JP5099101B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
また、複数のプラズマ形成ボックスを有していることから、その分、ラジカルの生産量及び供給量を増大化でき、生産性(スループット)を向上させることができる。
請求項4の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、一側で互いに連結された一対の側面壁により断面V字状に形成されていると共に前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項5の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、断面曲線状に形成された側面壁により形成されていると共に前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項23の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に円弧形状になされた屈曲部を交互に逆向きに連ねて蛇行状態となった屈曲状態になされた電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項25の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に楕円弧形状になされた屈曲部を交互に逆向きに連ねて蛇行状態の屈曲状態になされた誘導結合型の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項27の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成されたプラズマ形成ボックスと、前記プラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共に楕円弧形状になされた屈曲部を交互に逆向きに連ねて蛇行状態の屈曲状態になされた誘導結合型の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項32の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共にサイクロイド曲線に沿った屈曲状態になされている電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項33の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成されたプラズマ形成ボックスと、前記プラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共にサイクロイド曲線に沿った屈曲状態になされている誘導結合型の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項34の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共にサイン曲線に沿った屈曲状態になされている誘導結合型の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項35の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共にサイン曲線に沿った屈曲状態になされている電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項37の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に曲線部と直線部とを交互に組み合わせて接合した状態になされた誘導結合型の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項38の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に曲線部と直線部とを交互に組み合わせて接合した状態になされた電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項39の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成されたプラズマ形成ボックスと、前記プラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共に曲線部と直線部とを交互に組み合わせて接合した状態になされた誘導結合型の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項42の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に直線部と直線部とを所定の角度でもって交互に接合した状態の屈曲状態になされている電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項43の発明は、真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成されたプラズマ形成ボックスと、前記プラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共に直線部と直線部とを所定の角度でもって交互に接合した状態の屈曲状態になされている誘導結合型の電極と、前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項44の発明は、請求項1乃至43のいずれか一項に記載の発明において、前記電極は、一端がマッチング回路を介して接地され、他端が前記整合回路を介して前記高周波電源に接続されている。
請求項46の発明は、請求項1乃至45のいずれか一項に記載の発明において、前記処理容器の外周には、前記被処理体を加熱するための加熱手段が設けられていることを特徴とする。
請求項1,3,5,22,25,31,34,37,41及びこれを引用する請求項の発明によれば、プラズマを発生させる活性化手段の一部としてプラズマ形成ボックスを区画するプラズマ区画壁の長手方向に沿って誘導結合型の電極を設けるようにしたので、プラズマ形成ボックスを区画するプラズマ区画壁の内壁面がエッチングされることを防止してパーティクルや金属汚染の発生を抑制することができると共に、電極面積を増大させてラジカルの発生量を増加させることができる。
また、複数のプラズマ形成ボックスを有していることから、その分、ラジカルの生産量及び供給量を増大化でき、生産性(スループット)を向上させることができる。
また、複数のプラズマ形成ボックスを有していることから、その分、ラジカルの生産量及び供給量を増大化でき、生産性(スループット)を向上させることができる。
<第1実施形態>
図1は本発明の係るプラズマ処理装置の第1実施形態の一例を示す縦断面構成図、図2はプラズマ処理装置(加熱手段は省略)を示す横断面構成図、図3は電極を含む処理容器を示す概略斜視図、図4はプラズマ処理装置の誘導結合型の電極の一部分を取り出して示す部分拡大図である。尚、ここではプラズマ処理の一例としてシラン系ガスとしてジクロロシラン(DCS)を用い、窒化ガスとしてアンモニアガス(NH3 )を用い、上記NH3 ガスをプラズマにより活性化してシリコン窒化膜(SiN)を成膜する場合を例にとって説明する。
次に、本発明の第2〜第6実施形態のプラズマ処理装置に用いる屈曲状態の電極について説明する。前述した第1実施形態では、屈曲状態の電極66は円弧形状になされている屈曲部74を有している場合を例にとって説明したが、これに限定されず、図6に示すような屈曲状態の電極66を用いてもよい。図6は本発明の第2〜第6実施形態のプラズマ処理装置に用いる屈曲状態の電極の示す部分拡大平面図である。
次に本発明のプラズマ処理装置の第7実施形態について説明する。図7は本発明のプラズマ処理装置の第7実施形態を示す概略斜視図であり、主要部分のみを記載している。先の第1〜第6実施形態では、電極66をプラズマ区画壁72の一部を形成する一対の側面壁72A、72Bの内のいずれか一方の側面壁の外面に設けた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、図7に示すように、電極66を背面壁73の外面に設けるようにしてもよい。
次に本発明のプラズマ処理装置の第8実施形態について説明する。図8は本発明のプラズマ処理装置の第7実施形態を示す概略断面図であり、主要部分のみを記載している。先の第1〜第7実施形態ではプラズマ区画壁72の形状を断面コ字状に形成したが、これに限定されず、背面壁73(図2参照)を設けないで、図8に示すように一対の側面壁72A、72Bの一側を連結(接続)して断面V字状に形成するようにしてもよい。
次に本発明のプラズマ処理装置の第9実施形態について説明する。図9は本発明のプラズマ処理装置の第9実施形態を示す概略図であり、主要部分のみを記載している。図9(A)は概略斜視図を示し、図9(B)は横断面図を示しており、先の各実施形態と同一構成部分については、同一参照符号を付して、その説明を省略している。先の第1〜第7実施形態では、プラズマ区画壁72の形状を断面コ字状に形成したが、これに限定されず、図9に示すように断面曲線状に形成し、この側面壁102の外面に沿って電極66を設けるようにしてもよい。
次に本発明のプラズマ処理装置の第10実施形態について説明する。図10は本発明のプラズマ処理装置の第10実施形態を示す概略図であり、主要部分のみを記載している。図10(A)は概略斜視図を示し、図10(B)は横断面図を示しており、先の各実施形態と同一構成部分については、同一参照符号を付して、その説明を省略している。
次に本発明のプラズマ処理装置の第11実施形態について説明する。図11は本発明のプラズマ処理装置の第11実施形態を示す概略斜視図であり、ここでは電極を取り出して併記してある。図12はプラズマ形成ボックスを示す部分拡大断面図である。先の各実施形態と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。
上記第11実施形態では、各プラズマ形成ボックス64、64−1を区画するプラズマ区画壁72、72−1の一方の側面壁に電極66、66−1を設けるようにしたが、これに限定されず、背面壁に電極を設けるようにしてもよい。図13は本発明のプラズマ処理装置の第12実施形態を示す概略斜視図である。先の各実施形態と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。
上記第11及び第12実施形態では、各プラズマ形成ボックス64、64−1を区画するプラズマ区画壁72、72−1の断面コ字状に成形された側面壁に電極66、66−1を設けるようにしたが、これに限定されず、断面曲線状に形成した側面壁に電極を設けるようにしてもよい。図14は本発明のプラズマ処理装置の第13実施形態を示す概略斜視図である。先の各実施形態と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。
上記第11〜第13実施形態では、プラズマ区画壁72、72−1を処理容器14から外側へ突出させて設けるようにして、この内部にプラズマ形成ボックス64、64−1を区画形成したが、これに限定されず、図15に示すように処理容器内にプラズマ形成ボックスを設けるようにしてもよい。図15は本発明のプラズマ処理装置の第14実施形態を示す概略断面図である。先の各実施形態と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。
次に本発明のプラズマ処理装置の第15実施形態について説明する。図16は本発明のプラズマ処理装置の第15実施形態を示す概略斜視図であり、主要部のみを記載している。図17は第15実施形態のプラズマ形成ボックスを示す部分拡大断面図、図18はプラズマ区画壁と電極との取り付け状態を示す概略側面図である。先の各実施形態と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略している。
14 処理容器
22 ウエハボート(保持手段)
38 第1のガス供給手段
40 第2のガス供給手段
42 第3のガス供給手段
60 活性化手段
64,64−1 プラズマ形成ボックス
66,66−1 誘導結合型の電極
68 高周波電源
72,72−1 プラズマ区画壁
72A,72A−1,72B,72B−1 側面壁
73 背面壁
74 屈曲部
78 整合回路
88 加熱手段
90 装置制御部
92 記憶媒体
100 直線部
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (46)
- 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
対向する一対の側面壁と該一対の側面壁の一端側を連結する背面壁とにより断面コ字状に形成されていると共に前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ区画壁の前記一対の側面壁のいずれか一方にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
対向する一対の側面壁と該一対の側面壁の一端側を連結する背面壁とにより断面コ字状に形成されていると共に前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、
前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁の前記一対の側面壁のいずれか一方にその長手方向に沿って設けられると共に前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
一側で互いに連結された一対の側面壁により断面V字状に形成されていると共に前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
一側で互いに連結された一対の側面壁により断面V字状に形成されていると共に前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、
前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
断面曲線状に形成された側面壁により形成されていると共に前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられた誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
断面曲線状に形成された側面壁により形成されていると共に前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、
前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記電極の全部又は一部は、前記プラズマ区画壁の外側壁面から離間させて設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、
前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共に前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記電極の全部又は一部は、前記処理容器の側壁部分の外側壁面から離間させて設けられていることを特徴とする請求項8記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極が前記外側壁面から離間される部分は、前記高周波電源からの高周波により前記プラズマ形成ボックス内に形成される電磁場の強度が大きくなる部分に対応することを特徴とする請求項7又は9記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極が前記外側壁面から離間される距離は、0.5〜20mmの範囲内であることを特徴とする請求項7、9及び10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、直線状態になされていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極は、屈曲状態になされていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極の屈曲状態は、屈曲部を交互に逆向きに連ねて蛇行状態になされていることを特徴とする請求項13記載のプラズマ処理装置。
- 前記屈曲部は、円弧形状になされていることを特徴とする請求項14記載のプラズマ処理装置。
- 前記屈曲部は、楕円弧形状になされていることを特徴とする請求項14記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極の屈曲状態は、サイクロイド曲線に沿っていることを特徴とする請求項13記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極の屈曲状態は、サイン曲線に沿っていることを特徴とする請求項13記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極の屈曲状態は、曲線部と直線部とを交互に組み合わせて接合した状態になされていることを特徴とする請求項13記載のプラズマ処理装置。
- 前記屈曲部は、円弧形状になされていることを特徴とする請求項19記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極の屈曲状態は、直線部と直接部とを所定の角度でもって交互に接合した状態になされていることを特徴とする請求項13記載のプラズマ処理装置。
- 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に円弧形状になされた屈曲部を交互に逆向きに連ねて蛇行状態となった屈曲状態になされた誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、
前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に円弧形状になされた屈曲部を交互に逆向きに連ねて蛇行状態となった屈曲状態になされた電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共に円弧形状になされた屈曲部を交互に逆向きに連ねて蛇行状態となった屈曲状態になされた誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に楕円弧形状になされた屈曲部を交互に逆向きに連ねて蛇行状態の屈曲状態になされた誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、
前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に楕円弧形状になされた屈曲部を交互に逆向きに連ねて蛇行状態の屈曲状態になされた電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共に楕円弧形状になされた屈曲部を交互に逆向きに連ねて蛇行状態の屈曲状態になされた誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記電極の全部又は一部は、前記処理容器の側壁部分の外側壁面から離間させて設けられていることを特徴とする請求項24又は27記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極が前記外側壁面から離間される部分は、前記高周波電源からの高周波により前記プラズマ形成ボックス内に形成される電磁場の強度が大きくなる部分に対応することを特徴とする請求項28記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極が前記外側壁面から離間される距離は、0.5〜20mmの範囲内であることを特徴とする請求項28乃至29記載のプラズマ処理装置。
- 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共にサイクロイド曲線に沿った屈曲状態になされている誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、
前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共にサイクロイド曲線に沿った屈曲状態になされている電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共にサイクロイド曲線に沿った屈曲状態になされている誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共にサイン曲線に沿った屈曲状態になされている誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、
前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共にサイン曲線に沿った屈曲状態になされている電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共にサイン曲線に沿った屈曲状態になされている誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に曲線部と直線部とを交互に組み合わせて接合した状態になされた誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、
前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に曲線部と直線部とを交互に組み合わせて接合した状態になされた電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共に曲線部と直線部とを交互に組み合わせて接合した状態になされた誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記屈曲部は、円弧形状になされていることを特徴とする請求項37乃至39のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に直線部と直線部とを所定の角度でもって交互に接合した状態の屈曲状態になされている誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の外側へ突出された状態で前記処理容器の長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁により区画形成された複数のプラズマ形成ボックスと、
前記複数のプラズマ形成ボックスに対応する前記各プラズマ区画壁にその長手方向に沿って設けられると共に直線部と直線部とを所定の角度でもって交互に接合した状態の屈曲状態になされている電極であって、前記複数のプラズマ形成ボックス間に亘って接続された誘導結合型の複数の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 真空引き可能になされた筒体状の処理容器と、
複数の被処理体を保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段と、
前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、
前記活性化手段は、
前記処理容器の内壁面に、その長手方向に沿って設けられたプラズマ区画壁によって区画形成されたプラズマ形成ボックスと、
前記プラズマ形成ボックスに対応する前記処理容器の側壁部分にその長手方向に沿って設けられると共に直線部と直線部とを所定の角度でもって交互に接合した状態の屈曲状態になされている誘導結合型の電極と、
前記電極に接続された高周波電源とよりなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記電極は、一端がマッチング回路を介して接地され、他端が前記整合回路を介して前記高周波電源に接続されていることを特徴とする請求項1乃至43のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記ガス供給手段は、前記ガスを供給するためのガスノズルを有し、前記プラズマ形成ボックス内には前記ガスノズルが設けられていることを特徴とする請求項1乃至44のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の外周には、前記被処理体を加熱するための加熱手段が設けられていることを特徴とする請求項1乃至45のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
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JP3426382B2 (ja) * | 1995-01-24 | 2003-07-14 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5763851A (en) * | 1995-11-27 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Slotted RF coil shield for plasma deposition system |
US6087778A (en) * | 1996-06-28 | 2000-07-11 | Lam Research Corporation | Scalable helicon wave plasma processing device with a non-cylindrical source chamber having a serpentine antenna |
US6056848A (en) * | 1996-09-11 | 2000-05-02 | Ctp, Inc. | Thin film electrostatic shield for inductive plasma processing |
TW406523B (en) * | 1998-02-11 | 2000-09-21 | Tsai Chuen Hung | Inductively-coupled high density plasma producing apparatus and plasma processing equipment provided with the same |
JPH11317299A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-11-16 | Toshiba Corp | 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置 |
US6474258B2 (en) * | 1999-03-26 | 2002-11-05 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma |
WO2001072094A1 (en) * | 2000-03-20 | 2001-09-27 | Tokyo Electron Limited | High speed photoresist stripping chamber |
JP3979849B2 (ja) * | 2001-01-11 | 2007-09-19 | 株式会社日立国際電気 | プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 |
DE60111272T2 (de) | 2001-03-14 | 2006-05-18 | Mitsubishi Denki K.K. | Fahrzeug-reiseleiteinrichtung und verfahren zum leiten eines fahrzeugs |
JP4403824B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2010-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の成膜方法 |
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EP1630248B1 (en) * | 2003-06-03 | 2012-05-02 | Shincron Co., Ltd. | Thin film forming method |
KR100561848B1 (ko) * | 2003-11-04 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 헬리컬 공진기형 플라즈마 처리 장치 |
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