JP2019041020A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 被処理体を処理する方法であって、
   複数のホールが表面に設けられた被処理体を提供する工程と、
   プラズマＣＶＤにより前記ホールの内面に膜を形成する工程と、
   前記膜を等方的にエッチングする工程と、
   を含む、
   方法。
2. 膜を形成する前記工程とエッチングする前記工程とは、繰り返し実行される、
   請求項１に記載の方法。
3. エッチングする前記工程は、
   窒素を含む第１のガスからプラズマを生成し、前記ホールの内面に混合層を形成する工程と、
   次いで、フッ素を含む第２のガスからプラズマを生成し、前記混合層を除去する工程と、
   を繰り返して、前記膜を等方的にエッチングする、
   請求項１または２に記載の方法。
4. 前記第２のガスは、ＮＦ_３ガスおよびＯ_２ガスを含む、
   請求項３に記載の方法。
5. 前記第２のガスは、ＮＦ_３ガス、Ｏ_２ガス、Ｈ_２ガスおよびＡｒガスを含む、
   請求項３に記載の方法。
6. 前記第２のガスは、ＣＨ_３Ｆガス、Ｏ_２ガスおよびＡｒガスを含む、
   請求項３に記載の方法。
7. 膜を形成する前記工程は、
   前記ホールの内面に第１の膜を形成する段階と、
   前記第１の膜上に第２の膜を形成する段階と、
   を備え、
   エッチングする前記工程における前記第１の膜のエッチング耐性は、前記第２の膜のエッチング耐性よりも低い、
   請求項１から６の何れか一項に記載の方法。
8. 第１の膜を形成する前記段階は、
   前記被処理体にアミノシラン系ガスを吸着させることと、
   酸素を含むガスからプラズマを生成することと、を繰り返すこと、
   を含み、
   第２の膜を形成する前記段階は、プラズマＣＶＤにより該第２の膜を形成する、
   請求項７に記載の方法。
9. 被処理体を処理する方法であって、
   被処理体を提供する工程であって、該被処理体には複数のホールが表面に設けられており、該複数のホールは第１のホール幅を有する第１のホール及び該第１のホール幅よりも大きい第２のホール幅を有する第２のホールを含む、該工程と、
   前記被処理体にシーケンスを実行する工程と、
   を備え、
   前記シーケンスは、
   前記複数のホールのそれぞれの内面に膜を形成する工程であって、前記第１のホールに形成される該膜の厚さが前記第２のホールに形成される該膜の厚さよりも小さくなるように該膜を形成する、該工程と、
   前記膜を等方的にエッチングする工程であって、該エッチング後における前記第１のホール幅と前記第２のホール幅との差は、膜を形成する前記工程の開始時における該第１のホール幅と該第２のホール幅との差よりも小さい、該工程と、
   を含む、
   方法。
10. 膜を形成する前記工程は、プラズマＣＶＤによる成膜処理を含む、
    請求項９に記載の方法。
11. 前記膜は、シリコンを含有する、
    請求項９または１０に記載の方法。
12. 前記シーケンスは、繰り返し実行される、
    請求項９から１１の何れか一項に記載の方法。

Images