JP2021192414A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】エッチング不良を抑制する基板処理方法を提供すること。【解決手段】被エッチング膜と前記被エッチング膜を覆うマスク膜とを有する基板をエッチングする基板処理方法であって、前記マスク膜は、前記被エッチング膜の一部を露出する開口を有し、Ａ）前記開口を通じて前記被エッチング膜に電子受容体を含む第１ガスを供給する工程と、Ｂ）前記被エッチング膜に酸素を含む第２ガスのプラズマを供給する工程と、Ｃ）前記被エッチング膜をプラズマエッチングする工程と、を含む、基板処理方法。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
特許文献１には、機能性有機質マスク層の開口で、ＣＯＳを含む開口ガスのプラズマを発生させることが示されている。また、特許文献２には、無機膜を用いて被処理基板の有機膜をエッチングする際に、エッチングの途中で上部電極に負の直流電圧を印加して上部電極のシリコン含有物からなる保護膜をエッチング部位の側壁に形成することが示されている。
特開２０１０−１０９３７３号公報 特許第５６４２００１号公報
本開示は、エッチング不良を抑制する基板処理方法を提供する。
本開示の一態様による基板処理方法は、被エッチング膜と前記被エッチング膜を覆うマスク膜とを有する基板をエッチングする基板処理方法であって、前記マスク膜は、前記被エッチング膜の一部を露出する開口を有し、Ａ）前記開口を通じて前記被エッチング膜に電子受容体を含む第１ガスを供給する工程と、Ｂ）前記被エッチング膜に酸素を含む第２ガスのプラズマを供給する工程と、Ｃ）前記被エッチング膜をプラズマエッチングする工程と、を含む。
本開示の一態様によれば、エッチング不良を抑制する基板処理方法および基板処理装置を提供することができる。
第１実施形態に係る基板処理方法のフローチャート。 エッチングされる前の基板の模式図。 図２で表面に凹部が形成された基板の模式図。 図３で電子受容体を含む第１ガスが供給された基板の模式図。 図４で酸素を含む第２ガスのプラズマが供給され、エッチングされた基板の模式図。 図５でさらに第１ガスが供給された基板の模式図。 図６でさらに第２ガスのプラズマが供給され、さらにエッチングされた基板の模式図。 図７でさらにエッチングされ、スルーホールが形成された基板の模式図。 電子受容体の酸化物が３次元的にネットワーク化した状態を示す図。 第１実施形態に係る基板処理方法の変形例を示すフローチャート。 第２実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。 図３で第１ガスと第２ガスのプラズマが同時に供給された基板の模式図。 図１２でエッチングされた基板の模式図。 図１３でさらに第１ガスと第２ガスのプラズマが同時に供給された基板の模式図。 図１４でさらにエッチングされた基板に模式図。 実施形態に係る基板処理装置の一例を示す模式図。 実施例１の基板の断面を撮像したＳＥＭ画像。 図１７で基板の開口を撮像したＳＥＭ画像。 実施例２の基板の断面を撮像したＳＥＭ画像。 図１９で基板の開口を撮像したＳＥＭ画像。 参考例１の基板の断面を撮像したＳＥＭ画像。 図２１で基板の開口を撮像したＳＥＭ画像。 比較例１の基板の断面を撮像したＳＥＭ画像。 図２３で基板の開口を撮像したＳＥＭ画像。
以下、本開示の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、各図において共通する部分については、同一のまたは対応する符号を付して説明を省略する場合がある。
＜基板処理方法＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理方法のフローチャートである。図２〜図８は、第１実施形態に係る基板処理方法で基板が処理される工程を示す。
第１実施形態の基板処理方法は、被エッチング膜と前記被エッチング膜を覆うマスク膜とを有する基板をエッチングする基板処理方法であって、前記マスク膜は、前記被エッチング膜の一部を露出する開口を有し、Ａ）前記開口を通じて前記被エッチング膜に電子受容体を含む第１ガスを供給する工程と、Ｂ）前記被エッチング膜に酸素を含む第２ガスのプラズマを供給する工程と、Ｃ）前記被エッチング膜をプラズマエッチングする工程と、を含む。
本開示では、図１に示すように、ステップＳ１１〜Ｓ１５が実行され、被エッチング膜と被エッチング膜を覆うマスク膜とを有する基板がエッチングされる。本明細書において、エッチングは、反応性の気体（ガス）やイオン、ラジカルを用いるドライエッチングを示す。
ステップＳ１１では、被エッチング膜とマスク膜を有する基板を提供する（図１参照）。本明細書において、基板は、ベースとなる半導体ウエハ（以下、ウエハという）上に各種材料の膜が積層された回路基板を示す。本開示では、図２に示すように、ウエハ１１０、下層膜１２０、被エッチング膜１３０、及びマスク膜１４０がこの順で積層された回路基板１００が示されている。なお、回路基板１００は、本開示の基板処理方法における基板の一例である。
回路基板１００において、ウエハ１１０は、シリコン（Ｓｉ）で構成されている。下層膜１２０は、窒化シリコン（ＳｉＮ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）が交互に積層された構造を有する無機絶縁膜である。また、被エッチング膜１３０は、アモルファスカーボン膜（ＡＣＬ）等の有機膜で構成され、本開示でエッチングの対象となる。マスク膜１４０は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等で構成され、被エッチング膜１３０の上面に積層され、被エッチング膜１３０を保護する機能を有する。
また、マスク膜１４０には、被エッチング膜１３０の一部を露出する開口１４１が形成されている。マスク膜１４０の開口１４１に露出する被エッチング膜１３０の一部は、被エッチング膜がエッチングされる導入部分となる。
なお、被エッチング膜１３０は、アモルファスカーボン膜（ＡＣＬ）に限定されない。例えば、スピンコート膜、ドープドカーボン膜、ＢＡＲＣ、有機低誘電率（有機Ｌｏｗ−Ｋ）膜などの有機材料であってもよい。また、被エッチング膜１３０の下層に位置する下層膜１２０は、窒化シリコン（ＳｉＮ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）が交互に積層された構造を有する無機絶縁膜に限定されない。例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、低誘電率（Ｌｏｗ−Ｋ）膜、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）等のうちいずれか１つ、もしくは、いずれか２つ以上の組み合わせでもよい。また、下層膜１２０は、被エッチング膜１３０と異なる有機膜であってもよい。なお、本開示で被エッチング膜１３０がエッチングされ、後述の図８に示すようなスルーホールＨが形成されると、スルーホールＨが形成された被エッチング膜１３０をマスク膜として、下層膜１２０がエッチングされる。
なお、本開示では、図３に示すように、開口１４１に露出する被エッチング膜１３０の一部に、予め凹部１５０が形成されていてもよい。この場合、凹部１５０内には、底面１５１と側面１５２が形成されている。被エッチング膜１３０に形成された凹部１５０は、後述のように本実施形態によるエッチングで形成されたものでもよく、別のエッチングを行うこと等により形成されたものでもよい。
ステップＳ１２では、マスク膜１４０の開口１４１を通じて被エッチング膜１３０に電子受容体Ｐ１を含む第１ガスを供給する（図１、図３、図４参照）。ここで、開口１４１を通じて被エッチング膜１３０にガスを供給するとは、マスク膜１４０の開口１４１に露出する被エッチング膜１３０の一部（本実施形態では凹部１５０内）にガスが供給されることを示す。
また、電子受容体とは、電子移動を伴う場合に、電子を他から自身へ受け取る化合物を示す。本実施形態において、電子受容体は、特に限定されず、例えば、ルイス酸化合物を用いることができる。ここで、ルイス酸化合物は、電子対を受容する性質を持つ化合物を示す。
また、電子受容体としてルイス酸化合物を用いる場合は、ルイス酸化合物の中でも、ホウ素含有化合物がより好ましい。ここで、ホウ素含有化合物は、ホウ素を含む化合物を示す。ホウ素含有化合物は、例えば、ＢｎＸｍの化学式で示される化合物である。なお、この化学式中で、Ｂはホウ素であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等のハロゲン、Ｈ、Ａｓ等から選ばれる元素であり、ｎ、ｍは正の整数である。なお、ホウ素含有化合物は、これらの中でも、ハロゲン化ホウ素が好ましく、三塩化ホウ素がさらに好ましい。
ステップＳ１２において、マスク膜１４０の開口１４１を通じて被エッチング膜１３０に電子受容体Ｐ１を含む第１ガスが供給されると、電子受容体Ｐ１が後述する保護膜を形成するためのプリカーサとして被エッチング膜１３０の一部（凹部１５０内）に吸着する。電子受容体Ｐ１は、開口１４１の周辺を含むマスク膜１４０にも付着する。
なお、ステップＳ１２で電子受容体Ｐ１を含む第１ガスを供給する場合は、プラズマを生成しないことが好ましい。本明細書において、プラズマは、分子が正の電荷をもつ粒子（イオン）と負の電荷をもつ電子とに電離した状態を示す。
本開示では、予め開口１４１を通じて被エッチング膜１３０に凹部１５０が形成されているため、電子受容体Ｐ１が被エッチング膜１３０の凹部１５０内（底面１５１および側面１５２）に供給される。被エッチング膜１３０の凹部１５０内に供給された電子受容体Ｐ１（図４に白抜きの〇で示した部分参照）は、凹部１５０の底面１５１及び側面１５２のいずれにも吸着する。
ステップＳ１３では、マスク膜１４０の開口１４１を通じて被エッチング膜１３０に酸素を含む第２ガスのプラズマＰ２を供給する（図１、図５）。本開示では、第２ガスのプラズマＰ２は、酸素のプラズマであり、１つの酸素分子から解離して２つの酸素ラジカルとなった状態になっている。なお、プラズマを供給するとは、回路基板１００の被エッチング膜１３０をプラズマに接触させることを示す。
ステップＳ１３において、第１ガスが供給された後の被エッチング膜１３０に酸素を含む第２ガスのプラズマＰ２を供給することで、被エッチング膜１３０に吸着した電子受容体Ｐ１のうち、一部の電子受容体Ｐ１が第２ガスのプラズマＰ２中の酸素ラジカルと反応して酸化物ＰＦとなり、その他の電子受容体Ｐ１はスパッタＳ１として除去される。
本開示では、予め開口１４１を通じて被エッチング膜１３０に凹部１５０が形成されており、第２ガスのプラズマＰ２（図５の△で示した部分）が被エッチング膜１３０の凹部１５０内に供給される。そうすると、凹部１５０の底面１５１に吸着した電子受容体Ｐ１およびマスク膜１４０に吸着した電子受容体Ｐ１（図５に破線の〇で示した部分）はスパッタＳ１として除去される。また、凹部１５０の側面１５２に吸着した電子受容体Ｐ１（図５に白抜きの〇で示した部分）は、第２ガスのプラズマＰ２と反応して、凹部１５０の側面１５２に電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦ（図５にハッチングの〇で示した部分）を形成する（図５参照）。
なお、電子受容体Ｐ１がホウ素含有化合物の場合、電子受容体Ｐ１（ホウ素含有化合物）と第２ガスのプラズマＰ２中の酸素ラジカルとの反応は、例えば、下記の反応式（１）で示すことができる。なお、反応式（１）において、Ｂはホウ素、Ｘは塩素等のハロゲン、ｎは整数である。
Figure 2021192414
反応式（１）に示す反応により、電子受容体Ｐ１の酸化物として三塩化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）が生成し、生成された電子受容体Ｐ１の酸化物は、３次元的にネットワーク化した構造を有することが考えられる（図９参照）。
ステップＳ１４では、マスク膜１４０の開口１４１を通じて被エッチング膜１３０をプラズマエッチングする（図１、図５）。ここで、プラズマエッチングは、第２ガスのプラズマＰ２によるエッチングと兼用してもよく、また第２ガスのプラズマとは別個に反応性ガスのイオンやラジカルを生じさせてエッチングを行ってもよい。
本開示では、前記Ｂ）と前記Ｃ）を同時に行う。具体的には、被エッチング膜１３０に酸素を含む第２ガスのプラズマＰ２を供給する工程が、被エッチング膜１３０をプラズマエッチングする工程を兼ねている。すなわち、被エッチング膜１３０に酸素を含む第２ガスのプラズマＰ２を供給することで、マスク膜１４０の開口１４１を通じて被エッチング膜１３０のプラズマエッチングを行っている（図５）。
ステップＳ１４において、被エッチング膜１３０をプラズマエッチングすることにより、被エッチング膜１３０に形成された電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦは、被エッチング膜１３０の酸化物ＰＦが形成された部分を、プラズマから保護することができる。また、電子受容体Ｐ１が除去された被エッチング膜１３０の部分（凹部１５０の底面１５１）は、プラズマに晒される。このようにして、回路基板１００の被エッチング膜１３０では、電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが形成された部分（凹部１５０の側面１５２）はエッチングされず、酸化物ＰＦが形成されない部分（凹部１５０の底面１５１）だけがエッチングされ、凹部１５０Ａ（底面１５１Ａ、側面１５２Ａ）が新たに形成される。
本開示の基板処理方法において、前記Ａ）、前記Ｂ）、及び前記Ｃ）を繰り返してもよい。本開示では、ステップＳ１４でプラズマエッチングを行った後に、ステップＳ１５でステップＳ１２〜Ｓ１４を繰り返すと判定された場合は、再度ステップＳ１２〜Ｓ１４を実行して、上記Ａ）、Ｂ）、及びＣ）の工程を繰り返す。
このようにステップＳ１２〜Ｓ１４を繰り返すことでエッチングが進み、マスク膜１４０の開口１４１を通じて被エッチング膜１３０に形成された凹部１５０Ａが形成され、第１ガスの電子受容体Ｐ１は、さらに凹部１５０Ａの底面１５１Ａ及び側面１５２Ａにも吸着する（図６）。凹部１５０Ａの底面１５１Ａおよびマスク膜１４０に吸着した電子受容体Ｐ１（図７に破線の〇で示した部分）は、続いて供給される第２ガスのプラズマＰ２（図７の△で示した部分）により、スパッタＳ１として除去され、凹部１５０Ｂの側面１５２Ａに吸着した電子受容体Ｐ１は、側面１５２Ａに吸着したまま、第２ガスのプラズマＰ２と反応して、凹部１５０の側面１５２Ａにも電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦ（図７にハッチングの〇で示した部分）が形成される（図７）。
このようにステップＳ１２〜Ｓ１４を繰り返すことで、被エッチング膜１３０には、さらに凹部１５０Ｂ、１５０Ｃが形成され、凹部１５０Ｂの側面１５２Ｂ、および凹部１５０Ｃの側面１５２Ｃにも、電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが形成され、凹部１５０Ｂの底面１５１Ｂ、凹部１５０Ｃの底面１５１Ｃがエッチングされる（図７、図８）。ステップＳ１２〜Ｓ１４を繰り返すことで、凹部１５０ＣのようなスルーホールＨが形成される（図８）。
本開示の基板処理方法では、上述のように、被エッチング膜１３０に形成された凹部１５０内で、電子受容体Ｐ１の酸化物（保護膜）ＰＦにより凹部１５０（凹部１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ）の側面１５２（１５２Ａ、１５２Ｂ、１５２Ｃ）が保護された状態で、底面１５１（底面１５１Ａ、１５１Ｂ、１５１Ｃ）がエッチングされる。そのため、本開示の基板処理方法によれば、ボーイング等のエッチング不良を抑制することができる（図５〜図８参照）。
また、第１ガスの電子受容体Ｐ１は、開口１４１周辺を含むマスク膜１４０にも吸着するが、マスク膜１４０に吸着した電子受容体Ｐ１は、第２ガスのプラズマにより、スパッタＳ１として除去されるため、マスク膜１４０上に電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦは形成されにくい。そのため、本開示の基板処理方法によれば、マスク膜１４０の開口１４１の周辺に電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが堆積しにくく、マスク膜１４０の開口１４１が閉塞するのを防ぐことができる（図５〜図８参照）。
また、本開示の基板処理方法では、上述のように、第１ガスに含まれる電子受容体Ｐ１としてルイス酸化合物を用いることで、ルイス酸化合物が保護膜形成のプリカーサとして被エッチング膜１３０に吸着しやすくなる。また、被エッチング膜１３０に吸着したルイス酸化合物は、第２ガスのプラズマ中の酸素ラジカルと反応して酸化物ＰＦとなり、被エッチング膜１３０の酸化物ＰＦが形成された部分のプラズマからの保護を強化することができる（図４〜図８参照）。
本開示の基板処理方法において、上述のように、第１ガスに含まれる電子受容体としてホウ素含有化合物を用いることで、ホウ素含有化合物が保護膜形成のプリカーサとして被エッチング膜１３０にさらに吸着しやすくなる。また、被エッチング膜１３０に吸着したルイス酸化合物は、さらに第２ガスのプラズマ中の酸素ラジカルと反応して酸化物ＰＦとなりやすい。そのため、被エッチング膜１３０の酸化物ＰＦが形成された部分のプラズマからの保護をさらに強化することができる（図４〜図８参照）。
本開示では、上述のように、予め開口１４１を通じて被エッチング膜１３０に凹部１５０が形成されているため、第２ガスのプラズマを含むエッチング用のプラズマが供給されると、被エッチング膜１３０に形成された凹部１５０内では、電子受容体Ｐ１の酸化物（保護膜）ＰＦにより凹部１５０の側面が保護された状態で、凹部１５０の底面１５１がエッチングされる。そのため、本開示の基板処理方法によれば、ボーイング等のエッチング不良を高い精度で抑制することができる（図３〜図８参照）。
また、第１ガスの電子受容体Ｐ１は、被エッチング膜１３０に形成された凹部１５０に供給されるとともに、マスク膜１４０にも供給され、被エッチング膜１３０の開口１４１周辺を含むマスク膜１４０にも吸着する。しかしながら、マスク膜１４０に吸着した電子受容体Ｐ１は、第２ガスのプラズマＰ２により、スパッタＳ１として除去されるので、マスク膜１４０上に電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦは形成されにくい。そのため、本開示の基板処理方法によれば、マスク膜１４０の開口１４１の周辺に電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが堆積しにくく、マスク膜１４０の開口１４１が閉塞するのを防ぐことができる（図３〜図８参照）。
本開示の基板処理方法では、上述のように、被エッチング膜１３０に電子受容体Ｐ１を含む第１ガスを供給する場合にプラズマを生成しないことで、第２ガスのプラズマを供給する前に第１ガスが電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦに変化することを防ぐことができる。これにより、第１ガスが吸着した被エッチング膜１３０のうち、第２ガスのプラズマＰ２と反応して電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが形成された部分を保護しながら、第２ガスのプラズマＰ２によりスパッタＳ１として除去された部分のみをエッチングすることができる（図４〜図８参照）。
本開示の基板処理方法では、上述のように、Ｂ）の工程とＣ）の工程を同時に行うことにより、被エッチング膜１３０に酸素を含む第２ガスのプラズマＰ２を供給すると、被エッチング膜１３０の第１ガスが吸着した部分に電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦを形成しながら、被エッチング膜１３０の第１ガスが吸着していない部分だけをエッチングすることができる（図５、図７参照）。
これにより、第２ガスのプラズマＰ２を供給したときに、被エッチング膜１３０の保護とエッチングを同時に行うことがでるため、ボーイング等のエッチング不良を高い精度で抑制することができる。また、第２ガスのプラズマＰ２を供給するだけで、被エッチング膜１３０をエッチングすることができるので、エッチン処理の効率化を図ることができる（図４〜図８参照）。
本開示の基板処理方法では、上述のように、Ａ）、Ｂ）、及びＣ）の工程を繰り返すことで、電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが形成された被エッチング膜１３０の一部を保護しながら、電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが形成されていない被エッチング膜１３０の部分のエッチングを進めることができる。また、あらたにエッチングされた被エッチング膜１３０の一部（凹部１５０Ａの側面１５２Ａ、凹部１５０Ｂの側面１５２Ｂ、凹部１５０Ｃの側面１５２Ｃ）にも、電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが形成される。そのため、エッチングが進んでも、被エッチング膜１３０の一部（凹部１５０Ａの側面１５２Ａ、凹部１５０Ｂの側面１５２Ｂ、凹部１５０Ｃの側面１５２Ｃ）を保護しながら被エッチング膜１３０（凹部１５０Ａの底面１５１Ａ、凹部１５０Ｂの底面１５１Ｂ、凹部１５０Ｃの底面１５１Ｃ）をエッチングすることができる（図４〜図８参照）。
図１０は、第１実施形態に係る基板処理方法の変形例を示すフローチャートである。なお、図１０において、図１と共通するステップには図１に付した符号の数に１０の数を加えた数の符号を付して説明を省略する。
本開示の変形例では、前記Ａ）と前記Ｂ）の間に、前記基板の表面をパージする工程が含まれている。具体的には、ステップＳ２３で、被エッチング膜１３０に電子受容体Ｐ１を含む第１ガスを供給した後で、酸素を含む第２ガスのプラズマＰ２を供給する前に、回路基板１００をパージする（図１０）。
本明細書において、パージは、基板の表面に不活性ガスを供給して、基板表面を浄化することを示す。パージに用いられる不活性ガスの成分は、限定されないが、好ましくは化学反応を起こさない気体または起こしにくい気体であり、より好ましくは希ガスであり、さらに好ましくはアルゴン（Ａｒ）ガスである。
本開示の基板処理方法では、上述のように、電子受容体Ｐ１を含む第１ガスが吸着した被エッチング膜１３０に酸素を含む第２ガスのプラズマＰ２を供給する前に、基板の表面をパージすることで、被エッチング膜１３０やマスク膜１４０に堆積したパーティクル等の不純物や余剰の第１ガス（電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦの形成に寄与しない第１ガス）を除去することができる。これにより、基板の表面に第２ガスのプラズマＰ２が供給された場合に、電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦを被エッチング膜１３０の保護が必要な部分（凹部１５０の側面）だけに形成することができる。
図１１は、第２実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図１２〜図１５は、第２実施形態に係る基板処理方法で基板が処理される工程の一部を示す。なお、図１１では、図１と共通するステップに図１に付した符号の数に２０の数を加えた数の符号を付して説明を省略する。また、図１２〜図１５では、図２〜図８と共通する構成に図２〜図８に付した符号の数に１００の数を加えた数の符号を付して説明を省略する。
本開示の第２実施形態では、前記Ａ）と前記Ｂ）を同時に行う。具体的には、ステップＳ３２で、マスク膜２４０の開口２４１を通じて被エッチング膜２３０に電子受容体Ｐ１を含む第１ガスと酸素を含む第２ガスのプラズマＰ２とを同時に供給する（図１１、図１２）。その後、ステップＳ３３で、マスク膜２４０の開口２４１を通じて被エッチング膜２３０をプラズマエッチングする。
なお、第１ガスと第２ガスのプラズマの供給を同時に行う場合は、第１ガスと第２ガスを別々に供給しながらプラズマを発生させてもよく、また第１ガスと第２ガスの混合ガスを供給しながらプラズマを発生させてもよい。
本開示の基板処理方法では、このように第１ガスの供給と第２ガスのプラズマＰ２の供給とを同時に行うことで、第１ガスの供給と同時に被エッチング膜２３０に電子受容体Ｐ１の酸化物Ｐ３（ＰＦ）を形成することができる。これにより、電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが形成された被エッチング膜２３０の一部（凹部２５０の側面２５２）をプラズマから十分に保護しながら、被エッチング膜２３０をプラズマエッチングすることができる（図１３〜図１５）。
なお、電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦは、凹部２５０の底面２５１およびマスク膜１４０に形成されるが、後に被エッチング膜２３０をプラズマエッチングする際に、供給されるプラズマ（例えば、第２ガスのプラズマＰ２）により、スパッタＳ２として除去される。そのため、本開示では、マスク膜１４０の開口１４１の周辺に電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが堆積を抑制することができ、マスク膜１４０の開口１４１が閉塞するのを防ぐことができる（図３〜図８参照）。
＜基板処理装置＞
実施形態に係る基板処理装置について、図１６を用いて説明する。図１６は、本開示に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図である。ここでは、基板処理装置３００の一例としてプラズマ処理装置（例えば、プラズマエッチング装置）を挙げて説明する。
本開示の基板処理装置は、基板のエッチングを行うチャンバと、制御部とを有し、前記基板は、被エッチング膜と前記被エッチング膜を覆うマスク膜とを有し、前記マスク膜は、前記被エッチング膜の一部を露出する開口を有し、前記制御部は、前記基板を前記チャンバに提供し、前記開口を通じて前記被エッチング膜に電子受容体を含む第１ガスを供給し、前記被エッチング膜に酸素を含む第２ガスのプラズマを供給し、前記被エッチング膜をプラズマエッチングするように制御する。
具体的には、本開示の基板処理装置は、チャンバ３１０、ガス供給部３２０、ＲＦ電力供給部３３０、排気システム３４０、及び制御部３５０を含む基板処理装置３００で構成されている。
チャンバ３１０は、処理空間３１０Ｓ内に支持部３１１及び上部電極シャワーヘッド３１２を含み、基板のエッチングを行う。支持部３１１は、チャンバ３１０内の処理空間３１０Ｓの下部領域に配置される。上部電極シャワーヘッド３１２は、支持部３１１の上方に配置され、チャンバ３１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の一部として機能し得る。なお、チャンバ３１０は、本開示の基板処理装置を構成において基板のエッチングを行うチャンバの一例である。
支持部３１１は、処理空間３１０Ｓにおいて基板を支持するように構成される。本開示において、基板には、上述の回路基板１００が用いられる（図２、図３、図１６）。
本開示において、支持部３１１は、下部電極３１１１、静電チャック３１１２、及びエッジリング３１１３を含む。下部電極３１１１は、後述のＲＦ電力が供給される。静電チャック３１１２は、下部電極３１１１上に配置され、静電チャック３１１２の上面で回路基板１００を支持するように構成される。エッジリング３１１３は、下部電極３１１１の周縁部上面において回路基板１００を囲むように配置される。
なお、支持部３１１は、静電チャック３１１２及び回路基板１００のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュール（図示せず）を含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、流路、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、冷媒、伝熱ガスのような温調流体が流れる。
上部電極シャワーヘッド３１２は、ガス供給部３２０から処理ガスを処理空間３１０Ｓに供給するように構成される。上部電極シャワーヘッド３１２は、ガス入口３１２Ａ、ガス拡散室３１２Ｂ、及び複数のガス出口３１２Ｃを有する。
ガス入口３１２Ａは、ガス供給部３２０及びガス拡散室３１２Ｂと連通している。複数のガス出口３１２Ｃは、ガス拡散室３１２Ｂ及び処理空間３１０Ｓと連通している。本開示において、上部電極シャワーヘッド３１２は、処理ガスをガス入口３１２Ａからガス拡散室３１２Ｂ及び複数のガス出口３１２Ｃを介して処理空間３１０Ｓに供給するように構成される。
ガス供給部３２０は、ガスソース３２１及び流量制御器３２２を含んでもよい。本開示において、ガス供給部３２０は、処理ガスを、ガスソース３２１から流量制御器３２２を介してガス入口３１２Ａに供給するように構成される。流量制御器３２２は、例えばマスフローコントローラまたは圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部３２０は、処理ガスの流量を変調またはパルス化する流量変調デバイスを含んでもよい。
本開示において、ガス供給部３２０により、チャンバ３１０の処理空間３１０Ｓに供給される処理ガスには、上述の電子受容体Ｐ１（三塩化ホウ素）を含む第１ガス、及び酸素を含む第２ガスＰ２が用いられる（図５、図６）。
なお、第１ガスが処理空間３１０Ｓに供給される際に、不活性ガス（アルゴン等）が第１ガスのキャリアガスとして、第１ガスと混合されて処理空間３１０Ｓに供給される（図４、図１６）。
また、不活性ガス（アルゴン等）は、第１ガスが処理空間３１０Ｓに供給された後、回路基板１００に第２ガスのプラズマＰ２を供給する前に、電子受容体Ｐ１を含む第１ガスの供給が停止され、回路基板１００表面をパージするパージガスとして処理空間３１０Ｓに供給される（図１０のステップＳ２３）。
さらに、不活性ガス（アルゴン等）は、回路基板１００に第２ガスのプラズマが供給される際に、プラズマ（プラズマ化されたイオン）を生成する単一の原料ガスとして、処理空間３１０Ｓに供給される（図１のステップＳ１３、図１０のステップＳ２４）。
ＲＦ電力供給部３３０は、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力、例えば１または２以上のＲＦ信号を、下部電極３１１１、上部電極シャワーヘッド３１２、または、下部電極３１１１及び上部電極シャワーヘッド３１２の双方に供給するように構成される。ここで、ＲＦ電力は、高周波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）の電力を示す。
これにより、処理空間３１０Ｓに供給された処理ガス（第２ガスおよび不活性ガス）からプラズマが生成される。したがって、ＲＦ電力供給部３３０は、チャンバ３１０において処理ガス（第２ガスおよび不活性ガス）からプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。本開示において、ＲＦ電力供給部３３０は、第１のＲＦ電力供給部３３０Ａ及び第２のＲＦ電力供給部３３０Ｂを含む。
第１のＲＦ電力供給部３３０Ａは、第１のＲＦ生成部３３１Ａ及び第１の整合回路３３２Ａを含む。本開示において、第１のＲＦ電力供給部３３０Ａは、第１のＲＦ信号を第１のＲＦ生成部３３１Ａから第１の整合回路３３２Ａを介して上部電極シャワーヘッド３１２に供給するように構成される。例えば、第１のＲＦ信号は、２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲内の周波数を有してもよい。
第２のＲＦ電力供給部３３０Ｂは、第２のＲＦ生成部３３１Ｂ及び第２の整合回路３３２Ｂを含む。本開示において、第２のＲＦ電力供給部３３０Ｂは、第２のＲＦ信号を第２のＲＦ生成部３３１Ｂから第２の整合回路３３２Ｂを介して下部電極３１１１に供給するように構成される。例えば、第２のＲＦ信号は、４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有してもよい。なお、第２のＲＦ電力供給部３３０Ｂでは、第２のＲＦ生成部３３１Ｂの代わりに、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）パルス生成部を用いてもよい。
なお、本開示において、図示しない他の実施形態を用いてもよい。例えば、ＲＦ電力供給部３３０は、第１のＲＦ信号をＲＦ生成部から下部電極３１１１に供給し、第２のＲＦ信号を他のＲＦ生成部から下部電極３１１１に供給するように構成されてもよい。また、ＲＦ電力供給部３３０は、第１のＲＦ信号をＲＦ生成部から下部電極３１１１に供給し、第２のＲＦ信号を他のＲＦ生成部から下部電極３１１１に供給し、第３のＲＦ信号をさらに他のＲＦ生成部から上部電極シャワーヘッド３１２に供給するように構成されてもよい。さらに、ＲＦ電力供給部３３０は、ＤＣ電圧が上部電極シャワーヘッド３１２に印加されるように構成されていてもよい。
また、種々の実施形態において、１または２以上のＲＦ信号（例えば、第１のＲＦ信号、第２のＲＦ信号等）の振幅がパルス化または変調されてもよい。振幅変調は、オン状態とオフ状態との間、あるいは、２またはそれ以上の異なるオン状態の間でＲＦ信号振幅をパルス化することを含んでもよい。
排気システム３４０は、例えばチャンバ３１０の底面に設けられた排気口３１０Ｅに接続されている。排気システム３４０は、圧力弁及び真空ポンプを含んでもよい。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、粗引きポンプまたはこれらの組み合わせを含んでもよい。
制御部３５０は、本開示において上述の基板処理方法を基板処理装置３００に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部３５０は、基板処理装置３００の各要素を制御するように構成されている。本開示では、制御部３５０の全てが基板処理装置３００の一部として構成されているが、この構成に限定されず、制御部３５０の一部が基板処理装置３００の一部として構成されていてもよく、制御部３５０の一部または全てが基板処理装置３００と別個に設けられていてもよい。
制御部３５０は、例えばコンピュータ３５１を含んでもよい。コンピュータ３５１は、例えば、処理部３５１１、記憶部３５１２、及び通信インターフェース３５１３を含んでもよい。なお、制御部３５０は、本開示に係る基板処理装置の一部を構成する制御部の一例である。
処理部３５１１は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であり、記憶部３５１２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部３５１２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース５１３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介して基板処理装置３００の各要素との間で通信してもよい。
本開示では、制御部３５０によりチャンバ３１０が制御され、上述のステップＳ１１、ステップＳ２１、ステップＳ３１が実行される（図１、図１０、図１１）。
また、制御部３５０によりガス供給部３２０及び排気システム３４０が制御され、上述のステップＳ１２、ステップＳ２２、ステップＳ３２が実行される（図１、図１０、図１１）。
さらに、制御部３５０によりガス供給部３２０及びＲＦ電力供給部３３０が制御され、上述のステップＳ１３、ステップＳ２３、ステップＳ２４、ステップＳ３２が実行される（図１、図１０、図１１）。
本開示の基板処理装置は、前記チャンバ内に設けられ、前記基板を載置する載置部を有し、前記制御部は、前記被エッチング膜をプラズマエッチングする場合に、前記載置部にＲＦ電力を供給するように制御する。具体的には、制御部３５０によりＲＦ電力供給部３３０が制御され、チャンバ３１０内に設けられた回路基板１００を載置する支持部３１１にＲＦ電力が供給される（図１６）。なお、支持部３１１は、本開示に係る基板処理装置の一部を構成する載置部の一例である。
これにより、処理空間３１０Ｓに処理ガスとして供給された第２ガス（酸素を含むガス）のプラズマ（イオン）が生成され、上述のステップＳ１３、ステップＳ１４、ステップＳ１５、ステップＳ２４、ステップＳ２５、ステップＳ２６、ステップＳ３２、ステップＳ３３、ステップＳ３４が実行される（図１、図１０、図１１）。
本開示の基板処理装置３００では、制御部３５０の制御により、基板のエッチングを行うチャンバ３１０内で、マスク膜１４０の開口１４１を通じて被エッチング膜１３０に電子受容体Ｐ１を含む第１ガスが供給されることで、電子受容体Ｐ１を保護膜形成のプリカーサとして被エッチング膜１３０の一部（凹部１５０）に吸着させることができる。また、第１ガスが供給された後の被エッチング膜１３０に酸素を含む第２ガスのプラズマＰ２を供給することで、被エッチング膜１３０に吸着した電子受容体Ｐ１のうち、凹部１５０の側面１５２に吸着した一部の電子受容体Ｐ１が第２ガスのプラズマＰ２中の酸素ラジカルと反応して酸化物ＰＦとなり、凹部１５０の底面１５１およびマスク膜１４０に吸着したその他の電子受容体Ｐ１はスパッタＳ１として除去される（図１〜図５参照）。
さらに、被エッチング膜１３０をプラズマエッチングすることにより、被エッチング膜１３０に形成された電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦは、被エッチング膜１３０の酸化物ＰＦが形成された部分（凹部１５０の側面１５２）を、プラズマから保護することができる。また、電子受容体Ｐ１が除去された被エッチング膜１３０の部分（凹部１５０の底面１５１）は、プラズマに晒される。このようにして、基板の被エッチング膜１３０では、電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが形成された部分（凹部１５０の側面１５２）はエッチングされず、酸化物ＰＦが形成されない部分（凹部１５０の底面１５１）だけがエッチングされる（図５参照）。
また、エッチングが進むにつれてマスク膜１４０の開口１４１を通じて被エッチング膜１３０にさらに凹部１５０Ａが形成され、第１ガスは、凹部１５０Ａの底面１５１Ａ及び側面１５２Ａにも吸着する。凹部１５０Ａの底面１５１Ａに吸着した電子受容体Ｐ１は、続いて供給される第２ガスのプラズマＰ２により、スパッタＳ１として除去される一方、凹部１５０Ｂの側面１５２Ａに吸着した電子受容体Ｐ１は、側面１５２Ａに吸着したまま、第２ガスのプラズマＰ２と反応して、凹部１５０Ｂの側面１５２Ａに電子受容体Ｐ１の酸化物（保護膜）ＰＦが形成される（図５〜図８参照）。
ここに、第２ガスのプラズマＰ２を含むエッチング用のプラズマが供給されると、被エッチング膜１３０に形成された凹部１５０内では、電子受容体Ｐ１の酸化物（保護膜）ＰＦにより凹部１５０Ｂの側面１５２Ａが保護された状態で、凹部１５０Ｂの底面１５１Ｂがエッチングされ、凹部１５０ＣのようなスルーホールＨが形成される（図５〜図８参照）。そのため、本開示の基板処理装置３００によれば、ボーイング等のエッチング不良を抑制することができる。
また、第１ガスは、開口１４１周辺を含むマスク膜１４０にも吸着するが、マスク膜１４０に吸着した電子受容体Ｐ１は、第２ガスのプラズマＰ２により、スパッタＳ１として除去されるため、マスク膜１４０上に電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦは形成されにくい。そのため、本開示の基板処理装置３００によれば、マスク膜１４０の開口１４１の周辺に電子受容体Ｐ１の酸化物ＰＦが堆積しにくく、マスク膜１４０の開口１４１が閉塞するのを防ぐことができる（図５〜図８参照）。
本実施形態の基板処理装置３００では、基板（回路基板１００）を載置するためにチャンバ３１０内に設けられた載置部（支持部３１１）にＲＦ電力が供給されるように制御部３５０が制御することで、ＲＦ電力が供給される載置部（支持部３１１）はバイアス電極を構成することができる。これにより、第２ガスのプラズマＰ２によって生成された酸素のイオンまたは第２ガスのプラズマＰ２とは別個のエッチングを行うプラズマが、載置部（支持部３１１）に載置された基板の表面に引き込まれ、被エッチング膜１３０がエッチングされる。このように、被エッチング膜１３０のエッチングが促進され、効率的なエッチング処理を施すことができる。
また、本実施形態の基板処理装置３００では、チャンバ３１０内の載置部（支持部３１１）以外の部分（例えば、チャンバ３１０内の側壁３１３等）にＲＦ電力は供給されないため、チャンバ３１０内では載置部（支持部３１１）に載置された基板以外の部分はエッチングされにくい。そのため、チャンバ３１０内の浸食やそれに伴うパーティクルの発生を抑制することができる。これにより、安定的なエッチング処理を施すことができ、しかも基板処理装置３００のメンテナンスが容易になる。
以下、本開示の実施形態について、実施例を用いて説明する。実施例、比較例の試験、評価は、以下に従う。
［試験体（基板）］
試験体として、ウエハ１１０、下層膜（無機絶縁膜）１２０、被エッチング膜１３０、及びマスク膜１４０がこの順で積層された回路基板１００を用いた。ウエハ１１０はシリコン（Ｓｉ）で構成され、無機絶縁膜１２０は窒化シリコン（ＳｉＮ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）が交互に積層され、被エッチング膜１３０はアモルファスカーボン膜（ＡＣＬ）で構成され、マスク膜１４０は酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）で構成されている。マスク膜１４０には、被エッチング膜１３０の一部を露出する開口１４１が形成され、開口１４１に露出する被エッチング膜１３０の一部には、凹部１５０が形成され、凹部１５０内には、底面１５１と側面１５２が形成されている（図３参照）。
［エッチング］
図１６に示す基板処理装置３００を用いて、基板（試験体）にプラズマエッチングを施した。
［ボーイング］
エッチング終了後の基板（試験体）の断面を撮像したＳＥＭ画像から、ボーイングの最大幅（ｎｍ）を測定した（図１７、図１９、図２１、図２３参照）。ボーイングの評価は、ボーイングの最大幅（ｎｍ）が１２０ｎｍ以下の場合を良好とし、１２０ｎｍを超える場合を不良とした。
［ホール閉塞］
エッチング終了後の基板（試験体）の開口を撮像したＳＥＭ画像から、開口付近の堆積物（閉塞状態）を確認した（図１８、図２０、図２２、図２４参照）。ホール閉塞の評価は、以下の基準で行い、２以上を良好、２未満を不良とした。
３：堆積物は確認されなかった
２：わずかに堆積物が確認できるが開口の閉塞は確認されなかった
１：堆積物による開口の閉塞が確認された
［実施例１］
基板（試験体）の開口に、第１ガスとしてプラズマ状態ではない電子受容体を含むガスを供給し、その後パージガスとして不活性ガス（アルゴン（Ａｒ）ガス）を供給し、その後第２ガスのプラズマとして酸素（Ｏ２）と硫化カルボニル（ＣＯＳ）の混合ガスのプラズマを供給し、その後エッチングガスとして第２ガスのプラズマをそのまま供給して、プラズマエッチングを行い、ボーイングおよびホール閉塞を評価した（図１７、図１８参照）。なお、第１ガスに含まれる電子受容体には、ルイス酸化合物（三塩化ホウ素（ＢＣｌ３））を用いた。実施例１について、エッチングの条件と結果を、表１に示す。
［実施例２］
第１ガスとして電子受容体を含むガスと、第２ガスのプラズマとして酸素（Ｏ２）を含むガスのプラズマを同時に供給し、その後、エッチングガスとして酸素（Ｏ２）と硫化カルボニル（ＣＯＳ）の混合ガスのプラズマを供給した以外は、実施例１と同様にプラズマエッチングを行い、評価した（図１９、図２０参照）。エッチングの条件と結果を、表１に示す。
［参考例１］
第１ガス、第２ガスのプラズマのいずれも供給せず、エッチングガスとして、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）を含むガス、及び酸素（Ｏ２）と硫化カルボニル（ＣＯＳ）の混合ガスのプラズマを同時に供給した以外は、実施例１と同様にプラズマエッチングを行い、評価した（図２１、図２２参照）。エッチングの条件と結果を表１に示す。
［比較例１］
第１ガス、第２ガスのプラズマのいずれも供給せず、エッチングガスとして、酸素（Ｏ２）と硫化カルボニル（ＣＯＳ）の混合ガスのプラズマを供給した以外は、実施例１と同様にプラズマエッチングを行い、評価した（図２３、図２４参照）。エッチングの条件と結果を表１に示す。
Figure 2021192414
表１より、第１ガスとして電子受容体を含むガスと、第２ガスのプラズマとして酸素を含むガスのプラズマを供給して、プラズマエッチングを行った基板は、ボーイング、ホール閉塞の評価がいずれも良好であった。
これに対して、第１ガス、第２ガスのいずれも供給せずに、プラズマエッチングを行った基板は、ボーイング、ホール閉塞の評価のいずれかが不良であった。
これらの結果から、開口を通じて被エッチング膜に電子受容体を含む第１ガスを供給し、被エッチング膜に酸素を含む第２ガスのプラズマを供給し、被エッチング膜をプラズマエッチングすることにより、エッチング不良が抑制されることが判った。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示はこれらの実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された開示の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
１００、２００ 回路基板
１１０、２１０ ウエハ
１２０、２２０ 無機絶縁膜（下層膜）
１３０、２３０ ＡＣＬ膜（被エッチング膜）
１４０、２４０ マスク膜
１４１、２４１ 開口
１５０、１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、２５０、２５０Ａ、２５０Ｂ 凹部
１５１、１５１Ａ、１５１Ｂ、１５１Ｃ、２５１、２５１Ａ、２５１Ｂ 底面
１５２、１５２Ａ、１５２Ｂ、１５２Ｃ、２５２、２５２Ａ、２５２Ｂ 側面
Ｐ１ 電子受容体
Ｐ２ 酸素のプラズマ
ＰＦ、Ｐ３ 保護膜（電子受容体の酸化物）
Ｓ１、Ｓ２ スパッタ
Ｈ スルーホール
３００ 基板処理装置
３１０ チャンバ
３１０Ｓ 処理空間
３１０Ｅ 排気口
３１１ 支持部
３１１１ 下部電極
３１１２ 静電チャック
３１１３ エッジリング
３１２ 上部電極シャワーヘッド
３１２Ａ ガス入口
３１２Ｂ ガス拡散室
３１２Ｃ ガス出口
３１３ 側壁
３２０ ガス供給部
３２１ ガスソース
３２２ 流量制御器
３３０ ＲＦ電力供給部
３３０Ａ 第１のＲＦ電力供給部
３３１Ａ 第１のＲＦ生成部
３３２Ａ 第１の整合回路
３３０Ｂ 第２のＲＦ電力供給部
３３１Ｂ 第２のＲＦ生成部
３３２Ｂ 第２の整合回路
３４０ 排気システム
３５０ 制御部
３５１ コンピュータ
３５１１ 処理部
３５１２ 記憶部
３５１３ 通信インターフェース

Claims (11)

  1. 被エッチング膜と前記被エッチング膜を覆うマスク膜とを有する基板をエッチングする基板処理方法であって、
    前記マスク膜は、前記被エッチング膜の一部を露出する開口を有し、
    Ａ）前記開口を通じて前記被エッチング膜に電子受容体を含む第１ガスを供給する工程と、
    Ｂ）前記被エッチング膜に酸素を含む第２ガスのプラズマを供給する工程と、
    Ｃ）前記被エッチング膜をプラズマエッチングする工程と、
    を含む、基板処理方法。
  2. 前記電子受容体はルイス酸化合物である、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記電子受容体はホウ素含有化合物である、請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 前記開口を通じて前記被エッチング膜に凹部が形成されている、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  5. 前記Ａ）でプラズマを生成しない、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  6. 前記Ａ）と前記Ｂ）の間に、前記基板の表面をパージする工程を含む、
    請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  7. 前記Ｂ）と前記Ｃ）を同時に行う、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  8. 前記Ａ）と前記Ｂ）を同時に行う、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  9. 前記Ａ）、前記Ｂ）、及び前記Ｃ）を繰り返す、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  10. 基板のエッチングを行うチャンバと、
    制御部とを有し、
    前記基板は、被エッチング膜と前記被エッチング膜を覆うマスク膜とを有し、
    前記マスク膜は、前記被エッチング膜の一部を露出する開口を有し、
    前記制御部は、
    前記基板を前記チャンバに提供し、
    前記開口を通じて前記被エッチング膜に電子受容体を含む第１ガスを供給し、
    前記被エッチング膜に酸素を含む第２ガスのプラズマを供給し、
    前記被エッチング膜をプラズマエッチングするように制御する、基板処理装置。
  11. 前記チャンバ内に設けられ、前記基板を載置する載置部を有し、
    前記制御部は、
    前記被エッチング膜をプラズマエッチングする場合に、前記載置部にＲＦ電力を供給するように制御する、
    請求項１０に記載の基板処理装置。
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