JP4951501B2 - 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4951501B2 JP4951501B2 JP2007505948A JP2007505948A JP4951501B2 JP 4951501 B2 JP4951501 B2 JP 4951501B2 JP 2007505948 A JP2007505948 A JP 2007505948A JP 2007505948 A JP2007505948 A JP 2007505948A JP 4951501 B2 JP4951501 B2 JP 4951501B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- gas
- electrode
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 85
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 119
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P17/00—Metal-working operations, not covered by a single other subclass or another group in this subclass
- B23P17/04—Metal-working operations, not covered by a single other subclass or another group in this subclass characterised by the nature of the material involved or the kind of product independently of its shape
- B23P17/06—Making steel wool or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21F—WORKING OR PROCESSING OF METAL WIRE
- B21F45/00—Wire-working in the manufacture of other particular articles
- B21F45/006—Wire-working in the manufacture of other particular articles of concrete reinforcement fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B14/00—Use of inorganic materials as fillers, e.g. pigments, for mortars, concrete or artificial stone; Treatment of inorganic materials specially adapted to enhance their filling properties in mortars, concrete or artificial stone
- C04B14/38—Fibrous materials; Whiskers
- C04B14/48—Metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E04—BUILDING
- E04C—STRUCTURAL ELEMENTS; BUILDING MATERIALS
- E04C5/00—Reinforcing elements, e.g. for concrete; Auxiliary elements therefor
- E04C5/01—Reinforcing elements of metal, e.g. with non-structural coatings
- E04C5/012—Discrete reinforcing elements, e.g. fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12201—Width or thickness variation or marginal cuts repeating longitudinally
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12201—Width or thickness variation or marginal cuts repeating longitudinally
- Y10T428/12208—Variation in both width and thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Architecture (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
処理容器と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出するガス排出部と、
前記処理容器内にて複数の基板を積層した状態で載置する基板載置部材と、
前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極と、
前記電極を覆う、誘電体からなる電極保護管と、を有し、
前記電極は、
前記基板の積層方向に沿って延在し、少なくとも一部が平行に配置された2本の直線部と、
前記直線部のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部と、を備え、
前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって延在して
配置される基板処理装置が提供される。
処理容器と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出するガス排出部と、
前記処理容器内にて複数の基板を積層した状態で載置する基板載置部材と、
前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極と、 前記電極を覆う、誘電体からなる電極保護管と、を有し、
前記電極は、
前記基板の積層方向に沿って延在し、少なくとも一部が平行に配置された2本の直線部と、
前記直線部のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部と、を備え、
前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって延在して
配置された基板処理装置を使用して、
前記処理容器内の前記基板載置部材に複数の前記基板を積層した状態で載置し、前記ガス供給部より前記処理容器内へ前記所望の処理ガスを供給し、前記電極に高周波電力を印加してプラズマを生成させて前記基板を処理する工程を備える半導体デバイスの製造方法が提供される。
処理容器内に、複数の基板を積層した状態で載置された基板載置部材を搬入する工程と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給する工程と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出する工程と、
前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより励起された前記処理ガスを前記基板に供給する工程と、を備え、
前記プラズマを生成する工程は、
前記基板の積層方向に沿って延在し、少なくとも一部が平行に配置された2本の直線部と、前記直線部のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部とを備え、
誘電体からなる電極保護管によって覆われて配設され、
前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置された電極に、
高周波電力を印加することで実行される工程である、半導体デバイスの製造方法が提供される。
本発明の好ましい実施例の基板処理装置は、積層された基板を処理する縦型の処理室と、処理用のガスを基板に供給するためのガス供給系と、ガス供給系から基板に供給されるガスを一旦蓄えて、積層された基板にガスを均一に供給するバッファ室とを備え、プラズマを発生させ、電気的に中性な活性種を生成し、複数の基板を一括処理する。
高周波電源273で発生する高周波電力を放電電極301に印加すると、直線部302、303を覆う電極保護管311間の空間のプラズマ生成領域224にプラズマを生成し、ノズル233のガス供給孔248bから供給されたガスをプラズマで励起し、励起種をバッファ室237の側壁に設けられたガス供給孔248aより反応管203内のウエハ200に供給する。
ステップ1では、プラズマ励起の必要なNH3ガスと、プラズマ励起の必要のないDCSガスとを併行して流す。まずガス供給管232aに設けたバルブ243a、及びガス排気管231に設けたバルブ243dを共に開けて、ガス供給管232aからマスフローコントローラ243aにより流量調整されたNH3ガスをノズル233のガス供給孔248bからバッファ室237へ噴出し、放電電極301に高周波電源273から整合器272を介して高周波電力を印加してNH3をプラズマ励起し、活性種として処理室201に供給しつつガス排気管231から排気する。NH3ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、バルブ243dを適正に調整して処理室201内圧力を10〜100Paとする。マスフローコントローラ241aで制御するNH3の供給流量は1000〜10000sccmである。NH3をプラズマ励起することにより得られた活性種にウエハ200を晒す時間は2〜120秒間である。このときのヒータ207の温度はウエハが500〜600℃になるよう設定してある。NH3は反応温度が高いため、上記ウエハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしており、このためウエハ温度は設定した低い温度範囲のままで行える。
ステップ2では、ガス供給管232aのバルブ243aを閉めて、NH3の供給を止めるが、引続きガス溜め247へ供給を継続する。ガス溜め247に所定圧、所定量のDCSが溜まったら上流側のバルブ243bも閉めて、ガス溜め247にDCSを閉じ込めておく。また、ガス排気管231のバルブ243dは開いたままにし真空ポンプ246により、処理室201を20Pa以下に排気し、残留NH3を処理室201から排除する。また、この時にはN2等の不活性ガスを処理室201に供給すると、更に残留NH3を排除する効果が高まる。ガス溜め247内には、圧力が20000Pa以上になるようにDCSを溜める。また、ガス溜め247と処理室201との間のコンダクタンスが1.5×10−3m3/s以上になるように装置を構成する。また、反応管203の容積とこれに対する必要なガス溜め247の容積との比として考えると、反応管203の容積1001(リットル)の場合においては、100〜300ccであることが好ましく、容積比としてはガス溜め247は反応室容積の1/1000〜3/1000倍とすることが好ましい。
ステップ3では、処理室201の排気が終わったらガス排気管231のバルブ243cを閉じて排気を止める。ガス供給管232bの下流側のバルブ243cを開く。これによりガス溜め247に溜められたDCSが処理室201に一気に供給される。このときガス排気管231のバルブ243dが閉じられているので、処理室201内の圧力は急激に上昇して約931Pa(7Torr)まで昇圧される。DCSを供給するための時間は2〜4秒設定し、その後上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を2〜4秒に設定し、合計6秒とした。このときのウエハ温度はNH3の供給時と同じく、500〜600℃である。DCSの供給により、下地膜上のNH3とDCSとが表面反応して、ウエハ200上にSiN膜が成膜される。成膜後、バルブ243cを閉じ、バルブ243dを開けて処理室201を真空排気し、残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、この時にはN2等の不活性ガスを処理室201に供給すると、更に残留するDCSの成膜に寄与した後のガスを処理室201から排除する効果が高まる。またバルブ243bを開いてガス溜め247へのDCSの供給を開始する。
その結果、本発明は、半導体ウエハを処理する基板処理装置および半導体デバイスの製造方法に特に好適に利用できる。
Claims (7)
- 処理容器と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出するガス排出部と、
前記処理容器内にて複数の基板を積層した状態で載置する基板載置部材と、
前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極と、 前記電極を覆う、誘電体からなる電極保護管と、を有し、
前記電極は、
前記基板の積層方向に沿って延在し、少なくとも一部が平行に配置された2本の直線部と、
前記直線部のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部と、を備え、
前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置される基板処理装置。 - 前記電極の2本の直線部の少なくとも一部と短絡部とが前記処理容器内に配置され、前記電極保護管により前記処理容器内に配置された前記電極を前記処理容器内に対し気密に収容し、
前記電極保護管は、前記2本の直線部に挟まれる空間の一部を前記処理容器内の雰囲気と連通するように前記直線部を収容する請求項1記載の基板処理装置。 - 前記直線部と短絡部とを含む電極がU字形状で構成され、前記収容管もU字形状で構成される請求項1記載の基板処理装置。
- 前記2本の直線部に挟まれる空間の一部にプラズマが生成される請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記反応容器の内壁と前記基板の周縁部との間における空間に、前記反応容器の内壁に基板の積載方向に沿って、前記処理ガスの分散空間であるバッファ室が設けられ、
前記電極の2本の直線部の少なくとも一部と短絡部とが前記バッファ室内に配置され、
前記バッファ室内においてプラズマが生成される請求項1または2記載の基板処理装置。 - 処理容器と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出するガス排出部と、
前記処理容器内にて複数の基板を積層した状態で載置する基板載置部材と、
前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極と、 前記電極を覆う、誘電体からなる電極保護管と、を有し、
前記電極は、
前記基板の積層方向に沿って延在し、少なくとも一部が平行に配置された2本の直線部と、
前記直線部のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部と、を備え、
前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置された基板処理装置を使用して、
前記処理容器内の前記基板載置部材に複数の前記基板を積層した状態で載置し、前記ガス供給部より前記処理容器内へ前記所望の処理ガスを供給し、前記電極に高周波電力を印加してプラズマを生成させて前記基板を処理する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 処理容器内に、複数の基板を積層した状態で載置された基板載置部材を搬入する工程と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給する工程と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出する工程と、
前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより励起された前記処理ガスを前記基板に供給する工程と、を備え、
前記プラズマを生成する工程は、
前記基板の積層方向に沿って延在し、少なくとも一部が平行に配置された2本の直線部と、前記直線部のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部とを備え、
誘電体からなる電極保護管によって覆われて配設され、
前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置された電極に、
高周波電力を印加することで実行される工程である、
半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007505948A JP4951501B2 (ja) | 2005-03-01 | 2006-02-28 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005056314 | 2005-03-01 | ||
JP2005056314 | 2005-03-01 | ||
JP2007505948A JP4951501B2 (ja) | 2005-03-01 | 2006-02-28 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
PCT/JP2006/303731 WO2006093136A1 (ja) | 2005-03-01 | 2006-02-28 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010185278A Division JP2011018914A (ja) | 2005-03-01 | 2010-08-20 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006093136A1 JPWO2006093136A1 (ja) | 2008-08-07 |
JP4951501B2 true JP4951501B2 (ja) | 2012-06-13 |
Family
ID=36941165
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007505948A Active JP4951501B2 (ja) | 2005-03-01 | 2006-02-28 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
JP2010185278A Pending JP2011018914A (ja) | 2005-03-01 | 2010-08-20 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010185278A Pending JP2011018914A (ja) | 2005-03-01 | 2010-08-20 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8251012B2 (ja) |
JP (2) | JP4951501B2 (ja) |
KR (1) | KR100909750B1 (ja) |
WO (1) | WO2006093136A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100829327B1 (ko) * | 2002-04-05 | 2008-05-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반응 용기 |
JP4951501B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2012-06-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
KR101047230B1 (ko) * | 2006-03-28 | 2011-07-06 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 |
JP5098882B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2012-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20090056877A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP5568212B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2014-08-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP5307383B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2013-10-02 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
JP5423205B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5099101B2 (ja) * | 2009-01-23 | 2012-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP5136574B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP5490585B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-05-14 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
JP5257328B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP5553588B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5625624B2 (ja) | 2010-08-27 | 2014-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
KR101427726B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR101867364B1 (ko) * | 2012-01-03 | 2018-06-15 | 삼성전자주식회사 | 배치 타입 반도체 장치 |
KR102124042B1 (ko) | 2013-02-18 | 2020-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기상 증착 장치, 이를 이용한 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
TWI481737B (zh) * | 2014-08-20 | 2015-04-21 | Powerchip Technology Corp | 承載治具 |
JP6379355B2 (ja) * | 2015-04-02 | 2018-08-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 |
KR102418947B1 (ko) * | 2020-10-26 | 2022-07-11 | 주식회사 유진테크 | 배치식 기판처리장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09106899A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Anelva Corp | プラズマcvd装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法 |
WO2001019144A1 (fr) * | 1999-09-09 | 2001-03-15 | Anelva Corporation | Dispositif de traitement au plasma a electrode interieure et procede associe |
JP2002280378A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | バッチ式リモートプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3644191A (en) * | 1968-03-15 | 1972-02-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Sputtering apparatus |
JPS5242075A (en) * | 1975-09-29 | 1977-04-01 | Nippon Denso Co Ltd | Device for controlling gas atmosphere in semiconductor producing equip ment |
US4401689A (en) * | 1980-01-31 | 1983-08-30 | Rca Corporation | Radiation heated reactor process for chemical vapor deposition on substrates |
JPS59207620A (ja) * | 1983-05-10 | 1984-11-24 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン成膜装置 |
US4499853A (en) * | 1983-12-09 | 1985-02-19 | Rca Corporation | Distributor tube for CVD reactor |
US4612207A (en) * | 1985-01-14 | 1986-09-16 | Xerox Corporation | Apparatus and process for the fabrication of large area thin film multilayers |
CA1251100A (en) * | 1985-05-17 | 1989-03-14 | Richard Cloutier | Chemical vapor deposition |
US4657616A (en) * | 1985-05-17 | 1987-04-14 | Benzing Technologies, Inc. | In-situ CVD chamber cleaner |
JP2594051B2 (ja) * | 1987-02-02 | 1997-03-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
US4854266A (en) * | 1987-11-02 | 1989-08-08 | Btu Engineering Corporation | Cross-flow diffusion furnace |
US5279670A (en) * | 1990-03-31 | 1994-01-18 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical type diffusion apparatus |
US5052339A (en) * | 1990-10-16 | 1991-10-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition process and reactor |
JP3115015B2 (ja) * | 1991-02-19 | 2000-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型バッチ処理装置 |
JPH05251391A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 半導体ウエハーのプラズマ処理装置 |
US5383984A (en) * | 1992-06-17 | 1995-01-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus etching tunnel-type |
US5770098A (en) * | 1993-03-19 | 1998-06-23 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Etching process |
JP3024449B2 (ja) * | 1993-07-24 | 2000-03-21 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉及び熱処理方法 |
JPH07245195A (ja) | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP3372647B2 (ja) * | 1994-04-18 | 2003-02-04 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5665640A (en) * | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
JP2956487B2 (ja) | 1994-09-09 | 1999-10-04 | 住友金属工業株式会社 | プラズマ生成装置 |
US5591268A (en) * | 1994-10-14 | 1997-01-07 | Fujitsu Limited | Plasma process with radicals |
US5811022A (en) * | 1994-11-15 | 1998-09-22 | Mattson Technology, Inc. | Inductive plasma reactor |
JP2748886B2 (ja) * | 1995-03-31 | 1998-05-13 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
JPH0955372A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Nippon Steel Corp | プラズマ処理装置 |
JP3373990B2 (ja) * | 1995-10-30 | 2003-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びその方法 |
JP3437376B2 (ja) * | 1996-05-21 | 2003-08-18 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
US6388381B2 (en) * | 1996-09-10 | 2002-05-14 | The Regents Of The University Of California | Constricted glow discharge plasma source |
US6140773A (en) * | 1996-09-10 | 2000-10-31 | The Regents Of The University Of California | Automated control of linear constricted plasma source array |
KR100492258B1 (ko) * | 1996-10-11 | 2005-09-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반응가스분출헤드 |
JP2973971B2 (ja) * | 1997-06-05 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | 熱処理装置及び薄膜の形成方法 |
US6135053A (en) * | 1997-07-16 | 2000-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming a deposited film by plasma chemical vapor deposition |
US20030049372A1 (en) * | 1997-08-11 | 2003-03-13 | Cook Robert C. | High rate deposition at low pressures in a small batch reactor |
JPH11317299A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-11-16 | Toshiba Corp | 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置 |
TW455912B (en) * | 1999-01-22 | 2001-09-21 | Sony Corp | Method and apparatus for film deposition |
US6237526B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-05-29 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma |
KR100394571B1 (ko) * | 1999-09-17 | 2003-08-14 | 삼성전자주식회사 | 화학기상증착용 튜브 |
KR100360401B1 (ko) * | 2000-03-17 | 2002-11-13 | 삼성전자 주식회사 | 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치 |
JP2001274107A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Nec Kyushu Ltd | 拡散炉 |
US6446572B1 (en) * | 2000-08-18 | 2002-09-10 | Tokyo Electron Limited | Embedded plasma source for plasma density improvement |
US6887337B2 (en) * | 2000-09-19 | 2005-05-03 | Xactix, Inc. | Apparatus for etching semiconductor samples and a source for providing a gas by sublimation thereto |
JP4770029B2 (ja) | 2001-01-22 | 2011-09-07 | 株式会社Ihi | プラズマcvd装置及び太陽電池の製造方法 |
JP3762650B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2006-04-05 | 日本高周波株式会社 | プラズマ処理装置用電源システム |
US20020153103A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-24 | Applied Process Technologies, Inc. | Plasma treatment apparatus |
US20030164143A1 (en) * | 2002-01-10 | 2003-09-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
KR100829327B1 (ko) * | 2002-04-05 | 2008-05-13 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반응 용기 |
JP4120546B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2008-07-16 | 株式会社Ihi | 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法及び装置並びに太陽電池 |
JP4020306B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2007-12-12 | 株式会社日立国際電気 | 基板処埋装置 |
TWI391035B (zh) * | 2002-12-16 | 2013-03-21 | Japan Science & Tech Agency | Plasma generation device, plasma control method and substrate manufacturing method (1) |
ATE451823T1 (de) * | 2003-01-31 | 2009-12-15 | Dow Corning Ireland Ltd | Plasmaerzeugungselektrodenbaugruppe |
WO2004079813A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置およびデバイスの製造方法 |
JP4354987B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2009-10-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
JP4396547B2 (ja) * | 2004-06-28 | 2010-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
JP4526540B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-08-18 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4951501B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2012-06-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
ATE543199T1 (de) * | 2005-05-23 | 2012-02-15 | New Power Plasma Co Ltd | Plasmakammer mit entladung induzierender brücke |
US7387968B2 (en) * | 2005-11-08 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Batch photoresist dry strip and ash system and process |
KR101047230B1 (ko) * | 2006-03-28 | 2011-07-06 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 |
JP4929811B2 (ja) * | 2006-04-05 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2007129568A1 (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置 |
JP5568212B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2014-08-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2010129666A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-02-28 JP JP2007505948A patent/JP4951501B2/ja active Active
- 2006-02-28 KR KR1020077019904A patent/KR100909750B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-28 US US11/885,483 patent/US8251012B2/en active Active
- 2006-02-28 WO PCT/JP2006/303731 patent/WO2006093136A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-08-20 JP JP2010185278A patent/JP2011018914A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09106899A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Anelva Corp | プラズマcvd装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法 |
WO2001019144A1 (fr) * | 1999-09-09 | 2001-03-15 | Anelva Corporation | Dispositif de traitement au plasma a electrode interieure et procede associe |
JP2002280378A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | バッチ式リモートプラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006093136A1 (ja) | 2006-09-08 |
JP2011018914A (ja) | 2011-01-27 |
JPWO2006093136A1 (ja) | 2008-08-07 |
US8251012B2 (en) | 2012-08-28 |
US20080286980A1 (en) | 2008-11-20 |
KR20070100828A (ko) | 2007-10-11 |
KR100909750B1 (ko) | 2009-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4951501B2 (ja) | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
JP5388963B2 (ja) | 基板処理方法、膜ストレス制御方法、基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 | |
JP5137903B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び電極 | |
JP5138718B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4828599B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006237532A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012114200A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4242733B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4938805B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4267434B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005243737A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4434807B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005167027A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4634155B2 (ja) | 基板処理装置及び成膜方法 | |
JP2005277264A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4495573B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
JP2006287153A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4936497B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2005251775A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006066555A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006066593A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005191169A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006261441A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006286765A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2005033058A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100210 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110616 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120228 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120312 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150316 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4951501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |