JP2020193379A - ステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板温度の面内均一性を向上するステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法を提供する。【解決手段】円板形状の載置台ベース２１と、載置台ベース２１の外周側に配置され、周方向に対して少なくとも２以上に分割される環状部材２２と、環状部材２２が分割されて形成される円弧部材２２ａ〜２２ｄの少なくとも１つを昇降させる昇降部と、を備える、ステージ構造体２。【選択図】図３

Description

本開示は、ステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法に関する。

特許文献１には、基板を加熱するためのヒータが埋没された載置台を備える成膜装置が開示されている。載置台には、載置台を厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられている。貫通孔には、昇降自在の支持ピンが設けられている。支持ピンは基板を持ち上げて支持する。

特開２０１５−２２９７７６号公報

一の側面では、本開示は、基板温度の面内均一性を向上するステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法を提供する。

上記課題を解決するために、一の態様によれば、円板形状の載置台ベースと、前記載置台ベースの外周側に配置され、周方向に対して少なくとも２以上に分割される環状部材と、前記環状部材が分割されて形成される円弧部材の少なくとも１つを昇降させる昇降部と、を備える、ステージ構造体が提供される。

一の側面によれば、基板温度の面内均一性を向上するステージ構造体、基板処理装置及びステージ構造体の制御方法を提供することができる。

第１実施形態に係る基板処理装置の縦断面図の一例であり、成膜処理時の状態を示す。 第１実施形態に係る基板処理装置の縦断面図の一例であり、基板の受け渡し時の状態を示す。 （ａ）は第１実施形態に係る基板処理装置が備えるステージ構造体の平面図の一例、（ｂ）はステージ構造体のＢ−Ｂ断面図、（ｃ）はステージ構造体のＣ−Ｃ断面図。 第２実施形態に係る基板処理装置が備えるステージ構造体の平面図の一例。 第３実施形態に係る基板処理装置が備えるステージ構造体の平面図の一例。

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

第１実施形態に係る基板処理装置１００の構成の一例について、図１及び図２を用いて説明する。図１及び図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１００の縦断面図の一例である。また、図１は、成膜処理時の状態を示す。図２は、基板Ｗの受け渡し時の状態を示す。

図１及び図２に示す基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、原料ガスとしてのＴｉＣｌ_４ガス及び還元ガスとしてのＮＨ_３ガスを供給して、基板Ｗの表面にＴｉＮ膜を成膜するＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）装置である。

基板処理装置１００は、処理容器１と、ステージ構造体２と、天板部３と、排気ダクト４と、第１の真空排気部５と、第２の真空排気部６と、処理ガス供給部７と、制御部９と、を備える。

処理容器１は、例えばアルミニウム等の金属により構成され、略有底円筒状に形成される。処理容器１の側壁には、基板Ｗの受け渡しを行うための搬入出口１１が形成される。搬入出口１１には、搬入出口１１を開閉するゲートバルブ１２が設けられている。

処理容器１の側壁の上には、排気ダクト４が設けられている。排気ダクト４は、例えばアルミニウム等の金属により構成され、縦断面が矩形状をなす円環状に形成される。排気ダクト４の内周面側には、周方向に沿って処理容器１内に向けて開口する開口部４７が形成される。後述する処理空間３０から流れ出たガスは、開口部４７を介して、排気ダクト４内に排気される。

排気ダクト４の外壁面には、第１の排気口４１が形成される。第１の排気口４１には、排気管４２が接続される。排気管４２は、第１の排気口４１側から圧力調整部４３、第１の排気バルブ４４が介設され、真空排気ポンプ４０に接続される。この第１の排気口４１、排気管４２、圧力調整部４３、第１の排気バルブ４４及び真空排気ポンプ４０は、第１の真空排気部５に相当する。

処理容器１の底面には、第２の排気口１５が形成される。第２の排気口１５には、排気管１６が接続される。排気管１６は、第２の排気口１５側から圧力調整部１７、第２の排気バルブ１８が介設され、真空排気ポンプ４０に接続される。この第２の排気口１５、排気管１６、圧力調整部１７、第２の排気バルブ１８及び真空排気ポンプ４０は、第２の真空排気部６に相当する。なお、第１の真空排気部５及び第２の真空排気部６は真空排気ポンプ４０を共用するものとしたが、真空排気ポンプ４０が個別に設けられていてもよい。

処理容器１内には、基板Ｗを載置するためのステージ構造体２が設けられている。ステージ構造体２は、ヒータ２０が埋没された載置台ベース２１と、分割された環状部材２２と、を有する。また、ステージ構造体２は、載置台ベース２１に対して、分割された環状部材２２のうち少なくとも１つのパーツ（円弧部材２２ｂ，２２ｄ）を昇降させる昇降部（昇降機構２４，２８）を有する。

載置台ベース２１は、例えば窒化アルミニウム等のセラミックス材料やアルミニウム等の金属により構成され、円板状に形成される。載置台ベース２１の内部には、基板Ｗを成膜温度（例えば、５０℃〜７００℃）に加熱するためのヒータ２０が埋設されている。ヒータ２０は、ヒータ電源（図示せず）から給電されて発熱する。ヒータ２０によって載置台ベース２１を加熱することにより、載置台ベース２１（ステージ構造体２）に載置された基板Ｗを加熱することができる。

環状部材２２は、例えばアルミナ、石英等のセラミックス材料により構成され、上下端が開口する扁平の円筒形状に形成される。環状部材２２の上端側は、載置台ベース２１の側周面を側方から囲むように環状に形成される。環状部材２２の内周面と載置台ベース２１の側周面との間には、載置台ベース２１に対して環状部材２２が昇降可能となるように、僅かに隙間（例えば、０．１ｍｍ）を有している。環状部材２２の下端側は、外径が環状部材２２の上端側の外径と等しく、内径が環状部材２２の上端側の内径よりも大きくなるように、筒状に形成される。これにより、環状部材２２の外周面と、後述する区画部材４５の筒状部４６の内周面とが向かい合う軸方向の長さを長くして、載置台ベース２１の裏面側に処理ガスが流れ込むことを抑制する。また、環状部材２２は、図３（ａ）を用いて後述するように、周方向に対して４つの円弧部材２２ａ〜２２ｄに等分割されている。

載置台ベース２１の下面側中央部には、上下方向に伸びる昇降軸２３が設けられている。昇降軸２３は、処理容器１の底面に形成された開口部１３を貫通して下方に延び、その下端が昇降機構２４に接続される。載置台ベース２１は、昇降軸２３及び昇降機構２４により、基板Ｗに処理ガスを供給して成膜処理を行う際の位置である処理位置（図１参照）と、外部の搬送機構２００との間で基板Ｗの受け渡しを行う際の位置である搬送位置（図２参照）との間で昇降可能となっている。また、昇降軸２３の処理容器１の下方には、昇降板２５が取り付けられており、処理容器１の底面と昇降板２５との間には、処理容器１内の雰囲気を外気と区画し、載置台ベース２１の昇降動作にともなって伸縮するベローズ２６が設けられている。

環状部材２２（円弧部材２２ａ〜２２ｄ）の下面側には、上下方向に伸びる昇降軸２７が設けられている。昇降軸２７は、処理容器１の底面に形成された開口部１４を貫通して下方に延び、その下端が昇降機構２８に接続される。なお、昇降軸２７及び昇降機構２８は４つの円弧部材２２ａ〜２２ｄに対してそれぞれ個別に設けられており、円弧部材２２ａ〜２２ｄは独立して昇降可能となっている。円弧部材２２ａ〜２２ｄは、昇降軸２７及び昇降機構２８により、基板Ｗに処理ガスを供給して成膜処理を行う際の位置である処理位置（図１参照）と、外部の搬送機構２００との間で基板Ｗの受け渡しを行う際に搬送機構２００を挿入するための開口を形成する位置である搬送位置（図２の円弧部材２２ａで示す位置参照）と、外部の搬送機構２００との間で基板Ｗの受け渡しを行う際に基板Ｗを支持するための位置である支持位置（図２の円弧部材２２ｃで示す位置参照）との間で昇降可能となっている。また、処理容器１の底面と昇降機構２８との間には、処理容器１内の雰囲気を外気と区画し、円弧部材２２ａ〜２２ｄの昇降動作にともなって伸縮するベローズ２９が設けられている。

処理容器１の側壁の上に設けられた排気ダクト４の上には、開口を塞ぐように天板部３が設けられている。天板部３の下面（ステージ構造体２と向き合う面）の中央部には、互いに横方向に隣接して並ぶガス供給口３３，３４が開口する。天板部３の下面は、ガス供給口３３，３４から外周側に向かって低くなるように傾斜面として形成される。この傾斜面の更に外側には、平坦な平坦部３６が全周に亘って形成される。平坦部３６は、ステージ構造体２を処理位置まで上昇させたときにステージ構造体２の環状部材２２の上面との間に隙間を介して対向するように配置される。天板部３の下面とステージ構造体２の上面とによって囲まれた概ね扁平な円錐状の空間は、基板Ｗに対して成膜が行われる処理空間３０となる。

区画部材４５は、例えばアルミニウム等の金属により構成され、リング状の部材であって、処理位置における環状部材２２の外周面を側方から囲むように形成された筒状部４６を有する。筒状部４６の内周面と環状部材２２の外周面との間には、ステージ構造体２が昇降可能となるように僅かに隙間（例えば、０．１ｍｍ）を有している。ステージ構造体２が処理位置に上昇した際、区画部材４５によって、処理容器１の内部は、上側の処理空間３０を含む空間と、下側の下部空間１０と、に区画される。これにより、成膜処理を行う際には、処理空間３０内の雰囲気は、平坦部３６と環状部材２２の上面との隙間から排気され、区画部材４５の上面側を流れて、排気ダクト４から排気される。

ガス供給口３３は、処理空間３０内に還元ガスとしてのＮＨ_３ガス、または、不活性ガスとしてのＮ_２ガスを供給するためのガス供給路３１の下流端に形成される。ガス供給口３４は、処理空間３０内に原料ガスとしてのＴｉＣｌ_４ガス、または、不活性ガスとしてのＮ_２ガスを供給するためのガス供給路３２の下流端に形成される。ガス供給路３１，３２は、天板部３の中央部を上下方向に貫通している。これらガス供給口３３，３４の下方側には、ガス供給路３１，３２から供給された処理ガスを衝突させて、処理空間３０内に分散させるための分散板３５が例えば水平に設けられている。

一方のガス供給路３１の上流側には、ＮＨ_３ガス供給管５１を介してＮＨ_３ガス供給源５２が接続されると共に、ＮＨ_３ガス供給管５１の途中から分岐したＮ_２ガス供給管５５を介してＮ_２ガス供給源５０が接続される。他方のガス供給路３２の上流側には、ＴｉＣｌ_４供給管６１を介して、ＴｉＣｌ_４ガス供給源６２が接続されると共に、ＴｉＣｌ_４供給管６１の途中から分岐したＮ_２ガス供給管６５を介してＮ_２ガス供給源５０が接続されている。ＮＨ_３ガス供給管５１は、分岐点側から流量調整部５３、バルブ５４が介設され、ＮＨ_３ガス供給源５２に接続される。Ｎ_２ガス供給管５５は、分岐点側から流量調整部５６、バルブ５７が介設され、Ｎ_２ガス供給源５０に接続される。ＴｉＣｌ_４供給管６１は、分岐点側から流量調整部６３、バルブ６４が介設され、ＴｉＣｌ_４ガス供給源６２に接続される。Ｎ_２ガス供給管６５は、分岐点側から流量調整部６６、バルブ６７が介設され、Ｎ_２ガス供給源５０に接続される。これらガス供給源５０，５２，６２、供給管５１，５５，６１，６５、流量調整部５３，５６，６３，６６、バルブ５４，５７，６４，６７は、処理ガス供給部７に相当する。

また、処理容器１の側壁内や天板部３の内部には、図示しないヒータなどの昇温機構が設けられており、天板部３及び処理容器１の内面の温度が所定の温度（例えば、１５０℃）に設定されている。これにより、例えば処理容器１の内部において、処理ガスの反応による例えば塩化アンモニウムなどのパーティクル源となる副生成物の析出を抑制する。

制御部９は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部９は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）及びＲＡＭ（Random Access Memory）を有する。ＣＰＵは、ＲＡＭ等の記憶領域に格納されたレシピに従って、所望の処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する装置の制御情報が設定されている。制御情報は、例えばガス流量、圧力、温度、プロセス時間であってよい。なお、レシピ及び制御部９が使用するプログラムは、例えばハードディスク、半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピ等は、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定の位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。

基板処理装置１００における成膜処理について、ＡＬＤプロセスにより、基板Ｗの上にＴｉＮ膜を形成する場合を例に挙げて説明する。

まず、基板処理装置１００の処理容器１内に基板Ｗを搬入して、基板Ｗをステージ構造体２に載置する。なお、基板Ｗを搬送機構２００からステージ構造体２に受け渡すためのステージ構造体２の構造及び動作については、図３を用いて後述する。基板Ｗが載置されたステージ構造体２を処理位置（図１参照）まで上昇させる。ステージ構造体２に載置された基板Ｗは、載置台ベース２１に埋没されたヒータ２０により所定の成膜温度に加熱される。

続いて、ＴｉＣｌ_４ガスとＮＨ_３ガスとを用いたＡＬＤプロセスによりＴｉＮ膜を成膜する。ＡＬＤプロセスは、ＴｉＣｌ_４供給工程、第１のパージ工程、ＮＨ_３供給工程、及び第２のパージ工程を所定サイクル繰り返し、基板Ｗの上に所望の膜厚のＴｉＮ膜を形成するプロセスである。

ＴｉＣｌ_４供給工程は、ＴｉＣｌ_４ガスを処理空間３０に供給する工程である。これにより、基板Ｗの表面にＴｉＣｌ_４ガスが吸着される。第１のパージ工程は、Ｎ_２ガスを処理空間３０に供給する工程である。これにより、処理空間３０の余剰のＴｉＣｌ_４ガス等をパージする。ＮＨ_３供給工程は、ＮＨ_３ガスを処理空間３０に供給する工程である。これにより、基板Ｗ上に吸着したＴｉＣｌ_４が還元される。第２のパージ工程は、Ｎ_２ガスを処理空間３０に供給する工程である。これにより、処理空間３０の余剰のＮＨ_３ガス等をパージする。以下、これらの工程を所定サイクル繰り返すことにより、基板Ｗの上に所望の膜厚のＴｉＮ膜を形成する。

成膜処理が終了すると、基板Ｗが載置されたステージ構造体２を搬送位置（図２参照）まで下降させる。そして、処理容器１内から基板Ｗが搬出される。なお、基板Ｗをステージ構造体２から搬送機構２００に受け渡すためのステージ構造体２の構造及び動作については、図３を用いて後述する。

＜ステージ構造体２の構成＞
次に、第１実施形態に係る基板処理装置１００が備えるステージ構造体２の構成について、図３を用いて更に説明する。図３（ａ）は、第１実施形態に係る基板処理装置１００が備えるステージ構造体２の平面図の一例である。図３（ｂ）は、ステージ構造体２のＢ−Ｂ断面図である。図３（ｃ）は、ステージ構造体２のＣ−Ｃ断面図である。

なお、図３（ａ）及び図３（ｂ）において、搬入出口１１（図１，２参照）は、紙面の左側にあるものとする。また、図３（ｃ）において、搬入出口１１は、紙面の奥側にある。また、図３（ａ）では、基板Ｗが載置されていない状態におけるステージ構造体２を図示しており、基板Ｗが載置される位置を二点鎖線で図示している。また、図３（ｂ）及び図３（ｃ）は、基板Ｗを載置台ベース２１から持ち上げて、搬送機構２００を基板Ｗの裏面側に挿入した状態を図示している。また、図３において、環状部材２２を昇降させるための昇降軸２７は省略して図示している。

図３（ａ）に示すように、円板形状の載置台ベース２１の外周側に、環状部材２２が配置されている。環状部材２２は、周方向に対して４つの円弧部材２２ａ〜２２ｄに等分割されている。ここで、搬入出口１１に最も近い円弧部材を円弧部材２２ａとする。また、円弧部材２２ａに隣接する円弧部材をそれぞれ円弧部材２２ｂ，２２ｄとする。搬入出口１１から最も遠い円弧部材を円弧部材２２ｃとする。隣接する円弧部材２２ａ〜２２ｄの間には、円弧部材２２ａ〜２２ｄが個別に昇降可能となるように僅かに隙間（例えば、０．１ｍｍ）を有している。なお、前述したように、昇降軸２７及び昇降機構２８（図１，２参照）は、４つの円弧部材２２ａ〜２２ｄに対してそれぞれ個別に設けられており、円弧部材２２ａ〜２２ｄは独立して昇降可能となっている。

ここで、載置台ベース２１の外径は基板Ｗの外径よりも小さく、環状部材２２の上面の内径は基板Ｗの外径よりも小さく、環状部材２２の上面の外径は基板Ｗの外径よりも大きくなるように形成される。

基板Ｗに処理ガスを供給して成膜処理を行う際、ステージ構造体２は、処理位置（図１参照）まで上昇する。この際、載置台ベース２１の上面と環状部材２２（円弧部材２２ａ〜２２ｄ）の上面とは、同じ高さとなるように配置される。これにより、基板Ｗをステージ構造体２に載置した際、基板Ｗの下面の外縁部が環状部材２２の上面に載置され、基板Ｗの下面の内縁部が載置台ベース２１の上面に載置される。また、ステージ構造体２に載置された基板Ｗは、載置台ベース２１に埋没されたヒータ２０により所定の成膜温度に加熱される。ここで、載置台ベース２１は、基板Ｗを載置台ベース２１から持ち上げるための支持ピンを挿通する貫通穴を不要とすることができるので、ステージ構造体２に載置された基板Ｗの温度の面内均一性を向上させることができる。

また、環状部材２２（複数の円弧部材）は、等分割されていることが好ましい。これにより、基板Ｗの周方向における接触位置の片寄りを低減し、温度の面内均一性を向上させることができる。また、隣接する円弧部材２２ａ〜２２ｄの間を狭くすることが好ましい。これにより、基板Ｗの温度の不均一を低減することができる。

次に、基板処理装置１００の処理容器１内に基板Ｗを搬入して、基板Ｗをステージ構造体２に載置する際の動作について説明する。

まず、制御部９は、昇降機構２４，２８を制御して、載置台ベース２１を搬送位置（図２参照）へと移動させるとともに、環状部材２２（円弧部材２２ａ〜２２ｄ）を搬送位置（図２の円弧部材２２ａで示す高さ位置）へと移動させる。また、制御部９は、ゲートバルブ１２を開く。ゲートバルブ１２が開放されると、搬入出口１１から下部空間１０内に基板Ｗを保持した搬送機構２００が進入し、ステージ構造体２の上方に基板Ｗが配置される。

次に、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すように、制御部９は、昇降機構２８を制御して、円弧部材２２ｂ，２２ｄを支持位置へと上昇させる。これにより、搬送機構２００に保持された基板Ｗは、円弧部材２２ｂ，２２ｄによって持ち上げられ、基板Ｗの外縁部で支持される。なお、上昇させる円弧部材２２ｂ，２２ｄは、ステージ構造体２を平面視した際、載置台ベース２１の中心（載置される基板Ｗの重心）に対して反対側に配置されており、基板Ｗが落下することなく支持することができる。また、円弧部材２２ａは、円弧部材２２ｂ，２２ｄよりも下降した状態のままとすることにより、円弧部材２２ａと搬送機構２００とが接触することを防止している。なお、図２に示すように、円弧部材２２ｃも支持位置へと移動させ、円弧部材２２ｂ，２２ｃ，２２ｄによって基板Ｗの外縁部を支持してもよい。

基板Ｗが円弧部材２２ｂ，２２ｄによって支持されると、搬送機構２００は搬入出口１１から退避する。この際、円弧部材２２ａを円弧部材２２ｂ，２２ｄよりも下降した状態のままとすることにより、搬送機構２００は円弧部材２２ａと接触することなく搬入出口１１から退避することができる。また、搬送機構２００が搬入出口１１から退避すると、制御部９は、ゲートバルブ１２を閉じる。

制御部９は、昇降機構２４，２８を制御して、載置台ベース２１、円弧部材２２ａ，２２ｃを上昇させることにより、ステージ構造体２の上面に基板Ｗを載置することができる。なお、円弧部材２２ｂ，２２ｄを下降させることにより、ステージ構造体２の上面に基板Ｗを載置してもよい。

以上のように、基板Ｗを搬送機構２００からステージ構造体２に受け渡すことができる。

次に、ステージ構造体２に載置された基板を処理容器１内から搬出する際の動作について説明する。

成膜処理が終了すると、制御部９は、昇降機構２４，２８を制御して、基板Ｗが載置されたステージ構造体２を支持位置まで下降させる。そして、制御部９は、昇降機構２４，２８を制御して、載置台ベース２１、円弧部材２２ａ，２２ｃを搬送位置までさらに下降させる。円弧部材２２ｂ，２２ｄは支持位置で静止しており、基板Ｗは円弧部材２２ｂ，２２ｄによって支持される。なお、ステージ構造体２を搬送位置まで下降させた後、円弧部材２２ｂ，２２ｄを支持位置まで上昇させてもよい。なお、円弧部材２２ｂ，２２ｃ，２２ｄによって基板Ｗを支持してもよい。

制御部９は、ゲートバルブ１２を開く。ゲートバルブ１２が開放されると、搬入出口１１から下部空間１０内に搬送機構２００が進入し、搬送機構２００が基板Ｗの裏面と載置台ベース２１の上方との間に配置される。この際、円弧部材２２ａは、円弧部材２２ｂ，２２ｄよりも下降した状態とすることにより、搬送機構２００が環状部材２２と接触することなく、搬送機構２００を基板Ｗの裏面と載置台ベース２１の上方との間に配置することができる。

次に、制御部９は、昇降機構２８を制御して、円弧部材２２ｂ，２２ｄを搬送位置へと下降させる。これにより、円弧部材２２ｂ，２２ｄに支持された基板Ｗは、搬送機構２００に受け渡される。搬送機構２００に基板Ｗが受け渡されると、搬送機構２００は搬入出口１１から退避する。また、搬送機構２００が搬入出口１１から退避すると、制御部９は、ゲートバルブ１２を閉じる。

以上のように、基板Ｗをステージ構造体２から搬送機構２００に受け渡すことができる。

以上、第１実施形態に係る基板処理装置１００の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

環状部材２２を構成する円弧部材２２ａ〜２２ｄは、それぞれ昇降軸２７及び昇降機構２８が設けられ、独立して昇降可能に構成されるものとして説明したが、これに限られるものではない。

円弧部材２２ｂ，２２ｄは、１つの昇降機構２８で昇降可能に構成されていてもよい。即ち、円弧部材２２ｂ，２２ｄは、連動して昇降する構成であってもよい。また、円弧部材２２ｂ，２２ｃ，２２ｄは、１つの昇降機構２８で昇降可能に構成されていてもよい。即ち、円弧部材２２ｂ，２２ｃ，２２ｄは、連動して昇降する構成であってもよい。これにより、昇降機構２８の数を削減することができ、コストを削減し、処理容器１の開口部１４の数を低減して気密性を向上させることができる。

また、円弧部材２２ａは、載置台ベース２１と一体として、昇降機構２４により昇降する構成であってもよい。また、円弧部材２２ａ，２２ｃは、載置台ベース２１と一体として、昇降機構２４により昇降する構成であってもよい。これにより、昇降機構２８を削減することができ、コストを削減し、処理容器１の開口部１４の数を低減して気密性を向上させることができる。

また、昇降機構２４は、載置台ベース２１を、処理位置、搬送位置の間で昇降させ、昇降機構２８は、円弧部材２２ａ〜２２ｄ（環状部材２２）を、処理位置、支持位置、搬送位置の間で個別に昇降させる構成として説明したが、これに限られるものではない。例えば、第１の昇降機構は、載置台ベース２１及び円弧部材２２ａ〜２２ｄ（環状部材２２）を一体として、処理位置、搬送位置の間で昇降させ、第２の昇降機構は、搬送位置にいる円弧部材２２ａ〜２２ｄ（環状部材２２）に対して、支持位置、搬送位置の間で個別に昇降させる構成としてもよい。

また、環状部材２２は、周方向に対して４つの円弧部材２２ａ〜２２ｄに分割されているものとして説明したが、これに限られるものではなく、２つ以上に分割されていてもよい。また、３つ以上に等分割されていてもよい。図４は、第２実施形態に係る基板処理装置１００が備えるステージ構造体２の平面図の一例である。なお、図４（及び後述する図５）において、搬入出口１１（図１，２参照）は、紙面の左側にあるものとする。図４に示すように、環状部材２２は、周方向に対して３つの円弧部材２２ｅ〜２２ｇに分割されていてもよい。図５は、第３実施形態に係る基板処理装置１００が備えるステージ構造体２の平面図の一例である。図５に示すように、環状部材２２は、周方向に対して２つの円弧部材２２ｈ，２２ｉに分割されていてもよい。

基板処理装置１００は、ＴｉＮ膜を成膜するＡＬＤ装置である場合を例に説明したが、これに限られるものではなく、熱ＡＬＤ装置、プラズマＡＬＤ装置、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、プラズマＣＶＤ装置等であってもよい。また、基板処理装置１００は、成膜装置に限られず、エッチング装置であってもよい。

１ 処理容器
２ ステージ構造体
２０ ヒータ
２１ 載置台ベース
２２ 環状部材
２２ａ〜２２ｉ 円弧部材
２３ 昇降軸
２４ 昇降機構
２５ 昇降板
２７ 昇降軸
２８ 昇降機構
３ 天板部
４ 排気ダクト
５ 第１の真空排気部
６ 第２の真空排気部
７ 処理ガス供給部
９ 制御部
１００ 基板処理装置
２００ 搬送機構
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 円板形状の載置台ベースと、
   前記載置台ベースの外周側に配置され、周方向に対して少なくとも２以上に分割される環状部材と、
   前記環状部材が分割されて形成される円弧部材の少なくとも１つを昇降させる昇降部と、を備える、ステージ構造体。
2. 前記環状部材は、周方向に対して３以上に等分割される、
   請求項１に記載のステージ構造体。
3. 前記載置台ベースの外径は、前記載置台ベースに載置される基板の外径よりも小さく、
   前記環状部材の内径は、前記基板の外径よりも小さく、
   前記環状部材の外径は、前記基板の外径よりも大きい、
   請求項１または請求項２に記載のステージ構造体。
4. 前記環状部材は、筒状に形成される、
   請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のステージ構造体。
5. 前記載置台ベースに埋没されるヒータを備える、
   請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のステージ構造体。
6. 前記昇降部は、
   前記載置台ベースの上面と、前記環状部材の上面とを同じ高さにする第１の状態と、
   前記載置台ベースの上面よりも、少なくとも１つの前記円弧部材の上面を高くする第２の状態と、を移動可能に構成される、
   請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のステージ構造体。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のステージ構造体を備える、
   基板処理装置。
8. 円板形状の載置台ベースと、前記載置台ベースの外周側に配置され、周方向に対して少なくとも２以上に分割される環状部材と、前記環状部材が分割されて形成される円弧部材の少なくとも１つを昇降させる昇降部と、前記昇降部を制御する制御部と、を備える、ステージ構造体の制御方法であって、
   前記制御部は、
   前記載置台ベースの上面と前記環状部材の上面とを同じ高さにする第１の工程と、
   前記載置台ベースの上面よりも少なくとも１つの前記円弧部材の上面を高くする第２の工程と、を実行する、ステージ構造体の制御方法。

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