JP2016117155A5 - - Google Patents
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- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 51
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 8
- 210000000481 Breast Anatomy 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
Description
本発明の基板の加工方法は、エッチングによって基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチの内部に第1の保護層を形成する第1の保護層形成工程と、前記第1の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分について除去する第1の保護層除去工程とを複数サイクル順次繰り返し、前記トレンチ形成工程から前記第1の保護層除去工程までの1サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第1のサイクルと、前記第1のサイクルに続いて第1のサイクルの後に行われる前記トレンチ形成工程から前記第1の保護層除去工程までの1サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第2のサイクルと、の間に、前記第1のサイクルで形成したトレンチの内部に第2の保護層を形成する第2の保護層形成工程と、前記第2の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分を除去する第2の保護層除去工程とを備え、エッチングによって前記基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程は、前記第1サイクルと前記第2サイクルとの間には行われないことを特徴とする。
Claims (12)
- エッチングによって基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
前記トレンチの内部に第1の保護層を形成する第1の保護層形成工程と、
前記第1の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分について除去する第1の保護層除去工程と
を複数サイクル順次繰り返し、
前記トレンチ形成工程から前記第1の保護層除去工程までの1サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第1のサイクルと、前記第1のサイクルに続いて第1のサイクルの後に行われる前記トレンチ形成工程から前記第1の保護層除去工程までの1サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第2のサイクルと、の間に、前記第1のサイクルで形成したトレンチの内部に第2の保護層を形成する第2の保護層形成工程と、前記第2の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分を除去する第2の保護層除去工程とを備え、
エッチングによって前記基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程は、前記第1のサイクルと前記第2のサイクルとの間には行われないことを特徴とする基板の加工方法。 - 前記第2のサイクルの前記トレンチ形成工程から前記第1の保護層除去工程までの繰り返しのサイクル数をnとすると、前記第2の保護層形成工程で形成される前記第2の保護層の厚さは、前記第1の保護層形成工程で形成される前記第1の保護層の厚さの((1/2)n〜(3/2)n)倍である請求項1に記載の基板の加工方法。
- 前記基板はシリコンによって形成され、
前記トレンチ形成工程では、F系ラジカルが、前記基板に向けて照射されることによってエッチングが行われ、
前記第1の保護層形成工程では、CF系のガスが、前記基板における前記トレンチに向けて照射されることで前記トレンチの内部に保護層が形成され、
前記第1の保護層除去工程では、前記トレンチに向けてSF6が照射されることで前記第1の保護層が除去される請求項1または2に記載の基板の加工方法。 - 前記第2の保護層形成工程では、CF系のガスが、前記基板における前記トレンチに向けて照射されることで前記トレンチの内部に保護層が形成され、
前記第2の保護層除去工程では、前記第2の保護層に酸素を含むガスを当てることで前記第2の保護層が除去される請求項3に記載の基板の加工方法。 - 深さが200μm以上、アスペクト比が3以上のトレンチが形成される請求項3または4に記載の基板の加工方法。
- 前記第2の保護層は、前記第2のサイクルのサイクル数に応じて形成される請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板の加工方法。
- 前記第1のサイクルは、前記第1の保護層除去工程とともに終了し、
前記第1のサイクルにおける最後の第1の保護層除去工程の後に、エッチングによって前記基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程を行わずに、前記第2の保護層形成工程が行われる請求項1乃至6のいずれか1項に記載の基板の加工方法。 - 前記第2の保護層形成工程および前記第2の保護層除去工程を第1のサイクルと第2のサイクルとの間で繰り返す請求項1乃至7のいずれか1項に記載の基板の加工方法。
- 前記第2のサイクルは、エッチングにより前記基板上にトレンチを形成するトレンチ形成工程とともに始まり、
前記第2のサイクルの最初のトレンチ形成工程の前に、エッチングによって前記基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程を行わずに、前記第2の保護層除去工程が行われる請求項1乃至8のいずれか1項に記載の基板の加工方法。 - 吐出口の形成される吐出口形成部材と、前記吐出口形成部材に貼り付けられる基板とを備え、
前記吐出口形成部材と前記基板との間に液室が形成され、前記液室に面する位置に素子の配置された液体吐出ヘッドを製造する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
エッチングによって前記基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
前記トレンチの内部に第1の保護層を形成する第1の保護層形成工程と、
前記第1の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分について除去する第1の保護層除去工程と
を複数サイクル順次繰り返し、
前記トレンチ形成工程から前記第1の保護層除去工程までの1サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第1のサイクルと、前記第1のサイクルに続いて第1のサイクルの後に行われる前記トレンチ形成工程から前記第1の保護層除去工程までの1サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第2のサイクルと、の間に、前記第1のサイクルで形成したトレンチの内部に第2の保護層を形成する第2の保護層形成工程と、
前記第2の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分を除去する第2の保護層除去工程と
を備え、
エッチングによって前記基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程は、前記第1のサイクルと前記第2のサイクルとの間には行われないことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 - 前記トレンチは、前記基板における前記液室を画成した側とは逆側の裏面から前記液室に連通するように形成される請求項10に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
- 前記基板は、複数の部材が積層されて形成され、
前記複数の部材のそれぞれに前記トレンチが形成され、
前記複数の部材に形成された前記トレンチがそれぞれ連通する請求項11に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014256176A JP6456131B2 (ja) | 2014-12-18 | 2014-12-18 | 基板の加工方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
US14/963,493 US9552984B2 (en) | 2014-12-18 | 2015-12-09 | Processing method of substrate and manufacturing method of liquid ejection head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014256176A JP6456131B2 (ja) | 2014-12-18 | 2014-12-18 | 基板の加工方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016117155A JP2016117155A (ja) | 2016-06-30 |
JP2016117155A5 true JP2016117155A5 (ja) | 2018-02-01 |
JP6456131B2 JP6456131B2 (ja) | 2019-01-23 |
Family
ID=56128477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014256176A Active JP6456131B2 (ja) | 2014-12-18 | 2014-12-18 | 基板の加工方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9552984B2 (ja) |
JP (1) | JP6456131B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6829569B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2021-02-10 | ローム株式会社 | ノズル基板、インクジェットプリントヘッドおよびノズル基板の製造方法 |
JP7209567B2 (ja) * | 2018-07-30 | 2023-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
US20200135898A1 (en) * | 2018-10-30 | 2020-04-30 | International Business Machines Corporation | Hard mask replenishment for etching processes |
US11666918B2 (en) | 2020-03-06 | 2023-06-06 | Funai Electric Co., Ltd. | Microfluidic chip, head, and dispensing device for dispensing fluids containing an acidic component |
CN113200511A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-08-03 | 杭州士兰集昕微电子有限公司 | 一种微机电传感器的背腔的制造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4221859B2 (ja) | 1999-02-12 | 2009-02-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
FR2834382B1 (fr) * | 2002-01-03 | 2005-03-18 | Cit Alcatel | Procede et dispositif de gravure anisotrope du silicium a haut facteur d'aspect |
JP4665455B2 (ja) * | 2004-08-09 | 2011-04-06 | 富士ゼロックス株式会社 | シリコン構造体製造方法、モールド金型製造方法、成形部材製造方法、シリコン構造体、インクジェット記録ヘッド、及び、画像形成装置 |
JP2007136875A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド用基体 |
JP2008068499A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Fujifilm Corp | ノズルプレートの製造方法 |
JPWO2008155986A1 (ja) * | 2007-06-20 | 2010-08-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法、液体吐出ヘッド用ノズルプレート及び液体吐出ヘッド |
JP5814654B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | シリコン基板の加工方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 |
JP5413331B2 (ja) * | 2010-08-19 | 2014-02-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
US20130052826A1 (en) * | 2011-08-30 | 2013-02-28 | Fujifilm Corporation | High Aspect Ratio Grid for Phase Contrast X-ray Imaging and Method of Making the Same |
FR2979478A1 (fr) * | 2011-08-31 | 2013-03-01 | St Microelectronics Crolles 2 | Procede de realisation d'une tranchee profonde dans un substrat de composant microelectronique |
JP6095320B2 (ja) * | 2011-12-02 | 2017-03-15 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 |
US8859430B2 (en) * | 2012-06-22 | 2014-10-14 | Tokyo Electron Limited | Sidewall protection of low-K material during etching and ashing |
JP5725052B2 (ja) * | 2013-02-01 | 2015-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | ノズルプレートの製造方法及び流体噴射ヘッドの製造方法 |
-
2014
- 2014-12-18 JP JP2014256176A patent/JP6456131B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-09 US US14/963,493 patent/US9552984B2/en active Active
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