JP2012049376A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 被処理材をプラズマ処理する処理室と、該処理室内へガスを供給する第一のガス供給手段と、前記処理室内部に前記プラズマを生成させるプラズマ生成手段と、前記被処理材を載置する被処理材載置用電極とを備えるプラズマ処理装置において、
   前記処理室内へガスを供給する第二のガス供給手段をさらに備え、
   前記被処理材載置用電極は、前記被処理材の外側に配置され絶縁材のサセプタを具備し、
   前記サセプタは、上部に配置され前記被処理材の方向に開口しているガス導入口を具備し、
   前記第一のガス供給手段は、前記処理室の上方からガスを供給し、
   前記第二のガス供給手段は、前記ガス導入口を介してガスを供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
   前記ガス導入口は、少なくとも１個の概略スリット状またはホール状に開口されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
3. 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
   前記被処理材と前記サセプタとの間隙は、１ｍｍから３０ｍｍの範囲の値であることを特徴とするプラズマ処理装置。
4. 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
   前記サセプタは、第一のサセプタと第二のサセプタを有し、
   前記第一のサセプタは、前記第二のサセプタの上方に配置され、ガスだまりを有し、
   前記第二のガス供給手段は、前記ガスだまりにガスを供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
   前記ガス導入口の開口は、前記被処理材の中心に向かう方向に対して所定の角度傾けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 被処理材をプラズマ処理する処理室と、該処理室内へガスを供給する第一のガス供給手段と、前記処理室内部に前記プラズマを生成させるプラズマ生成手段と、前記被処理材を載置する被処理材載置用電極とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
   前記処理室内へガスを供給する第二のガス供給手段をさらに備え、
   前記被処理材載置用電極は、前記被処理材の外側に配置され絶縁材のサセプタを具備し、
   前記サセプタは、上部に配置され前記被処理材の方向に開口しているガス導入口を具備し、
   前記第一のガス供給手段は、前記処理室の上方からガスを供給し、
   前記第二のガス供給手段は、前記ガス導入口を介してエッチングを促進させるガスを供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
7. 被処理材をプラズマ処理する処理室と、該処理室内へガスを供給する第一のガス供給手段と、前記処理室内部に前記プラズマを生成させるプラズマ生成手段と、前記被処理材を載置する被処理材載置用電極とを備えるプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
   前記処理室内へガスを供給する第二のガス供給手段をさらに備え、
   前記被処理材載置用電極は、前記被処理材の外側に配置され絶縁材のサセプタを具備し、
   前記サセプタは、上部に配置され前記被処理材の方向に開口しているガス導入口を具備し、
   前記第一のガス供給手段は、前記処理室の上方からガスを供給し、
   前記第二のガス供給手段は、前記ガス導入口を介してエッチングを抑制させるガスを供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
8. 請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
   前記エッチングを促進させるガスは、塩素ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
9. 請求項７に記載のプラズマ処理方法において、
   前記エッチングを抑制させるガスは、四フッ化メタンガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。