JP2014007432A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 基板をエッチングする方法であって、
   プラズマチャンバの中へ供給ガスを導入する段階と、
   前記プラズマチャンバの中に基板を設置する段階と、
   前記供給ガスからプラズマを発生する段階と、
   基板表面を反応剤で充満させて生成層を形成する段階と、
   前記生成層を除去する段階と、
   を有し、
   前記供給ガスが不活性ガスと反応ガスの混合物からなり、前記プラズマが反応剤とイオンを含んでおり、前記生成層が反応種のモノレイヤと基板の第１のモノレイヤ原子からなり、前記生成層の除去が生成層を前記イオンに曝すことによって行われる、方法。
2. 前記発生する段階と充満させる段階が、第１の期間に行われ、前記除去する段階が第２の期間に行われる請求項１に記載の方法。
3. 前記第１の期間の第１の部分のときに、プラズマ源に第１のRF電力レベルが印加される請求項２に記載の方法。
4. 前記第１の期間の第２の部分のときは、プラズマ源が停止される請求項３に記載の方法。
5. 前記第２の期間のときに、プラズマ源にRF電力パルスが印加され、当該RF電力パルスが第１のRF電力レベルよりも大きな第２のRF電力レベルを有する請求項３に記載の方法。
6. 前記第２の期間のときに電極にバイアスパルスが印加され、第２の期間のときにRF電力パルスとバイアスパルスが交互に連続して印加され、バイアスパルスの少なくとも一つがRFパルスの少なくとも一つから約10msだけ除去される請求項５に記載の方法。
7. 前記第２の期間のときに電極に正のバイアスパルスが印加され、電極が正のバイアスパルスをプラズマへ供給する請求項６に記載の方法。
8. 前記電極に第２の期間のときに負のバイアスパルスが印加され、電極が基板へ電気的に連結されていて負のバイアスパルスを基板へ供給する請求項６に記載の方法。
9. 前記生成層を除去する段階が、プラズマと基板との間の電位差を大きくしてプラズマから基板の方へイオンを導くことによって行われる請求項１に記載の方法。
10. 前記電位差を大きくする段階が、プラズマへ正の電圧を印加する段階と基板へ負の電圧を印加する段階の少なくとも一方によって行われる請求項９に記載の方法。
11. 前記供給ガスがチャンバの中へ連続的に導入される請求項１に記載の方法。
12. 基板を処理する方法であって、
    第１の物質によって充満された基板表面の方へ、プラズマのアフターグローからイオンを導く段階を有する方法。
13. 前記第１の物質と基板原子のモノレイヤをイオンを用いて除去する段階をさらに有する請求項１２に記載の方法。
14. 前記第１の物質が反応種からなる請求項１３に記載の方法。
15. 前記プラズマへパルス化されたRF電力を供給する段階をさらに有し、前記イオンを導く段階がRFパルスの間に実施される請求項１２に記載の方法。
16. 前記イオンを導く段階が基板近くの電極へバイアスパルスを供給することによって実施され、当該電極へ印加されるバイアスパルスとプラズマへ印加されるRF電力パルスが交互に連続して行われる請求項１２に記載の方法。