TWI408748B - 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Naoki Matsumoto
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Description

基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
本發明係關於基板處理裝置，尤其是關於使用電漿來處理基板之基板處理裝置。
以往，作為DRAM(Dynamic Random Access Memory)等之半導體裝置製造的一個製程，具有進行使用電漿之基板處理製程的情況。在實施相關基板處理製程時，採用基板處理裝置(例如，參照專利文獻1)，該基板處理裝置包括：處理室，係處理基板；電漿生成室，係設於該處理室內；氣體供給手段，係將反應性氣體供給於該電漿生成室內；放電用電極，係於該電漿生成室內生成電漿，激發該反應性氣體而生成活性種；及氣體噴出口，係設於該電漿生成室之側壁，朝向該基板噴出該反應性氣體之活性種。
[先前技術文獻]
[專利文獻1]特開2002-280378號公報
然而，習知之基板處理裝置，在處理室內只各具有一種形式的電漿生成室及放電用電極。因此，當欲對同一基板連續地進行例如電漿生成條件或氣體種類等不同的複數種類之基板處理時，根據基板處理之種類而需要複數個基板處理裝置。因此，恐有造成基板處理之成本增大之擔憂。另外，在使用2個以上之基板處理裝置的情況，在基板處理製程之過程中，需要新設基板運送製程，或者需要新設處理室內之壓力調整製程或溫度調整製程等，恐有造成基板處理之生產性降低的擔憂。
為了解決上述課題，本發明之目的在於，提供一種基板處理裝置，可減低使用電漿之基板處理的成本，提高基板處理之生產性。
根據本發明之一個態樣，提供一種基板處理裝置，其具備：處理室，係處理基板；第1電漿生成室，係設於該處理室內；第1反應性氣體供給手段，係將第1反應性氣體供給於該第1電漿生成室內；一對第1放電用電極，係於該第1電漿生成室內生成電漿，激發該第1反應性氣體而生成該第1反應性氣體之活性種；第1氣體噴出口，係設於該第1電漿生成室之側壁，朝向該基板噴出該第1反應性氣體之活性種；第2電漿生成室，係設於該處理室內；第2反應性氣體供給手段，係將第2反應性氣體供給於該第2電漿生成室內；一對第2放電用電極，係於該第2電漿生成室內生成電漿，激發該第2反應性氣體而生成該第2反應性氣體之活性種；第2氣體噴出口，係設於該第2電漿生成室之側壁，朝向該基板噴出該第2反應性氣體之活性種。
根據本發明之基板處理裝置，可減低使用電漿之基板處理的成本，提高基板處理之生產性。
〈第1實施形態〉
以下，針對本發明之第1實施形態進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
第1至4圖為顯示適宜於本實施形態使用之基板處理裝置的處理爐10之說明圖。
(處理室)
如第1至4圖所示，本發明之基板處理裝置的處理爐10，係構成為成批式縱形熱壁型。處理爐10具備反應管11。反應管11係形成為上端封閉、下端開口之圓筒形狀。反應管11係由例如石英(SiO2 )等之耐熱材料所構成。反應管11係以中心線成為垂直的方式縱立設置且被固定地支撐。反應管11之下端開口，係形成用以運入運出作為基板之晶圓1的爐口13。
在反應管11內形成有處理晶圓1之處理室12。此處理室12係構成為可收容作為基板保持器之後述的晶舟2。晶舟2係構成為具備上下一對之端板3,4及架設於兩端板3,4之間且垂直配設的複數根(本實施形態中為3根)的保持構件5。端板3,4及保持構件5係由例如石英或碳化矽(SiC)等之耐熱材料所構成。在各保持構件5上以相互對向地開口之方式凹設有複數條保持槽6，且該等保持槽6係於長度方向等間隔地配置。於是，藉由將晶圓1之外周邊緣分別插入各保持構件5的複數條保持槽6間，可使晶舟2成為能以水平姿勢且在相互之中心對齊之狀態下於垂直方向多段整齊排列地保持複數片晶圓1。
在反應管11之下端部設有可氣密性地封閉反應管11之下端開口的作為保持體之底盤(base)15、及作為爐口蓋體之密封蓋17。底盤15係形成為圓盤狀。底盤15係由例如不鏽鋼等之金屬所構成。在底盤15上面設有與反應管11之下端抵接之作為密封構件的密封環18。另外，在底盤15下面設有與密封蓋17上端抵接之作為密封構件的密封環18。在底盤15之下設置密封蓋17。密封蓋17係由例如不鏽鋼等之金屬所構成，且形成為圓盤狀。密封蓋17係連結於未圖示之晶舟昇降器的臂，且構成為能於垂直方向自由昇降。密封蓋17係以當將晶舟2運入處理室12內時，透過底盤15、密封環18來氣密性地封閉反應管11之下端的方式構成。未圖示之晶舟昇降器，係電性連接於後述之控制器240。
(旋轉手段)
在密封蓋17之下側中心附近設有使晶舟2旋轉之旋轉機構19。旋轉機構19之旋轉軸19a，係貫穿密封蓋17及底盤15而從下方支撐圓筒形之隔熱筒7。另外，隔熱筒7係從下方支撐該晶舟2。藉由使旋轉機構19作動，可在處理室12內使晶圓1旋轉。另外，隔熱筒7係由例如石英或碳化矽等之耐熱材料所構成。隔熱筒7係作為隔熱構件以使來自加熱器14的熱難以傳遞至反應管11的下端側。旋轉機構19係電性連接於後述之控制器240。
(加熱手段)
在反應管11之外部，以包圍反應管11之周圍的方式呈同心圓狀地配備有用以均勻地加熱處理室12整體之作為加熱手段的加熱器14。加熱器14係被支撐於處理爐10之外殼(未圖示)上而成為垂直配置狀態。又，雖然未圖示但在處理爐的外殼設有作為溫度檢測器之溫度感測器。加熱器14之溫度係根據溫度感測器之溫度資訊所控制。加熱器14及溫度感測器，係電性連接於後述之控制器240。
(排氣系統)
在反應管11之下側側壁連接有排氣管16。在排氣管16上從上游側起依序設置壓力感測器、作為APC(Auto Pressure Controller)閥而構成之壓力控制裝置、作為真空泵而構成之排氣裝置(均未圖示)。一面藉排氣裝置對處理室12內進行排氣，一面藉壓力感測器所檢測之壓力資訊來調整壓力控制裝置的閥開度，可藉以將處理室12內調整成為既定的壓力。壓力感測器、壓力控制裝置及排氣裝置，係電性連接於後述之控制器240。
(第1電漿生成室、第1放電用電極)
在反應管11內(處理室12內)之反應管11內壁面與晶圓1外周之間的空間，設有圓弧狀之第1電漿生成室33。第1電漿生成室33係藉由例如槽形隔壁34與反應管11之內壁面而從處理室12區隔所構成。在隔壁34上以於垂直方向排列的方式形成有複數個第1氣體噴出口35。此等第1氣體噴出口35之個數，係與被處理之晶圓1的片數對應。各第1氣體噴出口35之高度位置，係分別設定為與保持於晶舟2內且上下相鄰之晶圓1,1間的空間對向。
在第1電漿生成室33內設有一對保護管25,25。各保護管25係沿反應管11之內壁面垂直而設。各保護管25的下端部彎曲且貫穿反應管11之側面而突出於外部。各保護管25係由介電體所構成。保護管25係形成為上端封閉、下端開放之細長圓形的管子形狀。各保護管25之中空部內與處理室12之外部(大氣)連通。
從下方分別將第1放電用電極27插入保護管25內。第1放電用電極27係由導電材料所構成。第1放電用電極27係形成為細長之棒狀。又，第1放電用電極27之下端部(被保持部)，係透過可防止放電之絕緣手段(未圖示)而保持於保護管25內。又，為了防止因加熱器14之加熱造成的第1放電用電極27之氧化，亦可於保護管25內設置沖洗(purge)惰性氣體之機構。又，一對保護管25,25並不限定於上述之形態，亦可為上端部彎曲且貫穿於反應管11之上部側面而突出於外部。另外，第1放電用電極27亦可分別從上方插入保護管25內。
在一對第1放電用電極27,27上透過調整阻抗之整合器32電性連接有高頻電源31之輸出側(二次側)。高頻電源31及整合器32，係電性連接於後述之控制器240。
又，在第1電漿生成室33，係構成為藉由後述之第1反應性氣體供給手段供給作為第1反應性氣體之NH3 氣體及作為激發用氣體的Ar氣體。在將Ar氣體供給於第1電漿生成室33內的狀態下，構成為藉由從高頻電源31朝一對第1放電用電極27,27供給高頻電力，於第1電漿生成室33內生成電漿，可使Ar活化。然後，在此狀態下，構成為朝第1電漿生成室33內供給NH3 氣體，使活化之Ar(Ar自由基)與NH3 碰撞，可間接地使NH3 活化。已活化之NH3 氣體(NH3 自由基)，透過第1氣體噴出口35流入處理室12內，並供給於晶圓1表面。
(第2電漿生成室、第2放電用電極)
在反應管11內(處理室12內)之反應管11內壁面與晶圓1外周之間的空間，設有圓弧狀之第2電漿生成室33B。第2電漿生成室33B係與第1電漿生成室33相同，藉由例如槽形隔壁34與反應管11之內壁面而從處理室12區隔所構成。在隔壁34B上以於垂直方向排列的方式形成有複數個第2氣體噴出口35B。此等第2氣體噴出口35B之個數，係與被處理之晶圓1的片數對應。各第2氣體噴出口35B之高度位置，係分別設定為與保持於晶舟2內且上下相鄰之晶圓1,1間的空間對向。
在第2電漿生成室33B內，係與第1電漿生成室33內相同，設有一對保護管25B,25B。各保護管25B係沿反應管11之內壁面垂直而設。各保護管25B的下端部彎曲且貫穿反應管11之側面而突出於外部。各保護管25B係由介電體所構成。保護管25B係形成為上端封閉、下端開放之細長圓形的管子形狀。各保護管25B之中空部內與處理室12之外部(大氣)連通。
與插入保護管25內相同，從下方分別將第2放電用電極27B插入保護管25B內。第2放電用電極27B係由導電材料所構成。第2放電用電極27B係形成為細長之棒狀。又，第2放電用電極27B之下端部(被保持部)，係透過可防止放電之絕緣手段(未圖示)而保持於保護管25B內。又，為了防止因加熱器14之加熱造成的第2放電用電極27B之氧化，亦可於保護管25B內設置沖洗惰性氣體之機構。又，與第1電漿生成室33相同，第2電漿生成室33B內之一對保護管25B,25B，亦可為上端部彎曲且貫穿反應管11之上部側面而突出於外部。於是，第2放電用電極27B亦可分別從上方插入保護管25B內。
在一對第2放電用電極27B,27B，透過調整阻抗之整合器32B電性連接有高頻電源31之輸出側(二次側)。高頻電源31B及整合器32B，係電性連接於後述之控制器240。
又，在第2電漿生成室33B內，係構成為藉由後述之第2反應性氣體供給手段供給作為第2反應性氣體之O2 氣體。在將O2 氣體供給於第2電漿生成室33B內的狀態下，構成為藉由從高頻電源31B朝一對第2放電用電極27B,27B供給高頻電力，於第2電漿生成室33B內生成電漿，可使O2 氣體活化。已活化之O2 氣體(O2 自由基)，透過第2氣體噴出口35B流入處理室12內，並供給於晶圓1表面。
(緩衝室)
另外，在反應管11內(處理室12內)之反應管11內壁面與晶圓1外周之間的空間，設有圓弧狀之緩衝室33C。緩衝室33C係藉由例如槽形隔壁34C與反應管11之內壁面而從處理室12區隔所構成。在隔壁34C上以與上下之晶圓1,1間對向之方式排列形成有複數個第3氣體噴出口35C。此等第3氣體噴出口35C之個數，係與被處理之晶圓1的片數對應。各第3氣體噴出口35C之高度位置，係分別設定為與保持於晶舟2內且上下相鄰之晶圓1間的空間對向。
又，在緩衝室33C內，係構成為藉由後述之原料氣體供給手段供給作為原料氣體之二氯矽烷(SiH2 Cl2 、以下稱為DCS)氣體。緩衝室33C係發揮作為氣體分散空間的功能而將DCS氣體加以緩衝，以使濃度成為均等的方式使該DCS氣體分散。供給於緩衝室33C內之DCS氣體，係以透過第3氣體噴出口35C流入處理室12內，並供給於晶圓1表面的方式構成。
(氣體供給手段)
在反應管11之側壁下部連接有將作為第1反應性氣體之NH3 氣體供給於第1電漿生成室33內的第1反應性氣體供給管301。在第1反應性氣體供給管301，從上游側起依序設置：作為NH3 氣體供給源之儲氣瓶301a、作為流量控制器(流量控制手段)之質量流量控制器301b、及作為開閉閥之閥301c。從儲氣瓶301a所供給之NH3 氣體，係藉質量流量控制器301b調整成既定的流量，並藉由閥301c之開放動作流通於第1反應性氣體供給管301內，而供給於第1電漿生成室33內。
另外，在反應管11之側壁下部連接有將作為第2反應性氣體之O2 氣體供給於第2電漿生成室33B內的第2反應性氣體供給管302。在第2反應性氣體供給管302，從上游側起依序設置作為O2 氣體供給源之儲氣瓶302a、作為流量控制器(流量控制手段)之質量流量控制器302b、及作為開閉閥之閥302c。從儲氣瓶302a所供給之O2 氣體，藉質量流量控制器302b調整成既定的流量，並藉由閥302c之開放動作流通於第2反應性氣體供給管302內，而供給於第2電漿生成室33B內。
另外，在反應管11之側壁下部連接有將作為原料氣體之DCS氣體供給於緩衝室33C內的原料氣體供給管304。在原料氣體供給管304，從上游側起依序設置：作為DCS氣體供給源之儲氣瓶304a、作為流量控制器(流量控制手段)之質量流量控制器304b、作為開閉閥之閥304c、及作為開閉閥之閥304d。又，在閥304c與閥304d之間，係構成蓄氣部304e。從儲氣瓶304a所供給之DCS氣體，係藉質量流量控制器304b調整成既定的流量，並藉由閥304c之開放動作流通於原料氣體供給管304內，而供給於緩衝室33C內。又，在關閉閥304d之狀態下，開放閥304c並保持既定時間，一旦蓄氣部304e內之DCS氣體的壓力達到既定壓力便關閉閥304c，並開放304d，使得可脈波式地朝緩衝室33C內(處理室12內)供給(瞬間供給)DCS氣體。又，蓄氣部304e內之容積對處理室12內之容積的比率，係以例如1/1000以上、3/1000以下較佳，在處理室12內之容積為100公升的情況，以蓄氣部304e內之容積為100～300cc較佳。另外，以從蓄氣部304e至處理室12為止之原料氣體的路徑之電導(conductance)，構成為例如1.5×10-3 m3 /s以上較佳。
在第1反應性氣體供給管301之閥301c的下游側、第2反應性氣體供給管302之閥302c的下游側、及第1反應性氣體供給管301之閥301d的下游側，分別透過閥303c、閥303d、閥303e連接有供給作為激發用氣體、沖洗氣體(purge gas)、或運載氣體(carrier gas)之例如Ar氣體的Ar氣體供給管303的下游端。即，Ar氣體供給管303係於其下游側分叉為3根歧管。在比Ar氣體供給管303之分歧部位還靠上游側處，從上游側起依序設有作為Ar氣體供給源之儲氣瓶303a、及作為流量控制器(流量控制手段)之質量流量控制器303b。從儲氣瓶303a所供給之Ar氣體，係藉質量流量控制器303b調整成既定的流量，並藉由閥303c之開放動作流通於第1反應性氣體供給管301內，而供給於第1電漿生成室33內，另外，藉由閥303d之開放動作流通於第2反應性氣體供給管302內，而供給於第2電漿生成室33B內，另外，藉由閥303e之開放動作流通於原料氣體氣體供給管304內，而供給於緩衝室33C內。
主要地，第1反應性氣體供給手段係由第1反應性氣體供給管301、儲氣瓶301a、質量流量控制器301b、閥301c、Ar氣體供給管303、儲氣瓶303a、質量流量控制器303b、閥303c所構成。又，第2反應性氣體供給手段主要由第2反應性氣體供給管302、儲氣瓶302a、質量流量控制器302b、閥302c、Ar氣體供給管303、儲氣瓶303a、質量流量控制器303b、閥303d所構成。又，原料氣體供給手段主要由原料氣體供給管304、儲氣瓶304a、質量流量控制器304b、閥304c、閥304d、Ar氣體供給管303、儲氣瓶303a、質量流量控制器303b、閥303e所構成。另外，激發用氣體供給手段係由Ar氣體供給管303、儲氣瓶303a、質量流量控制器303b、閥303c、303d、303e所構成。
又，質量流量控制器301b～304b、閥301c～304c及304d，係分別電性連接於後述之控制器240。
(控制部)
作為控制部之控制器240，如上述，係分別與旋轉機構19、晶舟昇降器(未圖示)、加熱器14、溫度感測器(未圖示)、壓力感測器(未圖示)、壓力控制裝置(未圖示)、排氣裝置(未圖示)、高頻電源31,31B、整合器32,32B、質量流量控制器301b～304b、閥301c～304c及304d電性連接，主控制基板處理裝置整體。
具體而言，控制器240係以既定之時序(timing)使旋轉機構19的旋轉軸19a旋轉。控制器240係以既定之時序使晶舟昇降器昇降。另外，控制器240根據由壓力感測器所檢測出之壓力資訊來調整壓力控制裝置的閥開度，並以既定之時序使處理室12內成為既定壓力。另外，控制器240根據由溫度感測器所檢測出之溫度資訊來調整對加熱器之通電程度，並以既定之時序使處理室12內成為既定之溫度分布，其結果，可對處理室12內之晶圓1形成既定的溫度。另外，控制器240，係藉由控制高頻電源31,31B及整合器32,32B，可於第1電漿生成室33內及第2電漿生成室33B內，以既定之時序生成電漿。另外，控制器240，係藉由一面控制質量流量控制器301b～304b的流量，一面分別控制閥304b～304c、304d之開閉，可於第1電漿生成室33內、第2電漿生成室33B內、緩衝室33C內，以既定之時序開始或停止供給既定流量之氣體。
又，本實施形態中之控制器240，係構成為能連續地實施以下二個製程：第1基板處理製程，係從第1氣體供給系統朝第1電漿生成室33內供給第1反應性氣體，藉第1放電用電極27於第1電漿生成室33內生成電漿，並藉由直接激發或間接激發第1反應性氣體而生成之第1反應性氣體的活性種來處理晶圓；及第2基板處理製程，係從第2氣體供給系統朝第2電漿生成室33B內供給第2反應性氣體，藉第2放電用電極27B於第2電漿生成室33B內生成電漿，並藉由直接激發或間接激發第2反應性氣體而生成之第2反應性氣體的活性種來處理晶圓1。
(2)基板處理製程
其次，針對使用上述構成之處理爐10，連續地實施以下二個製程來形成例如MOS型電場效應電晶體之閘極絕緣膜的基板處理製程進行說明，其中該二個製程為：氮化製程，係對晶圓1表面進行氮化處理來形成氮化矽膜(SiN)；及氧化製程，係藉由對形成有SiN膜之晶圓1進行氧化處理來形成氮氧化矽膜(SiON)。又，以下之說明中，構成基板處理裝置之各部分的動作係由控制器240所控制。
(運入製程(S1))
首先，將複數片晶圓1裝填(晶圓裝載(wafer charge))於晶舟2內。然後，根據控制器240之控制來驅動來驅動晶舟昇降器，使晶舟2上昇。藉此，如第1～3圖所示，將保持有複數片晶圓1之晶舟2運入(晶舟載入(boat loading))處理室12內。此時，密封蓋17係透過底盤15、密封圈(seal ring)18來封閉反應管11之下端。藉此，用以氣密性地封閉處理室12。
另外，在晶舟2之運入時，於處理室12內流動作為沖洗氣體之Ar氣體。具體而言，一面藉由質量流量控制器303b調整流量一面開放閥303c，將Ar氣體導入處理室12內。藉此，可獲得抑制晶舟2之運送時粉塵(particle)朝處理室12內的侵入等的效果。
(壓力調整製程及昇溫製程(S2))
在完成了晶舟2朝處理室12內之運入後，以使處理室12內成為既定之壓力(例如，10～100Pa)的方式對處理室12內之環境氣體進行排氣。具體而言，一面藉排氣裝置排氣一面根據由壓力感測器所檢測出之壓力資訊來反饋控制壓力控制裝置之閥開度，將處理室12內設定成既定之壓力。另外，以使處理室12內成為既定溫度之方式藉加熱器14進行加熱。具體而言，根據由溫度感測器所檢測出之溫度資訊來控制朝加熱器14之通電程度，將處理室12內設定成既定之溫度(例如，300～600℃)。然後，使旋轉機構19作動，開始使運入處理室12內之晶圓1旋轉。又，晶圓1之旋轉持續至後述的氮化製程(S3)及氧化製程(S4)結束為止。
(氮化製程(S3))
在氮化製程(S3)中，藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法之一種，即ALD(Atomic Layer Deposition)法，並使用DCS氣體及NH3 氣體，於晶圓1之表面形成氮化矽膜(SiN)膜。ALD法係在既定之成膜條件(溫度、時間等)下，每次1種交互地朝晶圓上供給2種類以上之處理氣體，利用處理氣體在晶圓1上之表面反應，以不滿1原子層至數原子層的單位形成薄膜的方法。此ALD法中之膜厚控制，可利用控制處理氣體之供給的循環數來進行。例如，當成膜速度為1埃/循環時，在成膜20埃之膜的情況，只要進行20個循環之處理即可。
在氮化製程(S3)中，首先，將在第1電漿生成室33內間接激發屬第1反應性氣體之NH3 氣體而生成之活性種(NH3 自由基)供給於處理室12內，使表面反應發生於晶圓1之表面部分(化學吸附)(第1反應性氣體供給製程(S31))。然後，將DCS氣體從緩衝室33C供給於處理室12內，與化學吸附於晶圓1之表面的NH3 發生表面反應(化學吸附)，生成不滿1原子層至數原子層的SiN膜(原料氣體供給製程(S32))。然後，將第1反應性氣體供給製程(S31)與原料氣體供給製程(S32)作為一個循環，進行既定次數之此循環，藉此，形成所需膜厚之SiN膜。以下，具體說明氮化製程(S3)。
(第1反應性氣體供給製程(S31))
首先，將作為激發用氣體的Ar氣體供給於第1電漿生成室33內。具體而言，一面藉質量流量控制器303b進行流量調整一面開放閥303c，將Ar氣體供給於第1電漿生成室33內。然後，從高頻電源31朝一對第1放電用電極27,27供給高頻電力，藉此，於第1電漿生成室33內生成Ar氣體電漿，以使Ar活化。
其次，將作為第1反應性氣體的NH3 氣體供給於第1電漿生成室33內。具體而言，一面藉質量流量控制器301b將流量調整成為例如1～10slm之範圍內，一面開放閥301c，將NH3 氣體供給於第1電漿生成室33內。供給於第1電漿生成室33內之NH3 氣體，係與已活化之Ar(Ar自由基)碰撞，間接地使它活化。活化後之NH3 (NH3 自由基)，係與Ar自由基一起從第1氣體噴出口35朝向晶圓1噴出而供給於處理室12內。
供給於處理室12內之NH3 自由基，係與晶圓1表面接觸而發生表面反應，NH3 化學吸附於晶圓1表面。未有助於吸附至晶圓1表面之NH3 氣體及Ar氣體，於處理室12內向下流動而從排氣管16排出。如此，Ar氣體一方面可發揮作為間接地使NH3 活化之激發用氣體的功能，同時還可發揮作為用以促進朝處理室12內供給NH3 自由基的運載氣體的功能。
一旦經過既定時間(例如，2～120秒)，便停止從高頻電源31朝一對之第1放電用電極27,27供給高頻電力。並關閉閥301c，停止朝第1電漿生成室33內供給NH3 氣體。然後，以使處理室12內成為例如20Pa以下的方式進行排氣。又，在關閉閥301c之後，在保持閥303c開放之狀態下，朝處理室12內供給作為沖洗氣體之Ar氣體，藉此，可效率良好地排出殘留於處理室12內之NH3 氣體。
(原料氣體供給製程(S32))
與第1反應性氣體供給製程(S31)之實施並行，將DCS氣體充填於原料氣體供給管304之蓄氣部304e內。具體而言，首先，在關閉閥304d之狀態下開放閥304c，一面藉質量流量控制器304b調整為既定之流量，一面開始朝蓄氣部304e內供給作為原料氣體之DCS氣體。
然後，一旦經過既定時間(例如，2～4秒)而蓄氣部304e內之壓力達到既定壓力(例如，20000Pa)，便關閉閥304c，於蓄氣部304e內封入高壓之DCS氣體。
一旦處理室12內達到既定壓力(例如，20Pa)，且蓄氣部304e內達到既定壓力(例如，20000Pa)，便關閉壓力控制裝置(未圖示)之閥而暫時停止處理室12內之排氣。然後，在保持閥304c關閉之狀態下開放閥304d，將充填於蓄氣部304e內之高壓DCS氣體脈波式地供給(瞬間供給)於緩衝室33C內(即，處理室12內)。此時，因壓力控制裝置(未圖示)之閥被關閉，所以，處理室12內之壓力被急遽地上昇至例如931Pa(7Torr)。供給於處理室12內之DCS氣體，係與晶圓1之表面接觸，而與化學吸附於晶圓1表面部分之NH3 發生表面反應，於晶圓1表面生成不滿1原子層至數原子層的SiN膜。未有助於SiN膜之生成的NH3 氣體，於處理室12內向下流動而從排氣管16排出。
一旦經過既定時間(例如，2～4秒)，便關閉閥304d，停止朝緩衝室33C內(即，處理室12內)供給DCS氣體。又，在關閉閥304d後，開放閥303e，朝處理室12內供給作為沖洗氣體之Ar氣體，藉此，可效率良好地排出殘留於處理室12內之DCS氣體或反應生成物。
然後，將第1反應性氣體供給製程(S31)與原料氣體供給製程(S32)作為一個循環，進行指定次數之此循環，藉此，形成所需膜厚之SiN膜。
(氧化製程(S4))
在藉氮化製程(S3)生成所需膜厚之SiN膜後，將藉電漿活化之氧氣的活性種(O2 自由基)供給於晶圓1上而使SiN膜氧化，實施形成氮氧化矽(SiON)膜之氧化製程(S4)。
又，本實施形態中，是以在處理室12內與第1電漿生成室33分開獨立設置的第2電漿生成室33B內生成O2 自由基的方式構成。亦即，在本實施形態，係構成為氮化製程(S3)與氧化製程(S4)係使用同一處理爐10連續地進行，在此期間，晶圓1不用被運出處理室12之外部。以下，具體說明氧化製程(S4)。
首先，將作為第2反應性氣體的O2 氣體供給於第2電漿生成室33B內。具體而言，一面藉質量流量控制器302b進行流量調整一面開放閥302c，將O2 氣體供給於第2電漿生成室33B內。然後，從高頻電源31B朝一對第2放電用電極27B,27B供給高頻電力，藉此，於第2電漿生成室33B內生成O2 氣體電漿，以直接使O2 活化。已活化之O2 (O2 自由基)，係與Ar氣體一起從第2氣體噴出口35B朝向晶圓1噴出而供給於處理室12內。又，一面藉質量流量控制器303b進行流量調整一面開放閥303d，朝第2電漿生成室33B內(即，處理室12內)供給作為運載氣體之Ar氣體，可促進朝處理室12內之O2 自由基的供給。
供給於處理室12內之O2 自由基，與形成於晶圓1表面之SiN膜接觸，於晶圓1上形成SiON膜。然後，導入處理室12內之O2 氣體及Ar氣體，於處理室12內向下流動而從排氣管16排出。
一旦經過既定時間，便關閉閥302c，停止朝第2電漿生成室33B內供給O2 氣體。又，在關閉閥302c後，在保持閥303d開放之狀態下，朝處理室12內供給作為沖洗氣體之Ar氣體，藉此，可效率良好地排出殘留於處理室12內之O2 氣體。
(大氣壓回復製程及降溫製程(S5))
一旦完成了氧化製程(S4)，便使晶舟2之旋轉停止，進而停止晶圓1的旋轉。然後，一面使處理室12內之壓力回復至大氣壓一面使晶圓1降溫。具體而言，在保持閥303c開放之狀態下，一面朝處理室12內供給Ar氣體，一面根據由壓力感測器所檢測之壓力資訊來反饋控制排氣裝置的閥開度，使處理室12內之壓力昇壓成為大氣壓。然後，控制朝加熱器14的通電量，以使晶圓1之溫度降溫。
(運出製程(S6))
然後，對上述運入製程以相反之順序將進行了基板處理之晶圓1從處理室12內運出，結束本實施形態之基板處理製程。
(3)本實施形態之效果
根據本實施形態，可產生以下所示一個或複數個效果。
(a)根據本實施形態，在處理室12內設置第1電漿生成室33及第2電漿生成室33B。因此，可使用同一處理爐10連續地進行氮化製程(S3)與氧化製程(S4)。另外，在氮化製程(S3)與氧化製程(S4)之間不需要將晶圓1運出至處理室12外部。亦即，不用替換晶圓，可藉由一台之基板處理裝置來實施複數種類之基板處理。藉此，可減低基板處理之成本，提高基板處理之生產性。
(b)根據本實施形態之氮化製程(S3)，使用已藉電漿活化之NH3 氣體(NH3 自由基)進行氮化處理。另外，根據本實施形態之氧化製程(S4)，使用已藉電漿活化之O2 氣體(O2 自由基)進行氧化處理。如此，使用已藉電漿活化之活性種來進行氮化處理及氧化處理等，藉此，可使晶圓1之處理溫度低溫化(例如，300～600℃)。
(c)根據本實施形態之氮化製程(S3)，將第1反應性氣體供給製程(S31)與原料氣體供給製程(S32)作為一個循環，進行指定次數之此循環，藉此，形成所需膜厚之SiN膜。亦即，不用同時供給已藉電漿活化之NH3 氣體(NH3 自由基)與DCS氣體，此等氣體可不會相互混合地供給於處理室12內。其結果，可抑制處理室12內之氣相反應的發生，並可抑制處理室12內之粉塵的發生。
(d)根據本實施形態之第1反應性氣體供給製程(S31)，將已活化之NH3 (NH3 自由基)與Ar自由基一起供給於處理室12內。藉此，可使NH3 自由基長壽命化，以增大NH3 自由基朝晶圓1之供給量，可加快氮化處理之速度。
(e)根據本實施形態之原料氣體供給製程(S32)，將充填於蓄氣部304e內之高壓DCS氣體脈波式地供給(瞬間供給)於緩衝室33C內(即，處理室12內)。於是，此時，因將壓力控制裝置(未圖示)之閥關閉，所以，處理室12內之壓力被急遽地上昇至例如931Pa(7Torr)。藉此，可在短時間內更為確實地進行DCS對晶圓1表面之供給。
〈第2實施形態〉
在上述實施形態中，分別朝第1電漿生成室33內及第2電漿生成室33B內供給不同之反應性氣體，分別以不同之條件生成電漿，依序進行不同之基板處理(氮化製程(S3)及氧化製程(S4))。然而，本發明並不限定於上述形態。例如，亦可藉由朝第1電漿生成室33及第2電漿生成室33B供給同一種之反應性氣體，並以相同條件同時生成電漿，來進行既定之基板處理(例如，氮化製程(S3)或氧化製程(S4)中的任一方)。亦即，第1反應性氣體與第2反應性氣體，亦可為同一種之氣體。
例如，在使用第1電漿生成室33及第2電漿生成室33B之雙方來進行氮化製程(S3)的情況，使第1反應性氣體供給管301之下游端的2根管子分叉，並分別連接於第1電漿生成室33及第2電漿生成室33B。
然後，在第1反應性氣體供給製程(S31)中，一面藉質量流量控制器303b進行流量調整一面開放閥303c，將Ar氣體供給於第1電漿生成室33內及第2電漿生成室33B內。然後，從高頻電源31朝一對第1放電用電極27,27供給高頻電力，並從高頻電源31B朝一對第2放電用電極27B,27B供給高頻電力，藉此，於第1電漿生成室33內及第2電漿生成室33B內同時生成Ar氣體電漿，以使Ar活化。
其次，一面藉質量流量控制器301b調整成為既定之流量，一面開放閥301c，將NH3 氣體同時供給於第1電漿生成室33內及第2電漿生成室33B。供給於第1電漿生成室33內及第2電漿生成室33B內之NH3 氣體，係與已活化之Ar(Ar自由基)碰撞，間接地使它活化。已活化之NH3 (NH3 自由基)，係與Ar自由基一起從第1氣體噴出口35及第2氣體噴出口35B朝向晶圓1噴出而供給於處理室12內。已供給於處理室12內之NH3 自由基，係與晶圓1表面接觸而發生表面反應，NH3 化學吸附於晶圓1表面。
一旦經過既定時間，便停止從高頻電源31朝一對之第1放電用電極27,27供給高頻電力，並停止從高頻電源31B朝一對之第2放電用電極27B,27B供給高頻電力。又，關閉閥301c，停止朝第1電漿生成室33內及第2電漿生成室33B內供給NH3 氣體。然後，以使處理室12內成為例如20Pa以下的方式進行排氣。又，在關閉閥301c之後，在保持閥303c開放之狀態下，朝處理室12內供給作為沖洗氣體之Ar氣體，藉此，可效率良好地排出殘留於處理室12內之NH3 氣體。
然後，將第1反應性氣體供給製程(S31)與上述之原料氣體供給製程(S32)作為一個循環，進行指定次數之此循環，藉此，形成所需膜厚之SiN膜。
根據本實施形態，朝處理室12內供給NH3 自由基，係使用第1氣體噴出口35及第2氣體噴出口35B這兩個氣體噴出口同時進行。因此，與使用一個氣體噴出口來進行之情況比較，可遍佈於晶圓1之整個面內均勻地進行。亦即，朝處理室12之氣體噴出口的數量成為二倍，從一個氣體噴出口朝處理室12內噴出之NH3 自由基的供給量變少，並且在平面方向從兩個方向噴出反應性氣體之活性種，所以，可獲得更高精度之成膜均一性。於是，可遍佈於晶圓1之整個面內更為均勻地進行NH3 朝晶圓1表面之化學吸附，可使SiN膜之膜厚分布或膜質更為均勻地遍佈於晶圓1之整個面內。
又，即使在使用第1電漿生成室33及第2電漿生成室33B進行氧化製程(S4)之情況，亦可獲得上述效果。上述情況，使第2反應性氣體供給管301B之下游端成分叉2根管子，並分別連接於第1電漿生成室33及第2電漿生成室33B。
〈本發明之其他實施形態〉
以上，雖具體說明了本發明之實施形態，但本發明並不限定於上述實施形態，只要在未超出本發明之實質範圍內，即可作種種之變化。
例如，本發明並不限定於具備本實施形態之縱型處理爐的基板處理裝置，還適宜於應用具有單片式、熱壁型、冷壁型之處理爐的基板處理裝置。另外，不限定於使用NH3 氣體作為第1反應性氣體、使用Ar氣體作為激發用氣體、使用DCS氣體作為原料氣體進行氮化處理之情況，或使用O2 氣體作為第1反應性氣體進行氧化處理之情況，亦可適宜應用於使用其他之氣體種及使用不同之基板處理的情況。
另外例如，第1電漿生成室33內及第2電漿生成室33B內之反應性氣體供給管，亦可設於分別離開一對之第1放電用電極27及第2放電用電極27B之位置。另外，排氣管16可設於第1氣體噴出口35與第2氣體噴出口35B之間。在設置複數個氣體噴出口之情況，只要使其中至少2個氣體噴出口與排氣管16之距離分別成為大致等距離，即可遍佈於晶圓1之整個面內更為均勻地進行基板處理，可使膜厚分布或膜質更為均勻地遍佈於晶圓1之整個面內。
〈本發明之較佳態樣〉
以下，附記本發明之較佳態樣。
根據本發明之一個態樣，提供一種基板處理裝置，其具備：處理室，係處理基板；第1電漿生成室，係設於該處理室內；第1反應性氣體供給手段，係將第1反應性氣體供給於該第1電漿生成室內；一對第1放電用電極，係於該第1電漿生成室內生成電漿，激發該第1反應性氣體而生成該第1反應性氣體之活性種；第1氣體噴出口，係設於該第1電漿生成室之側壁，朝向該基板噴出該第1反應性氣體之活性種；第2電漿生成室，係設於該處理室內；第2反應性氣體供給手段，係將第2反應性氣體供給於該第2電漿生成室內；一對第2放電用電極，係於該第2電漿生成室內生成電漿，激發該第2反應性氣體而生成該第2反應性氣體之活性種；第2氣體噴出口，係設於該第2電漿生成室之側壁，朝向該基板噴出該第2反應性氣體之活性種。
較佳為，具有控制部，係控制該第1反應性氣體供給手段及該第2反應性氣體供給手段的氣體供給動作，及朝該第1放電用電極及該第2放電用電極的電力供給動作；且該控制部係在從該第1反應性氣體供給手段朝向該第1電漿生成室內供給該第1反應性氣體，在該第1電漿生成室內藉該第1放電用電極生成電漿，並藉由激發該第1反應性氣體而生成之該第1反應性氣體的活性種來處理該基板之後；從該第2反應性氣體供給手段朝向該第2電漿生成室內供給該第2反應性氣體，在該第2電漿生成室內藉該第2放電用電極生成電漿，並藉由激發該第2反應性氣體而生成之該第2反應性氣體的活性種來處理該基板。
較佳為，具有激發用氣體供給手段，該激發用氣體供給手段係將間接激發該第1反應性氣體之激發用氣體供給於該第1電漿生成室內，或者，將間接激發該第2反應性氣體之激發用氣體供給於該第2電漿生成室內。
較佳為，具有朝該處理室內供給原料氣體之原料氣體供給手段。
較佳為，該第1放電用電極及該第2放電用電極係由保護管所披覆。
較佳為，在該處理室內具有加熱基板之加熱手段。
較佳為，在該處理室內具有使基板旋轉之旋轉手段。
根據本發明之另一個態樣，提供一種基板處理方法，其具備：運入製程，係將基板運入處理室內；第1基板處理製程，係從第1反應性氣體供給手段朝向第1電漿生成室內供給第1反應性氣體，在該第1電漿生成室內藉一對第1放電用電極生成電漿，並藉由激發該第1反應性氣體而生成之該第1反應性氣體的活性種來處理該基板；第2基板處理製程，係從第2反應性氣體供給手段朝向第2電漿生成室內供給第2反應性氣體，在該第2電漿生成室內藉一對第2放電用電極生成電漿，並藉由激發該第2反應性氣體而生成之該第2反應性氣體的活性種來處理該基板；及運出製程，係將處理後的該基板從該處理室內運出。
根據本發明之另一個態樣，提供一種基板處理裝置，其具備：處理室，係處理基板；加熱手段，係加熱該基板；旋轉手段，係使該基板旋轉；複數個電漿生成室，係設於該處理室內；複數個氣體供給手段，係分別將反應性氣體供給於該複數個電漿生成室內；一對放電用電極，係於該電漿生成室內生成電漿，激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種；氣體噴出口，係分別設於該複數個電漿生成室之側壁，朝向該基板噴出該反應性氣體之活性種。
較佳為，具有控制部，係控制利用該複數個氣體供給手段之各個氣體供給動作、朝該一對放電用電極的電力供給動作、加熱手段及旋轉手段；且該控制部係一面藉該加熱手段將處理室內加熱為既定溫度，一面藉由該旋轉手段使該基板旋轉，從該複數個氣體供給手段朝向該複數個電漿生成室內分別供給反應性氣體，藉該一對放電用電極生成電漿，並激發該反應性氣體而生成之活性種，藉以同時處理該基板。
根據本發明之另一個態樣，提供一種基板處理方法，其具備：運入製程，係將基板運入處理室內；基板處理製程，係一面藉加熱手段將該處理室內加熱為既定溫度，一面藉由該旋轉手段使該基板旋轉，從該複數個氣體供給手段朝向該複數個電漿生成室內分別供給反應性氣體，藉該一對放電用電極生成電漿，並激發該反應性氣體而生成之該活性種，藉以同時處理該基板；及運出製程，將處理後之該基板從該處理室內運出。
1．．．晶圓(基板)
10．．．處理爐
12．．．處理室
19．．．旋轉機構
27．．．第1放電用電極
27B．．．第2放電用電極
33．．．第1電漿生成室
33B．．．第2電漿生成室
35．．．第1氣體噴出口
35B．．．第2氣體噴出口
第1圖為適宜於本發明之第1實施形態使用的基板處理裝置之處理爐的平面剖視圖。
第2圖為沿著第1圖中之II-II線的縱剖視圖。
第3圖為沿著第1圖中之III-III線的縱剖視圖。
第4圖為連接於第1圖之處理爐的氣體供給系統之概念圖。
240．．．控制器
304．．．原料氣體供給管
34,34C．．．隔壁
10．．．處理爐
11．．．反應管
27．．．第1放電用電極
27B．．．第2放電用電極
14．．．加熱器
25,25B．．．保護管
35．．．第1氣體噴出口
35B．．．第2氣體噴出口
35C．．．第3氣體噴出口
33C．．．緩衝室
12．．．處理室
1．．．晶圓(基板)
33．．．第1電漿生成室
33B．．．第2電漿生成室
2．．．晶舟
5．．．保持構件
32,32B．．．整合器
31,31B．．．輸出側
301．．．反應性氣體供給管
303．．．Ar氣體供給管
16．．．排氣管
302．．．供給管

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：處理室，係處理基板；第1電漿生成室，係設於該處理室內之該基板的側方，而從該處理室區隔出；第2電漿生成室，係設於該處理室內之該基板的側方，而從該處理室區隔出；反應性氣體供給手段，係將反應性氣體供給於該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內；第1放電用電極，係於該第1電漿生成室內生成電漿，利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種；第2放電用電極，係於該第2電漿生成室內生成電漿，利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種；第1氣體噴出口，係設於該第1電漿生成室，對該處理室內的該基板噴出該反應性氣體之活性種；第2氣體噴出口，係設於該第2電漿生成室，對該處理室內的該基板噴出該反應性氣體之活性種；及控制部，係以將該反應性氣體供給至該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內，在該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種，使該反應性氣體之活性種從 該第1電漿生成室及該第2電漿生成室同時對該處理室內的該基板噴出，而對該基板進行處理的方式，構成為可控制該反應性氣體供給手段、該第1放電用電極、及該第2放電用電極。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其還具有：緩衝室，係設於該處理室內之該基板的側方，而從該處理室區隔出；原料氣體供給手段，係朝該緩衝室內供給原料氣體；及第3氣體噴出口，係設於該緩衝室，對該處理室內的該基板噴出該原料氣體。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其還具有：第1隔壁，係區隔該第1電漿生成室與該處理室；及第2隔壁，係區隔該第2電漿生成室與該處理室，該第1氣體噴出口係設於該第1隔壁，該第2氣體噴出口係設於該第2隔壁。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其還具有：基板保持具，係在該處理室內保持該基板；及旋轉機構，係使該基板保持具旋轉。
  5. 一種基板處理裝置，其具備：處理室，係處理複數片基板；基板保持具，係在該處理室內使該複數片基板在垂直方向上排列成多段地保持； 旋轉機構，係使該基板保持具旋轉；第1電漿生成室，係設於該處理室內之該複數片基板的側方，而從該處理室區隔出；第2電漿生成室，係設於該處理室內之該複數片基板的側方，而從該處理室區隔出；反應性氣體供給手段，係將反應性氣體供給於該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內；第1放電用電極，係於該第1電漿生成室內生成電漿，利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種；第2放電用電極，係於該第2電漿生成室內生成電漿，利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種；第1氣體噴出口，係設於該第1電漿生成室，對該處理室內的該複數片基板噴出該反應性氣體之活性種；第2氣體噴出口，係設於該第2電漿生成室，對該處理室內的該複數片基板噴出該反應性氣體之活性種；及控制部，係以在使已保持該複數片基板的該基板保持具旋轉的狀態下，將該反應性氣體供給至該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內，在該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種，使該反應性氣體之活性種從該第1電漿生成室及該第2電漿生成室同時對該處理 室內的該複數片基板噴出，而對該複數片基板進行處理的方式，構成為可控制該旋轉機構、該反應性氣體供給手段、該第1放電用電極、及該第2放電用電極。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中該第1氣體噴出口係設有複數個，該第2氣體噴出口係設有複數個，該複數個第1氣體噴出口及該複數個第2氣體噴出口係以分別排列在垂直方向上的方式設置。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中該複數個第1氣體噴出口之每一者的高度位置係與該複數個第2氣體噴出口之每一者的高度位置對應。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中該複數個第1氣體噴出口之每一者的高度位置係與該複數片基板之每一者的高度位置對應，該複數個第2氣體噴出口之每一者的高度位置係與該複數片基板之每一者的高度位置對應。
  9. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其還具有：緩衝室，係設於該處理室內之該複數片基板的側方，而從該處理室區隔出；原料氣體供給手段，係朝該緩衝室內供給原料氣體；及第3氣體噴出口，係設於該緩衝室，對該處理室內的該複數片基板噴出該原料氣體，該第3氣體噴出口係設有複數個，該複數個第3氣體噴出口係以分別排列在垂直方向上的方式設置。
  10. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其還具有：緩衝室，係設於該處理室內之該複數片基板的側方，而從該處理室區隔出；原料氣體供給手段，係朝該緩衝室內供給原料氣體；及第3氣體噴出口，係設於該緩衝室，對該處理室內的該複數片基板噴出該原料氣體，該第3氣體噴出口係設有複數個，該複數個第3氣體噴出口係分別排列在垂直方向上，該複數個第3氣體噴出口之每一者的高度位置係與該複數個第1氣體噴出口之每一者的高度位置、及該複數個第2氣體噴出口之每一者的高度位置對應。
  11. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其還具有：緩衝室，係設於該處理室內之該複數片基板的側方，而從該處理室區隔出；原料氣體供給手段，係朝該緩衝室內供給原料氣體；及第3氣體噴出口，係設於該緩衝室，對該處理室內的該複數片基板噴出該原料氣體，該第3氣體噴出口係設有複數個，該複數個第3氣體噴出口係分別排列在垂直方向上，該複數個第3氣體噴出口之每一者的高度位置係與該複數片基板之每一者的高度位置對應。
  12. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其還具有： 第1隔壁，係區隔該第1電漿生成室與該處理室；及第2隔壁，係區隔該第2電漿生成室與該處理室，該複數個第1氣體噴出口係設於該第1隔壁，該複數個第2氣體噴出口係設於該第2隔壁。
  13. 一種基板處理裝置，其具備：處理室，係處理基板；第1電漿生成室，係設於該處理室內之該基板的側方，而從該處理室區隔出；第2電漿生成室，係設於該處理室內之該基板的側方，而從該處理室區隔出；反應性氣體供給手段，係將反應性氣體供給於該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內；第1放電用電極，係於該第1電漿生成室內生成電漿，利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種；第2放電用電極，係於該第2電漿生成室內生成電漿，利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種；第1氣體噴出口，係設於該第1電漿生成室，對該處理室內的該基板噴出該反應性氣體之活性種；第2氣體噴出口，係設於該第2電漿生成室，對該處理室內的該基板噴出該反應性氣體之活性種；緩衝室，係設於該處理室內之該基板的側方，而從 該處理室區隔出；原料氣體供給手段，係朝該緩衝室內供給原料氣體；第3氣體噴出口，係設於該緩衝室，對該處理室內的該基板噴出該原料氣體；及控制部，係以藉由將包含對該處理室內的該基板供給該原料氣體的處理、及對該處理室內的該基板供給該反應性氣體的活性種的處理之循環進行既定次數，來對該基板進行處理，供給該反應性氣體的活性種的處理係將該反應性氣體供給至該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內，在該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種，使該反應性氣體之活性種從該第1電漿生成室及該第2電漿生成室同時對該處理室內的該基板噴出的方式，構成為可控制該反應性氣體供給手段、該第1放電用電極、該第2放電用電極、及該原料氣體供給手段。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其還具有：第1隔壁，係區隔該第1電漿生成室與該處理室；及第2隔壁，係區隔該第2電漿生成室與該處理室，該第1氣體噴出口係設於該第1隔壁，該第2氣體噴出口係設於該第2隔壁。
  15. 如申請專利範圍第13項之基板處理裝置，其還具有：基板保持具，係在該處理室內保持該基板；及旋轉機構，係使該基板保持具旋轉。
  16. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下製程：將基板搬入處理室內；將反應性氣體供給至設於該處理室內之該基板的側方而從該處理室區隔出的第1電漿生成室內、及設於該處理室內之該基板的側方而從該處理室區隔出的第2電漿生成室內，於該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種，使該反應性氣體之活性種從該第1電漿生成室及該第2電漿生成室同時對該處理室內的該基板噴出，而對該基板進行處理；及將處理後的該基板從該處理室內搬出。
  17. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下製程：將基板搬入處理室內；藉由將包含對該處理室內的該基板供給原料氣體的製程、及對該處理室內的該基板供給反應性氣體的活性種的製程之循環進行既定次數，來對該基板進行處理；及將處理後的該基板從該處理室內搬出，供給該反應性氣體的活性種的製程係將該反應性氣體供給至設於該處理室內之該基板的側方而從該處理室區隔出的第1電漿生成室內、及設於該處理室內之該基板的側方而從該處理室區隔出的第2電漿生成室內，在該第1電漿生成室內及該第2電漿生成室內利用電漿激發該反應性氣體而生成該反應性氣體之活性種，使該反 應性氣體之活性種從該第1電漿生成室及該第2電漿生成室同時對該處理室內的該基板噴出。
  18. 如申請專利範圍第16或17項之半導體裝置之製造方法，其中對該基板進行處理的製程係在已使該基板旋轉的狀態下進行。
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