JP2016117155A - 基板の加工方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents

基板の加工方法及び液体吐出ヘッドの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】エッチングによって基板にトレンチを形成する際に、トレンチの周囲の側壁がより確実に保護される基板の加工方法及び液体吐出ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】記録素子基板１にトレンチ２０を形成するトレンチ形成工程と、パッシベーション層を形成する第１の保護層形成工程と、パッシベーション層における、トレンチを掘り進める部分について除去する第１の保護層除去工程とが、複数サイクル順次繰り返される。複数サイクル行われるトレンチ形成工程から第１の保護層除去工程までの繰り返しと、次に行われるトレンチ形成工程から第１の保護層除去工程までの繰り返しと、の間に、トレンチの内部にパッシベーション層７を形成する第２の保護層形成工程が行われる。また、パッシベーション層７における、トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分について除去する第２の保護層除去工程が行われる。【選択図】図３

Description

本発明は、エッチングによって基板にトレンチを形成する際に、トレンチを囲む側壁をより精度良く形成することのできる基板の加工方法及び液体吐出ヘッドの製造方法に関する。
シリコンによって形成されたシリコン基板に、深い穴や溝といったトレンチを形成する加工が行われる際に、加工の方法としてボッシュプロセスが用いられることがある。ボッシュプロセスでは、基板へのエッチングを行う工程、エッチングの行われた部分に基板を保護するパッシベーション層を形成する工程、これから掘り進められる部分についてのパッシベーション層を除去する工程が、順次繰り返される。加工が行われる際には、トレンチの横方向の周囲の側壁にパッシベーション層が形成された状態で、トレンチが掘り進められる。側壁がパッシベーション層によって保護された状態でトレンチが掘り進められるので、エッチングの際に、局所的に深さ方向に交差する方向へ広げられることが抑えられ、トレンチを深さ方向へ適切に掘り進められる。
しかしながら、深さが深く、高アスペクト比のトレンチを形成するエッチングが実施される際には、これらの工程を繰り返す回数が多くなる。この場合、トレンチをさらに掘り進めるためにトレンチ底部のパッシベーション層を除去する工程も繰り返し行われる。トレンチ底部のパッシベーション層を除去する工程では、例えば、ＳＦ6（六フッ化硫黄）のガスがトレンチの底部に向けて照射される。トレンチの底部がＳＦ6等のガスに晒されることにより、これからトレンチの掘り進められる位置を覆うパッシベーション層が除去される。
ＳＦ6等のガスによってパッシベーション層を除去する場合、イオンの飛跡は、基板に対して必ずしも理想的に垂直になっているわけではない。プラズマ中に存在するイオンは、全方向に速度を持っているため、基板に照射される際に、イオンはトレンチの深さ方向に交差する水平方向の成分にも速度を有している。イオンに水平方向の速度が残留しているので、トレンチの周囲の側壁に衝突するイオンが存在する。これにより、イオンが側壁に衝突して側壁がイオンによって削られ、側壁の形状が変化する可能性がある。
トレンチの浅い部分では、パッシベーション層を除去する工程が繰り返し行われる度に、トレンチの側壁と水平方向に移動するイオンとの間で衝突が生じる。従って、トレンチの浅い部分では、パッシベーション層を除去する工程の回数が多くなる程、側壁とイオンとの間の衝突の回数が多くなる。
側壁が変形することを抑えるために、特許文献１では、トレンチの側壁にシリコン基板を酸化させた酸化膜（ＳｉＯ2）を形成する方法が開示されている。シリコンの酸化膜は、イオンと衝突したときの衝撃に対して耐性が高い。従って、側壁に酸化膜を形成した状態でボッシュプロセスによってトレンチを形成することにより、側壁の変形を抑えることができる。特許文献１では、基板を配置したチャンバ内で酸素プラズマを発生させてシリコン基板を酸化させることにより、トレンチの側壁に酸化膜を形成している。
特開２０００−２９９３１０号公報
しかしながら、シリコン基板を酸化させて側壁に酸化膜を形成することによって側壁を保護する方法では、形成する酸化膜の厚みに制限がある。酸化膜が一定の厚みに形成されると、それ以上厚みを増すことが難しくなる。従って、その後に行われるエッチング及びパッシベーション層の除去の頻度によっては、酸化膜の厚みが不足する可能性がある。そのため、酸化膜が形成された側壁にパッシベーション層を形成したとしても、パッシベーション層及び酸化膜の厚みが不足することで側壁が変形する可能性がある。
そこで、本発明は上記の事情に鑑み、エッチングによって基板にトレンチを形成する際に、トレンチの周囲の側壁がより確実に保護される基板の加工方法及び液体吐出ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の基板の加工方法は、エッチングによって基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチの内部に第１の保護層を形成する第１の保護層形成工程と、前記第１の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分について除去する第１の保護層除去工程とを複数サイクル順次繰り返し、前記トレンチ形成工程から前記第１の保護層除去工程までの１サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第１のサイクルと、前記第１のサイクルに続いて第１のサイクルの後に行われる前記トレンチ形成工程から前記第１の保護層除去工程までの１サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第２のサイクルと、の間に、前記第２のサイクルのサイクル数に応じて、前記第１のサイクルで形成したトレンチの内部に第２の保護層を形成する第２の保護層形成工程と、前記第２の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分を除去する第２の保護層除去工程とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、トレンチを形成する際に、トレンチの周囲の側壁をより確実に保護することができるので、トレンチを形成する過程でトレンチが変形することを抑えることができ、トレンチを精度良く形成することができる。
（ａ）〜（ｆ）は、図２の記録素子基板にトレンチを形成する際の、第１〜第３の工程の繰り返しによってトレンチを掘り進める工程のそれぞれについて示した断面図である。 （ａ）〜（ｄ）は、第１〜第３の工程の繰り返し同士の間に、次の第１〜第３の工程の繰り返しに備えてトレンチの周囲の側壁にパッシベーション層を形成する際のそれぞれの工程について示した断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、ｎサイクル目の第１〜第３の工程の後に、第４の工程及び第５の工程が行われる際の、それぞれの工程についての、トレンチの底部周辺について示した断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、比較例において、記録素子基板にトレンチを形成する際の、第１〜第３の工程の繰り返しによってトレンチを掘り進める工程のそれぞれについて示した断面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、記録素子基板にトレンチを形成して記録ヘッドを製造する際の、第１〜第３の工程の繰り返し及びその後の第４の工程及び第５の工程によってトレンチを形成する工程のそれぞれについて示した記録素子基板の断面図である。 図５（ｇ）の記録ヘッドにおいて、トレンチにパッシベーション層が残された状態で製造された記録ヘッドの断面図である。 （ａ）〜（ｆ）は、本発明の第３実施形態に係る記録ヘッドの製造工程において、記録素子基板における第１の基板及び第２の基板のそれぞれにトレンチを形成して記録ヘッドを製造する際の、それぞれの工程について示した記録素子基板の断面図である。 図７（ｆ）の記録ヘッドにおいて、トレンチにパッシベーション層が残された状態で製造された記録ヘッドの断面図である。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る液体吐出ヘッドとしての記録ヘッドについて、図面を参照して説明する。
本実施形態の記録ヘッドの製造方法について説明する。本実施形態の記録ヘッドの製造方法では、エッチングによって、記録素子基板１の厚さ方向に延びたインク供給口３３が形成されている。記録素子基板１に、厚さ方向に延びたインク供給口３３を形成する方法について説明する。
本実施形態では、インク供給口を形成するために、記録素子基板１の厚さ方向に延びるアスペクト比の比較的大きなトレンチが形成される。記録素子基板１にトレンチが形成され、トレンチが記録素子基板１と液室との間を連通すると、トレンチが、液室にインクを供給するインク供給口として機能することが可能になる。このトレンチを形成する際には、いわゆるボッシュプロセスが用いられている。ボッシュプロセスを用いて、記録素子基板１にトレンチを形成する際のそれぞれの工程について図１（ａ）〜（ｆ）を参照して説明する。
なお、インク供給口は、記録素子基板１における吐出口列の配列された方向に沿って延びて形成される。従って、トレンチは、最終的には、吐出口列の配列された方向に沿って延びるように形成されることが求められる。そのため、トレンチが、記録素子基板における厚さ方向に掘り進められると共に、吐出口列の配列された方向に沿って、徐々に掘り進められてもよい。
ボッシュプロセスでは、記録素子基板１へのエッチングを行う工程、エッチングの行われた部分にパッシベーション層を形成する工程、これから掘り進められる部分についてのパッシベーション層を除去する工程の、３つの工程が複数サイクル順次繰り返される。
ボッシュプロセスにおける、記録素子基板１へのエッチングを行う工程では、Ｆ（フッ素）系ラジカルが基板に向けて照射されてエッチングが行われる（第１の工程、トレンチ形成工程）。Ｆ系ラジカルは、記録素子基板１の表面に向けて、記録素子基板１の表面に直行する方向に照射される。その結果、Ｆ系ラジカルによって記録素子基板１の表面に直行する方向に記録素子基板１が削られることによって、記録素子基板１の厚さ方向に延びるトレンチ２０が形成される（図１（ａ））。このとき、等方性エッチングによってトレンチが形成される。
エッチングが行われると、エッチングの行われたトレンチ２０の内側の部分にパッシベーション層（第１の保護層）１２を形成する工程が行われる（第２の工程、第１の保護層形成工程）。パッシベーション層１２を形成する工程では、ＣＦ4、Ｃ4Ｆ8等のＣＦ系のガスが基板におけるエッチングの行われた部分に向けて照射されることで、基板に形成されたトレンチの内部の表面にＣＦ系のパッシベーション層１２が形成される。本実施形態では、Ｃ4Ｆ8がパッシベーション層１２の形成に用いられている。ここでは、トレンチ２０の内部を含んだ記録素子基板１の表面の全体に亘って、パッシベーション層１２が形成される（図１（ｂ））。
エッチングの行われた部分にパッシベーション層１２を形成する工程が行われると、トレンチ２０におけるこれから掘り進められる部分である底部を覆う位置のパッシベーション層１２ａを除去する工程が行われる（第３の工程、第１の保護層除去工程）。トレンチ２０の底部のパッシベーション層１２ａを除去する工程では、トレンチ２０の底部に向けてＳＦ6（六フッ化硫黄）のガスが照射される。トレンチ２０の底部がＳＦ6のガスに晒されることにより、トレンチ２０におけるこれから掘り進められる部分である底部を覆う位置に形成されたパッシベーション層１２ａが除去される（図１（ｃ））。ここでは、異方性エッチングを行うことによって、側壁に形成されたパッシベーション層１２ｂを除去しないようにして、トレンチ底部のパッシベーション層１２ａを除去する。
トレンチ２０の内部を含む記録素子基板１の表面の全体に亘ってパッシベーション層１２を形成した後に、底部についてのパッシベーション層１２ａが除去され、トレンチ２０の側壁２０ａにパッシベーション層１２ｂが残される。側壁２０ａにパッシベーション層１２ｂが残されるので、その後のエッチング及びパッシベーション層１２を除去する工程で、トレンチ２０の側壁２０ａが意図せず削られることを抑えることができる。トレンチ２０の側壁２０ａが意図せず削られることを抑えることで、トレンチ２０の形状が変化することが抑えられる。
トレンチ２０の底部のパッシベーション層１２ａが除去されると、そこからさらにエッチングによってトレンチが掘り進められる（図１（ｄ））。このとき、図１（ａ）に示される工程と同様に等方性エッチングによって、次にトレンチを掘り進めるためのエッチングが行われる。ここでは、等方性エッチングによって、さらに掘り進められる分のトレンチのエッチングが行われるので、既にトレンチの側壁に形成されているパッシベーション層１２ｂについてもエッチングが行われる。従って、既にトレンチの側壁に形成されたパッシベーション層１２ｂが削られることで薄くなる。
新たに掘り進められたトレンチが形成されると、そこに、図１（ｂ）に示される工程と同様に、パッシベーション層１２が形成される。Ｃ4Ｆ8のガスがトレンチの内部に向けて照射されることで、トレンチの内部の表面にＣ4Ｆ8によるパッシベーション層１２が形成される（図１（ｅ））。既にパッシベーション層１２ｂが形成されていたトレンチでは、既に形成されているパッシベーション層１２ｂの上から新たなパッシベーション層１２ｂが重ねて形成される。新たに形成されたトレンチにパッシベーション層１２を形成する段階では、新たなトレンチを形成するためのエッチングによって、既に形成されたパッシベーション層１２ｂは薄くなっている。そのため、既に形成されているパッシベーション層１２ｂの上に新たなパッシベーション層１２ｂが重ねて形成されても、そのパッシベーション層１２ｂの厚さは、新たに形成されたパッシベーション層１２ｂとさほど変わらない。従って、既に形成されているトレンチ２０ａのパッシベーション層１２ｂに新たなパッシベーション層１２ｂを重ねたものと、新たに形成されたトレンチ２０ａに形成されたパッシベーション層１２ｂとの間で、厚みがあまり変わらない。この関係については、トレンチを掘り進めていったとしても変わらない。そのため、トレンチを形成する過程で、パッシベーション層１２ｂの厚さは、トレンチの浅い部分から深い部分にかけて、あまり変わらない。
図１（ｅ）に示されるように、新たに形成されたトレンチにパッシベーション層１２が形成されると、再びトレンチ２０における底部を覆う位置に形成されたパッシベーション層１２ａが除去される（図１（ｆ））。
以下、図１（ｃ）〜図１（ｆ）の工程が、複数サイクル繰り返される。このように、エッチングによってトレンチ２０を掘り進める工程と、パッシベーション層１２を形成する工程と、トレンチ２０底部のパッシベーション層１２ａを除去する工程とを繰り返し行うことにより、記録素子基板１に深いトレンチを形成することができる。
本実施形態では、第１工程から第３工程までの工程がｎサイクル（ｎは２以上）繰り返され（第１のサイクル）、さらにその後に第１工程から第３工程までの工程がｎサイクル繰り返される（第２のサイクル）。本実施形態では、ｎサイクルの第１工程から第３工程までの工程の繰り返しである第１のサイクルと、ｎサイクルの第１工程から第３工程までの繰り返しである第２のサイクルと、の間に、側壁のためのパッシベーション層（第２の保護層）を設ける工程が追加される。第１のサイクルでは、第１工程から第３工程までの１サイクルが複数サイクル繰り返し行われる。また、第２サイクルにおいても、第１工程から第３工程までの１サイクルが複数サイクル繰り返し行われる。本実施形態では、ｎサイクルの第１のサイクルと、ｎサイクルの第２のサイクルが、行われている。そして、第１のサイクルと、第１のサイクルに続いて第１のサイクルの後に行われる第２のサイクルとの間に、側壁の保護のためのパッシベーション層を設ける工程が行われる。なお、本発明では、第１工程から第３工程までの繰り返しのサイクル数ｎは、２以上の整数であることとする。
ｎサイクルの第１の工程から第３の工程までの工程の繰り返し同士の間に、側壁にパッシベーション層を設ける工程が追加された、本実施形態における記録素子基板１の加工方法について図２を用いて説明する。
第１〜第３の工程をｎサイクル繰り返すことによりトレンチ２０を形成する（図２（ａ））。
ｎサイクルの第１〜第３の工程の繰り返しを行った後、次のｎサイクルの第１〜第３の工程の繰り返しが行われる前に、第２の保護層であるパッシベーション層７を形成する工程が行われる（第４の工程）（図２（ｂ））。本実施形態では、第４の工程においても、トレンチの内部にＣＦ系ガスが供給されることにより、トレンチの内部にパッシベーション層７が形成される。本実施形態では、トレンチの内部にＣ4Ｆ8を供給することにより、パッシベーション層７が形成される。
このｎサイクルの第１〜第３工程の繰り返し同士の間に、第４の工程で形成するパッシベーション層７の厚さは、ｎサイクルの第１〜第３の工程の繰り返しで形成したパッシベーション層７の厚さと同程度である。ここで言うパッシベーション層の厚さは、パッシベーション層７を形成する際のパッシベーション層７を構成する材料（本実施形態ではＣ4Ｆ8）の供給量のことをいうものとする。すなわち、ここでいうパッシベーション層７の厚さは、トレンチ２０の形成が終了した後に最終的に残っているパッシベーション層７の厚さのことではない。側壁に形成されたパッシベーション層の実際の厚さは、トレンチ２０の形成が終了した後には、イオンとの衝突及びＦラジカルによる反応により、形成された直後の厚さよりも減少しているからである。パッシベーション層７の厚さは、パッシベーション層７が形成された直後の状態で、まだイオンとの衝突やＦラジカルとの反応が生じていないときのパッシベーション層７の厚さのことである。また、形成されるパッシベーション層７の成分は、第２の工程で形成されるものと同一である。
第４の工程で形成されるパッシベーション層７の厚さは、第２の工程で形成されるパッシベーション層の厚さの１／２倍〜３／２倍とすることが好ましい。本実施形態では、第４の工程におけるパッシベーション層７の形成のために供給されるＣ4Ｆ8の単位時間当たりの供給量は、第２の工程におけるパッシベーション層の形成のために供給されるＣ4Ｆ8の単位時間当たりの供給量と等しい。そのため、Ｃ4Ｆ8を供給する時間を調節することで、Ｃ4Ｆ8の供給量を調節することができ、第４の工程では、１回の第２の工程で形成されるパッシベーション層を形成する時間の（１／２）ｎ倍〜（３／２）ｎ倍の時間でパッシベーション層７の形成が行われる。
本実施形態では、第４の工程では、１回の第２の工程で行われるパッシベーション層の形成の際の供給量の（１／２）ｎ倍〜（３／２）ｎ倍のＣ4Ｆ8の供給量によって、パッシベーション層７の形成が行われる。
第４の工程でトレンチ２０の内部にパッシベーション層７を形成する際には、記録素子基板１における裏面の全体に亘って、パッシベーション層７が形成される。
その後、ｎサイクルの第１〜第３工程の繰り返し同士の間に、トレンチ２０の底部に形成されたパッシベーション層７ａを除去する工程が行われる（第５の工程）（図２（ｃ））。このとき、トレンチ２０の底部のパッシベーション層７ａが除去されると共に、記録素子基板１の裏面に形成されたパッシベーション層７ｂが除去される。その結果、側壁に形成されたパッシベーション層７ｃが、記録素子基板１上に残される。
第１〜第３の工程がｎサイクル繰り返され、次の第１〜第３の工程の分の側壁のパッシベーション層７が形成された後に、パッシベーション層７の底部７ａが除去された後に、そこからさらに第１〜第３の工程がｎサイクル繰り返される。第１〜第３の工程が繰り返され、それらの工程の間に、側壁にパッシベーション層７を形成する工程（第４の工程）及び底部のパッシベーション層７ａを除去する工程（第５の工程）が行われる。第４の工程及び第５の工程を挟んで、再びｎサイクルの第１〜第３の工程までの繰り返しが行われる。ｎサイクルの第１〜第３の工程までの繰り返しを、複数回数行うことにより、記録素子基板１に対し、トレンチ２０を所望の深さに形成するまでエッチングが行われる（図２（ｄ））。
図３（ａ）〜（ｆ）に、ｎサイクルの第１〜第３の工程の繰り返し同士の間に行われる第４の工程と及び第５の工程が行われる際の、トレンチの底部周辺の断面図を示す。図３（ａ）に示されるように（ｎ−１）サイクル目における第１〜第３の工程でトレンチの底部のパッシベーション層１２ａが除去されると、次のｎサイクル目の第１〜第３の工程が行われる。図３（ｂ）に示されるように、それまでに形成されているトレンチの下方に、新たなｎサイクル目のトレンチが形成される。新たなトレンチが形成されると、図３（ｃ）に示されるように、トレンチの内部にパッシベーション層１２が形成される。新たなトレンチの内部にパッシベーション層１２が形成されると、図３（ｄ）に示されるように、新たなトレンチの内部における底部のパッシベーション層１２ａが除去される。新たなトレンチ内部の底部のパッシベーション層１２ａが除去されると、ｎサイクル目の第１〜第３の工程が終了する。
ｎサイクルの第１〜第３の工程の繰り返しが行われると、その後に、図３（ｅ）に示されるように、第４の工程が行われる。第４の工程では、その次のｎサイクルの第１〜第３の工程の繰り返しにおけるサイクル数ｎに応じた厚みのパッシベーション層７が形成される。
第４の工程で次のｎサイクルの第１〜第３の工程の繰り返しにおけるサイクル数ｎに応じてパッシベーション層７が形成されると、図３（ｆ）に示されるように、トレンチ２０の底部のパッシベーション層７ａが除去される。これにより、側壁に形成されたパッシベーション層７ｃが、トレンチ内部に残される。
このように、ｎサイクルの第１〜第３の工程の繰り返しを複数回行う場合に、次のｎサイクルの第１〜第３の工程で受けると予想される分のダメージに備え、側壁に、パッシベーション層７を形成する。次のｎサイクルの第１〜第３の工程でのダメージに応じて側壁にパッシベーション層７が形成されるので、次のｎサイクルの第１〜第３の工程で、イオンによるダメージによってトレンチ２０の形状が変化することをより確実に抑えることができる。また、次のｎサイクルの第１〜第３の工程で必要とされる分だけのパッシベーション層７だけがトレンチ２０の内部に形成されることになる。従って、次のｎサイクルの第１〜第３の工程で必要とされる分よりも過度に大きなパッシベーション層が形成されることにより、不必要に大きなパッシベーション層が形成されることを抑えることができる。従って、過度に大きなパッシベーション層が形成されることで、ＣＦ系のガスの消費量が過度に多くなることを抑えることができる。そのため、ＣＦ系のガスの消費量が抑えられるので、記録素子基板のエッチングの際のコストを少なく抑えることができる。これにより、液体吐出ヘッドの製造コストを少なく抑えることができる。また、不必要に長い時間パッシベーション層を形成することが抑えられるので、記録素子基板の製造工程にかかる時間を短くすることができる。従って、液体吐出ヘッドの製造に必要とされる時間を短くすることができる。
ここで、比較例として、ｎサイクルの第１〜第３の工程同士の間に、側壁にパッシベーション層の形成工程（第４の工程）及びトレンチの底部のパッシベーション層の除去工程（第５の工程）を行わない形態について、図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
比較例の場合、高アスペクト比のトレンチを形成するエッチングを実施する際には、トレンチの底部のパッシベーション層を除去する際に、底部のパッシベーション層の除去のためのイオンによってトレンチの側壁の壁面が徐々に浸食される場合がある。
トレンチが比較的浅い状態で、第３の工程で、トレンチの底部のパッシベーション層を除去する際のトレンチの断面図を図４（ａ）に示す。また、トレンチが比較的深い状態で、第３の工程で、トレンチの底部のパッシベーション層を除去する際のトレンチの断面図を図４（ｂ）に示す。図４（ｂ）に示されるように、トレンチの形状が深い場合には、トレンチの底部のパッシベーション層の除去を行う際に用いられるイオンが、側壁と衝突する可能性がある。これにより、トレンチの側壁に意図しないエッチングが行われ、図４（ｃ）に示されるように、トレンチの比較的浅い部分が過度に削られる可能性がある。これは、第３の工程におけるイオンの飛跡が、基板に対して理想的に垂直になっているわけではないことに起因する。パッシベーション層の除去の際に、イオンは、トレンチに向けてバイアスがかけられてバルクプラズマ中より基板に引き込まれるが、もともとプラズマ中に存在するイオンは、全方向に速度を持っている。そのため、放出されたイオンには基板の面方向（水平方向成分）の速度が残留し、頻度は低いがトレンチの側壁に衝突するイオンが存在する。
また、ｎサイクルの第１〜第３の工程が繰り返されることにより、第３の工程でパッシベーション層の除去が行われるごとに、記録素子基板１の面方向に沿った速度成分を有するイオンが、パッシベーション層に繰り返し衝突する。これにより、イオンが側壁のパッシベーション層に衝突する回数が、第２の工程の行われるごとに蓄積される。また、イオンが側壁のパッシベーション層に衝突するごとにパッシベーションが削られてパッシベーション層が変形する可能性がある。そのため、ｎサイクルの第１〜第３の工程が繰り返されるごとに、パッシベーション層による側壁の保護性能がその分低下する可能性がある。
パッシベーション層の形成は、繰り返し実施されるが、その都度、側壁がイオンの衝突による衝撃を受けるため、ダメージを有する層が各工程の繰り返しごとに積層されていく。それゆえに、各サイクルで実施されるパッシベーション層の形成に要する時間を多少延ばしても、保護性能は大きく改善しない。
これに対し、本実施形態では、ｎサイクルの第１〜第３の工程同士の間に、側壁にパッシベーション層７の形成工程（第４の工程）及びトレンチの底部のパッシベーション層７の除去工程（第５工程）が行われる。従って、次に行われる分のｎサイクルの第１〜第３の工程の際に、第３の工程でトレンチ底部のパッシベーション層１２ａを除去する際に発せられるイオンによってトレンチの側壁が過度に削られることを抑えることができる。
本発明を適用するトレンチの、アスペクト比及び深さの目安としては、形成されたトレンチの深さが２００μｍ以上、アスペクト比が３以上の領域であることが望ましい。これを下回るアスペクト比、深さのトレンチを形成する領域では、側壁に顕著なダメージが引き起こされることが少ないため、第４の工程で形成されるパッシベーション層７が必要とされにくい。また、ｎサイクルの第１〜第３の工程とｎサイクルの第１〜第３の工程との間に実施される第４の工程及び第５の工程は、１回には限られない。ｎサイクルの第１〜第３の工程と第４及び第５の工程とを複数回繰り返すことにより、より高いアスペクト比、より深い形状を形成することが可能となる。本発明の構成を用いることにより、高アスペクト比によるトレンチをエッチングする際のトレンチ内部の側壁でのダメージを大幅に抑制し、所望の形状のトレンチを形成することができる。
図５（ａ）〜（ｇ）に、本実施形態の液体吐出ヘッドとしての記録ヘッドの製造方法によって記録ヘッドを製造する際のそれぞれの工程についての基板の断面図を示す。
図５（ａ）に示されるように、記録ヘッドを製造するための記録素子基板１が用意される。図５（ａ）に示される記録素子基板１には、シリコン酸化膜８を挟んで、吐出口形成部材２２が貼り付けられている。記録素子基板１と吐出口形成部材２２との間には、インク流路２３及び液室３０が形成されている。インク流路２３における両側の端部には、記録素子３１が配置されている。
吐出口形成部材２２における記録素子３１に対応する位置には、吐出口３２が形成されている。吐出口形成部材２２における表面には、撥液層２６が形成されている。吐出口形成部材２２上の撥液層２６よりも表面側には、保護部２７が形成されている。本実施形態では、保護部２７として、東京応化製ＯＢＣ（商品名）が吐出口形成部材２２上の撥液層２６よりも表面側の全面に塗布されている。
次いで、記録素子基板１の裏面側に、ポリエーテルアミド樹脂（日立化成ＨＩＭＡＬ（商品名））からなる耐エッチング膜２８が形成される。
次いで、耐エッチング膜２８よりも裏面側に、感光性ポジ型レジスト２９（東京応化製ｉＰ５７００（商品名））が、基板の裏面の全面に塗布される。塗布されたポジ型レジストに対してウシオ電機製投影露光装置ＵＸ−４２５８（商品名）が用いられ、供給口のパターンに合わせて形成されたマスクを通して露光・現像が行われる。次に、ＣＦ4とＯ2の混合ガスが用いられ、ケミカルドライエッチングにより耐エッチング膜２８におけるマスクによって露光されていない部分が除去される。これにより、スリット状の供給口のパターンに合わせて耐エッチング膜２８を除去することで供給口のパターンが形成される。結果的に、エッチングマスクが形成される（図５（ｂ））。このときのマスクの開口寸法は、１００μｍである。
次に、シリコンに対してエッチングを行う装置として、住友精密工業社製Ｐｅｇａｓｕｓ（商品名）を用いて、ボッシュプロセスによって記録素子基板１のエッチングが行われ、記録素子基板１にトレンチ２０が形成される。
本実施形態では、エッチングは、形成されるパターン６の深さが４００μｍになるように、エッチングレートを計算し、１回の第１〜第３の工程の繰り返し回数は１００サイクルとした。これは、アスペクト比４に相当する（図５（ｃ））。
次いで、第４の工程として、記録素子基板１を処理室内にいれたまま、トレンチを形成する際に行った第２の工程１００回分と同じ成膜時間でパッシベーション層７の成膜が行われる（図５（ｄ））。このとき、第２の工程のパッシベーションステップの時間は３．５秒であるので、第４の工程の処理時間は３５０秒である。
次に、第５の工程として、Ｏ2のガスを用いて、トレンチ２０の内壁に成膜された厚いパッシベーション層７の底部が除去される（図５（ｅ））。第３の工程におけるトレンチの底部のパッシベーション層の除去は、通常オーバーエッチングを含んで次の第１の工程に移行しているため、両工程に共通してＳＦ6を用いることができる。しかしながら、第５の工程では、厚いパッシベーション層７の底部を除去するので、オーバーエッチングの時間がその分長くなる。従って、ＳＦ6を使用すると、パッシベーション層７の除去の後にシリコンを大幅にエッチングしてしまう可能性がある。そのため、ここでは、パッシベーション層７のエッチングは可能であるが、シリコンのエッチングは行わないＯ2を用いることが好適である。従って、本実施形態では、パッシベーション層７に酸素を含んだガスを当てることでパッシベーション層７の除去が行われる。
次いで、ボッシュプロセスによって、次の基板のエッチングが再び行われる。
なお、本実施形態では、２回目の第１〜第３の工程の繰り返しにおいても、ｎサイクルの第１〜第３の工程の繰り返しが行われる形態について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されず、１回目の第１〜第３の工程の繰り返しのサイクル数と、２回目の第１〜第３の工程の繰り返しのサイクル数とは、同じ回数でなくてもよい。記録素子基板の厚さや材料、エッチングの速度に応じて、第１〜第３の工程の繰り返しのサイクル数が適切に調節されればよい。
その後の第１〜第３の工程の繰り返しでは、トレンチがエッチングストップ層であるシリコン酸化膜８に到達するまで第１〜第３工程が繰り返されてエッチングが行われる。トレンチがシリコン酸化膜８に到達したところでエッチングが止められる（図５（ｆ））。
次に、エッチングによって、トレンチ２０によって晒された部分のシリコン酸化膜８が除去される。また、それと同時に、側壁に沿って形成されたパッシベーション層７の除去が行われる（図５（ｇ））。このように、記録素子基板１の裏面からシリコン酸化膜８まで延びたトレンチ２０が形成される。トレンチ２０の側壁に成膜されているパッシベーション層７については、デュポン社製ＥＫＣ２６５（商品名）に浸漬されることにより、除去される。エッチングストップ層であるシリコン酸化膜８は、ダイキン工業社製バッファードフッ酸１１０Ｕ（商品名）により、ウェットエッチングが行われて、除去される。保護部２７であるＯＢＣ（商品名）は、キシレンによって除去される。その後、ウシオ電機製Ｄｅｅｐ−ＵＶ露光装置ＵＸ−３０００（商品名）を用いて撥液層２６上から全面に露光し、液体流路パターンを形成する流路型構造９を可溶化する。それから、基板を乳酸メチル中に超音波を付与しつつ浸漬することで後に液室及びインク流路となる流路型構造９が除去される（図５（ｇ））。これにより、記録ヘッドが製造される。
このように、記録素子基板１に、記録素子基板１の裏面からインク流路２３及び液室３０まで延びたトレンチ２０が形成されることにより、記録素子基板１にインク供給口３３が形成される。このように、本実施形態では、トレンチ２０が、記録素子基板１における液室３０を画成した側とは逆側の裏面から液室３０に連通するように形成される。
なお、本実施形態では、記録素子基板１にトレンチ２０が形成された後に、トレンチ２０の周囲の側壁に形成されたパッシベーション層７が除去されているが、本発明はこれに限定されない。トレンチ２０の周囲の側壁に成膜されているパッシベーション層７を除去せずに残すことも可能である。この場合、例えば図６に示されるように、インク供給口の周囲の側壁を、インクによる浸食から保護する膜として、パッシベーション層７を利用することができる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る記録ヘッドについて説明する。第１実施形態では、ｎサイクルの第１〜第３の工程までの繰り返しを２回行い、ｎサイクルの第１〜第３の工程までの繰り返し同士の間に、パッシベーション層７を形成する記録ヘッドの製造方法について説明した。これに対し、第２実施形態では、アスペクト比のより高いトレンチの形成に対応するため、第１〜第３の工程の繰り返しが３回行われる。第１〜第３の工程の繰り返し同士の間に第４の工程及び第５の工程が行われて、第４の工程及び第５の工程が計２回行われる方法によって記録ヘッドを製造する記録ヘッドの製造方法について説明する。
シリコンエッチング前のサンプル作製方法に関しては、第１実施形態の記録素子基板に準じ、第２実施形態では、基板厚さが７２５μｍの記録素子基板が用意される。エッチングマスクの開口寸法は７５μｍである。
次に、シリコンに対してエッチングを行う装置として、住友精密工業社製Ｐｅｇａｓｕｓ（商品名）を用いて、ボッシュプロセスによって記録素子基板がエッチングされ、記録素子基板にトレンチが形成される。このとき、ｎ回の第１〜第３の工程が行われて、記録素子基板にエッチングが行われる。
なお、エッチングは、１回のｎサイクルの第１〜第３の工程までの繰り返しにより形成されるトレンチの深さが３００μｍになるように、エッチングレートが計算され、第１〜第３の工程の繰り返し回数は７５サイクルとした。トレンチの開口部の長さが７５μｍなので、このトレンチは、アスペクト比４に相当する。
次いで、第４の工程として、記録素子基板を処理室内に入れたまま、トレンチを形成する際に行った第２の工程７５回分と同じ成膜時間でパッシベーション層７の成膜を行った。つまり、第２の工程７５回分と同じ供給量のＣ4Ｆ8が供給されることによって、パッシベーション層７が形成される。このとき、第２の工程のパッシベーション層の形成ステップの時間は３．５秒であったため、第４の工程の処理時間は２６２．５秒だった。
次に、第５の工程として、Ｏ2のガスを用いて、トレンチの内壁に成膜された厚いパッシベーション層の底部を除去した。
次に、再び第１〜第３の工程を７５サイクル繰り返し、ボッシュプロセスにて基板のエッチングを行う。これによって、記録素子基板でトレンチ６が掘り進められる。このときのエッチングが、２回目の第１〜第３の工程に相当する。なお、２回目の第１〜第３の工程においても、エッチングにより、掘り進める深さが３００μｍとなるように、エッチングレートを計算し、第１〜第３の工程の繰り返し回数は７５サイクルとした。
第１〜第３の工程を繰り返し７５サイクル行った後に、パッシベーション層を形成する工程（第４の工程）及び底部のパッシベーション層を除去する工程（第５の工程）が行われる。
パッシベーション層を形成する第４の工程及び底部のパッシベーション層を除去する第５の工程が行われると、さらに第１〜第３の工程が７５サイクル行われる。
７５サイクルの第１〜第３の工程が、２回繰り返されることにより、ここまでで深さ６００μｍのトレンチが形成され、トレンチのアスペクト比が８となる。形成されるトレンチが高アスペクト比になると、パッシベーション層を形成するためのＣ4Ｆ8ガスがトレンチ内の奥の位置まで進入し難くなる。そのため、そのようなトレンチでは、側壁の保護層が薄くなる。従って、イオンによって側壁にダメージが与えられたときに、側壁の形状に変化が生じ易くなる。そのため、再度厚いパッシベーション層を成膜した。次いで、基板を処理室内に入れたまま、トレンチを掘り進める際に行った第２の工程７５回分と同じ成膜時間でパッシベーション層７の成膜を行った。パッシベーションステップの時間は３．５秒であったため、処理時間は２６２．５秒であった。次にＯ2ガスを用いて、トレンチの内壁に成膜された厚いパッシベーション層の底部を除去した。これが２回目の第２の工程に相当する。
次いで、ボッシュプロセスにて基板のエッチングを再開し、上面のエッチングストップ層であるシリコン酸化膜８まで残りの１２５μｍのエッチングが行われる。残りの１２５μｍについてのエッチングを行うことで、記録素子基板の裏面から液室までのインク供給口が形成される。残りのエッチングにおいても、第１〜第３の工程が複数サイクル繰り返されることにより行われる。このようにして、３回目の第１〜第３の工程の繰り返しが行われる。このように、本実施形態では３回の第１〜第３の工程の繰り返しが行われ、これらの第１〜第３の工程同士の間に、第４の工程及び第５の工程が行われる。
その後は、第１実施形態と同様に、側壁に沿って形成されたパッシベーション層の除去が行われる。このようにして、液体吐出ヘッドの製造が行われる。
このように、複数サイクルの第１〜第３の工程の繰り返しについては、２回に限定されず、３回行われてもよい。また、複数サイクルの第１〜第３の工程の繰り返しは、４回以上の任意の回数が行われてもよい。複数サイクルの第１〜第３の工程の繰り返し同士の間に、側壁にパッシベーション層を形成する第４の工程及びトレンチ底部のパッシベーション層を除去する第５の工程が行われればよい。
（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る記録ヘッドについて説明する。なお、上記第１実施形態及び第２実施形態と同様に構成される部分については図中同一符号を付して説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
図７（ａ）に、本実施形態の記録ヘッドにおいてインク供給口の形成される前の状態の記録素子基板３４及び吐出口形成部材２２の断面図を示す。図７（ｆ）に、本実施形態の記録ヘッドにおいてインク供給口が形成された後の記録ヘッドの断面図を示す。
本実施形態の記録ヘッドの製造においては、第１の基板（部材）３５と第２の基板（部材）３６とが接合されて記録素子基板３４が形成されている。第１の基板３５と第２の基板３６との間には、中間層３７が配置されている。
第１の基板３５と第２の基板３６とが接合された記録素子基板３４が吐出口形成部材２２と接合され、記録素子基板３４にインク供給口４３が形成されて記録ヘッドが形成される（図７（ｆ））。本実施形態では、記録素子基板３４における第２の基板３６と、吐出口形成部材２２とが接合される。
第１の基板３５の裏面側には、感光性ポジ型レジスト（東京応化製ｉＰ５７００（商品名））が、全面に亘って塗布されている。第１の基板３５及び第２の基板３６は、シリコンによって形成されている。本実施形態では、第１の基板３５は、厚み５００μｍに形成されている。第１の基板３５には、予め、表面に０．７μｍの熱酸化膜が形成されている。
中間層３７は、エッチングの際のマスク３８として用いられる。マスク３８を形成する際には、第１の基板３５の第２の基板３６側に塗布されたポジ型レジストに対して、ウシオ電機製投影露光装置ＵＸ−４２５８（商品名）を用いて、露光・現像が行われる。ここでの露光・現像は、エッチングによって形成されるトレンチのパターンに従って形成された別のマスクを通して行われる。この後に、バッファードフッ酸１１０Ｕ（ダイキン工業社製、商品名）を用いて熱酸化膜によって形成された中間層３７の一部をエッチングすることにより、これから形成されるトレンチのパターンに沿って一部除去されたマスク３８が形成される。マスク３８の形成は、第１の基板３５と第２の基板３６とが接合される前の段階で行われる。これにより、第２の基板３６に対し深いホール状の供給口のパターンを形成するためのエッチングを行うためのマスク３８が、第１の基板３５上に形成される。本実施形態では、第１の基板３５上にマスク３８が形成され、マスク３８の形成された状態の第１の基板３５に、マスク３８を挟んで、第２の基板３６が貼り付けられる。
本実施形態における記録ヘッドの製造工程について説明する。図７（ａ）〜（ｆ）に、本実施形態の記録ヘッドの製造の際の、各工程の記録ヘッドについての断面図を示す。本実施形態では、予め、第２の基板３６が、加工された後、厚み２００μｍとなるように、その表面が研磨される。また、第２の基板３６における吐出口形成部材２２側の位置には、シリコン酸化膜３９が形成される。また、第２の基板３６における、吐出口形成部材２２側の位置に配置されたシリコン酸化膜３９の上面には、記録素子３１が配置される。このように、第２の基板３６にシリコン酸化膜３９及び記録素子３１が配置された後に、第２の基板３６に吐出口形成部材２２が接合される。
次に、インク供給口４３の形状に沿ったマスク３８の形成された中間層３７を介して、第１の基板３５と第２の基板３６とが接合される（図７（ａ））。インク供給口を形成するためのエッチングの行われる前の段階における第１の基板３５及び第２の基板３６によって形成された記録素子基板３４及び吐出口形成部材２２の構成については、第１実施形態及び第２実施形態における記録ヘッドと同様である。
上記のように構成された記録素子基板３４及び吐出口形成部材２２に対してエッチングが行われることによって記録ヘッドが形成される。
次に、第１の基板３５に比較的大きなトレンチ４０を形成し、第２の基板３６に比較的小さなトレンチ４２を形成して、記録素子基板３４にインク供給口を形成する方法について説明する。
まず、住友精密工業社製Ｐｅｇａｓｕｓ（商品名）を用いて、ボッシュプロセスによって、記録素子基板３４にインク供給口となる比較的大きなトレンチ４０が形成される。ここでのボッシュプロセスでは、第１〜第３の工程が複数サイクル繰り返し行われることによって、第１の基板３５にエッチングが行われる。エッチングは、中間層３７の熱酸化膜が露出するまで行われ、これによって比較的大きなトレンチ４０が形成される（図７（ｂ））。このときの第１〜第３の工程の繰り返されるサイクル数は、１２５回である。
次いで、記録素子基板３４及び吐出口形成部材２２を処理室内に入れたまま、第１実施形態と同様の方法によって、トレンチ４０の内部にパッシベーション層４１を形成する。このとき、第２の基板３６に行われる次の第１〜第３の工程の繰り返しのサイクル数に応じた供給量のＣ4Ｆ8ガスが供給されることによって、トレンチ４０の側壁にパッシベーション層が形成される。ここでは、第１〜第３の工程の繰り返しによってトレンチ４０を形成する際に行った１２５サイクル分のパッシベーション層を形成するのに必要とされる時間と同じ時間だけＣ4Ｆ8ガスが照射される。これによって、ボッシュプロセスによって形成された比較的大きなトレンチ４０の内部に、厚いパッシベーション層４１が形成される（図７（ｃ））。
次に、Ｏ2のガスを用いて、トレンチ４０の内部に形成された厚いパッシベーション層４１の底部が除去される（図７（ｄ））。これにより、トレンチ４０の側壁に厚いパッシベーション層４１が残される。
次いで、トレンチ４０を形成したときと同様に、ボッシュプロセスによって、第２の基板３６の上面のエッチングストップ層であるシリコン酸化膜３９まで第２の基板３６に対してエッチングが行われる。これにより、第２の基板に比較的小さなトレンチ４１が形成される（図７（ｅ））。すなわち、複数サイクル第１〜第３の工程が繰り返されて、第２の基板３６にトレンチ４２が形成される。
第２の基板に比較的小さなトレンチ４２を形成するのに第１〜第３の工程が繰り返される。第３の工程では、次の第１の工程でのエッチングによって掘り進められる部分についてのパッシベーション層が除去される。このとき、本実施形態では、比較的大きなトレンチ４０の側壁にパッシベーション層４１が形成されている。従って、トレンチ４２の形成の際に、トレンチ４２の底部に形成されたパッシベーション層の除去のためのイオンがトレンチ４０の側壁に衝突し、トレンチ４０の側壁の形状が変形することを抑えることができる。トレンチ４０の変形が抑えられるので、エッチングによって形成されるトレンチ４０の形状の精度が高く保たれる。
第２の基板３６にトレンチ４２が形成されることにより、記録素子基板３４の裏面からインク流路及び液室まで延びたインク供給口４３が形成される。これにより、記録素子基板３４の裏面から記録素子３１の周囲の領域に向けてインクを供給することができる。また、本実施形態によれば、記録素子基板３４に、精度の高いインク供給口４３を形成することができる。
その後、第１実施形態及び第２実施携帯と同様に、トレンチ４０の側壁に形成されたパッシベーション層４１が除去される（図７（ｆ））。このようにして、記録ヘッドが製造される。
このように、複数サイクルの第１〜第３の工程が行われ、第４の工程及び第５の工程を挟んで、再び複数サイクルの第１〜第３の工程が行われるときに、複数サイクルの第１〜第３の工程によって形成されるそれぞれのトレンチの幅は異なっていてもよい。
なお、本実施形態では、第１の基板３５にトレンチ４０が形成され、第２の基板３６にトレンチ４２が形成された後に、トレンチ４０の側壁に形成されたパッシベーション層４１が除去されているが、本発明はこれに限定されない。トレンチ４０の側壁に成膜されているパッシベーション層４１を除去せずに残すことも可能である。この場合、例えば、図８に示されるように、シリコンによって形成された第１の基板３５の側壁をインクによる浸食から保護する膜として、パッシベーション層４１を利用することができる。
なお、上記実施形態では、記録ヘッドの記録素子基板にインク供給口を形成するために、記録素子基板にトレンチを形成する場合について説明した。しかしながら、本発明は上記実施形態に限定されず、他の用途に用いられる基板に対し深い溝としてのトレンチを形成するのであれば、トレンチの形成される基板は、記録ヘッドに用いられる記録素子基板でなくてもよい。例えば、シリコンを微細に加工した構造体としては、ＭＥＭＳ分野や電気機械の機能デバイスに幅広く用いられている。ＭＥＭＳ分野や電気機械の機能デバイス等の他の分野で、基板に対し、深い溝であるトレンチを形成する場合に、本発明が適用されてもよい。
１ 記録素子基板
７ パッシベーション層
１２ パッシベーション層
２０、４０、４２ トレンチ

Claims (8)

  1. エッチングによって基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
    前記トレンチの内部に第１の保護層を形成する第１の保護層形成工程と、
    前記第１の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分について除去する第１の保護層除去工程と
    を複数サイクル順次繰り返し、
    前記トレンチ形成工程から前記第１の保護層除去工程までの１サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第１のサイクルと、前記第１のサイクルに続いて第１のサイクルの後に行われる前記トレンチ形成工程から前記第１の保護層除去工程までの１サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第２のサイクルと、の間に、前記第２のサイクルのサイクル数に応じて、前記第１のサイクルで形成したトレンチの内部に第２の保護層を形成する第２の保護層形成工程と、前記第２の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分を除去する第２の保護層除去工程と
    を備えることを特徴とする基板の加工方法。
  2. 前記第２のサイクルの前記トレンチ形成工程から前記第１の保護層除去工程までの繰り返しのサイクル数をｎとすると、前記第２の保護層形成工程で形成される前記第２の保護層の厚さは、前記第１の保護層形成工程で形成される前記第１の保護層の厚さの（（１／２）ｎ〜（３／２）ｎ）倍である請求項１に記載の基板の加工方法。
  3. 前記基板はシリコンによって形成され、
    前記トレンチ形成工程では、Ｆ系ラジカルが、前記基板に向けて照射されることによってエッチングが行われ、
    前記第１の保護層形成工程では、ＣＦ系のガスが、前記基板における前記トレンチに向けて照射されることで前記トレンチの内部に保護層が形成され、
    前記第１の保護層除去工程では、前記トレンチに向けてＳＦ6が照射されることで前記第１の保護層が除去される請求項１または２に記載の基板の加工方法。
  4. 前記第２の保護層形成工程では、ＣＦ系のガスが、前記基板における前記トレンチに向けて照射されることで前記トレンチの内部に保護層が形成され、
    前記第２の保護層除去工程では、前記第２の保護層に酸素を含むガスを当てることで前記第２の保護層が除去される請求項３に記載の基板の加工方法。
  5. 深さが２００μｍ以上、アスペクト比が３以上のトレンチが形成される請求項３または４に記載の基板の加工方法。
  6. 吐出口の形成される吐出口形成部材と、前記吐出口形成部材に貼り付けられる基板とを備え、
    前記吐出口形成部材と前記基板との間に液室が形成され、前記液室に面する位置に素子の配置された液体吐出ヘッドを製造する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
    エッチングによって前記基板にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
    前記トレンチの内部に第１の保護層を形成する第１の保護層形成工程と、
    前記第１の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分について除去する第１の保護層除去工程と
    を複数サイクル順次繰り返し、
    前記トレンチ形成工程から前記第１の保護層除去工程までの１サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第１のサイクルと、前記第１のサイクルに続いて第１のサイクルの後に行われる前記トレンチ形成工程から前記第１の保護層除去工程までの１サイクルが複数サイクル繰り返し行われる第２のサイクルと、の間に、前記第２のサイクルのサイクル数に応じて、前記第１のサイクルで形成したトレンチの内部に第２の保護層を形成する第２の保護層形成工程と、
    前記第２の保護層における、前記トレンチをさらに掘り進める位置を覆う部分を除去する第２の保護層除去工程と
    を備えることを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
  7. 前記トレンチは、前記基板における前記液室を画成した側とは逆側の裏面から前記液室に連通するように形成される請求項６に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
  8. 前記基板は、複数の部材が積層されて形成され、
    前記複数の部材のそれぞれに前記トレンチが形成され、
    前記複数の部材に形成された前記トレンチがそれぞれ連通する請求項７に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
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