JP2009246318A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の元素を含む第１の処理ガスを所定の温度に加熱された処理室に供給する工程と、
   前記処理室に残留する前記第１の処理ガスを排出する工程と、
   前記第１の元素とは異なる第２の元素を含む第２の処理ガスを前記処理室に供給する工程と、
   前記処理室に残留する前記第２の処理ガスを排出する工程と、
   を含み、
   少なくとも前記各工程を順次、所定回数実行し、前記処理室内に収容された基板表面に所望の薄膜を形成する半導体装置の製造方法であって、
   前記第１の処理ガスが供給される際の前記処理室内の圧力と供給時間から規定される第１の処理ガス供給量と、前記第２の処理ガスが供給される際の前記処理室内の圧力と供給時間から規定される第２の処理ガス供給量との供給量比を制御することで、前記薄膜中の前記第１の元素と前記第２の元素との組成比を所望の比率とする半導体装置の製造方法。
2. 基板を収容する処理室と、
   第１の元素を含む第１の処理ガスを前記処理室に供給する第１のガス供給手段と、
   前記第１の元素とは異なる第２の元素を含む第２の処理ガスを前記処理室に供給する第２のガス供給手段と、
   前記第１のガス供給手段および前記第２のガス供給手段を制御する制御手段と、
   を有し、前記処理室内に収容された基板表面に所望の薄膜を形成する基板処理装置であって、
   前記制御手段は、前記第１のガス供給手段および前記第２のガス供給手段を制御して、前記第１の処理ガスが供給される際の前記処理室内の圧力と供給時間から規定される第１の処理ガス供給量と、前記第２の処理ガスが供給される際の前記処理室内の圧力と供給時間から規定される第２の処理ガス供給量との供給量比を制御することで、前記薄膜中の前記第１の元素と前記第２の元素との組成比を所望の比率とするよう構成される基板処理装置。