JP2015510260A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 処理チャンバ内に配置された基板を処理する方法であって、
   前記基板を支持するように構成された基板支持リングと、前記基板の裏側の最も近くに配置された反射板とを有する処理チャンバ内に配置された基板上に処理を実行すること、
   前記基板上に前記処理を実行している間、酸素を含むガスまたは窒素を含むガスのうちの一方のガスを含む第１のガスを、前記反射板内に配置された１つまたは複数の貫通穴を通して前記基板の裏側に供給すること、および
   前記基板の上面の最も近くを第１の圧力に、かつ前記基板の裏側の最も近くを第２の圧力に前記処理チャンバを維持すること
   を含み、前記第１の圧力が、処理中に前記基板支持リングから前記基板が外れるのを防ぐのに十分な大きさだけ前記第２の圧力よりも大きい
   方法。
2. 前記１つまたは複数の貫通穴のうちの１つまたは複数の貫通穴に真空を与えて、前記基板の前記裏側から離れる前記第１のガスの流れを生み出し、前記基板の前記裏側に加えられる圧力の量を低減させること
   をさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記第１の圧力が前記第２の圧力よりも少なくとも２トルだけ大きい、請求項１に記載の方法。
4. 前記１つまたは複数の貫通穴が、リフトピンまたは温度センサのうちの少なくとも一方を収容するように構成された、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
5. 前記処理がアニール処理である、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記基板の前記裏側に前記第１のガスを供給するのと同時に前記基板の表側に前記第１のガスを供給すること
   をさらに含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記第１のガスを供給することが、
   前記第１のガスを第１の流量で供給すること、および
   ある時間をかけて前記第１の流量を第２の流量まで増大させること
   を含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記第１のガスからプラズマを形成すること、および
   前記基板の前記裏側を前記プラズマによって形成された励起種にさらすことによって、前記基板の前記裏側にキャッピング層を形成すること
   をさらに含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
9. 前記第１のガスから前記プラズマを形成することが、
   遠隔プラズマチャンバ内で前記プラズマを形成すること、および
   前記プラズマを前記処理チャンバに供給すること
   を含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記キャッピング層が、窒化物層または酸化物層のうちの一方の層である、請求項８に記載の方法。
11. 命令が記憶されたコンピュータ可読媒体であって、前記命令が実行されたときに、基板を処理する方法を処理チャンバ内で実行させ、前記方法が、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法であるコンピュータ可読媒体。
12. 基板を処理する装置であって、
    基板を支持するように構成された基板支持リングと、前記基板の裏側の最も近くに配置された反射板とを有する処理チャンバであり、前記反射板が複数の貫通穴を有する処理チャンバ
    を備え、
    前記反射板内に配置された前記複数の貫通穴のうちの少なくとも１つの貫通穴が、前記基板の裏面の最も近くのエリアに第１のガスを供給するための入口であり、
    前記反射板内に配置された前記複数の貫通穴のうちの少なくとも１つの貫通穴が、前記基板の前記裏面から離れる前記第１のガスの流れを生み出すための出口である
    装置。
13. 前記入口に結合されたガス供給源と、
    前記出口に結合された真空ポンプと
    をさらに備える、請求項１２に記載の装置。
14. 前記基板のおもての面の最も近くのエリアに前記第１のガスを供給するために前記処理チャンバ内に配置された第２の入口
    をさらに備える、請求項１２または１３に記載の装置。
15. 前記複数の貫通穴のうちの少なくともいくつかの貫通穴内に配置された、リフトピンまたは温度センサのうちの少なくとも一方
    をさらに備える、請求項１２または１３に記載の装置。