JP2012204668A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012204668A5 JP2012204668A5 JP2011068694A JP2011068694A JP2012204668A5 JP 2012204668 A5 JP2012204668 A5 JP 2012204668A5 JP 2011068694 A JP2011068694 A JP 2011068694A JP 2011068694 A JP2011068694 A JP 2011068694A JP 2012204668 A5 JP2012204668 A5 JP 2012204668A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- etching
- forming
- protective film
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
上記課題を解決するため、本発明は、プラズマエッチング装置を用いるプラズマエッチング方法であって、処理容器内に、その表面がシリコン含有物からなる上部電極と、被処理基板が載置される下部電極とが配置され、前記上部電極と前記下部電極との間にプラズマを形成して、無機膜をマスクとして被処理基板に形成された有機膜を途中までエッチングする工程と、前記エッチング工程の後、プラズマを形成しつつ前記上部電極に負の直流電圧を印加して、前記エッチング工程によるエッチング部位の側壁に前記上部電極の前記シリコン含有物を含む保護膜を形成する工程と、前記保護膜を形成する工程の後に、前記プラズマを用いたエッチングを継続して前記有機膜を所定の深さでエッチングする工程とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
本発明において、前記エッチング工程と前記エッチングを継続する工程は、プラズマ生成ガスとしてＯ２ガスを含有するガスを用いて行うことができる。また、前記保護膜を形成する工程と、前記エッチングを継続する工程とを複数回繰り返すこともできる。さらに、エッチングの形状不良が生じる深さ位置を予め把握する工程をさらに有し、その位置に対応するタイミングで前記保護膜を形成する工程を行うことができる。
前記保護膜を形成する工程の後に、フッ素含有ガスを含むプラズマによる処理を行う工程をさらに有してもよい。
また、本発明は、コンピュータ上で動作し、プラズマエッチング装置を制御するためのプログラムが記憶された非一時的コンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記プラズマエッチング方法が行われるように、コンピュータに前記プラズマエッチング装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。
Claims (8)
- プラズマエッチング装置を用いるプラズマエッチング方法であって、
処理容器内に、その表面がシリコン含有物からなる上部電極と、被処理基板が載置される下部電極とが配置され、前記上部電極と前記下部電極との間にプラズマを形成して、無機膜をマスクとして被処理基板に形成された有機膜を途中までエッチングする工程と、
前記エッチング工程の後、プラズマを形成しつつ前記上部電極に負の直流電圧を印加して、前記エッチング工程によるエッチング部位の側壁に前記上部電極の前記シリコン含有物を含む保護膜を形成する工程と、
前記保護膜を形成する工程の後に、前記プラズマを用いたエッチングを継続して前記有機膜を所定の深さでエッチングする工程と
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記エッチング工程と前記エッチングを継続する工程は、プラズマ生成ガスとしてＯ２ガスを含有するガスを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記保護膜を形成する工程と、前記エッチングを継続する工程とを複数回繰り返すことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマエッチング方法。
- エッチングの形状不良が生じる深さ位置を予め把握する工程をさらに有し、その位置に対応するタイミングで前記保護膜を形成する工程を行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記保護膜を形成する工程は、Ｈ２ガスを含有するガスのプラズマを用いて行うことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記保護膜を形成する工程に用いるプラズマは、さらにフッ素含有ガスを含むことを特徴とする請求項５に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記保護膜を形成する工程の後に、フッ素含有ガスを含むプラズマによる処理を行う工程をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
- コンピュータ上で動作し、プラズマエッチング装置を制御するためのプログラムが記憶された非一時的コンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１から請求項７のいずれかのプラズマエッチング方法が行われるように、コンピュータに前記プラズマエッチング装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011068694A JP5642001B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | プラズマエッチング方法 |
| KR1020120029140A KR101916459B1 (ko) | 2011-03-25 | 2012-03-22 | 플라즈마 에칭 방법 및 기억 매체 |
| US13/428,223 US8518830B2 (en) | 2011-03-25 | 2012-03-23 | Plasma etching method and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011068694A JP5642001B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | プラズマエッチング方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012204668A JP2012204668A (ja) | 2012-10-22 |
| JP2012204668A5 true JP2012204668A5 (ja) | 2014-05-08 |
| JP5642001B2 JP5642001B2 (ja) | 2014-12-17 |
Family
ID=46877698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011068694A Active JP5642001B2 (ja) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | プラズマエッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8518830B2 (ja) |
| JP (1) | JP5642001B2 (ja) |
| KR (1) | KR101916459B1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6035117B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2016-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| JP2014225501A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| JP6185305B2 (ja) | 2013-06-28 | 2017-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
| JP6207947B2 (ja) * | 2013-09-24 | 2017-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体をプラズマ処理する方法 |
| JP6643876B2 (ja) * | 2015-11-26 | 2020-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP6643875B2 (ja) | 2015-11-26 | 2020-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP6637838B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2020-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
| JP2018200925A (ja) * | 2017-05-25 | 2018-12-20 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
| JP6415636B2 (ja) * | 2017-05-25 | 2018-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| JP7399863B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2023-12-18 | ラム リサーチ コーポレーション | アモルファスカーボン層の開孔プロセス |
| JP7022651B2 (ja) | 2018-05-28 | 2022-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2020009840A (ja) * | 2018-07-04 | 2020-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及び基板処理装置 |
| JP2020088174A (ja) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及び基板処理装置 |
| JP7339032B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP7336365B2 (ja) | 2019-11-19 | 2023-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置 |
| US11443954B2 (en) | 2019-12-10 | 2022-09-13 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for controlling a shape of a pattern over a substrate |
| JP2021118347A (ja) | 2020-01-29 | 2021-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
| JP2021192414A (ja) | 2020-06-05 | 2021-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2023082809A (ja) * | 2021-12-03 | 2023-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| WO2024019123A1 (ja) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | 住友精化株式会社 | 炭素原子含有膜のドライエッチング方法 |
| WO2024019122A1 (ja) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | 住友精化株式会社 | 炭素原子含有膜のドライエッチング方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030003694A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-02 | Apostolos Voutsas | Method for forming silicon films with trace impurities |
| WO2004003988A1 (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-08 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理方法 |
| JP2004214465A (ja) | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006351862A (ja) | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7883632B2 (en) * | 2006-03-22 | 2011-02-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
| JP5067068B2 (ja) * | 2007-08-17 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び記憶媒体 |
| JP5213496B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| US8383001B2 (en) * | 2009-02-20 | 2013-02-26 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium |
-
2011
- 2011-03-25 JP JP2011068694A patent/JP5642001B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-22 KR KR1020120029140A patent/KR101916459B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-23 US US13/428,223 patent/US8518830B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012204668A5 (ja) | ||
| JP2014007432A5 (ja) | ||
| JP2015073092A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| WO2016138218A8 (en) | Methods and apparatus for using alkyl amines for the selective removal of metal nitride | |
| WO2012125317A3 (en) | Methods and apparatus for conformal doping | |
| JP2016076453A5 (ja) | ||
| JP2015065426A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013511151A5 (ja) | ||
| TW201614883A (en) | Method for treating workpieces | |
| JP2013149968A5 (ja) | ||
| JP2011168881A5 (ja) | ||
| JP2014045063A5 (ja) | ||
| JP2017228580A5 (ja) | ||
| JP2011176095A5 (ja) | ||
| JP2016066792A5 (ja) | ||
| JP2013510442A5 (ja) | ||
| EP2863258A3 (en) | Photomask blank and method for manufacturing photomask blank | |
| JP2015109419A5 (ja) | ||
| JP2012054540A5 (ja) | Ｓｏｉ基板の作製方法 | |
| JP2017045869A5 (ja) | ||
| EP2863259A3 (en) | Method for manufacturing photomask blank | |
| JP2015220277A5 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP2016117155A5 (ja) | ||
| JP2014053644A5 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2015220369A5 (ja) |