JP2017228580A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- シリコンを含有する成膜ガスを被処理体に供給して、当該被処理体の表面に形成された凹部内にシリコン膜を形成する工程と、
次に、前記シリコン膜をエッチングするためのハロゲンガスと、当該ハロゲンガスによるエッチング後のシリコン膜の表面の荒れを抑えるための荒れ抑制ガスと、を含む処理ガスを前記被処理体に供給する工程と、
当該処理ガスに熱エネルギーを与えて活性化し、前記凹部の側壁に形成された前記シリコン膜をエッチングして当該凹部の開口幅を広げるエッチング工程と、
然る後、前記成膜ガスを前記被処理体に供給し、前記凹部内に残留した前記シリコン膜上にシリコンを堆積させて当該凹部内にシリコンを充填する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ハロゲンガスは塩素ガスであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング工程は、前記被処理体を２５０℃〜４５０℃に加熱する工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
- 前記処理ガスは、前記荒れ抑制ガスの流量／前記ハロゲンガスの流量が１／４以上となるように当該荒れ抑制ガス及びハロゲンガスを含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記荒れ抑制ガスは臭化水素ガスであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチング工程によりエッチングされた前記シリコン膜の表面のヘイズの値／前記処理ガスを構成するハロゲンガス及び荒れ抑制ガスのうち前記ハロゲンガスのみを前記被処理体に供給して前記エッチング工程が行われたときの前記シリコン膜の表面のヘイズの値は、０.８以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
- 被処理体を収納する真空容器と、
前記被処理体を加熱する加熱部と、
前記処理容器内にシリコンを含有する成膜ガスを供給する成膜ガス供給部と、
前記処理容器内にシリコン膜をエッチングするためのハロゲンガスを供給するエッチングガス供給部と、
当該ハロゲンガスによるエッチング後のシリコン膜の表面の荒れを抑えるための荒れ抑制ガスを供給する荒れ抑制ガス供給部と、
前記成膜ガスを被処理体に供給して、当該被処理体の表面に形成された凹部内にシリコン膜を形成するステップと、次に、前記ハロゲンガスと前記荒れ抑制ガスとを含む処理ガスを前記被処理体に供給するステップと、当該処理ガスに熱エネルギーを与えて活性化し、前記凹部の側壁に形成された前記シリコン膜をエッチングして当該凹部の開口幅を広げるエッチングステップと、然る後、前記成膜ガスを前記被処理体に供給し、前記凹部内に残留した前記シリコン膜上にシリコンを堆積させて当該凹部内にシリコンを充填するステップと、を実施するように制御信号を出力する制御部と、
を備えることを特徴とする半導体製造装置。
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