JP2014045063A5 - - Google Patents
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Description
プラズマ処理方法は、１つの実施形態において、窒素含有ガスは、Ｎ２ガス及びＮＦ３ガスの少なくともいずれか一つであり、第２のフッ素含有ガスは、ＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＣＨＦ３ガスの少なくともいずれか一つである。
ガス供給部７２ｃは、エッチング処理の後の付着物除去処理用のガスとして、窒素含有ガスをプラズマ処理空間Ｓに供給する。窒素含有ガスは、例えばＮ２ガス及びＮＦ３ガスの少なくともいずれか一つである。また、ガス供給部７２ｄは、エッチング処理の後の付着物除去処理用のガスとして、第２のフッ素含有ガスをプラズマ処理空間Ｓに供給する。第２のフッ素含有ガスは、例えばＣＦ４ガス、Ｃ４Ｆ８ガス及びＣＨＦ３ガスの少なくともいずれか一つである。これらガス供給部７２ｃ及びガス供給部７２ｄは、窒素含有ガス及び第２のフッ素含有ガスをプラズマ処理空間Ｓに供給する第３のガス供給部の一例である。
また、ガス供給部７２ｄは、エッチング処理の後の付着物除去処理用のガスとして、第３のフッ素含有ガスをプラズマ処理空間Ｓに供給することもできる。第３のフッ素含有ガスは、ＣとＨとＦとを含むガスであり、例えばＣＨＦ３ガスである。
第２実施例のプラズマ処理によれば、エッチング工程を行うことによりウェハＷをエッチングし、その後チタン含有物除去工程を行うことにより電極板５１に付着したチタン含有物をＴｉ（ＮＦ３）等の錯体ガスとして除去してカーボン含有物を露出させ、その後カーボン含有物除去工程を行うことによりカーボン含有物を除去することができる。このため、エッチング時にウェハＷから生じたチタン含有物等の付着物が電極板５１に付着した場合でも、付着物のうちチタン含有物を効率良く除去することができるので、プラズマ処理空間内のプラズマ密度の変動を抑えることが可能となる。その結果、ウェハＷのエッチング特性の経時変動を抑制することができる。
続いて、第３実施例のプラズマ処理では、第１のチタン含有物除去工程を実行する（ステップＳ３０３）。具体的には、制御部１５０は、流量調整機構７４ｃ及び流量調整機構７４ｄをそれぞれ制御して、窒素含有ガス及び第２のフッ素含有ガスをプラズマ処理空間Ｓへ供給する。そして、制御部１５０は、第１の高周波電源３０及び第２の高周波電源４０を制御して、窒素含有ガス及び第２のフッ素含有ガスをプラズマ化させ、プラズマ処理空間Ｓに表面を対向させて配置された電極板５１に対して付着したチタン含有物を窒素含有ガス及び第２のフッ素含有ガスのプラズマを用いて除去する。
続いて、第３実施例のプラズマ処理では、第２のチタン含有物除去工程を実行する（ステップＳ３０５）。具体的には、制御部１５０は、流量調整機構７４ｃ及び流量調整機構７４ｄをそれぞれ制御して、窒素含有ガス及び第２のフッ素含有ガスをプラズマ処理空間Ｓへ供給する。そして、制御部１５０は、第１の高周波電源３０及び第２の高周波電源４０を制御して、窒素含有ガス及び第２のフッ素含有ガスをプラズマ化させ、プラズマ処理空間Ｓに表面を対向させて配置された電極板５１に対して付着したチタン含有物を窒素含有ガス及び第２のフッ素含有ガスのプラズマを用いて除去する。
続いて、第４実施例のプラズマ処理では、カーボン含有物除去工程を実行する（ステップＳ４０２）。具体的には、制御部１５０は、流量調整機構７４ｂを制御して、Ｏ２ガスをプラズマ処理空間Ｓへ供給する。そして、制御部１５０は、第１の高周波電源３０及び第２の高周波電源４０を制御して、Ｏ２ガスをプラズマ化させ、プラズマ処理空間Ｓに表面を対向させて配置された電極板５１に対して付着したカーボン含有物をＯ２ガスのプラズマを用いて除去する。
続いて、第４実施例のプラズマ処理では、チタン含有物除去工程を実行する（ステップＳ４０４）。具体的には、制御部１５０は、流量調整機構７４ｃ及び流量調整機構７４ｄをそれぞれ制御して、窒素含有ガス及び第２のフッ素含有ガスをプラズマ処理空間Ｓへ供給する。そして、制御部１５０は、第１の高周波電源３０及び第２の高周波電源４０を制御して、窒素含有ガス及び第２のフッ素含有ガスをプラズマ化させ、プラズマ処理空間Ｓに表面を対向させて配置された電極板５１に対して付着したチタン含有物を窒素含有ガス及び第２のフッ素含有ガスのプラズマを用いて除去する。
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