JP2011009699A5 - 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内における基板の側方に設けられ、前記処理室と区画された第１のプラズマ生成室と、
前記処理室内における基板の側方に設けられ、前記処理室と区画された第２のプラズマ生成室と、
前記第１のプラズマ生成室内および前記第２のプラズマ生成室内へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給系と、
前記第１のプラズマ生成室内でプラズマを生成し、前記反応性ガスをプラズマで励起して前記反応性ガスの活性種を生成する第１放電用電極と、
前記第１のプラズマ生成室に設けられ、前記処理室内における基板に向けて前記反応性ガスの活性種を噴出する第１ガス噴出口と、
前記第２のプラズマ生成室内でプラズマを生成し、前記反応性ガスをプラズマで励起して前記反応性ガスの活性種を生成する第２放電用電極と、
前記第２のプラズマ生成室に設けられ、前記処理室内における基板に向けて前記反応性ガスの活性種を噴出する第２ガス噴出口と、
を有する基板処理装置。 - 前記反応性ガスを前記第１のプラズマ生成室内および前記第２のプラズマ生成室内へ供給し、前記第１のプラズマ生成室内および前記第２のプラズマ生成室内で前記反応性ガスをプラズマで励起して前記反応性ガスの活性種を生成し、前記活性種を前記第１のプラズマ生成室の前記第１ガス噴出口および前記第２のプラズマ生成室の前記第２ガス噴出口から前記処理室内の基板に対して同時に供給するよう、前記反応性ガス供給系、前記第１放電用電極および前記第２放電用電極を制御する制御部をさらに有する請求項１に記載の基板処理装置。
- 処理室内に基板を収容する工程と、
前記処理室内における基板の側方に設けられ前記処理室と区画された第１のプラズマ生成室内および前記処理室内における基板の側方に設けられ前記処理室と区画された第２のプラズマ生成室内へ反応性ガスを供給し、前記第１のプラズマ生成室内および前記第２のプラズマ生成室内で前記反応性ガスをプラズマで励起して前記反応性ガスの活性種を生成し、前記活性種を前記第１のプラズマ生成室および前記第２のプラズマ生成室から前記処理室内の基板に対して同時に供給して基板を処理する工程と、
を有する基板処理方法。 - 処理室内に基板を収容する工程と、
前記処理室内における基板の側方に設けられ前記処理室と区画された第１のプラズマ生成室内および前記処理室内における基板の側方に設けられ前記処理室と区画された第２のプラズマ生成室内へ反応性ガスを供給し、前記第１のプラズマ生成室内および前記第２のプラズマ生成室内で前記反応性ガスをプラズマで励起して前記反応性ガスの活性種を生成し、前記活性種を前記第１のプラズマ生成室および前記第２のプラズマ生成室から前記処理室内の基板に対して同時に供給して基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
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