JP5567531B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
図1から図4Bは本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置の一例であるドライエッチング装置1を示す。このドライエッチング装置1は、プラズマを発生させる減圧可能なチャンバ(チャンバ)2に対し、図示しない出入口を介して搬入出可能なトレイ3を備える。
図4A及び図4Bに示す本発明の第2実施形態は、トレイ3の基板支持部11の下側部の構造と、それに対応する基板載置部27A〜27Iの側部の構造が第1実施形態とは異なる。
2 チャンバ
2a ガス導入口
2b 排気口
3 トレイ
3a 上面
3b 下面
4A〜4I 基板収容孔
5 基板
5a 辺
5b 上面
5c 下面
6A〜6D 外枠
6a 傾斜面
7A,7B,8A,8B 中間枠
11 基板支持部
11a 支持面
11b テーパ状面
11c 第1の面
11d 第2の面
12A,12B,12C ロッド
14 遮蔽版
17 アンテナ
18 誘電体壁
19A,19B 高周波電源
21 ステージ
21a 基部
22 プロセスガス源
23 減圧機構
24 金属ブロック
25 ベース
26 トレイガイド
26a トレイガイド面
27A〜27I 基板載置部
28 基板載置面
29 傾斜面
31A〜31C 収容溝
32 静電吸着用電極
33 駆動電源
34 冷却装置
35 冷媒流路
36 冷媒循環装置
37 供給孔
38 伝熱ガス源
39 駆動装置
40 リフトピン
41 バイアスシース
43 トレイ載置面
44 側面
45 コントローラ
Claims (8)
- 厚み方向に貫通するように設けられて少なくとも1枚の基板が収容される少なくとも1個の基板収容孔と、この基板収容孔の孔壁から突出し、前記基板収容孔内に収容された前記基板の下面の外周縁部分を支持する上側部を有する基板支持部とを備える、搬送可能なトレイと、
前記トレイが搬入されるチャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生源と、
前記チャンバ内に配置され、基部と、前記基部から上向きに突出し、前記トレイの下面側から前記基板収容孔に挿入され、上端面である基板載置面に前記基板支持部から受け渡された前記基板の前記下面が載置される基板載置部とを有するステージと、
前記ステージに対して高周波バイアスを印加するバイアス印加部と
を備え、
前記基板載置部の側面に設けられたトレイ支持部は、前記基部と前記トレイの前記下面側との間に間隔が形成されるように、前記トレイの前記基板支持部の下側部に当接して支持することを特徴とする、プラズマ処理装置。 - 前記トレイは前記基板収容孔に前記基板を複数枚収容し、
前記基板載置部は前記基板載置面に前記複数枚の基板を載置することを特徴とする、請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記トレイは、隣接する前記基板の突き合わせ部が互いに突き合わされた状態で前記複数枚の基板を前記基板収容孔に収容し、
前記基板載置部は、隣接する前記基板の前記突き合わせ部が互いに突き合わされた状態で前記複数枚の基板を載置することを特徴とする、請求項2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記トレイの前記基板支持部の下側部は、前記基板収容孔の前記孔壁からの突出量が前記トレイの前記下面側から前記上面側に向けて漸次増加するテーパ状面であり、
前記基板載置部の前記トレイ支持部は、前記テーパ状面と適合する傾斜面である、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記トレイの前記基板支持部の下側部は、前記基板支持部の前記上側部に支持された前記基板の前記下面に沿って延びる第1の面と、前記第1の面から下向きに突出する第2の面とを備え、
前記基板載置部の前記トレイ支持部は、前記トレイ支持部の前記第1の面が載置されるトレイ載置面と、前記トレイ支持部の前記第1の面が前記トレイ載置面に載置された状態で前記トレイの前記第2の面と間隔を隔てて対向する側面とを備える、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。 - 厚み方向に貫通するように設けられて少なくとも1枚の基板が収容される少なくとも1個の基板収容孔と、この基板収容孔の孔壁から突出する基板支持部を有するトレイを準備し、
前記トレイの前記基板収容孔に前記基板を収容し、前記基板の下面の外周縁部分を前記基板支持部の上側部に支持させ、
チャンバ内のステージに向けて前記トレイを降下させ、前記ステージの基部から上向きに突出する基板載置部を前記トレイの下面側から前記基板収容孔に進入させ、前記基板載置部の上端面である基板載置面に、前記基板収容孔内に収容された前記基板の下面を載置し、
前記基部と前記トレイの前記下面側との間に間隔が形成されるように、前記基板載置部の側面に設けられたトレイ支持部に対して、前記トレイの前記基板支持部の下側部を当接させて支持させ、
前記チャンバ内にプラズマを発生させる共に前記ステージに高周波バイアスを印加する、プラズマ処理方法。 - 前記トレイの前記基板収容孔に複数枚の基板を収容し、前記基板載置部の前記基板載置面に複数枚の基板を載置することを特徴とする、請求項6に記載のプラズマ処理方法。
- 前記トレイの前記基板収容孔に前記複数枚の基板を収容する際に、隣接する前記基板の突き合わせ部を互いに突き合わされた状態とし、
前記基板載置部の前記基板載置面に前記複数の基板を載置する際に、隣接する前記基板の突き合わせ部を互いに突き合わされた状態とする、請求項7に記載のプラズマ処理方法。
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JP2011183528A JP5567531B2 (ja) | 2011-08-25 | 2011-08-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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JP2011183528A JP5567531B2 (ja) | 2011-08-25 | 2011-08-25 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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JP5567531B2 true JP5567531B2 (ja) | 2014-08-06 |
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