JP2012182447A5 - 半導体膜の作製方法 - Google Patents
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Claims (1)
- 反応室を有するプラズマＣＶＤ装置を用いた半導体膜の作製方法であって、
前記反応室の第１の電極及び第２の電極の間に基板を配置し、
前記第１の電極に高周波電力を供給することにより前記反応室内にプラズマを発生させることによって、前記基板の端部よりも内側の領域上に半導体膜を形成し、
前記反応室内において、前記プラズマは、前記基板の端部よりも内側の領域上及び前記基板の端部上に発生し、
前記基板の端部上のプラズマ密度は、前記基板の端部よりも内側の領域上のプラズマ密度よりも高いことを特徴とする半導体膜の作製方法。
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