JP2011168881A5

JP2011168881A5 -

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Publication number: JP2011168881A5
Application number: JP2010266422A
Authority: JP
Filing date: 2010-11-30
Publication date: 2014-01-23

Claims

処理室に基板を搬入する基板搬入工程と、
前記処理室に第１の処理ガス及び第２の処理ガスを同時に供給して前記基板に所定の膜を形成する膜形成工程と、
前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する除去工程と、
前記除去工程の後に、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給して前記基板に形成された膜を改質する改質工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する基板搬出工程と、
を有し、
前記膜形成工程では、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する時間が、前記処理室に前記第１の処理ガスを供給する時間より長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記膜形成工程では、前記第１の処理ガスの供給を止めた状態で前記処理室に前記第２の処理ガスを供給し、その後、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給しつつ同時に前記処理室に前記第１の処理ガスを供給し、さらに、前記第１の処理ガスの供給を止めた状態で前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
処理室に基板を搬入する工程と、
前記処理室に第１の処理ガス及び第２の処理ガスを同時に供給する工程と、
前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する工程と、
前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する工程と、
前記第２の処理ガスの供給を停止し、前記処理室に前記第１の処理ガスを供給する工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
処理室に基板を搬入する工程と、
前記処理室に第１の元素を含む第１の処理ガスを供給する吸着工程と、
前記処理室に前記第１の処理ガスを供給しつつ第２の元素を含む第２の処理ガスを供給する工程と、
前記第１の処理ガスの供給を停止して前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する工程と、
前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する工程と、
を有し、
各工程を順に所定回数繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
処理室に基板を搬入する第１の工程と、
前記処理室に第１の処理ガスを供給する第２の工程と、
前記処理室に前記第１の処理ガスを供給しつつ前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する第３の工程と、
前記第１の処理ガスの供給を停止して前記第２の処理ガスを供給する第４の工程と、
前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する第５の工程と、
前記処理室から前記基板を搬出する第６の工程と、
を有し、
前記第１の工程から前記第６の工程を順に所定回数繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
基板を収容する処理室と、
前記処理室に第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給手段と、
前記処理室に第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給手段と、
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスを同時に前記処理室に供給して前記基板に膜を形成し、次に前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを排気し、さらに前記処理室に前記第２の処理ガスを供給して前記基板に形成された膜を改質するよう前記第１の処理ガス供給手段、前記第２の処理ガス供給手段及び前記排気手段を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスを同時に前記処理室に供給する際は、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する時間が、前記処理室に前記第１の処理ガスを供給する時間より長くなるよう前記第１の処理ガス供給手段及び前記第２の処理ガス供給手段を制御するよう構成されることを特徴とする基板処理装置。