JP2009147375A5

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Publication number: JP2009147375A5
Application number: JP2009070046A
Authority: JP
Filing date: 2009-03-23
Publication date: 2010-10-21
Anticipated expiration: 2025-10-12

Description

第１の発明は、減圧可能なチャンバ（３）と、それぞれ基板（２）が収容される複数の基板収容孔（１９Ａ〜Ｉ）が設けられ、個々の基板収容孔の孔壁（１５ｄ）から突出する基板支持部（２１）を備える、前記チャンバ内へ搬入搬出可能なトレイ（１５）と、前記チャンバ内に設けられ、トレイ支持部（２８）と、このトレイ支持部から上向きに突出し、かつその上端面である基板載置面（３１）に前記基板の下面が載置される複数の基板載置部（２９Ａ〜２９Ｄ）とを備える、上側部（２３）と、前記基板載置部に少なくとも一部が内蔵された、前記基板を前記基板載置面に静電吸着するための静電吸着用電極（４０Ａ，４０Ｂ）と、前記静電吸着用電極に直流電圧を印加する直流電圧印加機構（４３Ａ〜４３Ｆ）と、前記基板と前記基板載置面との間の空間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構（４５Ａ〜４５Ｄ）と、前記上側部を冷媒の循環により冷却する冷却機構（６１）とを備え、前記基板の搬送時には、前記基板収容孔に収容された前記基板の下面の外周縁部分が前記基板支持部に支持され、前記基板の処理時には、前記基板載置面が前記トレイの厚み方向に進入するように構成された個々の前記基板収容孔に個々の前記基板載置部が前記トレイの下面（１５ｃ）側から挿入されて前記トレイの下面が、前記上側部の前記トレイ支持部に載置され、前記トレイ支持部から前記基板支持部の上面（２１ａ）までの距離（Ｈ１）が前記トレイ支持部から前記基板載置面までの距離（Ｈ２）よりも短いことにより、前記基板の下面が前記基板支持部の上面から浮き上がって前記基板載置面に載置され、前記トレイ支持部に前記トレイの下面が載置され、かつ前記前記基板載置面に前記基板が載置されている前記上側部が前記冷却機構によって冷却されることを特徴とする、プラズマ処理装置を提供する。

第２の発明は、それぞれ基板（２）が収容される複数の基板収容孔（１９Ａ〜１９Ｄ）が設けられ、個々の基板収容孔の孔壁（１５ｄ）から突出する基板支持部（２１）を有する、前記基板を搬送可能なトレイ（１５）を準備し、減圧可能なチャンバ（３）内に配置され、トレイ支持部（２８）と、このトレイ支持部から上向きに突出する複数の基板載置部（２９Ａ〜２９Ｄ）とを備え、かつ静電吸着用電極（４０Ａ，４０Ｂ）が前記基板載置部の少なくとも一部が内蔵されている上側部（２３）を準備し、前記トレイの個々の前記基板収容孔に基板（２）をそれぞれ収容し、前記基板支持部で前記基板の下面（２ａ）の外周縁部分を支持させた状態で、前記チャンバ内に前記トレイを搬入し、前記上側部の上方に前記トレイを配置し、前記トレイを前記上側部に向けて降下させ、前記トレイの下面を前記上側部の前記トレイ支持部（２８）で支持させると共に、個々の基板載置部（２９Ａ〜２９Ｄ）を前記トレイの下面側から対応する前記基板収容孔に進入させて個々の前記基板載置部の上端面である基板載置面（３１）に基板の下面を載置して前記トレイの前記基板支持部の上面から浮き上がらせ、前記基板載置部に少なくとも一部が内蔵された静電吸着用電極（４０Ａ，４０Ｂ）に直流電圧を印加して、前記基板載置面に前記基板を静電吸着させ、前記トレイ支持部に前記トレイの下面が載置され、かつ前記基板載置面に前記基板が載置されている前記上側部を、冷媒の循環により冷却し、前記基板の下面と前記基板載置面との間の空間に伝熱ガスを供給し、前記チャンバ内にプラズマを発生させる、プラズマ処理方法を提供する。

Claims

減圧可能なチャンバ（３）と、
それぞれ基板（２）が収容される複数の基板収容孔（１９Ａ〜Ｉ）が設けられ、個々の基板収容孔の孔壁（１５ｄ）から突出する基板支持部（２１）を備える、前記チャンバ内へ搬入搬出可能なトレイ（１５）と、
前記チャンバ内に設けられ、トレイ支持部（２８）と、このトレイ支持部から上向きに突出し、かつその上端面である基板載置面（３１）に前記基板の下面が載置される複数の基板載置部（２９Ａ〜２９Ｄ）とを備える、上側部（２３）と、
前記基板載置部に少なくとも一部が内蔵された、前記基板を前記基板載置面に静電吸着するための静電吸着用電極（４０Ａ，４０Ｂ）と、
前記静電吸着用電極に直流電圧を印加する直流電圧印加機構（４３Ａ〜４３Ｆ）と、
前記基板と前記基板載置面との間の空間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構（４５Ａ〜４５Ｄ）と、
前記上側部を冷媒の循環により冷却する冷却機構（６１）と
を備え、
前記基板の搬送時には、前記基板収容孔に収容された前記基板の下面の外周縁部分が前記基板支持部に支持され、
前記基板の処理時には、前記基板載置面が前記トレイの厚み方向に進入するように構成された個々の前記基板収容孔に個々の前記基板載置部が前記トレイの下面（１５ｃ）側から挿入されて前記トレイの下面が、前記上側部の前記トレイ支持部に載置され、前記トレイ支持部から前記基板支持部の上面（２１ａ）までの距離（Ｈ１）が前記トレイ支持部から前記基板載置面までの距離（Ｈ２）よりも短いことにより、前記基板の下面が前記基板支持部の上面から浮き上がって前記基板載置面に載置され、前記トレイ支持部に前記トレイの下面が載置され、かつ前記前記基板載置面に前記基板が載置されている前記上側部が前記冷却機構によって冷却されることを特徴とする、プラズマ処理装置。
前記上側部がその上部に備えられた支持部と、
前記支持部にプラズマ発生用の高周波電圧を印加する高周波電圧印加機構と
をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記静電吸着用電極は個々の基板載置部毎に設けられ、
前記静電吸着用電極毎に前記直流電圧機構により印加される前記直流電圧に重畳してプラズマ発生用の高周波電圧を印加し、かつ個々の前記静電吸着用電極に印加する前記高周波電圧を個別に制御可能である高周波電圧印加機構をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記上側部に内蔵され、前記静電吸着用電極と電気的に絶縁された、個々の前記基板載置部毎に設けられた複数の第２の電極と、
前記第２の電極にプラズマ発生用の高周波電圧を印加する高周波電圧印加機構と
をさらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記高周波電圧印加機構は、個々の前記第２の電極に印加する前記高周波電圧を個別に制御可能である、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
個々の前記基板載置部は、前記基板載置面の外周縁から上向きに突出し、その上端面で基板の下面を支持する環状突出部を備え、
前記基板の下面と前記環状突出部で囲まれた空間に前記伝熱ガス供給機構によって前記伝熱ガスが供給されることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記伝熱ガス供給機構は、個々の前記基板載置部に対して個別に制御可能に前記伝熱ガスを供給可能である、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記上側部の前記基板載置部は、前記基板載置面とその外周面の接続部にて、外径が基板載置面側からトレイ支持部側に向けて増大している、請求項１記載のプラズマ処理装置。
前記トレイは、前記基板収容孔の孔壁と前記トレイの下面との接続部にて、前記基板収容孔の内径が前記トレイの下面側から前記トレイの上面側に向けて減少している、請求項１記載のプラズマ処理装置。
前記静電吸着用電極は個々の基板載置部毎に設けられ、
個々の前記静電吸着用電極の少なくとも一部が前記基板載置面近傍に配置され、
前記直流電圧印加機構は、個々の前記静電吸着用電極に印加する直流電圧を個別に制御可能である、請求項１記載のプラズマ処理装置。
それぞれ基板（２）が収容される複数の基板収容孔（１９Ａ〜１９Ｄ）が設けられ、個々の基板収容孔の孔壁（１５ｄ）から突出する基板支持部（２１）を有する、前記基板を搬送可能なトレイ（１５）を準備し、
減圧可能なチャンバ（３）内に配置され、トレイ支持部（２８）と、このトレイ支持部から上向きに突出する複数の基板載置部（２９Ａ〜２９Ｄ）とを備え、かつ静電吸着用電極（４０Ａ，４０Ｂ）が前記基板載置部の少なくとも一部が内蔵されている上側部（２３）を準備し、
前記トレイの個々の前記基板収容孔に基板（２）をそれぞれ収容し、前記基板支持部で前記基板の下面（２ａ）の外周縁部分を支持させた状態で、前記チャンバ内に前記トレイを搬入し、
前記上側部の上方に前記トレイを配置し、
前記トレイを前記上側部に向けて降下させ、前記トレイの下面を前記上側部の前記トレイ支持部（２８）で支持させると共に、個々の基板載置部（２９Ａ〜２９Ｄ）を前記トレイの下面側から対応する前記基板収容孔に進入させて個々の前記基板載置部の上端面である基板載置面（３１）に基板の下面を載置して前記トレイの前記基板支持部の上面から浮き上がらせ、
前記基板載置部に少なくとも一部が内蔵された静電吸着用電極（４０Ａ，４０Ｂ）に直流電圧を印加して、前記基板載置面に前記基板を静電吸着させ、
前記トレイ支持部に前記トレイの下面が載置され、かつ前記基板載置面に前記基板が載置されている前記上側部を、冷媒の循環により冷却し、
前記基板の下面と前記基板載置面との間の空間に伝熱ガスを供給し、
前記チャンバ内にプラズマを発生させる、プラズマ処理方法。
前記上側部は支持部の上部に配置され、
前記支持部にプラズマ発生用の高周波電圧を印加する、請求項１１に記載のプラズマ処理方法。
前記直流電圧に重畳してプラズマ発生用の高周波電圧を印加する、請求項１１に記載のプラズマ処理方法。
前記静電吸着用電極と電気的に絶縁された、個々の前記基板載置部毎に設けられた複数の第２の電極が前記上側部に内蔵され、
前記第２の電極にプラズマ発生用の高周波電圧を印加する、請求項１１に記載のプラズマ処理方法。