JP2015070177A5 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents

Claims (11)

1. 処理室に基板を搬入する工程と、
   前記処理室内に搬入された基板に、シャワーヘッドのバッファ室を介して第一元素含有ガスを供給する第一元素含有ガス供給工程と、
   前記基板に、前記バッファ室を介して第二元素含有ガスを供給する第二元素含有ガス供給工程と、
   前記第一元素含有ガス供給工程と第二元素含有ガス供給工程の間に行われる排気工程とを有し、
   前記排気工程は、前記バッファ室内の雰囲気を排気するバッファ室排気工程と、前記バッファ室排気工程の後に前記処理室内の雰囲気を排気する処理室排気工程とを備える
   半導体装置の製造方法。
2. 前記バッファ室排気工程は、前記バッファ室内の雰囲気を排気する第一排気工程と、前記第一排気工程の後、前記バッファ室に不活性ガスを供給するパージ工程とを有する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記パージガス供給工程の後、前記バッファ室内の雰囲気を排気する第二排気工程を有する請求項２記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記バッファ室排気工程では、前記第一排気工程、前記パージガス供給工程、前記第二排気工程の組み合わせを繰り返す請求項３記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記バッファ室排気工程では、前記第一排気工程の後、前記パージガス供給工程と前記第二排気工程とを繰り返す請求項３記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第一排気工程におけるバッファ室内の圧力は、前記パージガス供給工程におけるバッファ室内の圧力よりも低くなるよう制御される請求項２から請求項５のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第二排気工程におけるバッファ空間の圧力は、前記パージガス供給工程におけるバッファ空間の圧力よりも低くなるよう制御される請求項３から請求項６のうち、いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記バッファ室排気工程では前記バッファ室内の雰囲気を排気する第一の排気系のコンダクタンスを前記処理室内の雰囲気を排気する第二の排気系のコンダクタンスよりも大きくし、前記処理室排気工程では、前記処理室内の雰囲気を排気する第二の排気系のコンダクタンスを前記バッファ室内の雰囲気を排気する第一の排気系のコンダクタンスよりも大きくする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記バッファ室排気工程では前記バッファ室内の雰囲気を排気する第一の排気系のバルブを開とし、前記処理室排気工程では前記第一の排気系のバルブの開度を前記バッファ室排気工程よりも小さくよう制御する請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法。
10. 基板を処理する処理室と、
    バッファ室を有するシャワーヘッドと、
    前記バッファ室内の雰囲気を排気する第一の排気系と、
    前記バッファ室を介して前記基板に第一元素含有ガスを供給する第一元素含有ガス供給系と、
    前記バッファ室を介して前記基板に第二元素含有ガスを供給する第二元素含有ガス供給系と、
    前記処理室の雰囲気を排気する第二の排気系と、
    前記処理室内に搬入された基板に、前記バッファ室を介して前記第一元素含有ガスを供給する第一元素含有ガス供給処理と、
    前記基板に、前記バッファ室を介して前記第二元素含有ガスを供給する第二元素含有ガス供給処理と、
    前記第一元素含有ガス供給処理と前記第二元素含有ガス供給処理の間に行われる排気処理とを行わせ、
    前記排気処理では、前記第一の排気系が前記バッファ室内の雰囲気を排気するバッファ室排気処理と、前記バッファ室排気処理の後に前記第二の排気系が前記処理室内の雰囲気を排気する処理室排気処理と、
    を行わせるように前記第一の排気系と前記第二の排気系とを制御するよう構成される制御部と、
    を有する基板処理装置。
11. 処理室に基板を搬入する搬入手順と、
    前記処理室内に搬入された基板に、シャワーヘッドのバッファ室を介して第一元素含有ガスを供給する第一元素含有ガス供給手順と、
    前記基板に、前記バッファ室を介して第二元素含有ガスを供給する第二元素含有ガス供給手順と、
    前記第一元素含有ガス供給手順と第二元素含有ガス供給手順の間に行われる排気手順とを実行させ、
    前記排気手順では、前記バッファ室内の雰囲気を排気するバッファ室排気手順と、前記バッファ室排気手順の後に前記処理室内の雰囲気を排気する処理室排気手順とを実行させるプログラム。