JPH0478130A - 半導体気相成長装置 - Google Patents
半導体気相成長装置Info
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- JPH0478130A JPH0478130A JP19075290A JP19075290A JPH0478130A JP H0478130 A JPH0478130 A JP H0478130A JP 19075290 A JP19075290 A JP 19075290A JP 19075290 A JP19075290 A JP 19075290A JP H0478130 A JPH0478130 A JP H0478130A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体基板上に結晶膜を形成する半導体気
相成長装置に関し、特に半導体基板の支持方法の改良に
関する。
相成長装置に関し、特に半導体基板の支持方法の改良に
関する。
（従来の技術）
従来の気相成長装置にあっては、気相成長させる半導体
基板を支持台に載置して、この支持台を反応炉内に配置
し、高周波誘導加熱法、ランプ（ハロゲン系）加熱法等
の加熱方法によって半導体基板を加熱し、気相成長を行
なっていた。
基板を支持台に載置して、この支持台を反応炉内に配置
し、高周波誘導加熱法、ランプ（ハロゲン系）加熱法等
の加熱方法によって半導体基板を加熱し、気相成長を行
なっていた。
このような気相成長装置において、半導体基板の少なく
とも一部は、支持台に接触していた。このように、半導
体基板と支持台が接触した状態にあっては、半導体基板
の温度分布が不均一になる。
とも一部は、支持台に接触していた。このように、半導
体基板と支持台が接触した状態にあっては、半導体基板
の温度分布が不均一になる。
これにより、気相成長膜の膜厚や成長膜の抵抗に不具合
が生したり、半導体基板の周辺部から結晶欠陥である転
位か発生したりしていた。したがって、成長膜の品質か
低下し、デバイス特性の劣化を招いていた。
が生したり、半導体基板の周辺部から結晶欠陥である転
位か発生したりしていた。したがって、成長膜の品質か
低下し、デバイス特性の劣化を招いていた。
そこで、半導体基板の温度分布を均一化するために、従
来では、第３図（ａ）及び同図（ｂ）の断面図、同図（
ｃ）の上面図に示すように、支持台ｌに凹部２を設ける
ことによって、反応炉内での半導体基板３の温度の均一
化を図っていた。
来では、第３図（ａ）及び同図（ｂ）の断面図、同図（
ｃ）の上面図に示すように、支持台ｌに凹部２を設ける
ことによって、反応炉内での半導体基板３の温度の均一
化を図っていた。
しかしながら、このような支持方式にあっても、半導体
基板の大口径化（１２５龍φ以上）にともなって、十分
な効果が得られず、転位が多発している。
基板の大口径化（１２５龍φ以上）にともなって、十分
な効果が得られず、転位が多発している。
さらに、半導体基板が大口径になると、成長温度が１１
００℃〜１２５０℃程度とがなり高温になるため、支持
台１に設けられた四部２に半導体基板を載置する方式に
あっては、半導体基板３の支持台１に接触していない部
分に荷重がかかり、半導体基板３の支持台１に接触して
いない部分が陥没して、半導体基板３に反りか生じるこ
とになる。このように、半導体基板に反りが生じて表面
の平坦度が悪化すると、パターン形式時に半導体基板に
割れやクラック等の損傷が発生し、歩留の低下を招くこ
とになる。
００℃〜１２５０℃程度とがなり高温になるため、支持
台１に設けられた四部２に半導体基板を載置する方式に
あっては、半導体基板３の支持台１に接触していない部
分に荷重がかかり、半導体基板３の支持台１に接触して
いない部分が陥没して、半導体基板３に反りか生じるこ
とになる。このように、半導体基板に反りが生じて表面
の平坦度が悪化すると、パターン形式時に半導体基板に
割れやクラック等の損傷が発生し、歩留の低下を招くこ
とになる。
（発明か解決しようとする課題）
以上説明したように、従来の気相成長装置における半導
体基板の支持方法にあっては、半導体基板の大口径化に
ともなって、結晶欠陥となる転位が多発するため、成長
膜の品質劣化を招き、デバイス特性に悪影響を与えてい
た。さらに、半導体基板に物理的な損傷を与え、歩留低
下の原因になっていた。
体基板の支持方法にあっては、半導体基板の大口径化に
ともなって、結晶欠陥となる転位が多発するため、成長
膜の品質劣化を招き、デバイス特性に悪影響を与えてい
た。さらに、半導体基板に物理的な損傷を与え、歩留低
下の原因になっていた。
そこで、この発明は、上記に鑑みてなされたものであり
、その目的とするところは、半導体基板に損傷を与える
ことなく、大口径の半導体基板てあっても高品質、高精
度な成長膜を得ることかできる半導体気相成長装置を提
供することにある。
、その目的とするところは、半導体基板に損傷を与える
ことなく、大口径の半導体基板てあっても高品質、高精
度な成長膜を得ることかできる半導体気相成長装置を提
供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、この発明は、気体導入部か
ら導入されて開孔部を通過した気体の圧力によって半導
体基板を裏面から浮上支持する支持台を備えて構成され
る。
ら導入されて開孔部を通過した気体の圧力によって半導
体基板を裏面から浮上支持する支持台を備えて構成され
る。
（作用）
上記構成において、この発明は、気相成長装置の反応炉
内において、半導体基板を浮上させて周囲と無接触で支
持するようにしている。
内において、半導体基板を浮上させて周囲と無接触で支
持するようにしている。
（実施例）
以下、図面を用いてこの発明の一実施例を説明する。
第１図はこの発明の一実施例に係わる半導体気相成長装
置の要部を示す図であり、同図（ａ）は装置の要部断面
図、同図（ｂ）は同図（ａ）の要部上面図である。
置の要部を示す図であり、同図（ａ）は装置の要部断面
図、同図（ｂ）は同図（ａ）の要部上面図である。
第１図において、成長装置内の反応炉内に配置されて、
気相成長膜を形成しようとする半導体基板１を支持する
支持台２は、例えば石英製の耐熱材料で形成されており
、その底部にガス導入路３が設けられている。ガス導入
路３は、その一端にガスを送出するガス導入口４が設け
られ、他端にはガス導入路３を案内されたガスを横方向
に分散させる空洞部５が設けられている。
気相成長膜を形成しようとする半導体基板１を支持する
支持台２は、例えば石英製の耐熱材料で形成されており
、その底部にガス導入路３が設けられている。ガス導入
路３は、その一端にガスを送出するガス導入口４が設け
られ、他端にはガス導入路３を案内されたガスを横方向
に分散させる空洞部５が設けられている。
空洞部５の上部には、凹部６が形成されており、半導体
基板１か凹部６に遊嵌されるように、凹部６の内径は半
導体基板１の口径よりも若干大きく形成されている。ま
た、凹部６の底面には、複数の穴７が開孔形成されてい
る。
基板１か凹部６に遊嵌されるように、凹部６の内径は半
導体基板１の口径よりも若干大きく形成されている。ま
た、凹部６の底面には、複数の穴７が開孔形成されてい
る。
このような構造の支持台２において、半導体基板１の表
面上に成長形成しようとする膜の原料となる原料ガスと
は異なる例えばＮ２やＨ２等の反応炉の雰囲気ガスをガ
ス導入口４から所定の圧力により導入する。導入された
雰囲気ガスは、ガス導入路３を案内されて空洞部５に達
し、この空洞部５で横方向に分散される。分散された雰
囲気ガスは、その圧力により凹部６の底面に設けられた
穴７を介して上方に吹き出す。この吹き出した雰囲気ガ
スを四部６に遊嵌された半導体基板１の裏面に吹き付け
ることによって、半導体基板１を四部６の底面から数μ
ｍ〜数十μｍ程度浮上させて、周辺と無接触で支持する
。この時に、雰囲気ガスの導入圧力は、半導体基板１が
凹部６の底面から上述した程度の高さに浮上するように
、半導体基板１の口径に応して適宜調整する。
面上に成長形成しようとする膜の原料となる原料ガスと
は異なる例えばＮ２やＨ２等の反応炉の雰囲気ガスをガ
ス導入口４から所定の圧力により導入する。導入された
雰囲気ガスは、ガス導入路３を案内されて空洞部５に達
し、この空洞部５で横方向に分散される。分散された雰
囲気ガスは、その圧力により凹部６の底面に設けられた
穴７を介して上方に吹き出す。この吹き出した雰囲気ガ
スを四部６に遊嵌された半導体基板１の裏面に吹き付け
ることによって、半導体基板１を四部６の底面から数μ
ｍ〜数十μｍ程度浮上させて、周辺と無接触で支持する
。この時に、雰囲気ガスの導入圧力は、半導体基板１が
凹部６の底面から上述した程度の高さに浮上するように
、半導体基板１の口径に応して適宜調整する。
このような状態において、支持台２を回転させることに
よって半導体基板１を回転させながら、半導体基板１を
加熱源となるランプ８により加熱昇温し、成長温度に達
するまで昇温した後、成長ガスをガス噴出ノズル９から
放出して結晶膜の成長を行なう。
よって半導体基板１を回転させながら、半導体基板１を
加熱源となるランプ８により加熱昇温し、成長温度に達
するまで昇温した後、成長ガスをガス噴出ノズル９から
放出して結晶膜の成長を行なう。
このような成長方法にあっては、半導体基板１か周囲と
無接触状態にあるため、半導体基板１の温度分布を従来
に比して均一にすることが可能となり、結晶欠陥の発生
を抑制することができる。
無接触状態にあるため、半導体基板１の温度分布を従来
に比して均一にすることが可能となり、結晶欠陥の発生
を抑制することができる。
さらに、半導体基板の大口径化及び成長温度の高温化に
あっても、半導体基板１が変形するといった形状的損傷
を防止することができるようになる。
あっても、半導体基板１が変形するといった形状的損傷
を防止することができるようになる。
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではな
く、例えば支持台２の材質は石英製材料を使用したが、
耐熱材料であれば他の材質であってもかまわない。また
、四部６の底面に設けられた複数の穴７は、その数、大
きさ、形状等は特定されるものではなく、半導体基板の
口径等によって適宜決定されるものである。
く、例えば支持台２の材質は石英製材料を使用したが、
耐熱材料であれば他の材質であってもかまわない。また
、四部６の底面に設けられた複数の穴７は、その数、大
きさ、形状等は特定されるものではなく、半導体基板の
口径等によって適宜決定されるものである。
さらに、支持台２の形状は、例えば、第２図（ａ）の断
面図に示すように、雰囲気ガスか吹き出す部分の直径を
半導体基板１１の口径よりもかなり小さくした構造や、
第２図（ｂ）の断面図に示すように、雰囲気ガスの吹き
出し路１２か枝状に形成された構造であってもよい。す
なわち、半導体基板を浮上させて無接触支持する支持台
であれば、その形状は如何なる構造であってもよい。
面図に示すように、雰囲気ガスか吹き出す部分の直径を
半導体基板１１の口径よりもかなり小さくした構造や、
第２図（ｂ）の断面図に示すように、雰囲気ガスの吹き
出し路１２か枝状に形成された構造であってもよい。す
なわち、半導体基板を浮上させて無接触支持する支持台
であれば、その形状は如何なる構造であってもよい。
以上説明したように、この発明によれば、気相成長装置
の反応炉内において、半導体基板を浮上させて周囲と無
接触で支持するようにしたので、半導体基板に損傷を与
えることなく、大口径の半導体基板であっても高品質、
高精度な成長膜を得ることができる半導体気相成長装置
を提供することができるようになる。
の反応炉内において、半導体基板を浮上させて周囲と無
接触で支持するようにしたので、半導体基板に損傷を与
えることなく、大口径の半導体基板であっても高品質、
高精度な成長膜を得ることができる半導体気相成長装置
を提供することができるようになる。
第１図はこの発明の〜実施例に係わる半導体気相成長装
置の要部構造を示す図、 第２図はこの発明の他の実施例に係わる気相成長装置の
要部構造を示す断面図、 第３図は従来の半導体気相成長装置における支持台の構
造を示す図である。 １．１１・・・半導体基板 ２・・・支持台 ３・・・ガス導入路 ４・・・ガス導入口 ５・・・空洞部 ６・・・凹部 ７・・・穴
置の要部構造を示す図、 第２図はこの発明の他の実施例に係わる気相成長装置の
要部構造を示す断面図、 第３図は従来の半導体気相成長装置における支持台の構
造を示す図である。 １．１１・・・半導体基板 ２・・・支持台 ３・・・ガス導入路 ４・・・ガス導入口 ５・・・空洞部 ６・・・凹部 ７・・・穴
Claims (1)
- 気体導入部から導入されて開孔部を通過した気体の圧力
によって半導体基板を裏面から浮上支持する支持台を有
することを特徴とする半導体気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2190752A JP3061401B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2190752A JP3061401B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0478130A true JPH0478130A (ja) | 1992-03-12 |
| JP3061401B2 JP3061401B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=16263151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2190752A Expired - Fee Related JP3061401B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 半導体気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3061401B2 (ja) |
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-
1990
- 1990-07-20 JP JP2190752A patent/JP3061401B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3061401B2 (ja) | 2000-07-10 |
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