를 제어하여, 진공 처리 장치(2) 내에 반입된 기판에 대하여 에칭 처리나 성막 처리 등의 기판 처리를 실행시킨다.
[회전 구동 기구 및 조정 기구의 구성]
도 5는, 실시 형태에 따른 회전 구동 기구(600) 및 조정 기구(700)의 구성의 일례를 도시하는 도면이다. 처리 용기(20)의 저부(27)에는, 적재대(22)를 지지하는 위치에 대응해서 구멍(27a)이 형성되어 있다. 구멍(27a)에는, 적재대(22)를 하방으로부터 지지하는 지지 부재(23)가 삽입되어 있다. 그리고, 처리 용기(20)의 외부에 위치하는 지지 부재(23)의 하단부(23a)에는, 회전 구동 기구(600)가 접속되어 있다.
회전 구동 기구(600)는, 회전축(610)과, 모터(620)와, 진공 시일(630)을 갖는다.
회전축(610)은, 지지 부재(23)의 하단부(23a)에 접속되어, 지지 부재(23)와 일체적으로 회전 가능하게 구성된다. 회전축(610)의 하단부에는, 슬립 링(621)이 마련되어 있다. 슬립 링(621)은, 전극을 갖고, 적재대(22) 주변의 부품에 급전하기 위한 다양한 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 예를 들어, 슬립 링(621)은, 적재대(22)에 매설된 히터(24)에 급전하기 위한 배선에 전기적으로 접속된다. 또한, 예를 들어 슬립 링(621)은, 적재대(22) 상에 웨이퍼(W)를 정전 흡착하기 위한 정전 척이 마련되는 경우, 정전 척에 인가되는 직류 전압의 배선에 전기적으로 접속된다.
모터(620)는, 회전축(610)에 접속되어, 회전축(610)을 회전시킨다. 회전축(610)이 회전하면, 지지 부재(23)를 통해서 적재대(22)가 회전한다. 회전축(610)이 회전하면, 회전축(610)과 함께 슬립 링(621)도 회전하지만, 슬립 링(621)과 적재대(22) 주변의 부품에 급전하기 위한 다양한 배선의 전기적인 접속은 유지된다.
진공 시일(630)은, 예를 들어 자성 유체 시일이며, 회전축(610)의 주위에 마련되어, 회전축(610)을 기밀하게 밀봉하면서, 회전축(610)의 회전을 유지 가능하게 하고 있다.
또한, 지지 부재(23)의 하단부(23a)에는, 진공 시일(630)을 개재해서 조정 기구(700)가 걸림 결합되어 있다.
조정 기구(700)는, 베이스 부재(710)와, 복수(예를 들어, 6개의)의 액추에이터(720)와, 흡수 기구(730)와, 벨로우즈(740)를 갖는다.
베이스 부재(710)는, 처리 용기(20)의 외부에 위치하는 지지 부재(23)의 하단부(23a)에 진공 시일(630)을 개재해서 걸림 결합되어 적재대(22)와 일체적으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 예를 들어, 베이스 부재(710)에는, 지지 부재(23)의 하단부(23a)보다도 직경이 큰 구멍(711)이 형성되어 있다. 지지 부재(23)는, 구멍(711)을 통과하여, 하단부(23a)가 회전축(610)에 접속되어 있다. 진공 시일(630)은, 지지 부재(23)의 하단부(23a)에 접속된 회전축(610)의 주위에 마련되어 있고, 베이스 부재(710)는 진공 시일(630)의 상면에 고정되어 있다. 이에 의해, 베이스 부재(710)는, 진공 시일(630), 회전축(610) 및 지지 부재(23) 등을 통해서 적재대(22)와 접속되어, 적재대(22)와 일체적으로 이동할 수 있다.
복수의 액추에이터(720)는, 처리 용기(20)의 저부(27)와 베이스 부재(710)의 사이에 서로 병렬로 마련되어, 처리 용기(20)의 저부(27)에 대하여 베이스 부재(710)를 상대적으로 이동시킴으로써, 적재대(22)의 위치 및 기울기를 조정한다. 복수의 액추에이터(720)는 신축 가능하고, 베이스 부재(710)에 유니버셜 조인트를 통해서 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결됨과 함께, 처리 용기(20)의 저부(27)측에 유니버셜 조인트를 통해서 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결된다. 복수의 액추에이터(720) 및 베이스 부재(710)는, 베이스 부재(710)를 예를 들어 도 5에 도시하는 X', Y' 및 Z'축의 방향, 그리고, X'축 주위의 회전, Y'축 주위의 회전 및 Z'축 주위의 회전 방향으로 각각 이동 가능한 패럴렐 링크 기구를 형성한다. 복수의 액추에이터(720) 및 베이스 부재(710)에 의해 형성되는 패럴렐 링크 기구의 이동 좌표계는, 처리 용기(20)의 좌표계와 일치하도록 미리 조정되어 있다. 패럴렐 링크 기구에 의해 처리 용기의 저부(27)와 베이스 부재(710)가 연결됨으로써, 복수의 액추에이터(720)는, 처리 용기(20)의 저부(27)에 대하여 베이스 부재(710)를 상대적으로 이동시키는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 적재대(22)의 위치 및 기울기를 조정할 수 있다. 예를 들어, 복수의 액추에이터(720)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면에 직교하는 방향(예를 들어, 도 5의 Z'축 방향)으로 베이스 부재(710)를 이동시킴으로써, 적재대(22)의 위치를 조정한다. 또한, 예를 들어 복수의 액추에이터(720)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면을 따르는 방향(예를 들어, 도 5의 X'축 방향 및 Y'축 방향)으로 베이스 부재(710)를 이동시킴으로써, 적재대(22)의 위치를 조정한다. 또한, 예를 들어 복수의 액추에이터(720)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면에 대하여 소정 방향(예를 들어, 도 5의 X'축 주위의 회전 방향 및 Y'축 주위의 회전 방향)으로 베이스 부재(710)를 기울임으로써, 적재대(22)의 기울기를 조정한다.
또한, 복수의 액추에이터(720)에 의해 조정되는 적재대(22)의 위치 및 기울기는, 다양한 검지 수단을 사용해서 베이스 부재(710)의 위치 및 기울기를 검지함으로써 특정될 수 있다. 검지 수단으로서는, 예를 들어 리니어 인코더, 자이로 센서, 3축 가속도 센서 및 레이저 트래커 등을 들 수 있다.
그런데, 진공 처리 장치(2)에서는, 처리 용기(20) 내부의 압력을 대기 상태에서 진공 상태로 전환했을 경우, 압력차에 의해 처리 용기(20)가 변형한다. 또한, 처리 용기(20)는, 처리 용기(20)에서 실시된 기판 처리의 열이 전해져서 온도가 변화하여, 온도 변화에 의해서도 변형한다. 처리 용기(20)가 변형하면, 처리 용기(20)의 변형에 의한 응력이 적재대(22)에 전해져서, 적재대(22)의 위치나 기울기가 변화해버리는 경우가 있다.
그래서, 본 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)에서는, 처리 용기(20)의 저부(27)와, 적재대(22)와 일체적으로 이동 가능한 베이스 부재(710)의 사이에 복수의 액추에이터(720)를 마련하고 있다. 복수의 액추에이터(720)는, 저부(27)에 대하여 베이스 부재(710)를 상대적으로 이동시킴으로써, 적재대(22)의 위치나 기울기를 조정한다. 이에 의해, 처리 용기(20)의 변형에 기인해서 적재대(22)의 위치나 기울기가 변화한 경우에도, 적재대(22)의 위치 및 기울기를 원래의 위치 및 기울기로 조정할 수 있다. 그 결과, 본 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20)의 변형에 기인한, 적재대(22)의 위치 및 기울기의 어긋남을 개선할 수 있고, 그 결과, 성막 처리 등의 기판 처리에서의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
흡수 기구(730)는, 처리 용기(20)의 저부(27)에 마련되어, 처리 용기(20)의 저부의 변형을 흡수한다. 흡수 기구(730)에는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 구멍(27a)을 통해서 처리 용기(20)의 내부에 연통하는 구멍(731)이 형성된다. 복수의 액추에이터(720)는, 처리 용기(20)의 저부(27)에 직접적으로 연결되지 않고, 흡수 기구(730)에 연결된다. 이에 의해, 처리 용기(20)의 저부(27)의 변형이 생긴 경우에도, 처리 용기(20)의 저부(27)의 변형에 의한 응력이 흡수 기구(730)에 의해 흡수되어서 복수의 액추에이터(720)에 전해지지 않아, 적재대(22)의 위치나 기울기의 조정 정밀도의 저하를 억제 가능하다. 흡수 기구(730)의 상세에 대해서는 후술한다.
벨로우즈(740)는, 지지 부재(23)의 주위를 둘러싸도록 마련되어 있다. 벨로우즈(740)는, 상단이 흡수 기구(730)에 형성된 구멍(731)을 관통해서 처리 용기(20)의 저부(27)와 접속됨과 함께, 하단이 베이스 부재와 접속되어 있다. 이에 의해, 벨로우즈(740)는, 처리 용기(20)의 저부(27)와 베이스 부재(710)의 사이의 공간을 기밀하게 밀봉한다. 벨로우즈(740)는, 베이스 부재(710)의 이동에 따라서 신축 가능하게 구성되어 있다. 예를 들어, 베이스 부재(710)가 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면에 직교하는 방향(예를 들어, 도 5의 Z'축 방향)으로 이동하면, 벨로우즈(740)는 Z'축 방향으로 신축한다. 또한, 예를 들어 베이스 부재(710)가 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면을 따르는 방향(예를 들어, 도 5의 X'축 방향 및 Y'축 방향)으로 이동하면, 벨로우즈(740)는 X'축 방향 및 Y'축 방향으로 신축한다. 또한, 예를 들어 베이스 부재(710)가 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면에 대하여 소정 방향(예를 들어, 도 5의 X'축 주위의 회전 방향 및 Y'축 주위의 회전 방향)으로 이동하면, 벨로우즈(740)는 X'축 주위의 회전 방향 및 Y'축 주위의 회전 방향으로 신축한다. 진공 처리 장치(2)에서는, 베이스 부재(710)가 이동된 경우에도, 벨로우즈(740)가 신축하므로, 처리 용기(20)의 저부(27)와 베이스 부재(710)의 사이의 공간, 구멍(731) 및 구멍(27a)을 통해서 처리 용기(20) 내에 대기가 유입하지 않도록 구성되어 있다.
여기서, 도 6을 참조하여, 흡수 기구(730)의 구성의 일례에 대해서 설명한다. 도 6은, 도 5에 도시하는 흡수 기구(730)의 구성의 일례를 도시하는 도면이다. 흡수 기구(730)는, 판 부재(732)와, 로드 부재(733)를 갖는다.
판 부재(732)는 원판 형상으로 형성되어, 처리 용기(20)의 저부(27)의 하방에 배치되어 있다. 판 부재(732)는, 처리 용기(20)로부터의 열이나 진동의 전달을 차단하는 관점에서, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면과 간격을 두고 배치되어 있다.
로드 부재(733)는, 일단이 처리 용기(20)의 저부(27)에 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결됨과 함께, 타단이 판 부재(732)에 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결된다. 즉, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면에는 오목부(27b)가 형성되어 있고, 오목부(27b)에는, 자유롭게 회전 미끄럼 이동 가능한 구면 베어링(27c)이 설치되어 있다. 로드 부재(733)의 한쪽 단부(733a)는 구면 베어링(27c)에 연결됨으로써, 처리 용기(20)의 저부(27)에 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결된다. 한편, 판 부재(732)의 상면에는, 오목부(27b)에 대응하는 위치에 오목부(732a)가 형성되어 있고, 오목부(732a)에는, 자유롭게 회전 미끄럼 이동 가능한 구면 베어링(732b)이 설치되어 있다. 로드 부재(733)의 다른 쪽 단부(733b)는 구면 베어링(732b)에 연결됨으로써, 판 부재(732)에 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결된다. 로드 부재(733)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 변형에 따른 방향으로 회전함으로써, 판 부재(732)로의 변형의 전달을 억제한다. 예를 들어, 처리 용기(20)의 저부(27)가 도 6의 화살표 방향으로 변형할 경우, 로드 부재(733)는 저부(27)의 변형의 응력을 받지만, 저부(27)와 함께 도 6의 화살표 방향으로 회전함으로써, 판 부재(732)로의 변형의 전달을 억제한다. 복수의 액추에이터(720)는 판 부재(732)에 연결되어 있다. 이에 의해, 처리 용기(20)의 저부(27)의 변형에 의한 응력이 판 부재(732)를 통해서 복수의 액추에이터(720)에 전해지지 않아, 적재대(22)의 위치나 기울기의 조정 정밀도의 저하를 억제 가능하다.
또한, 로드 부재(733)는, 판 부재(732)의 원주 방향 복수의 위치에 배치되어 있다. 예를 들어, 로드 부재(733)는, 판 부재(732)의 원주 방향을 따라, 테두리의 내측의 복수의 위치에 균등한 간격으로 3개 마련되어 있다. 로드 부재(733)는, 판 부재(732)의 원주 방향을 따라 균등한 간격으로 4개 이상 마련되어도 된다.
[진공 처리 장치의 제어 방법의 흐름의 구체예]
이어서, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법의 흐름의 구체예에 대해서 설명한다. 도 7은, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법의 흐름의 예 1을 나타내는 흐름도이다.
제어부(8)는, 기판 반송 기구(15)를 제어하여, 진공 처리 장치(2)를 향해서 웨이퍼(W)를 반송한다(스텝 S101).
제어부(8)는, 웨이퍼(W)가 기판 반송 기구(15)에 의해 반송될 때의 어긋남양을 웨이퍼(W)의 위치의 보정량으로서 산출한다(스텝 S102). 웨이퍼(W)의 위치 보정량의 산출은, 예를 들어 웨이퍼(W)의 반송 경로의 임의의 위치에 마련된 위치 검출 센서를 사용해서 웨이퍼(W)와 기판 반송 기구(15)에 의한 반송의 목표 위치의 어긋남양을 검출함으로써 실행된다. 위치 검출 센서는, 예를 들어 기판 반송 기구(15)가 내부에 배치된 진공 반송실(14) 내에 마련된다. 또한, 위치 검출 센서는, 진공 처리 장치(2)의 반입출구(21)에 마련되어도 된다. 또한, 목표 위치란, 적재대(22) 상에서의 웨이퍼(W)의 적재 위치이며, 예를 들어 적재대(22)의 중심과 웨이퍼(W)의 중심이 일치하는 위치이다.
제어부(8)는, 베이스 부재(710)가 미리 정해진 기준 위치로부터 스텝 S102에서 산출된 보정량만큼 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어한다(스텝 S103). 기준 위치란, 예를 들어 적재대(22)의 중심과 처리 용기(20)의 중심이 일치하는 위치이다. 베이스 부재(710)의 이동에 수반하여, 적재대(22)는, 마찬가지로 기준 위치로부터 보정량만큼 이동한다.
제어부(8)는, 기판 반송 기구(15)가 진공 처리 장치(2)에 도달하면, 기판 반송 기구(15)를 제어하여, 웨이퍼(W)를 처리 용기(20) 내의 목표 위치의 상방까지 반송한다. 그리고, 제어부(8)는, 적재대(22)와 기판 반송 기구(15)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행한다(스텝 S104). 이 단계에서, 적재대(22)의 중심과 웨이퍼(W)의 중심이 일치한다. 또한, 스텝 S104의 웨이퍼(W)의 전달은, 후술하는 도 8의 방법을 사용하여 실현 가능하다.
제어부(8)는, 베이스 부재(710)가 기준 위치로 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어한다(스텝 S105). 베이스 부재(710)의 이동에 수반하여, 적재대(22)는 마찬가지로 기준 위치로 이동한다. 이 단계에서, 적재대(22)의 중심과 웨이퍼(W)의 중심과 처리 용기(20)의 중심이 일치한다.
이와 같이, 진공 처리 장치(2)에서는, 기판 반송 기구(15)를 보정량만큼 이동시키는 대신에, 베이스 부재(710)와 적재대(22)를 일체적으로 보정량만큼 이동시켜서, 웨이퍼(W)의 전달을 행한다. 이 때문에, 기판 반송 기구(15)의 반송 부하를 삭감할 수 있다. 결과로서, 진공 처리 시스템(1) 전체의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 7에서, 스텝 S103 내지 S105의 처리는, 처리 용기(20) 내의 4개의 처리 공간(S1 내지 S4) 각각에 대해서 병렬로 실행된다. 이에 의해, 기판 반송 기구(15)가 4개의 웨이퍼(W)를 처리 용기(20) 내의 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)에 일괄적으로 반송하면, 적재대(22)와 기판 반송 기구(15)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달(스텝 S104)을 일괄적으로 실현할 수 있다. 결과로서, 진공 처리 시스템(1) 전체의 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 8은, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법의 흐름의 예 2를 나타내는 흐름도이다. 도 8에 도시하는 제어 방법은, 예를 들어 도 7의 스텝 S104의 웨이퍼(W)의 전달에 적용된다. 또한, 초기 단계에서는, 적재대(22)는 처리 위치에 있는 것으로 한다.
제어부(8)는, 베이스 부재(710)가 적재대(22)와 함께 하측 방향(즉, 도 5의 Z'축의 부방향)으로 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어한다(스텝 S201). 이에 의해, 적재대(22)의 하강이 개시된다.
제어부(8)는, 적재대(22)의 하측 방향으로의 이동에 수반하여 리프터 핀(26)의 하단을 처리 용기(20)의 저부(27)에 맞닿게 함으로써, 리프터 핀(26)의 상단을 적재대(22)의 적재면으로부터 돌출시킨다(스텝 S202). 이 단계에서는, 적재대(22)는 처리 위치로부터 전달 위치까지 하강된 상태로 된다.
제어부(8)는, 베이스 부재(710)가 적재대(22)와 함께 상측 방향(즉, 도 5의 Z'축의 정방향)으로 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어한다(스텝 S203). 이에 의해, 적재대(22)의 상승이 개시된다.
제어부(8)는, 적재대(22)의 상측 방향으로의 이동에 수반하여 리프터 핀(26)의 하단을 처리 용기(20)의 저부(27)로부터 이반시킴으로써, 리프터 핀(26)의 상단을 핀용 관통 구멍(26a)의 적재면측에 수납한다(스텝 S204). 이 단계에서는, 적재대(22)는 처리 위치까지 상승된 상태로 된다.
이와 같이, 진공 처리 장치(2)에서는, 베이스 부재(710)의 승강을 행함으로써 리프터 핀(26)의 돌출 및 수납을 실현할 수 있다. 이 때문에, 리프터 핀(26)을 구동시키는 리프터 핀 구동 기구를 생략할 수 있어, 처리 용기(20) 내의 부품 수를 삭감할 수 있다. 여기서, 처리 용기(20) 내에서는, 플라스마를 발생시켜서 웨이퍼(W)에 대한 기판 처리를 행하는 경우가 있다. 이 경우, 처리 용기(20) 내의 부품이 플라스마에 의해 소모되고, 소모된 부품으로부터 발생하는 파티클이 웨이퍼(W)의 처리 특성을 저하시켜버리는 경우가 있다. 이에 반해, 진공 처리 장치(2)에서는, 리프터 핀 구동 기구의 삭감에 의해 처리 용기(20) 내의 부품 수를 삭감할 수 있으므로, 파티클의 발생 리스크를 저감시킬 수 있다. 또한, 적재대(22)의 승강 기구를 별도 마련하지 않고, 조정 기구(700)에 의해 적재대(22)의 승강을 행하는 것이 가능하게 된다.
도 9는, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법의 흐름의 예 3을 나타내는 흐름도이다. 또한, 이하의 설명에서, 샤워 플레이트(43)의 주위에 막 두께 센서가 배치되어 있는 것으로 한다. 막 두께 센서는, 소정의 검지 범위 내에 위치하는 웨이퍼(W)의 막 두께를 비접촉으로 검지 가능하게 구성되어 있다.
제어부(8)는, 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)가 막 두께 센서의 검지 범위 내로 이동할 때까지 베이스 부재(710)가 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어한다(스텝 S301). 예를 들어, 제어부(8)는, 복수의 액추에이터(720)를 제어하여, 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)가 막 두께 센서의 검지 범위 내로 이동할 때까지 베이스 부재(710)를 기울인다.
이와 같이, 진공 처리 장치(2)에서는, 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)를 막 두께 센서의 검지 범위 내로 이동시킬 수 있다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 적재대(22)와 대향하는 샤워 플레이트(43)의 주위에 막 두께 센서가 배치되는 경우에도, 기판 처리의 실행 도중에 실시간으로 막 두께 검출을 행할 수 있다.
도 10은, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법의 흐름의 예 4를 나타내는 흐름도이다. 도 10에 도시하는 제어 방법에는, 적재대(22)의 적재면 내의 복수의 위치 각각에 대해서 적재대(22)와 샤워 플레이트(43)의 사이의 거리(이하, 적절히 「갭」이라고 칭함)를 측정 가능한 거리 측정 기판이 사용된다. 거리 측정 기판은, 적재대(22)의 적재면 내의 복수의 위치 각각에 대해서 측정한 갭을 측정 결과로서 제어부(8)에 송신하는 무선 통신 기능을 갖는다.
제어부(8)는 거리 측정 기판을 적재대(22) 상에 배치한다(스텝 S401). 제어부(8)는 거리 측정 기판에 대하여 갭의 측정을 지시한다. 거리 측정 기판은, 적재대(22)의 둘레 방향의 복수의 위치 각각에 대해서 측정한 갭을 측정 결과로서 제어부(8)에 송신한다.
제어부(8)는, 거리 측정 기판에 의한 측정 결과에 기초하여, 적재대(22)의 적재면 내의 복수의 위치에서의 거리(즉, 갭)가 소정 범위에 들어가는 위치까지 베이스 부재(710)가 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어한다(스텝 S402).
이와 같이, 진공 처리 장치(2)에서는, 처리 용기(20)를 개방하지 않고, 적재대(22)의 적재면 내의 복수의 위치에서 갭을 균일화할 수 있다. 결과로서, 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20)의 진공 상태를 유지하면서, 웨이퍼(W)에 대한 기판 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 11은, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법의 흐름의 예 5를 나타내는 흐름도이다.
제어부(8)는, 처리 용기(20) 내에서 실행되는 기판 처리마다 측정된, 소정 조건을 충족하는 웨이퍼(W)의 상태에 대한 적재대(22)의 위치 및 기울기를 나타내는 측정 데이터를 취득한다(스텝 S501). 예를 들어, 제어부(8)는, 측정 데이터를 제어부(8)의 기억부로부터 판독해서 취득한다. 웨이퍼(W)의 상태란, 예를 들어 기판 처리에 의해 웨이퍼(W) 상에 형성되는 막의 막질을 나타내는 수치이다. 또한, 측정 데이터가 다른 장치에 기억되어 있는 경우, 제어부(8)는, 네트워크를 통해서 다른 장치로부터 측정 데이터를 취득해도 된다. 또한, 제어부(8)는, 기판 처리마다의 웨이퍼(W)의 상태에 대한 적재대(22)의 위치 및 기울기에 기초하는 기계 학습에 의해 측정 데이터를 생성해서 취득해도 된다.
제어부(8)는 처리 용기(20) 내에서 기판 처리를 실행한다(스텝 S502).
제어부(8)는, 실행 중인 기판 처리의 전환 타이밍이 도래했는지 여부를 판정한다(스텝 S503). 전환 타이밍이 도래하지 않은 경우(스텝 S503: "아니오"), 제어부(8)는 실행 중인 기판 처리를 계속한다.
한편, 전환 타이밍이 도래한 경우(스텝 S503: "예"), 제어부(8)는 모든 기판 처리의 실행이 완료되었는지 여부를 판정한다(스텝 S404). 모든 기판 처리의 실행이 완료되지 않은 경우(스텝 S504: "아니오"), 제어부(8)는 스텝 S501에서 취득한 측정 데이터에 기초하여 복수의 액추에이터(720)를 제어한다(스텝 S505). 즉, 제어부(8)는, 측정 데이터를 참조하여, 전환처의 다음의 기판 처리에 대응하는, 적재대(22)의 위치 및 기울기를 구한다. 그리고, 제어부(8)는, 복수의 액추에이터(720)를 제어하여, 적재대(22)의 위치 및 기울기가, 구한 위치 및 기울기로 되도록 베이스 부재(710)를 이동시킨다. 베이스 부재(710)를 이동시킨 후, 제어부(8)는 처리를 스텝 S502로 되돌려서, 처리 용기(20) 내에서, 전환처의 다음의 기판 처리를 실행한다.
한편, 모든 기판 처리의 실행이 완료된 경우(스텝 S504: "예"), 제어부(8)는 처리를 종료한다.
이와 같이, 진공 처리 장치(2)는, 기판 처리마다, 적재대(22)의 위치 및 기울기를 동적으로 조정할 수 있다. 결과로서, 진공 처리 장치(2)는, 기판 처리를 연속적으로 순차 실행하는 경우에, 기판 처리마다 최적의 처리 결과를 얻을 수 있다.
(실시 형태의 효과)
이상과 같이, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20)와, 적재대(22)와, 지지 부재(23)와, 베이스 부재(710)와, 복수의 액추에이터(720)를 갖는다. 처리 용기(20)는 내부를 진공 분위기로 유지 가능하게 구성된다. 적재대(22)는 처리 용기(20) 내에 마련되어, 웨이퍼(W)(기판)가 적재된다. 지지 부재(23)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 구멍을 관통해서 적재대(22)를 하방으로부터 지지한다. 베이스 부재(710)는, 처리 용기(20)의 외부에 위치하는 지지 부재(23)의 단부에 걸림 결합되어 적재대(22)와 일체적으로 이동 가능하게 구성된다. 복수의 액추에이터(720)는, 처리 용기(20)의 저부(27)와 베이스 부재(710)의 사이에 서로 병렬로 마련되어, 처리 용기(20)의 저부(27)에 대하여 베이스 부재(710)를 상대적으로 이동시킴으로써, 적재대(22)의 위치 및 기울기를 조정한다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20)의 변형에 기인한, 적재대(22)의 위치 및 기울기의 어긋남을 개선할 수 있다.
또한, 복수의 액추에이터(720) 및 베이스 부재(710)는, 베이스 부재(710)를 복수의 축의 방향 및 각 축 주위의 회전 방향으로 각각 이동 가능한 패럴렐 링크 기구를 형성한다. 복수의 액추에이터(720) 및 베이스 부재(710)는, 당해 패럴렐 링크 기구에 의해 처리 용기(20)의 저부(27)와 베이스 부재(710)를 연결한다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 패럴렐 링크 기구의 동작을 이용하여, 처리 용기(20)의 저부(27)에 대하여 베이스 부재(710)를 상대적으로 이동시킴으로써, 적재대(22)의 위치 및 기울기의 어긋남을 개선할 수 있다.
또한, 복수의 액추에이터(720)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면에 직교하는 방향으로 베이스 부재(710)를 이동시킴으로써, 적재대(22)의 위치를 조정한다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면에 직교하는 방향에서의 적재대(22)의 위치의 어긋남을 개선할 수 있다.
또한, 복수의 액추에이터(720)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면을 따르는 방향으로 베이스 부재(710)를 이동시킴으로써, 적재대(22)의 위치를 조정한다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면을 따르는 방향에서의 적재대(22)의 위치의 어긋남을 개선할 수 있다.
또한, 복수의 액추에이터(720)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면에 대하여 베이스 부재(710)를 기울임으로써, 적재대(22)의 기울기를 조정한다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20)의 저부(27)에 대한, 적재대(22)의 기울기의 어긋남을 개선할 수 있다.
또한, 진공 처리 장치(2)는, 지지 부재(23)의 주위에 마련되어 처리 용기(20)의 저부(27)와 베이스 부재(710)의 사이의 공간을 기밀하게 밀봉하고, 베이스 부재(710)의 이동에 따라서 신축 가능한 벨로우즈(740)(신축 부재)를 더 갖는다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 베이스 부재(710)가 이동된 경우에도, 처리 용기(20) 내에의 대기의 유입을 저지할 수 있다.
또한, 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 변형을 흡수하는 흡수 기구(730)를 더 갖는다. 복수의 액추에이터는 흡수 기구(730)에 연결된다. 이에 의해, 처리 용기(20)의 저부(27)의 변형에 의한 응력이 흡수 기구(730)에 의해 흡수되어서 복수의 액추에이터(720)에 전해지지 않기 때문에, 진공 처리 장치(2)는, 적재대(22)의 위치나 기울기의 조정 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 흡수 기구(730)는, 판 부재(732)와, 로드 부재(733)를 갖는다. 로드 부재(733)는, 일단이 처리 용기(20)의 저부(27)에 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결됨과 함께, 타단이 판 부재(732)에 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결된다. 로드 부재(733)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 변형에 따른 방향으로 회전함으로써, 판 부재(732)로의 변형의 전달을 억제한다. 복수의 액추에이터(720)는 판 부재(732)에 연결된다. 이에 의해, 처리 용기(20)의 저부(27)의 변형에 의한 응력이 판 부재(732)에 의해 흡수되어서 복수의 액추에이터(720)에 전해지지 않기 때문에, 진공 처리 장치(2)는, 적재대(22)의 위치나 기울기의 조정 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 판 부재(732)는, 처리 용기(20)의 저부(27)의 외벽면과 간격을 두고 배치된다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20)로부터 판 부재(732)로의 열이나 진동의 전달을 차단할 수 있다.
또한, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법은, 웨이퍼(W)(기판)가 기판 반송 기구(15)(반송 기구)에 의해 반송될 때의 어긋남양을 웨이퍼(W)의 위치의 보정량으로서 산출하는 공정과, 베이스 부재(710)가 미리 정해진 기준 위치로부터 보정량만큼 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어하는 공정과, 베이스 부재(710)와 함께 이동한 적재대(22)와 기판 반송 기구(15)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 공정과, 웨이퍼(W)의 전달이 행하여진 후에, 베이스 부재(710)가 기준 위치로 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어하는 공정을 포함한다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 진공 처리 시스템(1) 전체의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 적재대(22)에는, 적재대(22)의 적재면과 해당 적재면에 대한 이면을 관통하는 핀용 관통 구멍(26a)이 형성된다. 진공 처리 장치(2)는, 핀용 관통 구멍(26a)에 슬라이드 가능하게 삽입되어, 상단이 핀용 관통 구멍(26a)의 적재대(22)의 적재면측에 현수되고, 하단이 적재대(22)의 이면으로부터 처리 용기(20)의 저부(27)측으로 돌출되는 리프터 핀(26)을 더 갖는다. 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법은, 베이스 부재(710)가 적재대(22)와 함께 하측 방향으로 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어하는 공정과, 적재대(22)의 하측 방향으로의 이동에 수반하여 리프터 핀(26)의 하단을 처리 용기(20)의 저부(27)에 맞닿게 함으로써, 리프터 핀(26)의 상단을 적재대(22)의 적재면으로부터 돌출시키는 공정과, 베이스 부재(710)가 적재대(22)와 함께 상측 방향으로 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어하는 공정과, 적재대(22)의 상측 방향으로의 이동에 수반하여 리프터 핀(26)의 하단을 처리 용기(20)의 저부(27)로부터 이반시킴으로써, 리프터 핀(26)의 상단을 핀용 관통 구멍(26a)의 적재대(22)의 적재면측에 수납하는 공정을 포함해도 된다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 리프터 핀 구동 기구를 삭감해서 처리 용기(20) 내의 부품 수를 삭감할 수 있으므로, 파티클의 발생 리스크를 저감시킬 수 있다.
또한, 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20) 내에서 상기 적재대(22)에 대향해서 배치된 샤워 플레이트(43)(상부 전극)와, 샤워 플레이트(43)의 주위에 배치되어, 소정의 검지 범위 내에 위치하는 웨이퍼(W)의 막 두께를 비접촉으로 검지 가능한 막 두께 센서를 더 갖는다. 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법은, 적재대(22)에 적재된 웨이퍼(W)가 막 두께 센서의 검지 범위 내로 이동할 때까지 베이스 부재(710)가 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어하는 공정을 포함해도 된다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 적재대(22)와 대향하는 샤워 플레이트(43)의 주위에 막 두께 센서가 배치되는 경우에도, 기판 처리의 실행 중에 실시간으로 막 두께 검출을 행할 수 있다.
또한, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법은, 적재대(22)의 적재면 내의 복수의 위치 각각에 대해서 적재대(22)와 샤워 플레이트(43)(상부 전극)의 사이의 거리를 측정 가능한 거리 측정 기판을 적재대(22) 상에 배치하는 공정과, 거리 측정 기판에 의한 측정 결과에 기초하여, 적재대(22)의 적재면 내의 복수의 위치에서의 거리가 소정 범위에 들어가는 위치까지 베이스 부재(710)가 이동하도록 복수의 액추에이터(720)를 제어하는 공정을 포함한다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 처리 용기(20)의 진공 상태를 유지하면서, 웨이퍼(W)에 대한 기판 처리의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시 형태에 따른 진공 처리 장치(2)의 제어 방법은, 처리 용기(20) 내에서 실행되는 기판 처리마다 측정된, 소정 조건을 충족하는 웨이퍼(W)(기판)의 상태에 대한 적재대(22)의 위치 및 기울기를 나타내는 측정 데이터를 취득하는 공정과, 처리 용기(20) 내에서 기판 처리를 순차 실행하는 공정과, 기판 처리의 전환 타이밍이 도래할 때마다, 측정 데이터에 기초하여 복수의 액추에이터(720)를 제어하는 공정을 포함한다. 이에 의해, 진공 처리 장치(2)는, 기판 처리를 연속적으로 순차 실행하는 경우에, 기판 처리마다 최적의 처리 결과를 얻을 수 있다.
이상, 실시 형태에 대해서 설명해 왔지만, 금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태에서 생략, 치환, 변경되어도 된다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 진공 처리 장치(2)가 기판 처리로서 플라스마 CVD 처리를 행하는 장치인 예를 설명했지만, 플라스마 에칭 등의 다른 기판 처리를 행하는 임의의 장치에 개시 기술을 적용해도 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 복수의 액추에이터(720)를 베이스 부재(710)에 유니버셜 조인트를 통해서 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결함과 함께, 처리 용기(20)의 저부(27)측(즉, 도 5의 흡수 기구(730))에 유니버셜 조인트를 통해서 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결할 경우를 예로 들어 설명하였다. 그러나, 개시 기술은 이것에 한정되지 않는다. 흡수 기구(730)를 생략하고, 액추에이터(720)의 일단을 처리 용기(20)의 저부(27)에 유니버셜 조인트를 통해서 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결해도 된다. 또한, 베이스 부재(710)를 생략하고, 액추에이터(720)의 타단을 진공 시일(630)의 일부에 유니버셜 조인트를 통해서 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결해도 된다. 이 경우, 진공 시일(630)이 베이스 부재로서 기능한다.

Claims (14)

  1. 내부를 진공 분위기로 유지 가능한 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련되어, 기판이 적재되는 적재대와,
    상기 처리 용기의 저부의 구멍을 관통해서 상기 적재대를 하방으로부터 지지하는 지지 부재와,
    상기 처리 용기의 외부에 위치하는 상기 지지 부재에 걸림 결합되어서 상기 적재대와 일체적으로 이동 가능한 베이스 부재와,
    상기 처리 용기의 저부와 상기 베이스 부재의 사이에 서로 병렬로 마련되어, 상기 처리 용기의 저부에 대하여 상기 베이스 부재를 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 적재대의 위치 및 기울기를 조정하는 복수의 액추에이터
    를 포함하는 진공 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 액추에이터 및 상기 베이스 부재는, 상기 베이스 부재를 복수의 축의 방향 및 각 축 주위의 회전 방향으로 각각 이동 가능한 패럴렐 링크 기구를 형성하고, 당해 패럴렐 링크 기구에 의해 상기 처리 용기의 저부와 상기 베이스 부재를 연결하는, 진공 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 액추에이터는, 상기 처리 용기의 저부의 외벽면에 직교하는 방향으로 상기 베이스 부재를 이동시킴으로써, 상기 적재대의 위치를 조정하는, 진공 처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 액추에이터는, 상기 처리 용기의 저부의 외벽면을 따르는 방향으로 상기 베이스 부재를 이동시킴으로써, 상기 적재대의 위치를 조정하는, 진공 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 액추에이터는, 상기 처리 용기의 저부의 외벽면에 대하여 상기 베이스 부재를 기울임으로써, 상기 적재대의 기울기를 조정하는, 진공 처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 지지 부재의 주위에 마련되어 상기 처리 용기의 저부와 상기 베이스 부재의 사이의 공간을 기밀하게 밀봉하고, 상기 베이스 부재의 이동에 따라서 신축 가능한 신축 부재를 더 포함하는, 진공 처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리 용기의 저부의 변형을 흡수하는 흡수 기구를 더 포함하고,
    상기 복수의 액추에이터는, 상기 흡수 기구에 연결되는, 진공 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 흡수 기구는,
    판 부재와,
    일단이 상기 처리 용기의 저부에 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결됨과 함께, 타단이 상기 판 부재에 회전 미끄럼 이동 가능하게 연결되어, 상기 처리 용기의 저부의 변형에 따른 방향으로 회전함으로써, 상기 판 부재로의 상기 변형의 전달을 억제하는 로드 부재
    를 포함하고,
    상기 복수의 액추에이터는, 상기 판 부재에 연결되는, 진공 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 판 부재는, 상기 처리 용기의 저부의 외벽면과 간격을 두고 배치되는, 진공 처리 장치.
  10. 내부를 진공 분위기로 유지 가능한 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련되어, 기판이 적재되는 적재대와,
    상기 처리 용기의 저부의 구멍을 관통해서 상기 적재대를 하방으로부터 지지하는 지지 부재와,
    상기 처리 용기의 외부에 위치하는 상기 지지 부재에 걸림 결합되어서 상기 적재대와 일체적으로 이동 가능한 베이스 부재와,
    상기 처리 용기의 저부와 상기 베이스 부재의 사이에 서로 병렬로 마련되어, 상기 처리 용기의 저부에 대하여 상기 베이스 부재를 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 적재대의 위치 및 기울기를 조정하는 복수의 액추에이터
    를 포함하는 진공 처리 장치의 제어 방법이며,
    상기 기판이 반송 기구에 의해 반송될 때의 어긋남양을 상기 기판의 위치의 보정량으로서 산출하는 공정과,
    상기 베이스 부재가 미리 정해진 기준 위치로부터 상기 보정량만큼 이동하도록 상기 복수의 액추에이터를 제어하는 공정과,
    상기 베이스 부재와 함께 이동한 상기 적재대와 상기 반송 기구의 사이에서 상기 기판의 전달을 행하는 공정과,
    상기 기판의 전달이 행하여진 후에, 상기 베이스 부재가 상기 기준 위치로 이동하도록 상기 복수의 액추에이터를 제어하는 공정
    을 포함하는, 진공 처리 장치의 제어 방법.
  11. 내부를 진공 분위기로 유지 가능한 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련되어, 기판이 적재되는 적재대와,
    상기 처리 용기의 저부의 구멍을 관통해서 상기 적재대를 하방으로부터 지지하는 지지 부재와,
    상기 처리 용기의 외부에 위치하는 상기 지지 부재에 걸림 결합되어서 상기 적재대와 일체적으로 이동 가능한 베이스 부재와,
    상기 처리 용기의 저부와 상기 베이스 부재의 사이에 서로 병렬로 마련되어, 상기 처리 용기의 저부에 대하여 상기 베이스 부재를 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 적재대의 위치 및 기울기를 조정하는 복수의 액추에이터
    를 포함하는 진공 처리 장치의 제어 방법이며,
    상기 적재대에는, 상기 적재대의 적재면과 해당 적재면에 대한 이면을 관통하는 관통 구멍이 형성되고,
    상기 진공 처리 장치는,
    상기 관통 구멍에 슬라이드 가능하게 삽입되어, 상단이 상기 관통 구멍의 상기 적재대의 적재면측에 현수되고, 하단이 상기 적재대의 이면으로부터 상기 처리 용기의 저부측으로 돌출되는 리프터 핀을 더 포함하고,
    상기 베이스 부재가 상기 적재대와 함께 하측 방향으로 이동하도록 상기 복수의 액추에이터를 제어하는 공정과,
    상기 적재대의 하측 방향으로의 이동에 수반하여 상기 리프터 핀의 하단을 상기 처리 용기의 저부측의 부재에 맞닿게 함으로써, 상기 리프터 핀의 상단을 상기 적재대의 적재면으로부터 돌출시키는 공정과,
    상기 베이스 부재가 상기 적재대와 함께 상측 방향으로 이동하도록 상기 복수의 액추에이터를 제어하는 공정과,
    상기 적재대의 상측 방향으로의 이동에 수반하여 상기 리프터 핀의 하단을 상기 처리 용기의 저부측의 부재로부터 이반시킴으로써, 상기 리프터 핀의 상단을 상기 관통 구멍의 상기 적재대의 적재면측에 수납하는 공정
    을 포함하는, 진공 처리 장치의 제어 방법.
  12. 내부를 진공 분위기로 유지 가능한 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련되어, 기판이 적재되는 적재대와,
    상기 처리 용기의 저부의 구멍을 관통해서 상기 적재대를 하방으로부터 지지하는 지지 부재와,
    상기 처리 용기의 외부에 위치하는 상기 지지 부재에 걸림 결합되어서 상기 적재대와 일체적으로 이동 가능한 베이스 부재와,
    상기 처리 용기의 저부와 상기 베이스 부재의 사이에 서로 병렬로 마련되어, 상기 처리 용기의 저부에 대하여 상기 베이스 부재를 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 적재대의 위치 및 기울기를 조정하는 복수의 액추에이터
    를 포함하는 진공 처리 장치의 제어 방법이며,
    상기 진공 처리 장치는,
    상기 처리 용기 내에서 상기 적재대에 대향해서 배치된 상부 전극과,
    상기 상부 전극의 주위에 배치되어, 미리 정해진 검지 범위 내에 위치하는 상기 기판의 막 두께를 비접촉으로 검지 가능한 막 두께 센서
    를 더 포함하고,
    상기 적재대에 적재된 상기 기판이 상기 막 두께 센서의 검지 범위 내로 이동할 때까지 상기 베이스 부재가 이동하도록 상기 복수의 액추에이터를 제어하는 공정
    을 포함하는, 진공 처리 장치의 제어 방법.
  13. 내부를 진공 분위기로 유지 가능한 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련되어, 기판이 적재되는 적재대와,
    상기 처리 용기의 저부의 구멍을 관통해서 상기 적재대를 하방으로부터 지지하는 지지 부재와,
    상기 처리 용기의 외부에 위치하는 상기 지지 부재에 걸림 결합되어서 상기 적재대와 일체적으로 이동 가능한 베이스 부재와,
    상기 처리 용기의 저부와 상기 베이스 부재의 사이에 서로 병렬로 마련되어, 상기 처리 용기의 저부에 대하여 상기 베이스 부재를 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 적재대의 위치 및 기울기를 조정하는 복수의 액추에이터
    를 포함하는 진공 처리 장치의 제어 방법이며,
    상기 진공 처리 장치는,
    상기 처리 용기 내에서 상기 적재대에 대향해서 배치된 상부 전극을 더 포함하고,
    상기 적재대의 적재면 내의 복수의 위치 각각에 대해서 상기 적재대와 상기 상부 전극의 사이의 거리를 측정 가능한 거리 측정 기판을 상기 적재대 상에 배치하는 공정과,
    상기 거리 측정 기판에 의한 측정 결과에 기초하여, 상기 적재대의 적재면 내의 복수의 위치에서의 상기 거리가 미리 정해진 범위에 들어가는 위치까지 상기 베이스 부재가 이동하도록 상기 복수의 액추에이터를 제어하는 공정
    을 포함하는, 진공 처리 장치의 제어 방법.
  14. 내부를 진공 분위기로 유지 가능한 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련되어, 기판이 적재되는 적재대와,
    상기 처리 용기의 저부의 구멍을 관통해서 상기 적재대를 하방으로부터 지지하는 지지 부재와,
    상기 처리 용기의 외부에 위치하는 상기 지지 부재에 걸림 결합되어서 상기 적재대와 일체적으로 이동 가능한 베이스 부재와,
    상기 처리 용기의 저부와 상기 베이스 부재의 사이에 서로 병렬로 마련되어, 상기 처리 용기의 저부에 대하여 상기 베이스 부재를 상대적으로 이동시킴으로써, 상기 적재대의 위치 및 기울기를 조정하는 복수의 액추에이터
    를 포함하는 진공 처리 장치의 제어 방법이며,
    상기 처리 용기 내에서 실행되는 기판 처리마다 측정된, 미리 정해진 조건을 충족하는 상기 기판의 상태에 대한 상기 적재대의 위치 및 기울기를 나타내는 측정 데이터를 취득하는 공정과,
    상기 처리 용기 내에서 기판 처리를 순차 실행하는 공정과,
    상기 기판 처리의 전환 타이밍이 도래할 때마다, 상기 측정 데이터에 기초하여 상기 복수의 액추에이터를 제어하는 공정
    을 포함하는, 진공 처리 장치의 제어 방법.
KR1020210083028A 2020-07-07 2021-06-25 진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 제어 방법 KR102559222B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-116868 2020-07-07
JP2020116868A JP7488138B2 (ja) 2020-07-07 2020-07-07 真空処理装置、及び真空処理装置の制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220005990A KR20220005990A (ko) 2022-01-14
KR102559222B1 true KR102559222B1 (ko) 2023-07-25

Family

ID=79172055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210083028A KR102559222B1 (ko) 2020-07-07 2021-06-25 진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 제어 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220009111A1 (ko)
JP (1) JP7488138B2 (ko)
KR (1) KR102559222B1 (ko)
CN (1) CN113903697A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024002304A (ja) * 2022-06-23 2024-01-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100738877B1 (ko) * 2006-02-01 2007-07-12 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3879009B2 (ja) * 1995-01-30 2007-02-07 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリングカソード
US6355994B1 (en) * 1999-11-05 2002-03-12 Multibeam Systems, Inc. Precision stage
JP2001230307A (ja) 2000-02-17 2001-08-24 Rohm Co Ltd 半導体製造装置
JP2004153166A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Applied Materials Inc プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP3996502B2 (ja) * 2002-12-27 2007-10-24 株式会社アルバック 熱板表面のカバー機構を備えた処理装置
JP4524132B2 (ja) * 2004-03-30 2010-08-11 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US20080142728A1 (en) * 2006-10-30 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Mechanical scanner
JP5066039B2 (ja) * 2008-09-12 2012-11-07 新明和工業株式会社 パラレルリンク機構およびパラレルリンク機構を備えた真空成膜装置
JP5693378B2 (ja) * 2011-05-25 2015-04-01 株式会社アルバック 移動装置
JP5781389B2 (ja) * 2011-07-19 2015-09-24 株式会社アルバック 真空メカニカルジョイント
JP6199638B2 (ja) * 2013-07-16 2017-09-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US10249525B2 (en) * 2016-10-03 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Dynamic leveling process heater lift
KR102033906B1 (ko) * 2018-02-12 2019-11-08 주식회사 파인솔루션 기판 척의 틸팅 승하강 장치
TW202013581A (zh) * 2018-05-23 2020-04-01 日商東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置
CN112639164B (zh) * 2018-09-28 2023-10-10 应用材料公司 具有动态调平的同轴升降装置
KR20210084892A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 (주)에이엔에이치 기판 처리장치의 서셉터 오토 레벨링 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100738877B1 (ko) * 2006-02-01 2007-07-12 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022014522A (ja) 2022-01-20
JP7488138B2 (ja) 2024-05-21
US20220009111A1 (en) 2022-01-13
CN113903697A (zh) 2022-01-07
KR20220005990A (ko) 2022-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5503006B2 (ja) 基板処理システム、搬送モジュール、基板処理方法及び半導体素子の製造方法
KR102299833B1 (ko) 진공 처리 장치, 진공 처리 시스템 및 진공 처리 방법
KR101170356B1 (ko) 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법
KR101453189B1 (ko) 반송 장치
US20190096702A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer storage medium
TW201227864A (en) Vacuum processing apparatus
US20150303083A1 (en) Substrate processing device and substrate transfer method
KR102559222B1 (ko) 진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 제어 방법
CN114695218A (zh) 输送装置
US20220216073A1 (en) Processing module and processing method
US20220213594A1 (en) Process module, substrate processing system, and processing method
JP2018198305A (ja) 真空搬送モジュール及び基板処理装置
KR20220102108A (ko) 기판 반송 장치, 기판 반송 방법, 및 기판 처리 시스템
KR20240013830A (ko) 기판을 반송하는 장치 및 기판을 처리하는 시스템 그리고 기판을 반송하는 방법
WO2020196179A1 (ja) 成膜装置、成膜方法、および成膜システム
KR20230018449A (ko) 웨이퍼 반송 장치 및 웨이퍼 반송 방법
JP5710194B2 (ja) 真空処理装置
KR20230099643A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US20240141494A1 (en) Substrate processing apparatus
US20230207376A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP5892828B2 (ja) 真空処理装置
JP2014195008A (ja) 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法
WO2023140259A1 (ja) 搬送装置および搬送方法
KR20230111142A (ko) 기판 반송 방법 및 기판 처리 시스템
CN114496870A (zh) 检测装置、处理系统和输送方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant