JP2013098271A5 - - Google Patents

Description

本発明の第１の態様は、
成膜室内に配置された冶具上に基板を載置し、その冶具を上部で支持する円筒部を備えた回転部を回転させながら、成膜室内へ原料ガスを供給し、基板の上に所定の膜を形成する成膜方法であって、
円筒部にパージガスを供給し、パージガスが基板と冶具の間から抜け出るようにすることによって、基板の少なくとも一部が治具から浮いた状態で回転するようにしたことを特徴とする成膜方法に関する。

成膜装置１００は、基板１０１上で気相成長をさせてエピタキシャル膜の成膜を行う成膜室として、チャンバ１０３を有する。

例えば、上記各実施の形態では、成膜装置の一例としてエピタキシャル膜の成膜装置を挙げたが、本発明はこれに限られるものではない。成膜室内に原料ガスを供給し、成膜室内に載置される半導体基板を加熱して半導体基板の表面に膜を形成する成膜装置であれば、ＣＶＤ装置等の他の成膜装置であってもよい。

Claims (5)

1. 成膜室内に配置された冶具上に基板を載置し、前記冶具を上部で支持する円筒部を備えた回転部を回転させながら、前記成膜室内へ原料ガスを供給し、前記基板の上に所定の膜を形成する成膜方法であって、
   前記円筒部にパージガスを供給し、前記パージガスが前記基板と前記冶具の間から抜け出るようにすることによって、前記基板の少なくとも一部が前記治具から浮いた状態で回転するようにしたことを特徴とする成膜方法。
2. 前記パージガスの供給は、前記原料ガスの供給と一緒に行われることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
3. 前記パージガスの供給量を一時的に増やすことで、前記基板の少なくとも一部が前記冶具から浮くようにしたことを特徴とする請求項２に記載の成膜方法。
4. 前記パージガスの供給は、前記原料ガスの供給が停止しているときに行われ、該パージガスの供給によって前記基板の少なくとも一部が前記冶具から浮くようにしたことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
5. 成膜室と、
   前記成膜室内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
   前記成膜室内に配置されて基板が載置される冶具と、
   前記冶具を上部で支持する円筒部を備えた回転部と、
   前記円筒部にパージガスを供給するパージガス供給部と、
   前記原料ガスの供給と前記パージガスの供給を制御する制御部とを有し、
   前記制御部は、前記原料ガスの供給を停止しているときに前記パージガスの供給を行い、前記円筒部に供給されて前記基板と前記冶具の間から抜け出る前記パージガスによって、前記基板の少なくとも一部が前記冶具から浮いた状態で回転するよう該パージガスの供給量を制御することを特徴とする成膜装置。