JP2013098271A - 成膜方法および成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】成膜室であるチャンバ103内に配置された冶具であるサセプタ102上に基板101を載置し、サセプタ102を上部で支持する円筒部104aを備えた回転部104を回転させながら、ガス制御部140の制御によって、チャンバ103内へ原料ガス137を供給する。併せて、円筒部104aにパージガス151を供給し、パージガス151が基板101とサセプタ102の間から抜け出るようにすることによって、基板101の少なくとも一部がサセプタ102から浮いた状態で回転するようにし、基板101の上に所定の膜を形成する。
【選択図】図1
Description
成膜室内に配置された冶具上に基板を載置し、その冶具を上部で支持する円筒部を備えた回転部を回転させながら、反応室内へ原料ガスを供給し、基板の上に所定の膜を形成する成膜方法であって、
円筒部にパージガスを供給し、パージガスが基板と冶具の間から抜け出るようにすることによって、基板の少なくとも一部が治具から浮いた状態で回転するようにしたことを特徴とする成膜方法に関する。
成膜室内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
成膜室内に配置されて基板が載置される冶具と、
その冶具を上部で支持する円筒部を備えた回転部と、
円筒部にパージガスを供給するパージガス供給部と、
原料ガスの供給とパージガスの供給を制御する制御部とを有し、
制御部は、原料ガスの供給を停止しているときにパージガスの供給を行い、円筒部に供給されて基板と冶具の間から抜け出るパージガスによって、その基板の少なくとも一部が冶具から浮いた状態で回転するようそのパージガスの供給量を制御することを特徴とする成膜装置に関する。
図1は、本実施の形態における枚葉式の成膜装置の概略構成図である。
円筒部104aでは、排出部155からの排出が可能な量でP2領域にパージガス151を供給し、インヒータ120とアウトヒータ121の周囲をパージすることができる。その場合でも、P2領域に供給されたパージガス151は、排出部155から排出され、P2領域とP1領域とが隔てられた状態は実質的に維持される。
次に、本実施の形態の成膜方法の一例について説明する。本実施の形態の成膜方法は、図1に示した成膜装置100を用いて行うことができる。したがって、図1等の図面を適宜参照しながら説明する。
昇降ピン110を初期位置から上昇させ、サセプタ102上方の所定の位置で、搬送用ロボットから昇降ピン110が基板101を受け取った後、基板101を支持した状態で昇降ピン110を下降させる。
例えば、本実施の形態の成膜方法の別の例として、原料ガス137を供給して高温状態の基板101上でエピタキシャル膜を成膜する工程において、ガス制御部140の制御によって、パージガス増大期間を不連続に複数回設けることも可能である。
101 基板
102、102a、1102 サセプタ
103、1103 チャンバ
104、1104 回転部
104a、1104a 円筒部
104b、1104b 回転軸
108、1108 シャフト
109、1109 配線
110 昇降ピン
111 ガス導入管
120 インヒータ
121 アウトヒータ
122 放射温度計
123、1123 ガス供給部
124、1124 シャワープレート
125、1125 ガス排気部
126、1126 調整バルブ
127、1127 真空ポンプ
128、1128 排気機構
131、132、152 ガス流路
133、134、153 ガス貯蔵部
135、136、154 ガスバルブ
137 原料ガス
138 キャリアガス
140 ガス制御部
150 張り出し部
151 パージガス
155 排出部
1101 ウェハ
1120 ヒータ
Claims (5)
- 成膜室内に配置された冶具上に基板を載置し、前記冶具を上部で支持する円筒部を備えた回転部を回転させながら、前記反応室内へ原料ガスを供給し、前記基板の上に所定の膜を形成する成膜方法であって、
前記円筒部にパージガスを供給し、前記パージガスが前記基板と前記冶具の間から抜け出るようにすることによって、前記基板の少なくとも一部が前記治具から浮いた状態で回転するようにしたことを特徴とする成膜方法。 - 前記パージガスの供給は、前記原料ガスの供給と一緒に行われることを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記パージガスの供給量を一時的に増やすことで、前記基板の少なくとも一部が前記冶具から浮くようにしたことを特徴とする請求項2に記載の成膜方法。
- 前記パージガスの供給は、前記原料ガスの供給が停止しているときに行われ、該パージガスの供給によって前記基板の少なくとも一部が前記冶具から浮くようにしたことを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。
- 成膜室と、
前記成膜室内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記成膜室内に配置されて基板が載置される冶具と、
前記冶具を上部で支持する円筒部を備えた回転部と、
前記円筒部にパージガスを供給するパージガス供給部と、
前記原料ガスの供給と前記パージガスの供給を制御する制御部とを有し、
前記制御部は、前記原料ガスの供給を停止しているときに前記パージガスの供給を行い、前記円筒部に供給されて前記基板と前記冶具の間から抜け出る前記パージガスによって、前記基板の少なくとも一部が前記冶具から浮いた状態で回転するよう該パージガスの供給量を制御することを特徴とする成膜装置。
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